JPH0629439A - 樹脂用インサート部材 - Google Patents
樹脂用インサート部材Info
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- JPH0629439A JPH0629439A JP4207480A JP20748092A JPH0629439A JP H0629439 A JPH0629439 A JP H0629439A JP 4207480 A JP4207480 A JP 4207480A JP 20748092 A JP20748092 A JP 20748092A JP H0629439 A JPH0629439 A JP H0629439A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 インサート部材に加工歪み等を残留させるこ
となく容易に封止樹脂との密着性を向上し得る樹脂用イ
ンサート部材を提供する。 【構成】 少なくとも一部が樹脂中に封入される金属製
のインサート部材において、該インサート部材の樹脂中
に封入される部分の表面が、めっきによって形成された
多数の半球状の粒状体から成る凹凸面に形成されている
ことを特徴とする樹脂用インサート部材にある。
となく容易に封止樹脂との密着性を向上し得る樹脂用イ
ンサート部材を提供する。 【構成】 少なくとも一部が樹脂中に封入される金属製
のインサート部材において、該インサート部材の樹脂中
に封入される部分の表面が、めっきによって形成された
多数の半球状の粒状体から成る凹凸面に形成されている
ことを特徴とする樹脂用インサート部材にある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂用インサート部材に
関し、更に詳細にはリードフレーム等のように、少なく
とも一部が樹脂中に封入される樹脂用インサート部材に
関する。
関し、更に詳細にはリードフレーム等のように、少なく
とも一部が樹脂中に封入される樹脂用インサート部材に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置には、例えば図５に示すリー
ドフレーム１００が使用されている。このリードフレー
ム１００には、半導体チップを搭載するステージ１０
２、搭載された半導体チップとワイヤボンディングされ
る複数本のインナーリード部１０４、各インナーリード
部１０４に連結されたアウターリード部１０８、１０８
・・・、及びダムバー１０６、１０６が形成されてい
る。かかるリードフレーム１００は、半導体チップがス
テージ１０２に搭載された後、各インナーリード部１０
４の先端部と半導体チップとがワイヤボンディングさ
れ、次いでダムバー１０８、１０８間の部分が樹脂封止
される。その後、隣接するリード間を連結するダムバー
１０８、１０８の部分が切断されることによって、各リ
ードが隣接するリードと分離される。
ドフレーム１００が使用されている。このリードフレー
ム１００には、半導体チップを搭載するステージ１０
２、搭載された半導体チップとワイヤボンディングされ
る複数本のインナーリード部１０４、各インナーリード
部１０４に連結されたアウターリード部１０８、１０８
・・・、及びダムバー１０６、１０６が形成されてい
る。かかるリードフレーム１００は、半導体チップがス
テージ１０２に搭載された後、各インナーリード部１０
４の先端部と半導体チップとがワイヤボンディングさ
れ、次いでダムバー１０８、１０８間の部分が樹脂封止
される。その後、隣接するリード間を連結するダムバー
１０８、１０８の部分が切断されることによって、各リ
ードが隣接するリードと分離される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようにして得られ
た半導体装置は、アウターリード部１０８・・・を除き
樹脂封止されており、半導体装置が置かれる雰囲気から
半導体チップ等を保護することができる。しかしなが
ら、樹脂封止された半導体装置において、ステージ１０
２や複数本のインナーリード部１０４と封止樹脂との密
着性が低い場合、ステージ１０２やインナーリート部１
０４等と封止樹脂との境界面等から水分等が侵入し、半
導体装置に亀裂等を惹起し易い。封止樹脂とリードフレ
ームとの境界面に蓄積された水分等が蒸発するためであ
る。一方、樹脂封止とインサート部材との密着性を向上
