JPH06203424A - 光磁気記憶装置 - Google Patents

光磁気記憶装置

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JPH06203424A JP5001380A JP138093A JPH06203424A JP H06203424 A JPH06203424 A JP H06203424A JP 5001380 A JP5001380 A JP 5001380A JP 138093 A JP138093 A JP 138093A JP H06203424 A JPH06203424 A JP H06203424A
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 室温で面内磁気異方性が優位な面内磁化を示
す一方、温度上昇に伴い垂直磁気異方性が優位な垂直磁
化に移行する読み出し層および情報を記録する記録層を
有する光磁気ディスク２０１と、半導体レーザー１０１
と、半導体レーザー１０１からの光ビームを光磁気ディ
スク２０１上に収斂させる対物レンズ１０５と、半導体
レーザー１０１から対物レンズ１０５に向かう光ビーム
の一部を遮る遮光帯１２０とが備えられている光磁気記
憶装置。 【効果】 再生信号品質が向上すると共に、記録密度を
著しく向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク、光磁
気テープ、光磁気カード等の光磁気記憶媒体を用いて記
録再生等を行う光磁気記憶装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクは、書き換え可能な光デ
ィスクとして研究開発が進められており、その一部は既
に、コンピューター用の外部メモリーとして実用化され
ている。
【０００３】記録媒体として垂直磁化膜を用いる光磁気
ディスクでは、光を利用して記録再生を行うため、面内
磁化膜を用いたフロッピーディスクあるいはハードディ
スクに比べて、大記録容量を実現できる。
【０００４】光磁気ディスクの記録密度をさらに大きく
するには、記録媒体上の光スポット径を小さくすればよ
い。光スポット径を小さくする方法としては、光ビーム
の波長を短くする方法、対物レンズの開口数（ＮＡ）を
大きくする方法、対物レンズに入射する光ビームの中心
部を遮光帯によって遮ってから、対物レンズに入射させ
る方法等がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、光源
としての半導体レーザーの発振波長を短くすることは現
状では困難である。このため、光磁気ディスクの記録密
度をさらに大きくできないという問題点を有している。
【０００６】また、ＮＡを大きくする方法では、光学系
の光軸が光磁気ディスクに対して傾くと、光スポット径
が従来よりも逆に大きくなってしまう。このため、光磁
気ディスクドライブの組立精度および光磁気ディスクの
反りの許容値を従来以上に厳しく管理しなければならな
くなる。
【０００７】さらに、遮光帯による方法では、光スポッ
トの、光強度の高い中央部の径は小さくなるが、サイド
ローブが発生するため、中央部の外側に比較的光強度の
高い側部が生じる。このため、光スポットの中央部によ
る再生信号に、光スポットの側部による再生信号が混ざ
る。その結果、再生信号品質が低下してしまう。
【０００８】そこで、記録媒体からの反射光をスリット
上に収斂させ、光スポットの中央部による反射光だけを
取り出す方法が考えられる。しかしながら、これを実現
するためには、光磁気ディスクドライブの光学系が非常
に複雑になるという新たな問題を招来する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光磁気記憶
装置は、上記の課題を解決するために、室温で面内磁気
異方性が優位な面内磁化を示す一方、温度上昇に伴い垂
