JP3228789B2 - 樹脂用インサート部材の製造方法 - Google Patents
樹脂用インサート部材の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂用インサート部材の
製造方法に関し、更に詳細にはリードフレーム等のよう
に、少なくとも一部が樹脂中に封入される樹脂用インサ
ート部材の製造方法に関する。
製造方法に関し、更に詳細にはリードフレーム等のよう
に、少なくとも一部が樹脂中に封入される樹脂用インサ
ート部材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置には、例えば図５に示すリー
ドフレーム１００が使用されている。このリードフレー
ム１００には、半導体チップを搭載するステージ１０
２、搭載された半導体チップとワイヤボンディングされ
る複数本のインナーリード部１０４、各インナーリード
部１０４に連結されたアウターリード部１０８、１０８
・・・、及びダムバー１０６、１０６が形成されてい
る。かかるリードフレーム１００は、半導体チップがス
テージ１０２に搭載された後、各インナーリード部１０
４の先端部と半導体チップとがワイヤボンディングさ
れ、次いでダムバー１０８、１０８間の部分が樹脂封止
される。その後、隣接するリード間を連結するダムバー
１０８、１０８の部分が切断されることによって、各リ
ードが隣接するリードと分離される。
ドフレーム１００が使用されている。このリードフレー
ム１００には、半導体チップを搭載するステージ１０
２、搭載された半導体チップとワイヤボンディングされ
る複数本のインナーリード部１０４、各インナーリード
部１０４に連結されたアウターリード部１０８、１０８
・・・、及びダムバー１０６、１０６が形成されてい
る。かかるリードフレーム１００は、半導体チップがス
テージ１０２に搭載された後、各インナーリード部１０
４の先端部と半導体チップとがワイヤボンディングさ
れ、次いでダムバー１０８、１０８間の部分が樹脂封止
される。その後、隣接するリード間を連結するダムバー
１０８、１０８の部分が切断されることによって、各リ
ードが隣接するリードと分離される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようにして得られ
た半導体装置は、アウターリード部１０８・・・を除き
樹脂封止されており、半導体装置が置かれる雰囲気から
半導体チップ等を保護することができる。しかしなが
ら、樹脂封止された半導体装置において、ステージ１０
２や複数本のインナーリード部１０４と封止樹脂との密
着性が低い場合、ステージ１０２やインナーリート部１
０４等と封止樹脂との境界面等から水分等が侵入し、半
導体装置に亀裂等を惹起し易い。封止樹脂とリードフレ
ームとの境界面に蓄積された水分等が蒸発するためであ
る。一方、樹脂封止とインサート部材との密着性を向上
すべく、インサート部材の表面をプレス加工よって粗面
化して樹脂との接触面積を大きくすることがなされてい
るが、粗面加工されたインサート部材には加工歪みが残
留するため、樹脂封止する際の熱によって歪みが顕在化
してインサート部材に歪を発生させる原因となる。
た半導体装置は、アウターリード部１０８・・・を除き
樹脂封止されており、半導体装置が置かれる雰囲気から
半導体チップ等を保護することができる。しかしなが
ら、樹脂封止された半導体装置において、ステージ１０
２や複数本のインナーリード部１０４と封止樹脂との密
着性が低い場合、ステージ１０２やインナーリート部１
０４等と封止樹脂との境界面等から水分等が侵入し、半
導体装置に亀裂等を惹起し易い。封止樹脂とリードフレ
ームとの境界面に蓄積された水分等が蒸発するためであ
る。一方、樹脂封止とインサート部材との密着性を向上
すべく、インサート部材の表面をプレス加工よって粗面
化して樹脂との接触面積を大きくすることがなされてい
るが、粗面加工されたインサート部材には加工歪みが残
留するため、樹脂封止する際の熱によって歪みが顕在化
してインサート部材に歪を発生させる原因となる。
【０００４】また、エッチング加工によってインサート
部材に加工歪みを与えることなく表面を粗面化すること
が考えられるが、インサート部材の強度を保持しつつ封
止樹脂との接着力を向上し得る程度にインサート部材表
面の粗面化の程度をコントロールすることは極めて困難
である。そこで、本発明の目的は、インサート部材に加
工歪み等を残留させることなく容易に封止樹脂との密着