すべく、インサート部材の表面をプレス加工よって粗面
化して樹脂との接触面積を大きくすることがなされてい
るが、粗面加工されたインサート部材には加工歪みが残
留するため、樹脂封止する際の熱によって歪みが顕在化
してインサート部材に歪を発生させる原因となる。
た半導体装置は、アウターリード部１０８・・・を除き
樹脂封止されており、半導体装置が置かれる雰囲気から
半導体チップ等を保護することができる。しかしなが
ら、樹脂封止された半導体装置において、ステージ１０
２や複数本のインナーリード部１０４と封止樹脂との密
着性が低い場合、ステージ１０２やインナーリート部１
０４等と封止樹脂との境界面等から水分等が侵入し、半
導体装置に亀裂等を惹起し易い。封止樹脂とリードフレ
ームとの境界面に蓄積された水分等が蒸発するためであ
る。一方、樹脂封止とインサート部材との密着性を向上
すべく、インサート部材の表面をプレス加工よって粗面
化して樹脂との接触面積を大きくすることがなされてい
るが、粗面加工されたインサート部材には加工歪みが残
留するため、樹脂封止する際の熱によって歪みが顕在化
してインサート部材に歪を発生させる原因となる。
【０００４】また、エッチング加工によってインサート
部材に加工歪みを与えることなく表面を粗面化すること
が考えられるが、インサート部材の強度を保持しつつ封
止樹脂との接着力を向上し得る程度にインサート部材表
面の粗面化の程度をコントロールすることは極めて困難
である。そこで、本発明の目的は、インサート部材に加
工歪み等を残留させることなく容易に封止樹脂との密着
性を向上し得る樹脂用インサート部材を提供することに
ある。
部材に加工歪みを与えることなく表面を粗面化すること
が考えられるが、インサート部材の強度を保持しつつ封
止樹脂との接着力を向上し得る程度にインサート部材表
面の粗面化の程度をコントロールすることは極めて困難
である。そこで、本発明の目的は、インサート部材に加
工歪み等を残留させることなく容易に封止樹脂との密着
性を向上し得る樹脂用インサート部材を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記目的を
達成すべく検討を重ねた結果、インサート部材の表面に
銅めっきを施して粗面状とした後、ニッケルめっきを施
すことによって、インサート部材の表面に多数の半球状
の粒状体が形成され、樹脂との接触面積を大きくできる
ことを見出し、本発明に到達した。即ち、本発明は、少
なくとも一部が樹脂中に封入される金属製のインサート
部材において、該インサート部材の樹脂中に封入される
部分の表面が、めっきによって形成された多数の半球状
の粒状体から成る凹凸面に形成されていることを特徴と
する樹脂用インサート部材にある。
達成すべく検討を重ねた結果、インサート部材の表面に
銅めっきを施して粗面状とした後、ニッケルめっきを施
すことによって、インサート部材の表面に多数の半球状
の粒状体が形成され、樹脂との接触面積を大きくできる
ことを見出し、本発明に到達した。即ち、本発明は、少
なくとも一部が樹脂中に封入される金属製のインサート
部材において、該インサート部材の樹脂中に封入される
部分の表面が、めっきによって形成された多数の半球状
の粒状体から成る凹凸面に形成されていることを特徴と
する樹脂用インサート部材にある。
【０００６】かかる構成の本発明において、インサート
部材の樹脂中に封入される部分の表面に、下地めっきと
して銅めっきが粗面状に施され、且つ前記下地めっき上
に施されたニッケル単独又はニッケル含有合金めっきが
施されていることが、封止樹脂との密着性が向上された
インサート部材を容易に得ることができる。また、金属
製のインサート部材が銅製であること、或いはニッケル
単独又はニッケル含有合金のめっき厚が０．５〜１．５
μｍであることが、インサート部材の表面に多数の半球
状の粒状体を容易に形成することができる。尚、ニッケ
ル含有合金がニッケルー錫合金であることが、めっきに
よってインサート部材の表面に多数の半球状の粒状体を
形成する上に好適である。
部材の樹脂中に封入される部分の表面に、下地めっきと
して銅めっきが粗面状に施され、且つ前記下地めっき上
に施されたニッケル単独又はニッケル含有合金めっきが
施されていることが、封止樹脂との密着性が向上された
インサート部材を容易に得ることができる。また、金属
製のインサート部材が銅製であること、或いはニッケル
単独又はニッケル含有合金のめっき厚が０．５〜１．５
