JPH06275721A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPH06275721A JPH06275721A JP5725293A JP5725293A JPH06275721A JP H06275721 A JPH06275721 A JP H06275721A JP 5725293 A JP5725293 A JP 5725293A JP 5725293 A JP5725293 A JP 5725293A JP H06275721 A JPH06275721 A JP H06275721A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、２種以上の原料ガスを用いたＣＶ
Ｄ法を用いた薄膜の形成方法において、選択性に優れた
方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明に係る薄膜方法は、薄膜材料を含む２
種以上の原料ガスを供給して化学気相成長法により薄膜
を形成する薄膜形成方法において、原料ガスのうち、選
択性の最も高い薄膜材料を含む原料ガスのみを供給し、
水素ガス雰囲気中で化学気相成長法によって、所望の領
域に薄膜材料を堆積させて第１の層を形成する第１の工
程と、原料ガスを同時に又は原料ガスのうち選択性の高
い薄膜材料を含む原料ガスから順に供給し、水素ガス雰
囲気中で化学気相成長法によって、前記第１の層上に、
さらに薄膜材料を堆積させて第２の層を形成する第２の
工程とを有することを特徴とする。
Ｄ法を用いた薄膜の形成方法において、選択性に優れた
方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明に係る薄膜方法は、薄膜材料を含む２
種以上の原料ガスを供給して化学気相成長法により薄膜
を形成する薄膜形成方法において、原料ガスのうち、選
択性の最も高い薄膜材料を含む原料ガスのみを供給し、
水素ガス雰囲気中で化学気相成長法によって、所望の領
域に薄膜材料を堆積させて第１の層を形成する第１の工
程と、原料ガスを同時に又は原料ガスのうち選択性の高
い薄膜材料を含む原料ガスから順に供給し、水素ガス雰
囲気中で化学気相成長法によって、前記第１の層上に、
さらに薄膜材料を堆積させて第２の層を形成する第２の
工程とを有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化学気相成長法（ＣＶ
Ｄ法）を用いた薄膜形成方法に関するものであり、特に
半導体装置に用いる配線に関するものである。
Ｄ法）を用いた薄膜形成方法に関するものであり、特に
半導体装置に用いる配線に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置は、ＬＳＩからＶＬＳ
Ｉへ、さらにはＵＬＳＩへとその集積度を向上させてお
り、これにともない配線の幅やコンタクトホールの径に
おける微細化が著しく進んでいる。このような技術開発
の進展において、半導体装置の配線材料としてＣｕとＡ
ｌとの合金を用いる技術（特開平３−１１１５６７等）
が開示されている。Ａｌ−Ｃｕ合金膜からなるＡｌ−Ｃ
ｕ合金配線は、ＡｌのみからなるＡｌ配線に比べ、平坦
性、緻密性に優れ、エレクトロマイグレーションやスト
レスマイグレーションに強いという特徴を有している。
Ｉへ、さらにはＵＬＳＩへとその集積度を向上させてお
り、これにともない配線の幅やコンタクトホールの径に
おける微細化が著しく進んでいる。このような技術開発
の進展において、半導体装置の配線材料としてＣｕとＡ
ｌとの合金を用いる技術（特開平３−１１１５６７等）
が開示されている。Ａｌ−Ｃｕ合金膜からなるＡｌ−Ｃ
ｕ合金配線は、ＡｌのみからなるＡｌ配線に比べ、平坦
性、緻密性に優れ、エレクトロマイグレーションやスト
レスマイグレーションに強いという特徴を有している。
【０００３】従来このようなＡｌ−Ｃｕ合金配線をＣＶ
Ｄ法により形成する場合は、Ａｌ成分を含む原料ガスと
Ｃｕ成分を含む原料ガスとをそのまま混合して、基板上
に導入していた（特開平２−１７０４１９）。
Ｄ法により形成する場合は、Ａｌ成分を含む原料ガスと
Ｃｕ成分を含む原料ガスとをそのまま混合して、基板上