直磁気異方性が優位な垂直磁化に移行する読み出し層お
よび情報を記録する記録層を有する光磁気記録媒体と、
レーザー光源と、レーザー光源からの光ビームを光磁気
記録媒体上に収斂させる対物レンズと、レーザー光源か
ら対物レンズに向かう光ビームの一部を遮る遮光手段と
が備えられていることを特徴としている。
【００１０】
【作用】上記の構成によれば、情報再生時、読み出し層
に光ビームが照射されると、照射された部位の温度分布
は、ほぼガウス分布になる。このため、読み出し層上の
光スポットの中央部に対応する部分の温度が周辺より上
昇する。
【００１１】この温度上昇に伴って、温度上昇部位の磁
化は、面内磁化から垂直磁化に移行する。この時、読み
出し層及び記録層の２層間の交換結合力により、記録層
の磁化の向きに読み出し層の磁化の向きが従う。
【００１２】温度上昇部位が面内磁化から垂直磁化に移
行すると、温度上昇部位のみが極カー効果を示すように
なり、該部位からの反射光に基づいて情報が再生され
る。
【００１３】一方、光スポットの中央部に対応しない読
み出し層の部分の温度は、中央部に対応する部分より温
度が低いので、その部分は面内磁化のままである。した
がって、その部分では極カー効果が生じない。つまり、
再生には寄与しない。
【００１４】光ビームが移動して次の記録ビットを再生
するときは、先の再生部位の温度は低下し、垂直磁化か
ら面内磁化に移行するため、極カー効果を示さなくな
る。このことは、記録層に記録された磁化情報が読み出
し層の面内磁化によりマスクされて読み出されないとい
うことを意味している。
【００１５】また、遮光手段を設けたので、光スポット
の、光強度の高い中央部の大きさを小さくできる。しか
も、遮光手段によりサイドローブが発生し、光スポット
の中央部の外側に比較的光強度の高い側部が生じても、
側部に対応した読み出し層の部分は面内磁化のままであ
る。したがって、光スポットの中央部による再生信号
に、光スポットの側部による再生信号が混ざることはな
い。これにより、再生信号品質が向上すると共に、記録
密度を著しく向上する。
【００１６】
【実施例】本発明の第１実施例を図１ないし図３１に基
づいて説明すれば、以下の通りである。
【００１７】本実施例の光磁気ディスク装置（光磁気記
憶装置）は、図１に示すように、光磁気ディスク２０１
（光磁気記録媒体）と、光磁気ディスク２０１に光ビー
ムを照射する光ヘッド２０２とから構成されている。
【００１８】光ヘッド２０２は、光照射系として、半導
体レーザー１０１（レーザー光源）と、半導体レーザー
１０１からのレーザー光を平行な光ビームにするコリメ
ーターレンズ１０２と、光ビームの断面を円形にする整
形プリズム１０３と、円形の光ビームの一部を遮る遮光
帯１２０（遮光手段）と、ビームスプリッター１０４
と、ビームスプリッター１０４を透過した光ビームを光
磁気ディスク２０１上に収斂させる対物レンズ１０５を
備えている。
【００１９】光ヘッド２０２は、さらに、ビームスプリ
ッター１０６を備えており、対物レンズ１０５で集光さ
れビームスプリッター１０４で反射された、光磁気ディ
スク２０１からの反射光を透過光と反射光とに分離し、
サーボ系と再生系に導くようになっている。
【００２０】サーボ系は、フォーカスサーボ信号および
ラジアルサーボ信号を取り出すための受光素子１０９
と、ビームスプリッター１０６で反射した光を受光素子
１０９上に収斂させるレンズ１０７と、レンズ１０７と
受光素子１０９との間に設けられたシリンドリカルレン
ズ１０８からなっている。
【００２１】再生系は、再生信号を取り出すための受光
素子１１３・１１４と、ビームスプリッター１０６を透
過した光を受光素子１１３・１１４上に収斂させるレン
ズ１１１と、ビームスプリッター１０６とレンズ１１１
との間に設けられた１／２波長板１１０と、レンズ１１
１からの光を透過光と反射光とに分離し、受光素子１１
３・１１４に導く偏光ビームスプリッター１１２を備え
ている。
