JPH06508732A - 平面状蛇行アンテナ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 平面状蛇行アンテナ 本発明は誘電体基板上に設けられたストリップ導体装置によって構成された平面 状アンテナ素子およびこの種の平面状アンテナ素子から構成されたアンテナに関 する。

ストリップ導体技術はギガヘルツ範囲までの周波数、特に１００ＭＨｚ〜１０Ｇ Ｈｚの周波数、特に人工の地上衛星基地を持つ通信にとって重要であるＩＧＨ２ の範囲からなる周波数を持っｔ磁交流信号を発生し、転送しそして処理するため の電気回路を製作するための重要な基盤である。大きさに応じて場合によっては “マイクロストリップ導体装置”とも称されるストリップ導体装置はほぼ平面状 に形成された誘電体基板の第１表面上に設けられたストリップ状電気導体から構 成される。誘電体基板は第１表面に対してほぼ平行な第２表面を有し、この第２ 表面は導電性被膜によってほぼ覆われている。第１表面と第２表面との間の基板 の厚みは一般にミリメータの大きさである。ストリップ導体装置用の基板の選択 可能な高さが基板の誘電率とストリップ導体装置によって案内すべき電磁信号の 真空波長とを含むｓ’ｒｓに基づいて制限されることは有利である。基板の厚み を制限することの主要な効果は、伝播がストリップ導体袋！の実際形状に殆ど依 存せずしかもストリップ導体装置の機能を場合によっては著しく乱すおそれのあ るいわゆる“表面波”が基板上に現れることである。

ストリップ導体袋！、特に“マイクロストリップ線”はマインヶおよびグントラ ッハ著「高周波技術ポケットブック」　（第４版、第２巻、シュブリンガー出版 社、ベルリンおよびハイデルヘルク（１９８６年発行）、第に８頁以降参照）に 詳細に記載されている。この刊行物には平面状アンテナつまり上述した種類のス トリップ導体装置内に設けられたアンテナも同様に記載されている（第Ｎ２４頁 および第Ｎ２５頁参照）、同様に、高周波信号を入射および出射させるためにど のように平面状アンテナを線路系統に接続するがということも詳細に記載されて いる。平面状アンテナに関する他の記載はチンケおよびブルンスヴイノヒ著「高 周波技術読本」　（第４版、第４巻、シェプリンガー出版社、ベルリンおよびハ イデルベルク（１９９０年発行）、第４１３頁以降参照）にある、同様にこの刊 行物にはアンテナに関する基本概念が詳細に説明されている（第６章、特に第６ ゜１、　７童、第３６５頁以下参照）。

ストリップ導体技術により平面状で蛇行状に構成されたアンテナはヨーロッパ特 許出願公開第００６１８３１号公報および英国特許出願公開第２１６５７００号 公報に記載されている。アンテナはそれぞれ従来の基板上に設けられた従来の電 気導体から構成されている。上記の最初に挙げた刊行物は予め与えられた放射特 性にアンテナの形状を整合させる技術に関し、第２に挙げた刊行物は従来の平面 状アンテナの耐候性実装に関する。

平面状アンテナはストリップ導体技術により他の電子回路と共に単一の基板上に 配置することができる。このことは高周波領域において特にコンパクトな通信シ ステムを製作するという一般的な願望に沿うことがら、平面状アンテナが特に注 目されている。コンパクトな構成を得るためには、寸法が電磁信号の真空波長よ りも著しく小さいアンテナが望まれる。ＧＨｚ範囲の周波数を持つ信号に対して 真空波長は約１０ｃｍであるが、しかしながらアンテナはＩｃｍ以下であること が望まれている。従来の電気導体から成る“電気的に小さい”アンテナを使用す ることはしかしながらアンテナの一般に非常に小さい放射抵抗のために電気導体 内の高いオーミ７り損失によって生じる一般に非常に低い効率をもたらすことに なる。オーミック損失を防止するために、超伝導体によってアンテナを形成する ことが既に公知である（ドイツ連邦共和国特許第、１０４６１２１号明細書参照 ）。