性を向上し得る樹脂用インサート部材の製造方法を提供
することにある。
部材に加工歪みを与えることなく表面を粗面化すること
が考えられるが、インサート部材の強度を保持しつつ封
止樹脂との接着力を向上し得る程度にインサート部材表
面の粗面化の程度をコントロールすることは極めて困難
である。そこで、本発明の目的は、インサート部材に加
工歪み等を残留させることなく容易に封止樹脂との密着
性を向上し得る樹脂用インサート部材の製造方法を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記目的を
達成すべく検討を重ねた結果、インサート部材の表面に
下地銅めっきを施して粗面状とした後、電解ニッケルめ
っきを施すことによって、インサート部材の表面に多数
の半球状の粒状体を形成でき、樹脂との接触面積を大き
くできることを見出し、本発明に到達した。すなわち、
本発明は、少なくとも一部が樹脂中に封入される金属製
のインサート部材を製造する際に、該インサート部材の
樹脂中に封入される部分の表面を、下地めっきとしての
銅の無光沢めっきによって多数の小粒体から成る粗面に
形成した後、前記小粒体に電気密度を集中して半球状の
粒状体に成長し得る電解めっきによってニッケル又はニ
ッケル含有合金めっきを前記粗面に施し、前記粗面を多
数の前記半球状の粒状体から成る凹凸面に形成すること
を特徴とする樹脂用インサート部材の製造方法にある。
達成すべく検討を重ねた結果、インサート部材の表面に
下地銅めっきを施して粗面状とした後、電解ニッケルめ
っきを施すことによって、インサート部材の表面に多数
の半球状の粒状体を形成でき、樹脂との接触面積を大き
くできることを見出し、本発明に到達した。すなわち、
本発明は、少なくとも一部が樹脂中に封入される金属製
のインサート部材を製造する際に、該インサート部材の
樹脂中に封入される部分の表面を、下地めっきとしての
銅の無光沢めっきによって多数の小粒体から成る粗面に
形成した後、前記小粒体に電気密度を集中して半球状の
粒状体に成長し得る電解めっきによってニッケル又はニ
ッケル含有合金めっきを前記粗面に施し、前記粗面を多
数の前記半球状の粒状体から成る凹凸面に形成すること
を特徴とする樹脂用インサート部材の製造方法にある。
【０００６】かかる構成の本発明において、金属製のイ
ンサート部材を、鉄（Fe）−ニッケル（Ni）合金又は銅
によって形成すること、或いはニッケル又はニッケル含
有合金めっきのめっき厚を、０．５〜１．５μｍとする
ことによって、インサート部材の表面に多数の半球状の
粒状体を容易に形成できる。更に、ニッケル含有合金め
っきを、ニッケルー錫合金めっきとすることにより、め
っきによってインサート部材の表面に多数の半球状の粒
状体を形成する上に好適である。
ンサート部材を、鉄（Fe）−ニッケル（Ni）合金又は銅
によって形成すること、或いはニッケル又はニッケル含
有合金めっきのめっき厚を、０．５〜１．５μｍとする
ことによって、インサート部材の表面に多数の半球状の
粒状体を容易に形成できる。更に、ニッケル含有合金め
っきを、ニッケルー錫合金めっきとすることにより、め
っきによってインサート部材の表面に多数の半球状の粒
状体を形成する上に好適である。
【０００７】
【作用】本発明によれば、インサート部材の樹脂封入部
分の表面にめっきによって形成し多数の半球状の粒状体
により、加工歪みの残留或いは強度を低下させることな
く樹脂とインサート部材との接触面積を著しく大きくで
きる。その結果、インサート部材に樹脂封止する際の熱
を加えても、粗面加工に因る歪みが顕在化することなく
インサート部材を樹脂封止することができ、しかもイン
サート部材と封止樹脂との密着性を向上することができ
るため、インサート部材と封止樹脂との境界面等からの
水分侵入を防止できる。このため、水分侵入に起因して
封止樹脂に発生する亀裂等も防止できる。
分の表面にめっきによって形成し多数の半球状の粒状体
により、加工歪みの残留或いは強度を低下させることな
く樹脂とインサート部材との接触面積を著しく大きくで
きる。その結果、インサート部材に樹脂封止する際の熱
を加えても、粗面加工に因る歪みが顕在化することなく
インサート部材を樹脂封止することができ、しかもイン
サート部材と封止樹脂との密着性を向上することができ
るため、インサート部材と封止樹脂との境界面等からの
水分侵入を防止できる。このため、水分侵入に起因して
封止樹脂に発生する亀裂等も防止できる。
【０００８】
【発明の構成】本発明に採用されるインサート部材は金