【００２２】上記遮光帯１２０の長手方向は、図２に示
すように、光磁気ディスク２０１のグルーブの方向に対
して直交する方向に設定されている。これにより、対物
レンズ１０５の収束光におけるメインローブの両側に発
生した２つのサイドローブは、グルーブの方向に並ぶ。
遮光帯１２０の幅（ｗ）と、対物レンズ１０５に入射す
る光ビームの直径（Ｒ）との比は、約0.２に設定され
た。
【００２３】光磁気ディスク２０１上の光スポットは、
図３に示すように、メインローブに起因した光強度の高
い中央部と、中央部の両側の、サイドローブに起因した
比較的光強度の高い側部からなっており、中央部と両側
部がグルーブの方向（つまり、トラックの長手方向）に
沿って並ぶ。なお、同図（ｂ）の破線は、遮光帯１２０
がない場合の光スポットの光強度分布を示している。
【００２４】光磁気ディスク２０１は、図４に示すよう
に、基板１（基体）上に、透明誘電体層２、読み出し層
３、記録層４、保護層５、オーバーコート層６がこの順
に積層された構成を有している。
【００２５】読み出し層３として使用される希土類遷移
金属合金では、図５の磁気状態図に示すように、垂直磁
化を示す組成範囲（図中、Ａで示す）は非常に狭い。こ
れは、希土類金属と遷移金属のモーメントがつりあう補
償組成（図中、Ｐで示す）の近辺でしか垂直磁化が現れ
ないからである。
【００２６】希土類金属と遷移金属の磁気モーメント
は、それぞれの温度特性が異なり、高温では遷移金属の
磁気モーメントが希土類金属に比べて大きくなる。この
ため、室温の補償組成よりも希土類金属の含有量を多く
しておき、室温では垂直磁化を示さずに面内磁化を示す
ようにしておく。この場合、光ビームが照射されること
により、照射部位の温度が上昇すると、遷移金属の磁気
モーメントが相対的に大きくなって、希土類金属の磁気
モーメントとつりあうようになり、垂直磁化を示すよう
になる。
【００２７】図６ないし図９は、読み出し層３のヒステ
リシス特性の一例を示しており、横軸は、読み出し層３
の膜面に垂直方向に印加される外部磁界（Hex ）であ
り、縦軸は、同じく膜面に垂直な方向から光を入射させ
た場合の極カー回転角（θk ）である。
【００２８】図６は、図５の磁気状態図における組成Ｐ
の読み出し層３の、室温から温度Ｔ1 までの間のヒステ
リシス特性を示しており、図７ないし図９は、それぞ
れ、温度Ｔ1 から温度Ｔ2 までのヒステリシス特性、温
度Ｔ2 から温度Ｔ3 までのヒステリシス特性、及び温度
Ｔ3 からキュリー温度Ｔc までのヒステリシス特性を示
している。
【００２９】温度Ｔ1 から温度Ｔ3 の温度範囲では、外
部磁界に対して極カー回転角の立ち上がりが急峻なヒス
テリシス特性を示すが、それ以外の温度範囲では極カー
回転角はほとんど０である。
【００３０】上記の特性を備えた希土類遷移金属を読み
出し層３に使用することで、光磁気ディスクの記録密度
を高くなる。すなわち、光スポットの大きさよりも小さ
な記録ビットの再生が可能になる。これについて、以下
に説明する。
【００３１】再生動作時に、基板１（図４）の側から対
物レンズ１０５を介して再生光ビームが読み出し層３に
照射される。再生光ビームが照射された読み出し層３の
部位は、その中心部近傍が最も温度が上昇し、周辺の部
位の温度よりも高くなる。これは、再生光ビームが、対
物レンズ１０５により回折限界まで絞り込まれているた
め、その光強度分布がガウス分布になり、光磁気ディス
ク上の再生部位の温度分布もほぼガウス分布になるから
である。
【００３２】中心近傍の温度がＴ1 以上に達し、周辺部
位の温度がＴ1 以下になるように再生光ビームの強度が
設定されている場合、Ｔ1 以上の温度を有する領域のみ
を再生に関与させるので、光スポットの径よりも小さな
記録ビットの再生を行え、記録密度は著しく向上するこ
とになる。
【００３３】つまり、Ｔ1 以上の温度を有する領域の磁
化は、面内磁化から垂直磁化に移行する（極カー回転角