μｍであることが、インサート部材の表面に多数の半球
状の粒状体を容易に形成することができる。尚、ニッケ
ル含有合金がニッケルー錫合金であることが、めっきに
よってインサート部材の表面に多数の半球状の粒状体を
形成する上に好適である。
【０００７】
【作用】本発明によれば、インサート部材の樹脂封入部
分の表面にめっきによって形成された多数の半球状の粒
状体により、加工歪みの残留或いは強度を低下させるこ
となく樹脂とインサート部材との接触面積を著しく大き
くできる。その結果、インサート部材に樹脂封止する際
の熱を加えても、粗面加工に因る歪みが顕在化すること
なくインサート部材を樹脂封止することができ、しかも
インサート部材と封止樹脂との密着性を向上することが
できるため、インサート部材と封止樹脂との境界面等か
らの水分侵入を防止できる。このため、水分侵入に起因
して封止樹脂に発生する亀裂等も防止できる。
分の表面にめっきによって形成された多数の半球状の粒
状体により、加工歪みの残留或いは強度を低下させるこ
となく樹脂とインサート部材との接触面積を著しく大き
くできる。その結果、インサート部材に樹脂封止する際
の熱を加えても、粗面加工に因る歪みが顕在化すること
なくインサート部材を樹脂封止することができ、しかも
インサート部材と封止樹脂との密着性を向上することが
できるため、インサート部材と封止樹脂との境界面等か
らの水分侵入を防止できる。このため、水分侵入に起因
して封止樹脂に発生する亀裂等も防止できる。
【０００８】
【発明の構成】本発明が適用されるインサート部材は金
属製であって、単一金属製であっても合金製であっても
よい。就中、単一金属製としては銅製が好適であり、合
金製としては鉄(Fe)ーニッケル(Ni)合金が好適である。
かかる本発明に係るインサート部材においては、少なく
とも樹脂中に封入される部分の表面が、めっきによって
形成された多数の粒状体から成る凹凸面に形成されてい
ることが肝要である。この粒状体は、インサート部材表
面に半球状に突出して凹凸面を形成しており、インサー
ト部材表面の面積を著しく大きくする。このため、半球
状の粒状体の形成によって、インサート部材の強度を低
下させることなくインサート部材と樹脂との密着性を向
上できる。
属製であって、単一金属製であっても合金製であっても
よい。就中、単一金属製としては銅製が好適であり、合
金製としては鉄(Fe)ーニッケル(Ni)合金が好適である。
かかる本発明に係るインサート部材においては、少なく
とも樹脂中に封入される部分の表面が、めっきによって
形成された多数の粒状体から成る凹凸面に形成されてい
ることが肝要である。この粒状体は、インサート部材表
面に半球状に突出して凹凸面を形成しており、インサー
ト部材表面の面積を著しく大きくする。このため、半球
状の粒状体の形成によって、インサート部材の強度を低
下させることなくインサート部材と樹脂との密着性を向
上できる。
【０００９】このような粒状体を形成するめっき構成
を、インサート部材の表面上に施された下地めっきとし
て粗面状に施された銅めっきと、前記下地めっき上に施
されたニッケル単独又はニッケル含有合金めっきとする
ことによって、めっきにより容易に多数の半球状の粒状
体から成る凹凸面を形成できる。かかるニッケル単独又
はニッケル含有合金めっきのめっき厚は、０．５〜１．
５μｍであることが好ましい。このめっき厚が０．５μ
ｍ未満では、充分な突起高さを呈する半球状の粒状体か
ら成る凹凸面を形成することが困難になる傾向にある。
一方、めっき厚が１．５μｍを越える場合、半球状の粒
状体の突起高さが増加するものの、形成される粒状体の
個数が減少するために樹脂との接触面積が減少する傾向
にある。尚、本発明において採用されるニッケル含有合
金めっきとしては、錫(Sn)ーニッケル(Ni)合金めっき、
ニッケル(Ni)ーコバルト(Co)合金めっき、鉄(Fe)ーニッ
ケル(Ni)ーコバルト(Co)合金めっきを挙げることがで
き、就中、錫(Sn)ーニッケル(Ni)合金めっきが好適であ
る。
を、インサート部材の表面上に施された下地めっきとし
て粗面状に施された銅めっきと、前記下地めっき上に施
されたニッケル単独又はニッケル含有合金めっきとする
ことによって、めっきにより容易に多数の半球状の粒状
体から成る凹凸面を形成できる。かかるニッケル単独又
はニッケル含有合金めっきのめっき厚は、０．５〜１．
５μｍであることが好ましい。このめっき厚が０．５μ