属から成り、単一金属製から成るものであっても、合金
から成るものであってもよい。就中、単一金属から成る
インサート部材としては、銅から成るものが好適であ
り、合金から成るインサート部材製としては、鉄(Fe)−
ニッケル(Ni)合金から成るものが好適である。かかるイ
ンサート部材には、少なくとも樹脂中に封入される部分
の表面を、めっきによって多数の粒状体から成る凹凸面
に形成することが肝要である。この粒状体は、インサー
ト部材表面に半球状に突出して凹凸面を形成しており、
インサート部材表面の面積を著しく大きくする。このた
め、半球状の粒状体の形成によって、インサート部材の
強度を低下させることなくインサート部材と樹脂との密
着性を向上できる。
属から成り、単一金属製から成るものであっても、合金
から成るものであってもよい。就中、単一金属から成る
インサート部材としては、銅から成るものが好適であ
り、合金から成るインサート部材製としては、鉄(Fe)−
ニッケル(Ni)合金から成るものが好適である。かかるイ
ンサート部材には、少なくとも樹脂中に封入される部分
の表面を、めっきによって多数の粒状体から成る凹凸面
に形成することが肝要である。この粒状体は、インサー
ト部材表面に半球状に突出して凹凸面を形成しており、
インサート部材表面の面積を著しく大きくする。このた
め、半球状の粒状体の形成によって、インサート部材の
強度を低下させることなくインサート部材と樹脂との密
着性を向上できる。
【０００９】このような粒状体を形成するめっき構成
を、インサート部材の表面上に下地めっきとして形成し
た粗面状の銅めっきと、この銅めっき上に電解めっきに
よって形成したしたニッケル又はニッケル含有合金めっ
きとすることによって、めっきにより容易に多数の半球
状の粒状体から成る凹凸面を形成できる。かかるニッケ
ル又はニッケル含有合金めっきのめっき厚は、０．５〜
１．５μｍであることが好ましい。めっき厚が０．５μ
ｍ未満では、充分な突起高さを呈する半球状の粒状体か
ら成る凹凸面を形成することが困難となる傾向にある。
一方、めっき厚が１．５μｍを越える場合、半球状の粒
状体の突起高さが増加するものの、形成される粒状体の
個数が減少するために樹脂との接触面積が減少する傾向
にある。尚、本発明において採用されるニッケル含有合
金めっきとしては、錫(Sn)−ニッケル(Ni)合金めっき、
ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金めっき、鉄(Fe)−ニッ
ケル(Ni)−コバルト(Co)合金めっきを挙げることがで
き、就中、錫(Sn)−ニッケル(Ni)合金めっきが好適であ
る。
を、インサート部材の表面上に下地めっきとして形成し
た粗面状の銅めっきと、この銅めっき上に電解めっきに
よって形成したしたニッケル又はニッケル含有合金めっ
きとすることによって、めっきにより容易に多数の半球
状の粒状体から成る凹凸面を形成できる。かかるニッケ
ル又はニッケル含有合金めっきのめっき厚は、０．５〜
１．５μｍであることが好ましい。めっき厚が０．５μ
ｍ未満では、充分な突起高さを呈する半球状の粒状体か
ら成る凹凸面を形成することが困難となる傾向にある。
一方、めっき厚が１．５μｍを越える場合、半球状の粒
状体の突起高さが増加するものの、形成される粒状体の
個数が減少するために樹脂との接触面積が減少する傾向
にある。尚、本発明において採用されるニッケル含有合
金めっきとしては、錫(Sn)−ニッケル(Ni)合金めっき、
ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金めっき、鉄(Fe)−ニッ
ケル(Ni)−コバルト(Co)合金めっきを挙げることがで
き、就中、錫(Sn)−ニッケル(Ni)合金めっきが好適であ
る。
【００１０】かかるインサート部材を製造するために
は、先ず、インサート部材の表面に下地めっきとしての
厚さ１μｍ以下の銅の無光沢めっきを施し、インサート
部材の表面を粗面とする。かかる下地めっきを光沢めっ
きとすると、その後に施すめっきによって多数の半球状
の粒状体を形成することができない。この下地めっきと
しては、無光沢めっきであれば、電解めっきであっても
無電解めっきであっもよい。かかる無光沢めっきは、例
えば「化学便覧」（応用化学編Ｉプロセス編 日本化学
会編 昭和６３年１１月１５日第２刷発行）の第４１０
頁〜第４１６頁、特に４１１頁の「添加剤」の欄、或い
は「めっき実用便覧」（工学図書株式会社 昭和５３年