のヒステリシス特性は図６から図７もしくは図８に移行
する）。この時、読み出し層３及び記録層４の２層間の
交換結合力により、記録層４の磁化の向きが読み出し層
３に転写される。一方、光スポットの中心近傍に対応し
た領域以外の、周辺部位では温度がＴ1 以下であるた
め、面内磁化の状態（図６）が保持される。この結果、
膜面に垂直方向から照射された再生光ビームに対して
は、極カー効果を示さない。
【００３４】このようにして、温度上昇部位が面内磁化
から垂直磁化に移行すると、光スポットの中心近傍のみ
が極カー効果を示すようになり、該部位からの反射光に
基づいて、記録層４に記録された情報が再生される。
【００３５】光スポットが移動して（実際には光磁気デ
ィスク２０１が回転して）、次の記録ビットを再生する
時は、先の再生部位の温度はＴ1 以下に下がり、垂直磁
化から面内磁化に移行する。これに伴い、この温度が低
下した部位は極カー効果を示さなくなる。従って、該温
度の低下した部位からは情報が再生されなくなり、雑音
の原因である隣接記録ビットからの信号混入がなくな
る。
【００３６】以上のように、光磁気ディスク２０１を用
いれば、光スポットの径よりも小さい記録ビットの再生
を確実に行え、隣接する記録ビットの影響を受けないた
め、記録密度を著しく高めることが可能である。
【００３７】さらに、光ヘッド２０１に遮光帯１２０を
設けたので、光スポットの、光強度の高い中央部の径を
より小さくできる。したがって、より小さい記録ビット
の再生を行うことができる。
【００３８】しかも、サイドローブによる読み出し層３
の温度上昇はわずかであるので、光スポットの側部に位
置した読み出し層３の部分は面内磁化のままである。し
たがって、この部分を介して再生は行われない。つま
り、この部分からの再生信号が混ざることはなくなる。
その結果、再生信号品質が向上する。
【００３９】次に、本実施例の光磁気ディスク２０１の
具体例を示す。
【００４０】基板１は、直径８６mm、内径１５mm、厚さ
１．２mmの円盤状のガラスからなっている。基板１の片
側の表面には、図示していないが、光ビーム案内用の凹
凸状のガイドトラックが、ピッチが１．６μｍ、グルー
ブ（凹部）の幅が０．８μｍ、ランド（凸部）の幅が
０．８μｍで形成されている。
【００４１】基板１のガイドトラックが形成されている
側の面に、透明誘電体層２として、Ａ１Ｎが厚さ８０ｎ
ｍで形成されている。
【００４２】透明誘電体層２上に、読み出し層３とし
て、希土類遷移金属合金薄膜であるＧｄＦｅＣｏが、厚
さ５０ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組成は、
Ｇｄ0. 26（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.74であり、そのキュリ
ー温度は約３００℃である。
【００４３】読み出し層３上に、記録層４として、希土
類遷移金属合金薄膜であるＤｙＦｅＣｏが、厚さ５０ｎ
ｍで形成されている。ＤｙＦｅＣｏの組成は、Ｄｙ0.23
（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.77であり、そのキュリー温度は
約２００℃である。
【００４４】上記の読み出し層３と記録層４の組み合わ
せにより、読み出し層３の磁化の方向は、室温ではほぼ
面内（つまり、読み出し層３の層方向）にあり、１００
〜１２５℃程度の温度で面内方向から垂直方向に移行す
る。
【００４５】記録層４上には、保護層５として、Ａ１Ｎ
が厚さ２０ｎｍで形成されている。
【００４６】保護層５上には、オーバーコート層６とし
て、ポリウレタンアクリレート系の紫外線硬化型樹脂
が、厚さ５μｍで形成されている。
【００４７】上記の光磁気ディスク２０１は、以下の手
順で製造された。
【００４８】ガラスの基板１の表面のガイドトラック
は、反応性イオンエッチング法により形成された。
【００４９】透明誘電体層２、読み出し層３、記録層４