ｍ未満では、充分な突起高さを呈する半球状の粒状体か
ら成る凹凸面を形成することが困難になる傾向にある。
一方、めっき厚が１．５μｍを越える場合、半球状の粒
状体の突起高さが増加するものの、形成される粒状体の
個数が減少するために樹脂との接触面積が減少する傾向
にある。尚、本発明において採用されるニッケル含有合
金めっきとしては、錫(Sn)ーニッケル(Ni)合金めっき、
ニッケル(Ni)ーコバルト(Co)合金めっき、鉄(Fe)ーニッ
ケル(Ni)ーコバルト(Co)合金めっきを挙げることがで
き、就中、錫(Sn)ーニッケル(Ni)合金めっきが好適であ
る。
【００１０】かかる本発明のインサート部材を製造する
ためには、先ず、インサート部材の表面に、厚さ１μｍ
以下の粗面状の下地めっきを施す。この下地めっきを光
沢めっきとすると、その後に施すめっきによって多数の
半球状の粒状体を形成することができない。かかる下地
めっきは、粗面状であれば電解めっきであっても無電解
めっきであっもよく、電解密度やめっき液を調整するこ
とによって粗面状めっきとすることができる。次いで、
粗面状の下地めっき上にニッケル単独又はニッケル含有
合金めっきを電解めっきによって施して多数の半球状の
粒状体を形成し、インサート部材の表面を凹凸面とす
る。つまり、電解めっきを施すことによって、粗面状の
下地めっきを形成する小粒体に電気密度が集中し、小粒
体が成長して半球状の粒状体となって凹凸面が形成され
るものと推察されるためである。また、かかる電解めっ
きを、ニッケル単独又はニッケル含有合金めっき以外の
金属めっき、例えば金(Au)めっき、銀(Ag)めっき、錫(S
n)めっき、はんだめっきによって施すと、多数の半球状
の粒状体を形成することができず、インサート部材の表
面を凹凸面とすることは困難であった。
ためには、先ず、インサート部材の表面に、厚さ１μｍ
以下の粗面状の下地めっきを施す。この下地めっきを光
沢めっきとすると、その後に施すめっきによって多数の
半球状の粒状体を形成することができない。かかる下地
めっきは、粗面状であれば電解めっきであっても無電解
めっきであっもよく、電解密度やめっき液を調整するこ
とによって粗面状めっきとすることができる。次いで、
粗面状の下地めっき上にニッケル単独又はニッケル含有
合金めっきを電解めっきによって施して多数の半球状の
粒状体を形成し、インサート部材の表面を凹凸面とす
る。つまり、電解めっきを施すことによって、粗面状の
下地めっきを形成する小粒体に電気密度が集中し、小粒
体が成長して半球状の粒状体となって凹凸面が形成され
るものと推察されるためである。また、かかる電解めっ
きを、ニッケル単独又はニッケル含有合金めっき以外の
金属めっき、例えば金(Au)めっき、銀(Ag)めっき、錫(S
n)めっき、はんだめっきによって施すと、多数の半球状
の粒状体を形成することができず、インサート部材の表
面を凹凸面とすることは困難であった。
【００１１】このようにインサート部材の表面にめっき
を施すことによって凹凸面を形成でき、樹脂との接触面
積を大きくできるため、プレス加工等の機械的加工或い
はエッチング加工によって凹凸面を形成して接触面積を
大きくする場合の如く、加工歪みの残留やインサート部
材の強度等を懸念することなくインサート部材と樹脂と
の密着性を向上できる。かかるめっきによって形成した
凹凸面は、インサート部材の樹脂封止部分の表面にのみ
形成されていれてもよいが、インサート部材の全表面に
形成されていてもよい。また、本発明のインサート部材
を図５に示すリードフレームに適用すると、リードフレ
ーム１００の樹脂封止部分であるダムバー１０６、１０
６間のインナーリード部１０４・・・、ステージ１０２
に加工歪み等を加えることなく凹凸面を形成することが
できる。このため、ステージ１０２等と封止樹脂との間
に剥離が生じることがなく、最終的に得られる半導体装
置の信頼性を向上できる。尚、本発明のインサート部材
は、樹脂によって封止される部材、例えばコネクター、
スイッチ等にも適用することができる。
を施すことによって凹凸面を形成でき、樹脂との接触面
積を大きくできるため、プレス加工等の機械的加工或い
はエッチング加工によって凹凸面を形成して接触面積を
大きくする場合の如く、加工歪みの残留やインサート部
材の強度等を懸念することなくインサート部材と樹脂と
の密着性を向上できる。かかるめっきによって形成した
凹凸面は、インサート部材の樹脂封止部分の表面にのみ