に導入していた（特開平２−１７０４１９）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ａｌ原料とＣ
ｕ原料とでは、熱分解温度が異なり、堆積特性も異なる
ので、少なくともいずれか一方の選択性が失われてしま
う。具体的には、Ａｌ原料に比べＣｕ原料のほうが低温
で分解することから、ＣＶＤ法で膜形成を行うときの温
度をＡｌの堆積温度に合わせると、Ｃｕは選択性を失っ
て基板の全面に堆積してしまうことになるという問題が
ある。
ｕ原料とでは、熱分解温度が異なり、堆積特性も異なる
ので、少なくともいずれか一方の選択性が失われてしま
う。具体的には、Ａｌ原料に比べＣｕ原料のほうが低温
で分解することから、ＣＶＤ法で膜形成を行うときの温
度をＡｌの堆積温度に合わせると、Ｃｕは選択性を失っ
て基板の全面に堆積してしまうことになるという問題が
ある。
【０００５】このことはＡｌとＣｕの組み合わせにのみ
ならず、熱分解温度等の種々の堆積条件が異なる原料相
互間においては当然に生ずる問題である。
ならず、熱分解温度等の種々の堆積条件が異なる原料相
互間においては当然に生ずる問題である。
【０００６】そこで、本発明は、このような問題点を解
決する薄膜形成方法を提供することを目的とする。
決する薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明は、薄膜材料を含む２種以上の原料ガスを
供給して化学気相成長法により薄膜を形成する薄膜形成
方法において、原料ガスのうち、選択性の最も高い薄膜
材料を含む原料ガスのみを供給し、所望の領域に薄膜材
料を堆積させて第１の層を形成する第１の工程と、２種
類以上の原料ガスを全て供給し、第１の層上に、さらに
薄膜材料を堆積させて第２の層を形成する第２の工程と
を有することを特徴とする。
めに、本発明は、薄膜材料を含む２種以上の原料ガスを
供給して化学気相成長法により薄膜を形成する薄膜形成
方法において、原料ガスのうち、選択性の最も高い薄膜
材料を含む原料ガスのみを供給し、所望の領域に薄膜材
料を堆積させて第１の層を形成する第１の工程と、２種
類以上の原料ガスを全て供給し、第１の層上に、さらに
薄膜材料を堆積させて第２の層を形成する第２の工程と
を有することを特徴とする。
【０００８】また、上記問題点を解決するために、本発
明は、薄膜材料を含む２種以上の原料ガスを供給して化
学気相成長法により薄膜を形成する薄膜形成方法におい
て、原料ガスのうち、選択性の最も高い薄膜材料を含む
原料ガスのみを供給し、水素ガス雰囲気中で化学気相成
長法によって、所望の領域に薄膜材料を堆積させて第１
の層を形成する第１の工程と、２種類以上の原料ガスを
選択性の高い薄膜材料を含む原料ガスから順に供給し、
第１の層上に、さらに薄膜材料を堆積させて第２の層を
形成する第２の工程とを有することを特徴とする。
明は、薄膜材料を含む２種以上の原料ガスを供給して化
学気相成長法により薄膜を形成する薄膜形成方法におい
て、原料ガスのうち、選択性の最も高い薄膜材料を含む
原料ガスのみを供給し、水素ガス雰囲気中で化学気相成
長法によって、所望の領域に薄膜材料を堆積させて第１
の層を形成する第１の工程と、２種類以上の原料ガスを
選択性の高い薄膜材料を含む原料ガスから順に供給し、
第１の層上に、さらに薄膜材料を堆積させて第２の層を
形成する第２の工程とを有することを特徴とする。
【０００９】
【作用】上記の請求項１に係る方法によれば、供給する
２種類以上の原料ガスのうち選択性の最も高い薄膜材料
を含む原料ガスのみを所望の領域に堆積させて第１の層
を形成し、この第１の層を核とするので、２種類以上の
原料ガスが組み合わされて選択性の失われた薄膜材料の
原料ガスが供給されても、所望の領域に堆積させること
ができる。即ち、第２工程では、選択性の異なる２種類
以上の原料ガスが供給されるが、第１工程において核と
なる下地が形成されているので、供給された原料ガスの
濃度は下地部分で高くなり、下地以外の部分では低くな
る。また、下地以外の部分では、各発生してから薄膜が
形成するのに長時間を要するため、その間に下地層に合
金が堆積するので選択性よく薄膜を形成することができ
る。
２種類以上の原料ガスのうち選択性の最も高い薄膜材料
を含む原料ガスのみを所望の領域に堆積させて第１の層