３月５日発行）の第１５頁に記載されている様に、光沢
剤の添加を省略しためっき浴で施すことによって、図１
に示す粗面状の下地めっきとすることができる。図１
は、後述する実施例１において粗面状の下地めっきが施
されたリードフレームの表面状態を示す電子顕微鏡写真
であり、図１の電子顕微鏡写真から測定した微小粒子の
粒径は０．２〜０．４μｍ程度である。この様な下地め
っきによって、インサート部材の表面を、微細な小粒体
が多数形成された粗面に形成できる。一方、かかる下地
めっきを、光沢剤が添加されためっき浴を用いた光沢め
っきとすると、その後に施すめっきによって多数の半球
状の粒状体を形成することができない。次いで、粗面状
の下地めっき上にニッケル又はニッケル含有合金めっき
を電解めっきによって施して多数の半球状の粒状体を形
成し、インサート部材の表面を凹凸面とする。つまり、
電解めっきを施すことによって、粗面状の下地めっきを
形成する小粒体に電気密度が集中し、小粒体が成長して
半球状の粒状体となって凹凸面が形成されるものと推察
されるためである。かかる電解めっきを、後述する実施
例１と同様に、下地めっきによって図１に示すように粗
面状に形成されたリードフレームに施した。このリード
フレームの 表面状態を電子顕微鏡写真を図２に示す。図
２から明らかな様に、図１に示す粗面状のリードフレー
ムの表面を、多数の半球状の粒状体から成る凹凸面とす
ることができる。かかる図２に示す電子顕微鏡写真から
測定した微小粒子の粒径は０．６〜１．２μｍ程度であ
る。また、この電解めっきを、ニッケル又はニッケル含
有合金めっき以外の金属めっき、例えば金(Au)めっき、
銀(Ag)めっき、錫(Sn)めっき、はんだめっきによって施
すと、多数の半球状の粒状体を形成することができず、
インサート部材の表面を凹凸面とすることは困難であっ
た。
は、先ず、インサート部材の表面に下地めっきとしての
厚さ１μｍ以下の銅の無光沢めっきを施し、インサート
部材の表面を粗面とする。かかる下地めっきを光沢めっ
きとすると、その後に施すめっきによって多数の半球状
の粒状体を形成することができない。この下地めっきと
しては、無光沢めっきであれば、電解めっきであっても
無電解めっきであっもよい。かかる無光沢めっきは、例
えば「化学便覧」（応用化学編Ｉプロセス編 日本化学
会編 昭和６３年１１月１５日第２刷発行）の第４１０
頁〜第４１６頁、特に４１１頁の「添加剤」の欄、或い
は「めっき実用便覧」（工学図書株式会社 昭和５３年
３月５日発行）の第１５頁に記載されている様に、光沢
剤の添加を省略しためっき浴で施すことによって、図１
に示す粗面状の下地めっきとすることができる。図１
は、後述する実施例１において粗面状の下地めっきが施
されたリードフレームの表面状態を示す電子顕微鏡写真
であり、図１の電子顕微鏡写真から測定した微小粒子の
粒径は０．２〜０．４μｍ程度である。この様な下地め
っきによって、インサート部材の表面を、微細な小粒体
が多数形成された粗面に形成できる。一方、かかる下地
めっきを、光沢剤が添加されためっき浴を用いた光沢め
っきとすると、その後に施すめっきによって多数の半球
状の粒状体を形成することができない。次いで、粗面状
の下地めっき上にニッケル又はニッケル含有合金めっき
を電解めっきによって施して多数の半球状の粒状体を形
成し、インサート部材の表面を凹凸面とする。つまり、
電解めっきを施すことによって、粗面状の下地めっきを
形成する小粒体に電気密度が集中し、小粒体が成長して
半球状の粒状体となって凹凸面が形成されるものと推察
されるためである。かかる電解めっきを、後述する実施
例１と同様に、下地めっきによって図１に示すように粗
面状に形成されたリードフレームに施した。このリード
フレームの 表面状態を電子顕微鏡写真を図２に示す。図
２から明らかな様に、図１に示す粗面状のリードフレー
ムの表面を、多数の半球状の粒状体から成る凹凸面とす
ることができる。かかる図２に示す電子顕微鏡写真から
測定した微小粒子の粒径は０．６〜１．２μｍ程度であ
る。また、この電解めっきを、ニッケル又はニッケル含
有合金めっき以外の金属めっき、例えば金(Au)めっき、
銀(Ag)めっき、錫(Sn)めっき、はんだめっきによって施
すと、多数の半球状の粒状体を形成することができず、
インサート部材の表面を凹凸面とすることは困難であっ
た。
【００１１】このようにインサート部材の表面にめっき
を施すことによって凹凸面を形成でき、樹脂との接触面
積を大きくできるため、プレス加工等の機械的加工或い