形成されていれてもよいが、インサート部材の全表面に
形成されていてもよい。また、本発明のインサート部材
を図５に示すリードフレームに適用すると、リードフレ
ーム１００の樹脂封止部分であるダムバー１０６、１０
６間のインナーリード部１０４・・・、ステージ１０２
に加工歪み等を加えることなく凹凸面を形成することが
できる。このため、ステージ１０２等と封止樹脂との間
に剥離が生じることがなく、最終的に得られる半導体装
置の信頼性を向上できる。尚、本発明のインサート部材
は、樹脂によって封止される部材、例えばコネクター、
スイッチ等にも適用することができる。
【００１２】
【実施例】実施例１ 銅製のリードフレームに下地めっきとして銅めっきを施
した。この銅めっきは、めっき液及び電気密度等のめっ
き条件を調整して粗面めっきとした。かかる下地めっき
を施したリードフレームの表面状態を示す電子顕微鏡写
真を図１に示す。図１から明らかなように、銅製リード
フレーム面には微細な小粒体が多数形成され粗面状であ
った。次いで、下地めっきを施した銅製リードフレーム
に更に錫(Sn)ーニッケル(Ni)合金の電解めっきを、めっ
き厚が０．５μｍとなるように施した。この電解めっき
は、通常の錫(Sn)ーニッケル(Ni)合金めっきのめっき条
件を採用した。めっき後の表面状態を示す電子顕微鏡写
真を図２に示す。図２の電子顕微鏡写真の倍率は、図１
の電子顕微鏡写真と同倍率である。図２から明らかなよ
うに、下地めっきによって形成された小粒体は、その後
に施されためっきによって成長し、リードフレームの表
面に半球状の粒状体から成る凹凸面を形成する。
した。この銅めっきは、めっき液及び電気密度等のめっ
き条件を調整して粗面めっきとした。かかる下地めっき
を施したリードフレームの表面状態を示す電子顕微鏡写
真を図１に示す。図１から明らかなように、銅製リード
フレーム面には微細な小粒体が多数形成され粗面状であ
った。次いで、下地めっきを施した銅製リードフレーム
に更に錫(Sn)ーニッケル(Ni)合金の電解めっきを、めっ
き厚が０．５μｍとなるように施した。この電解めっき
は、通常の錫(Sn)ーニッケル(Ni)合金めっきのめっき条
件を採用した。めっき後の表面状態を示す電子顕微鏡写
真を図２に示す。図２の電子顕微鏡写真の倍率は、図１
の電子顕微鏡写真と同倍率である。図２から明らかなよ
うに、下地めっきによって形成された小粒体は、その後
に施されためっきによって成長し、リードフレームの表
面に半球状の粒状体から成る凹凸面を形成する。
【００１３】図２に示す表面状態のリードフレームに半
導体チップを搭載した後、ワイヤボンディングを施して
から樹脂封止した。得られた半導体装置について、プレ
ッシャークッカーテストを施した。尚、プレッシャーク
ッカーテストとは、半導体装置において、リードフレー
ムと封止樹脂との密着性の程度をテストする一般的なテ
スト方法である。かかるプレッシャークッカーテストに
よれば、本実施例の半導体装置において、封止樹脂に亀
裂等は発生しなかった。
導体チップを搭載した後、ワイヤボンディングを施して
から樹脂封止した。得られた半導体装置について、プレ
ッシャークッカーテストを施した。尚、プレッシャーク
ッカーテストとは、半導体装置において、リードフレー
ムと封止樹脂との密着性の程度をテストする一般的なテ
スト方法である。かかるプレッシャークッカーテストに
よれば、本実施例の半導体装置において、封止樹脂に亀
裂等は発生しなかった。
【００１４】実施例２ 実施例１において、錫(Sn)ーニッケル(Ni)合金の電解め
っきをめっき厚が１μｍとなるように施した他は、実施
例１と同様に行った。得られたリードフレームの表面状
態を示す電子顕微鏡写真を図３に示す。図３も図１及び
図２と同様な倍率である。図３に示す半球状の粒状体
は、図２に示す半球状の粒状体に比較して、粒状体の数
が少なく且つ粒径が大となっている（突起高さも高
い）。かかる図３に示す表面状体のリードフレームを使
用し樹脂封止して得られた半導体装置をプレッシャーク
ッカーテストに供したところ、封止樹脂に亀裂等は発生
しなかった。
っきをめっき厚が１μｍとなるように施した他は、実施
例１と同様に行った。得られたリードフレームの表面状
態を示す電子顕微鏡写真を図３に示す。図３も図１及び
図２と同様な倍率である。図３に示す半球状の粒状体
は、図２に示す半球状の粒状体に比較して、粒状体の数