を形成し、この第１の層を核とするので、２種類以上の
原料ガスが組み合わされて選択性の失われた薄膜材料の
原料ガスが供給されても、所望の領域に堆積させること
ができる。即ち、第２工程では、選択性の異なる２種類
以上の原料ガスが供給されるが、第１工程において核と
なる下地が形成されているので、供給された原料ガスの
濃度は下地部分で高くなり、下地以外の部分では低くな
る。また、下地以外の部分では、各発生してから薄膜が
形成するのに長時間を要するため、その間に下地層に合
金が堆積するので選択性よく薄膜を形成することができ
る。
【００１０】また、上記の請求項２に係る方法によれ
ば、供給する２種類以上の原料ガスのうち選択性の最も
高い薄膜材料を含む原料ガスのみを所望の領域に堆積さ
せて第１の層を形成し、この第１の層を核として、選択
性の高い順に薄膜材料を含む原料ガスを供給するので、
２種類以上の層からなる薄膜を形成するに際しても、選
択性が失われることなく、所望の領域に堆積させること
ができる。
ば、供給する２種類以上の原料ガスのうち選択性の最も
高い薄膜材料を含む原料ガスのみを所望の領域に堆積さ
せて第１の層を形成し、この第１の層を核として、選択
性の高い順に薄膜材料を含む原料ガスを供給するので、
２種類以上の層からなる薄膜を形成するに際しても、選
択性が失われることなく、所望の領域に堆積させること
ができる。
【００１１】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例に
ついて説明する。なお、図面の説明において同一要素に
は同一符号を付し、重複する説明は省略する。
ついて説明する。なお、図面の説明において同一要素に
は同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】図１及び図２に基づいて本発明の実施例に
係る半導体装置の製造方法について説明する。まず、図
１（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１０の表面に下地絶縁
膜２０を形成し、この下地絶縁膜２０上にスパッタ法で
Ａｌ合金を 300ないし 800nmの膜厚に堆積させ、Ａｌ合
金膜３１を形成する。次に、Ａｌ合金膜３１を所定の配
線パターンに加工して下層金属配線３０を形成する。配
線パターンの形成は、露光装置を用いてレジストパター
ンを形成した後、塩素系のガスを用いたＲＩＥ（リアク
ティブ・イオン・エッチング）によってなされる。次
に、図１（ｂ）に示すように、下層金属配線３０の形成
された下地絶縁膜２０上に層間絶縁膜４０を形成する。
この層間絶縁膜４０は、プラズマＣＶＤ法によってＳｉ
Ｏ2 を堆積させてＳｉＯ2 膜を形成し、ＳＯＧ（Ｓｐｉ
ｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）を平坦部において塗布してＳＯ
Ｇ膜を形成し、必要な温度で加熱処理を行うことによっ
て形成される。その後、再びプラズマＣＶＤ法によって
ＳｉＯ2 を堆積させてＳｉＯ2 膜を形成する。
係る半導体装置の製造方法について説明する。まず、図
１（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１０の表面に下地絶縁
膜２０を形成し、この下地絶縁膜２０上にスパッタ法で
Ａｌ合金を 300ないし 800nmの膜厚に堆積させ、Ａｌ合
金膜３１を形成する。次に、Ａｌ合金膜３１を所定の配
線パターンに加工して下層金属配線３０を形成する。配
線パターンの形成は、露光装置を用いてレジストパター
ンを形成した後、塩素系のガスを用いたＲＩＥ（リアク
ティブ・イオン・エッチング）によってなされる。次
に、図１（ｂ）に示すように、下層金属配線３０の形成
された下地絶縁膜２０上に層間絶縁膜４０を形成する。
この層間絶縁膜４０は、プラズマＣＶＤ法によってＳｉ
Ｏ2 を堆積させてＳｉＯ2 膜を形成し、ＳＯＧ（Ｓｐｉ
ｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）を平坦部において塗布してＳＯ
Ｇ膜を形成し、必要な温度で加熱処理を行うことによっ
て形成される。その後、再びプラズマＣＶＤ法によって
ＳｉＯ2 を堆積させてＳｉＯ2 膜を形成する。