高周波回路、特にストリップ導体装置に超伝導体を使用することは、数年前に発 見された高い遷移温度を持つセラミック超伝導体つまり現在では“セラミック高 温超伝導体゛′として一般に知られている材料に関連して、関心が著しく高まっ ている。その材料に関する記載、特に高温超伝導体用の可能な組成に関する記載 はヨーロッパ特許出願公開第０３３７６５６号公報にあり、同様に１９９１年４ 月１５日〜１９日にローマで開催されたｒＨＴｓｃ薄膜に関する国際研究会：特 性および応用」にδいて高周波回路およびアンテナ内での高温超伝導体製薄膜の 使用可能性に関するエッチ・ヒャローブカおよびジー・ミエラーの講演「低マイ クロ波損失形ＨＴＳＣ３膜のリニアデバイスへの応用」によって報告されている 。

その際、使用可能な高温超伝導体ならびに基板用の可能な材料およびこの基板の 寸法に関する報告が行われた。同様にセラミック高温超伝導体をベースとする平 面状アンテナに関しても詳細な報告が行われた。特殊な超伝導性平面状アンテナ に間する詳細はさらにエイ・ピシュケ、エッチ・ヒャロープカ、エヌ・クライン およびジー・スプリット著の論文「小形化超伝導性平面アンテナ」　（タライン ホイバッハ報告書、第３４巻、１９９１年発行、第１７１頁以降参照）に記載さ れている。

平面状アンテナの一般に矩形状または円形状素子を小形化することは、原理的に は充分に大きい誘電率を有する誘電体基板を使用することによって可能である。

ストリップ導体装置を形成するために使用される材料として超伝導体が選定され る場合、このような小形化を行うことは確かにこの種の材料の特性によって妨害 されないが、この小形化を行うことによってアンテナの帯域幅が著しく縮小し、 このことによりその適用性が強く制限され、しかも使用可能な周波数帯域幅に成 る種の条件を有する通信系統に対しては単一の平面状アンテナの代わりに多数の 適当に合わせられた平面状アンテナが使用されなければならない、小形化をさら に進めると、帯域の相応する縮小によって、例えばテレビジラン信号のような広 帯域信号を伝送するためにはアンテナの適性が疑問視されるようになる。これに 関しては例えば上記のエイ・ピシュケ、エッチ・ヒャロープカ、エヌ・クライン およびジー・スプリット著の論文を参照されたい、この論文には、絶対帯域幅は 僅かに４ＭＨｚであるが、その絶対帯域幅を特殊な手段を講する（２層のストリ ップ導体装置を使用する）ことによってテレビジョン信号を伝送するのに適する 値の９ＭＨｚへ高めることができる、２．４Ｃ−Ｈｚの周波数で駆動される平面 状アンテナが記載されている。小形化が進むにつれて帯域幅が縮小されることは 刊行物「プロシーデインダス・オブ・ジ・アイトリプルイー」第６９巻、１９８ １年発行、第１７０頁に掲載されたアール・シー・ハンセン著の論文「アンテナ の基本的限界」第６９巻、１９８１年発行、ｉ！！１７０真に記載されている。

この刊行物には、電気的に小さいアンテナ（即ち例えば平面状アンテナ）の寸法 を最低品質、従って最大帯域幅に関係付けることが示されている。その際、何れ にせよ極めて望ましくない効率低下を来すことによって当然帯域幅を拡大したア ンテナ内での損失は無視されている。

本発明の課題は、従来技術を考慮して、小形化アンテナのために、損失が僅少で あり（従って効率が高＜）、従来技術による平面状アンテナに比較して明らかに 大きい帯域幅を有するアンテナ素子、しかも平面状アンテナ素子を提供すること にある。

本発明による平面状アンテナ素子は、第１表面とこの第１表面にほぼ平行な第２ 表面とを備えた誘電体基板上に設けられたストリップ導体装置によって構成され 、第１表面がストリップ導体装置を形成する超伝導性の第４被膜を有し、第２表 面が導電性の第２被膜によってほぼ覆われ、アンテナ素子が狭い間隔で互いに位 置しかつ互いにほぼ平行である複数のストリップから構成され、各ストリップが ２つの端部を有し、ストリップがその端部のところで蛇行状に互いに結合される ことを特徴とする。