が少なく且つ粒径が大となっている（突起高さも高
い）。かかる図３に示す表面状体のリードフレームを使
用し樹脂封止して得られた半導体装置をプレッシャーク
ッカーテストに供したところ、封止樹脂に亀裂等は発生
しなかった。
【００１５】比較例 実施例１において、下地めっきを施さなかった他は、実
施例１と同様にめっきを行った。得られたリードフレー
ムの表面写真を図４に示す。図４に示す表面状態は、図
２及び図３に示す表面状態に比較して平滑であり、最終
的に得られた半導体装置をプレッシャークッカーテスト
に供したところ、封止樹脂に亀裂等が発生した。
施例１と同様にめっきを行った。得られたリードフレー
ムの表面写真を図４に示す。図４に示す表面状態は、図
２及び図３に示す表面状態に比較して平滑であり、最終
的に得られた半導体装置をプレッシャークッカーテスト
に供したところ、封止樹脂に亀裂等が発生した。
【００１６】実施例３ 実施例１において、銅製のリードフレームに代えて鉄(F
e)ーニッケル(Ni)合金製のリードフレームを使用した他
は、実施例１と同様にめっきを行った。得られたリード
フレームの表面状態は、図２に示す表面状態よりも半球
状の粒状体の粒径は小さい（粒状体の突起高さが低い）
ものであったが、多数の半球状の粒状体が形成されてい
ることが認められた。このリードフレームを使用して最
終的に得られた半導体装置をプレッシャークッカーテス
トに供したところ、封止樹脂に亀裂等は発生しなかっ
た。
e)ーニッケル(Ni)合金製のリードフレームを使用した他
は、実施例１と同様にめっきを行った。得られたリード
フレームの表面状態は、図２に示す表面状態よりも半球
状の粒状体の粒径は小さい（粒状体の突起高さが低い）
ものであったが、多数の半球状の粒状体が形成されてい
ることが認められた。このリードフレームを使用して最
終的に得られた半導体装置をプレッシャークッカーテス
トに供したところ、封止樹脂に亀裂等は発生しなかっ
た。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、インサート部材と封止
樹脂との密着性を向上でき、使用中にインサート部材と
封止樹脂との境界面からの水分の侵入によって発生する
亀裂等を防止でき、インサート部材を樹脂封止した装置
の信頼性を向上できる。
樹脂との密着性を向上でき、使用中にインサート部材と
封止樹脂との境界面からの水分の侵入によって発生する
亀裂等を防止でき、インサート部材を樹脂封止した装置
の信頼性を向上できる。
【図１】本発明において、金属表面に下地めっきを施す
ことによって形成した金属粒子構造を示す電子顕微鏡写
真である。
ことによって形成した金属粒子構造を示す電子顕微鏡写
真である。
【図２】図１に示す金属粒子が形成された金属表面に、
めっき厚さが０．５μｍとなるようにニッケル含有合金
めっきを施すことによって形成した金属粒子構造を示す
電子顕微鏡写真である。
めっき厚さが０．５μｍとなるようにニッケル含有合金
めっきを施すことによって形成した金属粒子構造を示す
電子顕微鏡写真である。
【図３】図１に示す金属粒子が形成された金属表面に、
めっき厚さが１μｍとなるようにニッケル含有合金めっ
きを施すことによって形成した金属粒子構造を示す電子
顕微鏡写真である。
めっき厚さが１μｍとなるようにニッケル含有合金めっ
きを施すことによって形成した金属粒子構造を示す電子
顕微鏡写真である。
【図４】金属表面に、下地めっきを施すことなくめっき
厚さが０．５μｍとなるように直接ニッケル含有合金め
っきを施すことによって形成した金属組織を示すを電子
顕微鏡写真である。
厚さが０．５μｍとなるように直接ニッケル含有合金め
っきを施すことによって形成した金属組織を示すを電子
顕微鏡写真である。
【図５】本発明に採用されるリードフレームを示す平面
図である。
図である。
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも一部が樹脂中に封入される金
属製のインサート部材において、 該インサート部材の樹脂中に封入される部分の表面が、
めっきによって形成された多数の半球状の粒状体から成
る凹凸面に形成されていることを特徴とする樹脂用イン
サート部材。 - 【請求項２】 インサート部材の樹脂中に封入される部
分の表面に、下地めっきとして銅めっきが粗面状に施さ
れ、 且つ前記下地めっき上にニッケル単独又はニッケル含有
合金めっきが施されている請求項１記載の樹脂用インサ