はエッチング加工によって凹凸面を形成して接触面積を
大きくする場合の如く、加工歪みの残留やインサート部
材の強度等を懸念することなくインサート部材と樹脂と
の密着性を向上できる。かかるめっきによって形成した
凹凸面は、インサート部材の樹脂封止部分の表面にのみ
形成してもよいが、インサート部材の全表面に形成して
もよい。また、本発明のインサート部材を図５に示すリ
ードフレームに適用すると、リードフレーム１００の樹
脂封止部分であるダムバー１０６、１０６間のインナー
リード部１０４・・・、ステージ１０２に加工歪み等を
加えることなく凹凸面を形成することができる。このた
め、ステージ１０２等と封止樹脂との間に剥離が生じる
ことがなく、最終的に得られる半導体装置の信頼性を向
上できる。尚、本発明のインサート部材は、樹脂によっ
て封止される部材、例えばコネクター、スイッチ等にも
適用することができる。
を施すことによって凹凸面を形成でき、樹脂との接触面
積を大きくできるため、プレス加工等の機械的加工或い
はエッチング加工によって凹凸面を形成して接触面積を
大きくする場合の如く、加工歪みの残留やインサート部
材の強度等を懸念することなくインサート部材と樹脂と
の密着性を向上できる。かかるめっきによって形成した
凹凸面は、インサート部材の樹脂封止部分の表面にのみ
形成してもよいが、インサート部材の全表面に形成して
もよい。また、本発明のインサート部材を図５に示すリ
ードフレームに適用すると、リードフレーム１００の樹
脂封止部分であるダムバー１０６、１０６間のインナー
リード部１０４・・・、ステージ１０２に加工歪み等を
加えることなく凹凸面を形成することができる。このた
め、ステージ１０２等と封止樹脂との間に剥離が生じる
ことがなく、最終的に得られる半導体装置の信頼性を向
上できる。尚、本発明のインサート部材は、樹脂によっ
て封止される部材、例えばコネクター、スイッチ等にも
適用することができる。
【００１２】
【実施例】実施例１ 銅から成るリードフレームに下地めっきとして銅の無光
沢めっきを施した。この銅の無光沢めっきは、光沢剤の
添加を省略しためっき液及び電気密度等のめっき条件を
調整して粗面めっきとした。かかる下地めっきとしての
銅めっきを施したリードフレームの表面状態を示す電子
顕微鏡写真を図１に示す。図１から明らかなように、銅
から成るリードフレーム面は、微細な小粒体が多数形成
された粗面状であった。この図１に示す電子顕微鏡写真
から測定した小粒体の粒径は、０．２〜０．４μｍ程度
である。次いで、銅めっきを施したリードフレームに更
に錫(Sn)−ニッケル(Ni)合金の電解めっきを、めっき厚
が０．５μｍとなるように施した。この電解めっきは、
通常の錫(Sn)−ニッケル(Ni)合金めっきのめっき条件を
採用した。めっき後の表面状態を示す電子顕微鏡写真を
図２に示す。図２の電子顕微鏡写真の倍率は、図１の電
子顕微鏡写真と同倍率である。図２から明らかなよう
に、銅めっきによって形成された小粒体は、その後に施
されためっきによって成長し、リードフレームの表面に
半球状の粒状体から成る凹凸面を形成する。尚、図２に
示す顕微鏡写真から測定した微小粒子の粒径は０．６〜
１．２μｍ程度である。
沢めっきを施した。この銅の無光沢めっきは、光沢剤の
添加を省略しためっき液及び電気密度等のめっき条件を
調整して粗面めっきとした。かかる下地めっきとしての
銅めっきを施したリードフレームの表面状態を示す電子
顕微鏡写真を図１に示す。図１から明らかなように、銅
から成るリードフレーム面は、微細な小粒体が多数形成
された粗面状であった。この図１に示す電子顕微鏡写真
から測定した小粒体の粒径は、０．２〜０．４μｍ程度
である。次いで、銅めっきを施したリードフレームに更
に錫(Sn)−ニッケル(Ni)合金の電解めっきを、めっき厚
が０．５μｍとなるように施した。この電解めっきは、
通常の錫(Sn)−ニッケル(Ni)合金めっきのめっき条件を
採用した。めっき後の表面状態を示す電子顕微鏡写真を
図２に示す。図２の電子顕微鏡写真の倍率は、図１の電
子顕微鏡写真と同倍率である。図２から明らかなよう
に、銅めっきによって形成された小粒体は、その後に施
されためっきによって成長し、リードフレームの表面に
半球状の粒状体から成る凹凸面を形成する。尚、図２に
示す顕微鏡写真から測定した微小粒子の粒径は０．６〜
１．２μｍ程度である。
【００１３】図２に示す表面状態のリードフレームに半
導体チップを搭載した後、ワイヤボンディングを施して