本発明はさらに、誘電体基板上に設けられたストリップ導体装置によって構成さ れ必要に応じて後述する実施例の１つの枠内の本発明による平面状アンテナ素子 を少なくとも１つ備えた平面状アンテナに関する。この平面状アンテナ内には本 発明による平面状アンテナ素子が必要に応じて他の有利な特性と連携して特別な 指向効率を得るために配置される。

本発明による平面状アンテナ素子は従来技術によるアンテナ素子に比較して多数 の利点ををする０部ち本発明によるアンテナ素子に生じる共振周波数および帯域 幅を決定する共振効果は、従来技術による平面状アンテナ素子の一般的な矩形状 のスｉリフブ導体に生じる共振効果とは実質的に異なっている。従来技術による アンテナ素子に対して本発明によるアンテナ素子は本質的に、放射ｔｍ波または 基板内への受信ｔｍ波の半波長の何倍も大きい長さを有する一次元の折畳み式共 振器である。従来技術による平面状アンテナ素子の長さはその波長の半分である ６本発明による平面状アンテナ素子において放射を生ぜしめる高周波電流は従来 技術のように“二次元”共振によって作られるのではなく、“−次元”共振によ って作られる。アンテナ素子を形成するストリップに流れる高周波電流は共振器 においてはほぼ互いに同相で加重的に重畳される。実際に本発明によるアンテナ 素子によれば５０％以上の効率が達成されると共に７％の帯域幅が達成される。

一方、同し寸法の公知の平面状アンテナ素子の場合、帯域幅は０．５％の範囲で ある。

さらに本発明によるアンテナ素子は特別な純粋モード、すなわち放射ｉ磁界の簡 単にかつ良好に記述可能なパターンを保証する。というのは、アンテナは従来技 術による単純な平面状アンテナのように多数の互いに直角の方向に励起されるの ではな（、蛇行を形成するストリップの延在方向に対して平行な方向にだけ励起 されるからである０本発明によるアンテナ素子の放射電磁界は比較的単純であり 、それゆえ本発明によるアンテナ素子は一連のアンテナ素子を有する平面状アン テナに使用するのに特に通する。

超伝導体の使用は比較的大きい誘電率を持つ誘電体基板の使用を可能にし、この ことによって特に小さな寸法のアンテナが得られることも強調することができる 。アンテナ内のオーミック損失は超伝導体によって小さくされるので、アンテナ の寸法が小さくても高い効率が得られる。

給電線、特にストリップ導体技術で構成された給電線または同軸線を接続するた めに、直流的、誘導的および容量的な全ての結合方法が利用される０本発明によ れば、結合の具体的な形成は、アンテナ素子が上述した理由から従来技術の平面 状アンテナ素子において問題となる共振を形成する可能性を全く有しないように することによって、簡単になる。

本発明によるアンテナ素子における第１被膜の互いに隣接するストリップは勿論 その間隔が小さいので互いに容量的または誘導的に相互に結合され、それゆえ蛇 行状に互いに結合されたストリップから構成された共振器の共振特性は必ずしも 同じ長さの真っ直ぐに伸ばされたストリップ線の共振特性とは同しではない。

ストリップ同士を結合することにより帯域幅の他に共振周波数の値も同様に変化 することがあるが、このことはアンテナ素子の寸法を適当に整合させることによ って対処することができる。即ち場合によっては、アンテナ素子のストリップ長 さは基板の誘ａＳに関係する放射または受信電磁信号の波長の半分から若干ずら されなければならない、理論的にめられた寸法にこのように整合させることはし かしながら高周波技術においては一般に行われていることであり、この種の技術 に造詣の深い当業者には良く知られているところである。このことは、ストリッ プ導体装置の１磁特性の完全な理論的説明力呵能ではないので、ストリップ導体 装置の寸法には特に有効である。