及び保護層５は、いずれもスパッター法により、同一ス
パッター装置内で、真空を破らずに形成された。透明誘
電体層２及び保護層５のＡ１Ｎは、Ａ１ターゲットをＮ
2 ガス雰囲気中でスパッターする反応性スパッター法に
より形成された。読み出し層３及び記録層４は、ＦｅＣ
ｏ合金ターゲット上にＧｄあるいはＤｙのチップを並べ
た、いわゆる複合ターゲット、若しくはＧｄＦｅＣｏ及
びＤｙＦｅＣｏの３元合金ターゲットを用いて、Ａｒガ
スでスパッターすることにより形成された。
【００５０】オーバーコート層６は、スピンコーターに
よりポリウレタンアクリレート系の紫外線硬化型樹脂を
塗布した後、紫外線照射装置で紫外線を当て、硬化させ
ることにより形成された。
【００５１】次に、上記の光磁気ディスク装置の動作確
認結果を説明する。
【００５２】光磁気ディスク２０１では、読み出し層３
と記録層４の組み合わせにより、読み出し層３の磁化の
方向は、室温ではほぼ面内にあり、１００〜１２５℃程
度の温度で面内方向から垂直方向に移行する。
【００５３】図１０及び図１１は、実際に極カー回転角
のヒステリシス特性を、温度を変えて測定した結果を表
す図である。図１０は、室温（２５℃）でのヒステリシ
ス特性であり、外部磁界（Hex ）がゼロのときの極カー
回転角は、ほとんどゼロである。これは、磁化の方向が
膜面に垂直な方向にはほとんどなく、面内方向にあるこ
とを示している。図１１は、１２０℃でのヒステリシス
特性である。外部磁化がゼロのときでも、０．５ｄｅｇ
程度の極カー回転角があり、垂直磁化に移行しているこ
とがわかる。
【００５４】以上が磁気特性の確認であるが、次に、光
ヘッド２０２を用いて動的な測定を行った結果を説明す
る。
【００５５】比較のため、光ヘッド２０２から遮光帯１
２０を取り外して、測定した結果をまず示す。尚、測定
に使用した半導体レーザー１０１の波長は７８０ｎｍ、
対物レンズ１０５の開口数（ＮＡ）は０．５５である。
【００５６】まず、上記の光磁気ディスク２０１の半径
２６．５mmの位置のランド部に、回転数１８００rpm
（線速５ｍ／sec ）の下で、０．７６５μｍの長さの単
一周波数記録ビットを予め記録した。記録は、まず、記
録層４の磁化の方向を一方向に揃えて（消去状態）か
ら、記録用外部磁界の方向を消去方向とは逆方向に固定
しておいて、０．７６５μｍの長さに相当する記録周波
数（この場合は、約３．３MHz ）でレーザーを変調する
ことで行った。記録レーザーパワーは、８ｍＷ程度であ
った。
【００５７】この記録ビット列を再生レーザーパワーを
変えて再生して、再生信号波形の振幅を調べた結果を図
１２に示す。横軸が再生レーザーパワーであり、０．５
ｍＷから３ｍＷの範囲で測定した。縦軸が再生信号振幅
を示しており、再生レーザーパワーが０．５ｍＷの時の
振幅で規格化して示している。
【００５８】図中に、Ａと記した曲線が本実施例の光磁
気ディスク２０１での結果であり、Ｂと記した曲線は、
比較のために作製し測定を行った従来の光磁気ディスク
の結果である。
【００５９】なお、従来の光磁気ディスクは、上記と同
じガラスの基板１上に、Ａ１Ｎを８０ｎｍ、ＤｙＦｅＣ
ｏを２０ｎｍ、Ａ１Ｎを２５ｎｍ、Ａ１Ｎｉを３０ｎｍ
をこの順に積層し、Ａ１Ｎｉ上に上記と同じオーバーコ
ート層を設けた構成になっている。
【００６０】この従来の光磁気ディスクの構成は、希土
類遷移金属合金であるＤｙＦｅＣｏ磁性層が１層だけあ
り、その両側を透明誘電体層であるＡ１Ｎでサンドイッ
チし、最後に反射膜であるＡ１Ｎｉを設けた構造であ
る。この構造は、反射膜構造と呼ばれ、既に市販がなさ
れている３．５インチサイズ単板仕様の光磁気ディスク
の代表的な構成である。また、周知の如く、従来の光磁
気ディスクにおけるＤｙＦｅＣｏからなる記録層は、室
温から高温まで垂直磁化を有している。
【００６１】図１２において、図中の破線で示されてい
る直線は、０点（原点）と０．５ｍＷでの振幅規格値を