から樹脂封止した。得られた半導体装置について、プレ
ッシャークッカーテストを施した。尚、プレッシャーク
ッカーテストとは、半導体装置において、リードフレー
ムと封止樹脂との密着性の程度をテストする一般的なテ
スト方法である。かかるプレッシャークッカーテストに
よれば、本実施例の半導体装置において、封止樹脂に亀
裂等は発生しなかった。
導体チップを搭載した後、ワイヤボンディングを施して
から樹脂封止した。得られた半導体装置について、プレ
ッシャークッカーテストを施した。尚、プレッシャーク
ッカーテストとは、半導体装置において、リードフレー
ムと封止樹脂との密着性の程度をテストする一般的なテ
スト方法である。かかるプレッシャークッカーテストに
よれば、本実施例の半導体装置において、封止樹脂に亀
裂等は発生しなかった。
【００１４】実施例２ 実施例１において、錫(Sn)−ニッケル(Ni)合金の電解め
っきをめっき厚が１μｍとなるように施した他は、実施
例１と同様に行った。得られたリードフレームの表面状
態を示す電子顕微鏡写真を図３に示す。図３も図１及び
図２と同様な倍率である。図３に示す半球状の粒状体
は、図２に示す半球状の粒状体に比較して、粒状体の数
が少なく且つ粒径が大となっている（突起高さも高
い）。かかる図３に示す表面状体のリードフレームを使
用し樹脂封止して得られた半導体装置をプレッシャーク
ッカーテストに供したところ、封止樹脂に亀裂等は発生
しなかった。
っきをめっき厚が１μｍとなるように施した他は、実施
例１と同様に行った。得られたリードフレームの表面状
態を示す電子顕微鏡写真を図３に示す。図３も図１及び
図２と同様な倍率である。図３に示す半球状の粒状体
は、図２に示す半球状の粒状体に比較して、粒状体の数
が少なく且つ粒径が大となっている（突起高さも高
い）。かかる図３に示す表面状体のリードフレームを使
用し樹脂封止して得られた半導体装置をプレッシャーク
ッカーテストに供したところ、封止樹脂に亀裂等は発生
しなかった。
【００１５】比較例 実施例１において、下地めっきとしての銅めっきを施さ
なかった他は、実施例１と同様にめっきを行ってリード
フレームを得た。得られたリードフレームの表面写真を
図４に示す。図４に示す表面状態は、図２及び図３に示
す表面状態に比較して平滑であり、最終的に得られた半
導体装置をプレッシャークッカーテストに供したとこ
ろ、封止樹脂に亀裂等が発生した。
なかった他は、実施例１と同様にめっきを行ってリード
フレームを得た。得られたリードフレームの表面写真を
図４に示す。図４に示す表面状態は、図２及び図３に示
す表面状態に比較して平滑であり、最終的に得られた半
導体装置をプレッシャークッカーテストに供したとこ
ろ、封止樹脂に亀裂等が発生した。
【００１６】実施例３ 実施例１において、銅から成るリードフレームに代えて
鉄(Fe)−ニッケル(Ni)合金から成るリードフレームを使
用した他は、実施例１と同様にめっきを行ってリードフ
レームを得た。得られたリードフレームの表面状態は、
図２に示す表面状態よりも半球状の粒状体の粒径は小さ
い（粒状体の突起高さが低い）ものであったが、多数の
半球状の粒状体が形成されていることが認められた。こ
のリードフレームを使用して最終的に得られた半導体装
置をプレッシャークッカーテストに供したところ、封止
樹脂に亀裂等は発生しなかった。
鉄(Fe)−ニッケル(Ni)合金から成るリードフレームを使
用した他は、実施例１と同様にめっきを行ってリードフ
レームを得た。得られたリードフレームの表面状態は、
図２に示す表面状態よりも半球状の粒状体の粒径は小さ
い（粒状体の突起高さが低い）ものであったが、多数の
半球状の粒状体が形成されていることが認められた。こ
のリードフレームを使用して最終的に得られた半導体装
置をプレッシャークッカーテストに供したところ、封止
樹脂に亀裂等は発生しなかった。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、インサート部材と封止
樹脂との密着性を向上でき、使用中にインサート部材と
封止樹脂との境界面からの水分の侵入によって発生する
亀裂等を防止でき、インサート部材を樹脂封止した装置
の信頼性を向上できる。
樹脂との密着性を向上でき、使用中にインサート部材と
封止樹脂との境界面からの水分の侵入によって発生する
亀裂等を防止でき、インサート部材を樹脂封止した装置
の信頼性を向上できる。
【図１】本発明において、金属表面に下地めっきを施す
ことによって形成した金属粒子構造を示す電子顕微鏡写