本発明による平面状アンテナ素子におけるストリップの個数は個々の事例におけ る幾何学的および電気的な要求に合わせられる。好ましくは少なくとも５個、特 に少なくとも１０個のストリップが使用されるが、ストリップの個数は好ましく は最大で４０個、特に２０個に制限される。特にストリップの最大個数は好まし くはストリップ導体装置を製造するために採用された製造方法に合わせられる。

この製造方法としては、スパッタリング法およびレーザ除去法等の多種多様なＰ ＶＤおよびＣＶＤ法が必要に応じて被膜のパターンを形成するためのりソゲラフ 法と組合わされて使用される。さらにまたスクリーン印刷法も使用される。

あらゆる構成における本発明によるアンテナ素子の形状は、ストリップがほぼ矩 形状、特にほぼ正方形状の囲い内に配！されるように選定すると有利である。

本発明による平面状アンテナ素子の帯域幅を拡大するために、この平面状アンテ ナ素子は、長さの異なったストリップ、特に周波数が予め選定されている際に共 振を達成するのに必要である長さを得るために長さが所定の範囲内で変えられた ストリップを互いに組合わせることによって構成することができる０種々異なっ た長さのこのようなストリップは、アンテナ素子がほぼ台形状、特に鏡面対称の 台形状の囲い内に設けられるように互いに配置されると有利である。

本発明による平面状アンテナ素子の全てのストリップはほぼ真っ直ぐであるのが 好ましく、全て一様な幅を有している。特に、全てのストリップを一様な幅に形 成することによって、共振周波数の際のアンテナ素子上の電流分布が充分に均一 になることが保証されるが、そのことは簡単に取扱可能でがっ夏山可能な放射電 磁界を形成するのに有効である。

あらゆる構成における本発明による平面状アンテナ素子の小形化をさらに助成す るために、２つのストリップの各結合部には、アンテナ素子の駆動周波数の際に 有効な大きさのキャパシタンスを育するコンデンサを第２被膜および基板とによ って形成する成形体の形態の“容量性負荷”が設けられる。このような容量性負 荷を設けることによって、ストリップの長さは容量性負荷を設けなかった時に必 要な長さに比べて短くすることができる。従って、容量性負荷を設置することに よって、共振周波数が設定されている際には寸法のより一層の短縮が達成される 。

本発明による平面状アンテナ素子を形成することのできる基板は比較的大きい誘 電率を持つ材料から特に構成される。というのは、設定された共振周波数のため に必要なアンテナの寸法は誘電率が大きくなれば小さくなるからである。少なく とも１０、特に少なくとも２５の誘電率を持つ基板が選定されると有利である。

このような基板のための考えられ得る材料には、必要に応じてガラスファイバ等 によって強化されたプラスチック、特に必要に応してファイバ強化され得るポリ テトラフルオロエチレンがある。同様に結晶基板、必要に応じては微結晶基板を 使用することもできる。このために試験された材料には酸化アルミニウム、酸化 マグネシウムおよびランタン・アルミン酸塩がある。特にランタン・アルミン酸 塩および酸化マグネシウムは、第１被膜及び／又は第２被膜用の超伝導材料とし て例えばイツトリウム、バリウム、銅および酸素から成る公知の化合物のような セラミック高温超伝導体が使用されなければならない場合に有利である。単結晶 のランタン・アルミン酸塩上にはセラミック高温超伝導体を蒸気相からエピタキ シャルに成長させることができ、それゆえ基板の有利な結晶軸方向によって、結 晶軸が同様に大きな電流搬送力を得るために有利な方向へ向けられた超伝導被膜 が得られる。酸化アルミニウムは約２２の大きな誘電率と、特に損失の少ないス トリップ導体装置を形成可能にする特に大きい絶縁抵抗とを有するので特に注目 されている。

本発明による超伝導性平面状アンテナ素子が設けられる基板のほぼ全面に亘って 形成される第２被膜には、銅、銀および金のような良導電性材料が使用される。

低損失に関しては超伝導性の第２被膜を設けることが特に有利である。第２被膜 はしかしながら何れの場合にもストリップ導体装置を形成する第１被膜よりも僅 かしか負荷を受けないので、特に経済的条件の下では従来の電気導体、特に銅ま たは貴金属から成る第２被膜を使用することが有意義である。