【００１３】次に、層間絶縁膜４０の上にフォトマスク
をセットし、露光装置を用いてレジストパターンを形成
した後、フッ素系のガスを用いたＲＩＥによって図１
（ｃ）に示すように、層間絶縁膜４０にヴィア孔５０を
形成する。次に、塩素系ガスを用いたプラズマエッチン
グによりヴィア孔５０底部に露出した下層金属配線３０
（Ａｌ合金膜）の清浄化処理を行う。この処理を行うの
は、ヴィア孔５０底部に露出した下層金属配線３０の表
面には、ＲＩＥを行った際及びＲＩＥの後に大気に曝し
た際に堆積物やアルミナ膜等が付着し、これらの堆積物
やアルミナ膜はＣＶＤ法におけるＡｌ堆積を阻害するた
め除去する必要があるからである。
をセットし、露光装置を用いてレジストパターンを形成
した後、フッ素系のガスを用いたＲＩＥによって図１
（ｃ）に示すように、層間絶縁膜４０にヴィア孔５０を
形成する。次に、塩素系ガスを用いたプラズマエッチン
グによりヴィア孔５０底部に露出した下層金属配線３０
（Ａｌ合金膜）の清浄化処理を行う。この処理を行うの
は、ヴィア孔５０底部に露出した下層金属配線３０の表
面には、ＲＩＥを行った際及びＲＩＥの後に大気に曝し
た際に堆積物やアルミナ膜等が付着し、これらの堆積物
やアルミナ膜はＣＶＤ法におけるＡｌ堆積を阻害するた
め除去する必要があるからである。
【００１４】次に、Ｃｕ原料であるＣｐＣｕＴＥＰ（Ｃ
5 Ｈ5 ＣｕＰ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ：Ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄ
ｉｅｎｙｌ−ｔｒｉｅｔｈｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ−ｃ
ｏｐｐｅｒ）のガスと水素とを原料とする熱ＣＶＤ法で
ヴィア孔５０内にのみ底面から選択的にＣｕを堆積させ
ることによって図２（ａ）に示すように、Ｃｕ膜５１を
形成する。このときのＣＶＤを行う条件は、バブリング
圧力１７０Ｔｏｒｒ、水素ガス流量１００ｓｃｃｍ、バ
ブリング温度１００℃で行う。なお、この成膜行うＣＶ
Ｄ反応容器内の全圧は２Ｔｏｒｒ、温度２００℃であ
る。また、このときの堆積時間は約３０秒、Ｃｕ膜の膜
厚は２ｎｍであった。
5 Ｈ5 ＣｕＰ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ：Ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄ
ｉｅｎｙｌ−ｔｒｉｅｔｈｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ−ｃ
ｏｐｐｅｒ）のガスと水素とを原料とする熱ＣＶＤ法で
ヴィア孔５０内にのみ底面から選択的にＣｕを堆積させ
ることによって図２（ａ）に示すように、Ｃｕ膜５１を
形成する。このときのＣＶＤを行う条件は、バブリング
圧力１７０Ｔｏｒｒ、水素ガス流量１００ｓｃｃｍ、バ
ブリング温度１００℃で行う。なお、この成膜行うＣＶ
Ｄ反応容器内の全圧は２Ｔｏｒｒ、温度２００℃であ
る。また、このときの堆積時間は約３０秒、Ｃｕ膜の膜
厚は２ｎｍであった。
【００１５】次に、Ａｌ原料であるＤＭＡＨ（ＡｌＨ
（ＣＨ3 ）2 ：Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−ａｌｍｉｎｕｍ−ｈ
ｙｄｒｉｄｅ）のガスと、Ｃｕ原料であるＣｐＣｕＴＭ
Ｐのガスと、水素とを原料とする熱ＣＶＤ法でヴィア孔
５０内のＣｕ膜５１にのみ選択的にＡｌ−Ｃｕ合金を堆
積させることによって図２（ｂ）に示すように、ヴィア
孔５０内にＡｌ−Ｃｕ合金膜５２を形成する。このとき
のＣＶＤを行う条件は、ＣｐＣｕＴＭＰのガスについて
は、バブリング圧力１７０Ｔｏｒｒ、水素ガス流量１０
０ｓｃｃｍ、バブリング温度１００℃で行い、また、Ｄ
ＭＡＨのガスについてはバブリング圧力５００Ｔｏｒ
ｒ、水素ガス流量１００ｓｃｃｍ、バブリング温度５０
℃で行う。なお、この成膜行うＣＶＤ反応容器内の全圧
は２Ｔｏｒｒ、温度２５０℃である。また、このときの
堆積時間は約５分、Ａｌ−Ｃｕ膜の膜厚は１μｍであっ
た。このようにして下層がＣｕ膜で上層がＡｌ−Ｃｕ合
金膜からなるヴィアプラグ５３を形成する。