真である。
ことによって形成した金属粒子構造を示す電子顕微鏡写
真である。
【図２】図１に示す金属粒子が形成された金属表面に、
めっき厚さが０．５μｍとなるようにニッケル含有合金
めっきを施すことによって形成した金属粒子構造を示す
電子顕微鏡写真である。
めっき厚さが０．５μｍとなるようにニッケル含有合金
めっきを施すことによって形成した金属粒子構造を示す
電子顕微鏡写真である。
【図３】図１に示す金属粒子が形成された金属表面に、
めっき厚さが１μｍとなるようにニッケル含有合金めっ
きを施すことによって形成した金属粒子構造を示す電子
顕微鏡写真である。
めっき厚さが１μｍとなるようにニッケル含有合金めっ
きを施すことによって形成した金属粒子構造を示す電子
顕微鏡写真である。
【図４】金属表面に、下地めっきを施すことなくめっき
厚さが０．５μｍとなるように直接ニッケル含有合金め
っきを施すことによって形成した金属組織を示すを電子
顕微鏡写真である。
厚さが０．５μｍとなるように直接ニッケル含有合金め
っきを施すことによって形成した金属組織を示すを電子
顕微鏡写真である。
【図５】本発明に採用されるリードフレームを示す平面
図である。
図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−308555（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−129635（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−3294（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−236145（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−52260（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−33928（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−133196（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−241087（ＪＰ，Ａ) 特公 平２−60240（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも一部が樹脂中に封入される金
属製のインサート部材を製造する際に、 該インサート部材の樹脂中に封入される部分の表面を、
下地めっきとしての銅の無光沢めっきによって多数の小
粒体から成る粗面に形成した後、 前記小粒体に電気密度を集中して半球状の粒状体に成長
し得る電解めっきによってニッケル又はニッケル含有合
金めっきを前記粗面に施し、前記粗面を多数の前記半球
状の粒状体から成る凹凸面に形成することを特徴とする
樹脂用インサート部材の製造方法。 - 【請求項２】 金属製のインサート部材として、鉄（F
e）−ニッケル（Ni）合金又は銅から成るインサート部
材を用いる請求項１記載の樹脂用インサート部材の製造
方法。 - 【請求項３】 ニッケル又はニッケル含有合金めっきの
めっき厚を、０．５〜１．５μｍとする請求項１又は請
求項２記載の樹脂用インサート部材の製造方法。 - 【請求項４】 ニッケル含有合金めっきを、ニッケル−
錫合金めっきとする請求項1〜３のいずれか一項記載の
樹脂用インサート部材の製造方法。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP20748092A JP3228789B2 (ja) | 1992-07-11 | 1992-07-11 | 樹脂用インサート部材の製造方法 |
| KR1019930012249A KR940006254A (ko) | 1992-07-11 | 1993-07-01 | 수지용 인서트 부재 |
| DE69318894T DE69318894T2 (de) | 1992-07-11 | 1993-07-09 | Gehäuse einer elektronischen Vorrichtung mit einem metallischen Insert und Verfahren zur Oberflächenaufrauhung des Inserts |