第２被膜を第１被膜と同じ物質から構成し、それにより両波膜を１つの作業工程 で設けることができるようにすれば、本発明による平面状アンテナ素子はコスト 的に有利に製造することができる。ストリップ導体装置を形成するための第１被 膜のパターン形成はこのような場合には第２の作業工程においてエンチング等に よって行われるか、または基板が第１被膜内にストリップ導体装置を得るために 被膜を形成する前に一部透明なマスクによって覆われる。

あらゆる構成における本発明によるアンテナ素子のための第１被膜（または同様 に出来るならば第２被膜も）を形成するために特に有利な材料としては特にセラ ミック超伝導体が適し、例えば１２３形（即ち、公知のイツトリウム−バリウム −銅−酸素の化合物）または２２１２形（例えば、タリウム、バリウム、カルシ ウム、銅および酸素からなる化合物）のセラミック高温超伝導体を使用するのが 有利である。

あらゆる構成における本発明によるアンテナ素子のための基板の厚みは、通常の 用途に対しては好ましくは０．３ｍｍ　〜１．５ｍｍ、特に０．５ｍｍ〜１．０ ｍｍに選定される。既に詳細に説明したよように、基板の厚みの選定に関係して 場合によっては基板上には表面波が発生する。しかしながら、予め与えられた大 きさに基板の厚みを選定することによって、表面波の擾乱作用は充分に小さくす ることができる。

次に本発明を図面に示された実施例に基づいて説明する。各実施例は一部分を概 略的に及び／又は若干変形して示されている。このことはそれぞれの重要部分を 強調するのに有意義である。

図４はストリップ導体技術にて給電線を含んだ本発明による平面状アンテナ素子 の簡単な実施例を示す概略図である。

図２は特に大きな帯域幅を有する本発明によるアンテナ素子の他の実施例を示す 概略図である。

図３はストリップ導体装置に同軸線を結合する結合部を含んだストリップ導体装 置を備えた基板の断面図である。

図４は本発明によるアンテナ素子の特にコンパクトな実施例を示す要部概略図で ある。

図５は多数の本発明によるアンテナ素子から構成された平面状アンテナを示す概 略図である。

本発明の基礎をなす原理を説明するために先ず図１および図２を共に参照する。

これらの図には、ストリップ導体装置に所属する給電線１２への結合素子１３を 介して用途に応してストリップ導体技術にて出来れば同じように構成された電子 回路、例えば送信器または受信器へ導かれる本発明によるアンテナ素子１を備え たストリップ導体装置がそれぞれ示されている。アンテナ素子ｌは端部８が結合 部１０を介して蛇行状に結合されている多数のストリップ７がら構成されている 。

アンテナ素子１は共振周波数を有しており、しがもこの共振周波数は各ストリッ プ７の長さくもしくは全ストリップ７の平均長さ）がｃ図１および図２には理解 を容易にするために示されていない）基板内の共振周波数を有する電磁波の半波 長に一致する周波数であり、これにはストリップ７が狭い間隔で隣接する際に現 れる結合効果が考慮される０図１に示された平面状アンテナ素子１は９個のスト リップ７を含み、図２に示されたアンテナ素子１は８個のストリップ７を含んで いる。これらの個数は本発明によれば可能な個数であるが、しがしながら決して 本発明を代表する個数ではない、実際上アンテナ素子１内には非常に多数のスト リップ７を含ませることができ、特にストリップを４０個まで含ませることがで きる。全ての図において、特に図１および図２において、同様にストリップ７の 幅および相互間隔は本発明を代表するものではない、つまり、ストリップ７の寸 法および配置は実際上個々の事例の要求に合わせることができる。