（ＣＨ3 ）2 ：Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−ａｌｍｉｎｕｍ−ｈ
ｙｄｒｉｄｅ）のガスと、Ｃｕ原料であるＣｐＣｕＴＭ
Ｐのガスと、水素とを原料とする熱ＣＶＤ法でヴィア孔
５０内のＣｕ膜５１にのみ選択的にＡｌ−Ｃｕ合金を堆
積させることによって図２（ｂ）に示すように、ヴィア
孔５０内にＡｌ−Ｃｕ合金膜５２を形成する。このとき
のＣＶＤを行う条件は、ＣｐＣｕＴＭＰのガスについて
は、バブリング圧力１７０Ｔｏｒｒ、水素ガス流量１０
０ｓｃｃｍ、バブリング温度１００℃で行い、また、Ｄ
ＭＡＨのガスについてはバブリング圧力５００Ｔｏｒ
ｒ、水素ガス流量１００ｓｃｃｍ、バブリング温度５０
℃で行う。なお、この成膜行うＣＶＤ反応容器内の全圧
は２Ｔｏｒｒ、温度２５０℃である。また、このときの
堆積時間は約５分、Ａｌ−Ｃｕ膜の膜厚は１μｍであっ
た。このようにして下層がＣｕ膜で上層がＡｌ−Ｃｕ合
金膜からなるヴィアプラグ５３を形成する。
【００１６】次ぎにスパッタ法でＡｌ合金を 400ないし
1000nmの膜厚に堆積させＡｌ合金膜を形成し、上述した
下層金属配線３０を形成するときと同様の方法を用い
て、図２（ｃ）に示すように、上層金属配線６０を形成
して多層配線構造の半導体装置を製造する。なお、上層
金属配線６０を形成した後、アニール処理を行いヴィア
プラグ５３を構成するＡｌ合金（又は純Ａｌ）膜５２に
Ｃｕ膜５１中のＣｕ原子を拡散させて、図３に示すよう
な、ヴィアプラグ５３全体をＡｌ−Ｃｕ合金としてもよ
い。また、本発明のヴィア構造を使用した半導体装置を
完成するまでには、ヴィアプラグ５３形成後に表面保護
膜の形成や、プロセスダメージを除去するための熱処理
等が行われる。
1000nmの膜厚に堆積させＡｌ合金膜を形成し、上述した
下層金属配線３０を形成するときと同様の方法を用い
て、図２（ｃ）に示すように、上層金属配線６０を形成
して多層配線構造の半導体装置を製造する。なお、上層
金属配線６０を形成した後、アニール処理を行いヴィア
プラグ５３を構成するＡｌ合金（又は純Ａｌ）膜５２に
Ｃｕ膜５１中のＣｕ原子を拡散させて、図３に示すよう
な、ヴィアプラグ５３全体をＡｌ−Ｃｕ合金としてもよ
い。また、本発明のヴィア構造を使用した半導体装置を
完成するまでには、ヴィアプラグ５３形成後に表面保護
膜の形成や、プロセスダメージを除去するための熱処理
等が行われる。
【００１７】さらに、Ｓｉ基板１０内および表面には拡
散層、ゲート電極等の半導体装置として必要な構造が形
成されている。下地絶縁膜２０の必要な位置にはコンタ
クト孔が存在し、下層金属配線３０と、拡散層もしくは
ゲート電極あるいはその他の構造とを接続するコンタク
ト構造が形成されている。金属配線等と絶縁膜との間に
は、必要に応じてＷ等を用いた反射防止膜やＴｉＮ等を
用いたバリアメタルが形成されている。また、上層金属
配線６０上にさらに新たな層間絶縁膜４０および金属配
線をそれぞれ１層もしくはそれ以上積層することもでき
る。以上のように、Ａｌ−Ｃｕ合金膜の形成によりも先
にＣｕ膜を形成したのは、本実施例における堆積条件で
は、Ｃｕの方がＡｌよりも、選択性が優れているためで
ある。このように先にＣｕ膜を形成しておけば、Ｃｕ膜
を核としてＡｌ−Ｃｕ合金膜が選択的に堆積される。本
実施例に示すようにＡｌに比べＣｕの選択性が優れてい
る原料ガスとしては、Ａｌ原料及びＣｕ原料として、本
実施例に用いられているもの以外に、それぞれ以下のも
のがあげられる。
散層、ゲート電極等の半導体装置として必要な構造が形
成されている。下地絶縁膜２０の必要な位置にはコンタ
クト孔が存在し、下層金属配線３０と、拡散層もしくは
ゲート電極あるいはその他の構造とを接続するコンタク
ト構造が形成されている。金属配線等と絶縁膜との間に
は、必要に応じてＷ等を用いた反射防止膜やＴｉＮ等を
用いたバリアメタルが形成されている。また、上層金属
配線６０上にさらに新たな層間絶縁膜４０および金属配
線をそれぞれ１層もしくはそれ以上積層することもでき
る。以上のように、Ａｌ−Ｃｕ合金膜の形成によりも先
にＣｕ膜を形成したのは、本実施例における堆積条件で
は、Ｃｕの方がＡｌよりも、選択性が優れているためで
ある。このように先にＣｕ膜を形成しておけば、Ｃｕ膜