| EP93305413A EP0579464B1 (en) | 1992-07-11 | 1993-07-09 | Electronic package comprising a metal insert and a method of roughening the surface of the insert |
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|---|---|---|---|
| JP20748092A JP3228789B2 (ja) | 1992-07-11 | 1992-07-11 | 樹脂用インサート部材の製造方法 |
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ID=16540451
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| JPH11189835A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-13 | Jst Mfg Co Ltd | すず−ニッケル合金およびこの合金により表面処理を施した部品 |
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| US6689640B1 (en) | 2000-10-26 | 2004-02-10 | National Semiconductor Corporation | Chip scale pin array |
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| JP3841768B2 (ja) | 2003-05-22 | 2006-11-01 | 新光電気工業株式会社 | パッケージ部品及び半導体パッケージ |
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| DE10348715B4 (de) * | 2003-10-16 | 2006-05-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines Flachleiterrahmens mit verbesserter Haftung zwischen diesem und Kunststoff sowie Flachleiterrahmen |
| US7095096B1 (en) | 2004-08-16 | 2006-08-22 | National Semiconductor Corporation | Microarray lead frame |
| KR20060030356A (ko) * | 2004-10-05 | 2006-04-10 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 리이드 프레임과, 이를 포함하는 반도체 패키지와,이를 도금하는 방법 |
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| KR101241735B1 (ko) | 2008-09-05 | 2013-03-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 리드 프레임 및 그 제조방법 |
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| Publication number | Publication date |
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| EP0579464A3 (ja) | 1994-03-23 |
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| JPH0629439A (ja) | 1994-02-04 |
| US5585195A (en) | 1996-12-17 |
| KR940006254A (ko) | 1994-03-23 |
| EP0579464B1 (en) | 1998-06-03 |
| DE69318894D1 (de) | 1998-07-09 |
| EP0579464A2 (en) | 1994-01-19 |
| SG46235A1 (en) | 1998-02-20 |
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