図１に示された実施例においてはアンテナ素子ｌのストリップ７は互いに同し長 さに形成されており、それゆえアンテナ素子１は矩形状の囲い９によって囲むこ とができる。アンテナ素子１への給電はストリップ７への給電線１２の１ＩＩｆ Ｌ結合によって行われ、その場合アンテナ素子１と給電線１２との間には結合素 子１３つまり四分の一波長変成器として考慮されたストリップ導体部材が介挿さ れている。結合素子１３はアンテナ素子１の人力インピーダンスを給電線１２の インピーダンスに整合させる。

図２には種々異なった長さのストリップを育するアンテナ素子１が示されている 。このアンテナ素子１のストリップ７はアンテナ素子１が台形状の囲い９によっ て囲まれるように配置されている。このような装置は図４に示されている装！と 同し程度に小形化することはできないが、しかしながら特に大きな帯域幅を有す る点で優れている０図２に示されている実施例においてはアンテナ素子１への給 電線１２の結合は容量的に行われる。結合素子１３は給電線１２がアンテナ素子 １に密に接近する個所に設けられる。結合素子１３の長さを適当に選定すること によって場合によってはアンテナ素子１と給電線１２との間に他の変成器素子を 設ける必要がな（なる。

図３は第４表面３および第２表面４を有する誘電体基板２の断面図を示す、この 図３において、第１表面３にはアンテナ素子１を形成するための第１被膜５が設 けられ、第２表面４はほぼ全面に亘って設けられた第２被膜６を有している。

第１被膜５および第２被膜６は両方とも導電性を示し、その場合本発明によれば 第１被膜５は超伝導性を示さなければならず、第２被膜６は超伝導性を示さなく てもよい０図３に示されているようにアンテナ素子ｌにはさらに同軸導線１４が 結合可能である。第２被膜６は切欠１５ををしており、この切欠１５には、同軸 導線１４の外部導体１６が第２被膜６に接触してこれに結合され、しかも内部導 体１７がその切欠１５内へ入るように同軸導線１４が取付けられている。外部導 体１６と内部導体１７との間の電界はこのようにして基［２をアンテナ素子ｌま で透過する。アンテナ素子１の人力インピーダンスを同軸導線１４のインピーダ ンスに整合させるために、必要に応して、内部導体１７は外部導体１６内でずら される０図３は概略図を示し、特に基板２、第４被膜５および第２被膜６の厚み は全く実寸通り示されておらず、第１被膜５および第２被膜６は具体的な構成に よれば基板２よりも何桁か薄く形成され得る。アンテナ素子１への同軸導線１４ の結合も同様に概略的に示されている。というのは、この結合方法は公知であり 、従ってその具体的な実現方法を示す必要がないからである。

図４はより一層の小形化を可能にする本発明によるアンテナ素子の一実施例の要 部が概略図にて示されている。２個のストリップ７の結合部１０は、（図示され ていない）基板および（同様に図示されていない）第２被膜とで実効容量を持つ コンデンサを形成する成形体１１を存している。アンテナ素子の上述した駆動方 法の場合、各結合部１０には高電圧と低電流とが現れ、従ってかかる結合部では 実効容量を備えることによって共振周波数を維持しながら寸法を短縮させること ができる。成形体１１の形状および配置は個々の事例の要求および実現可能性に 応して選定可能である０図示された実施例におけるストリップ７は厳密に互いに 平行に形成されていない、しかしながら、本発明においてはこのようにすること は同様に必要ではない。

図５は２つの平面状アンテナ素子１から構成された平面状アンテナが示されてい る。アンテナ素子１は結合素子１３を介して給電線１２に直流的に結合されてお り、それゆえ互いに平行でしかも１を磁信号の同じ相で駆動される９図示された 実施例によれば、アンテナ素子１は多種多様な目的のために、例えば指向性効率 及び／又は円形状に偏波した放射電磁界を得るために、互いに組合わせることが できる。

本発明は、誘電体基板から成るストリップ導体装置によって構成され、特に寸法 が小さくて特に高い効率を有し、かつ特に広い帯域幅を有ししかも簡単に同種の アンテナ素子と組合わせて平面状アンテナを構成することのできる平面状アンテ ナ素子に関する。