を核としてＡｌ−Ｃｕ合金膜が選択的に堆積される。本
実施例に示すようにＡｌに比べＣｕの選択性が優れてい
る原料ガスとしては、Ａｌ原料及びＣｕ原料として、本
実施例に用いられているもの以外に、それぞれ以下のも
のがあげられる。
【００１８】即ち、Ａｌ原料としては、Ａｌ（ＣＨ3 ）
3 、Ａｌ（Ｃ4 Ｈ9 ）3 、ＡｌＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 、Ａｌ
Ｈ3 ・Ｎ（ＣＨ3 ）3 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）ＡｌＣｌ2 、
（ｎ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 ＡｌＣｌ等がある。
3 、Ａｌ（Ｃ4 Ｈ9 ）3 、ＡｌＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 、Ａｌ
Ｈ3 ・Ｎ（ＣＨ3 ）3 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）ＡｌＣｌ2 、
（ｎ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 ＡｌＣｌ等がある。
【００１９】また、Ｃｕ原料としては、Ｃｕ（ａｃａ
ｃ）2 、Ｃｕ（ｈｆａｃ）2 、Ｃ5 Ｈ5 ＣｕＰ（Ｃ
Ｈ3 ）3 、（ｈｆａｃ）ＣｕＰ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 、（ｈｆ
ａｃ）ＣｕＰ（２−Ｂｕｔｙｎｅ）等がある。
ｃ）2 、Ｃｕ（ｈｆａｃ）2 、Ｃ5 Ｈ5 ＣｕＰ（Ｃ
Ｈ3 ）3 、（ｈｆａｃ）ＣｕＰ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 、（ｈｆ
ａｃ）ＣｕＰ（２−Ｂｕｔｙｎｅ）等がある。
【００２０】なお、本実施例においてはヴィアプラグを
形成する場合について説明したが、本発明に係る薄膜形
成方法を金属配線を形成する膜、さらにこれに限らず別
のようとに用いるＣＶＤ法により形成される膜を形成す
る際にも利用できることはいうまでもない。
形成する場合について説明したが、本発明に係る薄膜形
成方法を金属配線を形成する膜、さらにこれに限らず別
のようとに用いるＣＶＤ法により形成される膜を形成す
る際にも利用できることはいうまでもない。
【００２１】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、供給する２種類以上の原料ガスのうち選択性の
最も高い薄膜材料を含む原料ガスのみを所望の領域に堆
積させて第１の層を形成し、この第１の層を核とするの
で、２種類以上の原料ガスが組み合わされて選択性の失
われた薄膜材料の原料ガスが供給されても、所望の領域
に堆積させることができる。このため、堆積条件の異な
る２種類以上の原料ガスを用いてもＣＶＤ法の利点であ
る選択性を損なわずに薄膜を形成することができる。
よれば、供給する２種類以上の原料ガスのうち選択性の
最も高い薄膜材料を含む原料ガスのみを所望の領域に堆
積させて第１の層を形成し、この第１の層を核とするの
で、２種類以上の原料ガスが組み合わされて選択性の失
われた薄膜材料の原料ガスが供給されても、所望の領域
に堆積させることができる。このため、堆積条件の異な
る２種類以上の原料ガスを用いてもＣＶＤ法の利点であ
る選択性を損なわずに薄膜を形成することができる。
【図１】本発明の実施例に係る半導体装置の各製造工程
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明の実施例に係る半導体装置の各製造工程
を示す図である。
を示す図である。
【図３】本発明の実施例に係る半導体装置の断面図であ
る。
る。
１０…Ｓｉ基板、２０…下地絶縁膜、３０…下層金属配
線、４０…層間絶縁膜、５０…ヴィア孔、５１…Ａｌ−
Ｃｕ合金膜、５２…Ａｌ膜、５３…ヴィアプラグ、６０
…上層金属配線
線、４０…層間絶縁膜、５０…ヴィア孔、５１…Ａｌ−
Ｃｕ合金膜、５２…Ａｌ膜、５３…ヴィアプラグ、６０