ート部材。 - 【請求項３】 金属製のインサート部材が銅製である請
求項１又は請求項２記載の樹脂用インサート部材。 - 【請求項４】 ニッケル単独又はニッケル含有合金のめ
っき厚が０．５〜１．５μｍである請求項２記載の樹脂
用インサート部材。 - 【請求項５】 ニッケル含有合金がニッケルー錫合金で
ある請求項２又は請求項４記載の樹脂用インサート部
材。
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|---|---|---|---|
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| KR1019930012249A KR940006254A (ko) | 1992-07-11 | 1993-07-01 | 수지용 인서트 부재 |
| EP93305413A EP0579464B1 (en) | 1992-07-11 | 1993-07-09 | Electronic package comprising a metal insert and a method of roughening the surface of the insert |
| SG1996001388A SG46235A1 (en) | 1992-07-11 | 1993-07-09 | Metal insert and a surface roughening treatment method for it |
| DE69318894T DE69318894T2 (de) | 1992-07-11 | 1993-07-09 | Gehäuse einer elektronischen Vorrichtung mit einem metallischen Insert und Verfahren zur Oberflächenaufrauhung des Inserts |
| US08/089,550 US5585195A (en) | 1992-07-11 | 1993-07-12 | Metal insert and rough-surface treatment method thereof |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20748092A JP3228789B2 (ja) | 1992-07-11 | 1992-07-11 | 樹脂用インサート部材の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629439A true JPH0629439A (ja) | 1994-02-04 |
| JP3228789B2 JP3228789B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=16540451
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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| SG (1) | SG46235A1 (ja) |
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| KR20190096964A (ko) | 2016-12-27 | 2019-08-20 | 후루카와 덴끼고교 가부시키가이샤 | 리드 프레임재 및 이의 제조 방법 및 반도체 패키지 |
| KR20210056399A (ko) | 2018-10-18 | 2021-05-18 | 제이엑스금속주식회사 | 도전성 재료, 성형품 및 전자 부품 |
| KR20210056400A (ko) | 2018-10-18 | 2021-05-18 | 제이엑스금속주식회사 | 도전성 재료, 성형품 및 전자 부품 |
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| JPH11189835A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-13 | Jst Mfg Co Ltd | すず−ニッケル合金およびこの合金により表面処理を施した部品 |
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