ＩＧ　Ｉ ＩＧ　２ 国際調査報告 フロントページの続き （７２）発明者　ヒヤロープカ、ハインツドイツ連邦共和国　デー−４６３０ボ ツフムシンケルシュトラーセ　８４ （７２）発明者　ピシュケ、アルント ドイツ連邦共和国　デー−４０００デュツセルドルフ　１３　ライテンシュトル ファーシュトラーセ　３５

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. １．第１表面（３）とこの第１表面に平行な第２表面（４）とを備えた誘電体基 板（２）上に設けられたストリップ導体装置によって構成され、前記第１表面（ ３）は前記ストリップ導体装置を形成する超伝導性の第１被膜（５）を有し、前 記第２表面（４）は導電性の第２被膜（６）によってほぼ覆われ、アンテナ素子 （１）は狭い間隔で互いに位置しかつ互いにほぼ平行である複数のストリップ（ ７）から構成され、前記各ストリップは２つの端部（８）を有し、前記ストリッ プ（７）は前記端部（８）のところで蛇行状に結合されることを特徴とする平面 状アンテナ素子。
2. ２．少なくとも５個、特に少なくとも１０個でしかも最大４０個、特に２０個の ストリップ（７）から構成されることを特徴とする請求項１記載の平面状アンテ ナ素子。
3. ３．ストリップ（７）はほぼ矩形状、特にほぼ正方形状の囲い（９）内に配置さ れることを特徴とする請求項１または２記載の平面状アンテナ素子。
4. ４．ストリップ（７）はほぼ台形状、特に鏡面対称の台形状の囲い（９）内に配 置されることを特徴とする請求項１または２記載の平面状アンテナ素子。
5. ５．全てのストリップ（７）はほぼ直線状に形成され、全て均一な幅を有するこ とを特徴とする請求項１ないし４の１つに記載の平面状アンテナ素子。
6. ６．それぞれ２個のストリップ（７）が結合部（１０）で互いに結合され、前記 結合部（１０）は第２被膜（６）および基板（２）とでコンデンサを形成する成 形体（１１）を有することを特徴とする請求項１ないし５の１つに記載の平面状 アンテナ素子。
7. ７．基板（２）は少なくとも１０、特に２５の誘電率を有することを特徴とする 請求項１ないし６の１つに記載の平面状アンテナ素子。
8. ８．基板（２）は主としてプラスチック、特にポリテトラフルオロエチレンから 構成されることを特徴とする請求項１ないし７の１つに記載の平面状アンテナ素 子。
9. ９．基板（２）はＬａＡｌＯ２、特に単結晶のＬａＡｌＯ３から構成されること を特徴とする請求項１ないし７の１つに記載の平面状アンテナ素子。
10. １０．基板（２）はＡｌ２Ｏ３から構成されることを特徴とする請求項１ないし ７の１つに記載の平面状アンテナ素子。
11. １１．第２被膜（６）は金属、特に銅、銀または金から構成されることを特徴と する請求項１ないし１０の１つに記載の平面状アンテナ素子。
12. １２．第２被膜（６）は超伝導性を有することを特徴とする請求項１ないし１０ の１つに記載の平面状アンテナ素子。
13. １３．第２被膜（６）は第１被膜（５）と同じ物質から構成されることを特徴と する請求項１２記載の平面状アンテナ素子。
14. １４．第１被膜（５）はセラミック超伝導体から構成されることを特徴とする請 求項１ないし１３の１つに記載の平面状アンテナ素子。
15. １５．第１被膜（５）はセラミック高温超伝導体、特にＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ から構成されることを特徴とする請求項１４記載の平面状アンテナ素子。
16. １６．基板（２）は第１表面（３）と第２表面（４）との間に０．３ｍｍ〜１． ５ｍｍ、特に０．５〜１．０ｍｍの厚みを有することを特徴とする請求項１ない し１５の１つに記載の平面状アンテナ素子。
17. １７．誘電体基板（２）上に設けられたストリップ導体装置によって構成され、 請求項１ないし１６の１つに記載された平面状アンテナ素子（１）を少なくとも １つ備えた装置を有することを特徴とする平面状アンテナ。