…上層金属配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片桐 智治 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究本部内 (72)発明者 太田 与洋 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究本部内
Claims (2)
- 【請求項１】 薄膜材料を含む２種以上の原料ガスを供
給して化学気相成長法により薄膜を形成する薄膜形成方
法において、 前記原料ガスのうち、選択性の最も高い薄膜材料を含む
原料ガスのみを供給し、所望の領域に薄膜材料を堆積さ
せて第１の層を形成する第１の工程と、 前記２種類以上の原料ガスを全て供給し、前記第１の層
上に、さらに薄膜材料を堆積させて第２の層を形成する
第２の工程とを有することを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項２】 薄膜材料を含む２種以上の原料ガスを供
給して化学気相成長法により薄膜を形成する薄膜形成方
法において、 前記原料ガスのうち、選択性の最も高い薄膜材料を含む
原料ガスのみを供給し、水素ガス雰囲気中で化学気相成
長法によって、所望の領域に薄膜材料を堆積させて第１
の層を形成する第１の工程と、 前記２種類以上の原料ガスを選択性の高い薄膜材料を含
む原料ガスから順に供給し、前記第１の層上に、さらに
薄膜材料を堆積させて第２の層を形成する第２の工程と
を有することを特徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5725293A JPH06275721A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5725293A JPH06275721A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275721A true JPH06275721A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13050345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5725293A Pending JPH06275721A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06275721A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6534133B1 (en) * | 1996-06-14 | 2003-03-18 | Research Foundation Of State University Of New York | Methodology for in-situ doping of aluminum coatings |
| JP2018507546A (ja) * | 2015-01-21 | 2018-03-15 | クゥアルコム・インコーポレイテッドＱｕａｌｃｏｍｍ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 集積回路デバイスおよび方法 |
-
1993
- 1993-03-17 JP JP5725293A patent/JPH06275721A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6534133B1 (en) * | 1996-06-14 | 2003-03-18 | Research Foundation Of State University Of New York | Methodology for in-situ doping of aluminum coatings |
| JP2018507546A (ja) * | 2015-01-21 | 2018-03-15 | クゥアルコム・インコーポレイテッドＱｕａｌｃｏｍｍ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 集積回路デバイスおよび方法 |
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