結んだ直線であり、光磁気信号の再生信号振幅と再生レ
ーザーパワーとの関係を表す直線である。
【００６２】 再生信号振幅 ∝ 媒体反射光量 × 極カー回転角 この式で、媒体反射光量は、再生レーザーパワーに比例
して増加するものであるから、再生レーザーパワーで置
き換えることができる。
【００６３】従来の光磁気ディスクの測定結果曲線
（Ｂ）が、この直線より下にあるのは次の理由による。
すなわち、再生レーザーパワーを上げると媒体反射光量
はそれにつれて増加するが、一方で記録媒体の温度が上
昇する。磁性体の磁化は、一般には温度が上がるにつれ
減少し、キュリー温度でゼロになる性質を持っている。
したがって、従来の光磁気ディスクにおいては、温度が
上昇するにつれ極カー回転角が小さくなるため、図中の
直線には乗らず、下側になる。
【００６４】一方、本実施例の光磁気ディスク２０１の
測定結果曲線（Ａ）は、再生レーザーパワーが上がるに
つれ、急激に信号振幅が上昇し、2 〜2.25ｍＷ程度で振
幅が最大になっている。また、３ｍＷでの値以外は、全
て上記直線より上側にあり、再生レーザーパワーの増加
分以上の振幅の増加が得られていることがわかる。この
結果は、温度が低い時には極カー回転角がほとんど無
く、温度上昇に伴い急激に面内磁化から垂直磁化に移行
してくるという、読み出し層３の特性を反映しており、
その動作を裏付けるものである。
【００６５】次に、記録ビットをより小さくしていった
場合の再生信号品質を調べた結果について説明する。
【００６６】図１３は、記録ビット長さに対する再生信
号品質（Ｃ／Ｎ）を測定した結果を示すグラフである。
光磁気ディスク２０１の線速は先の実験と同じく５ｍ/s
ecにしておいて、記録周波数を変えて記録を行い、その
Ｃ／Ｎを測定した。光ヘッド及び記録方法は、先の実験
と同じである。
【００６７】図中に、Ａと記した曲線が本実施例の光磁
気ディスク２０１での結果であり、再生レーザーパワー
を2.25ｍＷとした。Ｂと記した曲線は、従来の光磁気デ
ィスクの結果であり、再生レーザーパワーを１ｍＷとし
た。
【００６８】記録ビット長さが0.6 μｍ以上の長い記録
ビットにおいては、両者のＣ／Ｎにほとんど差はない
が、0.6 μｍ以下になると、従来の光磁気ディスクでは
急激にＣ／Ｎが低下した。これは、記録ビット長さが小
さくなるにつれ、光ビームの照射径の中に存在する記録
ビットの数（面積）が増え、ひとつひとつの記録ビット
を識別できなくなるからである。
【００６９】光ヘッドの光学的分解能を表す一つの指標
として、カットオフ空間周波数があり、これは、半導体
レーザー１０１の波長と対物レンズ１０５の開口数によ
り定まる。本実験に用いた光ヘッドにおける半導体レー
ザー１０１の波長と対物レンズ１０５の開口数（それぞ
れ７８０ｎｍ、０．５５) を用いて、カットオフ周波数
を求め、これを記録ビット長さに換算すると、 780nm/(2*0.55)/2 ＝ 0.355μm になる。言い換えると、本実験に用いた光ヘッドの光学
的分解能の限界は、記録ピット長さで0.355 μm であ
る。上記の従来の光磁気ディスクの結果はこのことを反
映して、0.35μm でのＣ／Ｎがほぼゼロになった。
【００７０】一方、本実施例の光磁気ディスク２０１で
は、記録ビット長さが短くなるにつれてＣ／Ｎは減少す
るものの、光学的分解能である0.355 μm よりも短い記
録ビットにおいても３０ｄＢ近いＣ／Ｎが得られた。
【００７１】以上の結果から、本実施例の光磁気ディス
ク２０１を用いることで、光学的解析限界より小さな記
録ビットの再生が行なえることが確認された。これによ
り、従来の光磁気ディスクに比べて記録ビット密度を大
きく向上させることが可能である。
【００７２】次に、上記実験で確かめられた本発明に加
えて、もうひとつの重要な効果であるクロストーク量に
ついて調べた結果について説明する。
【００７３】光磁気ディスク２０１においては、一般に
は、例えば、ランド仕様であれば、ランドの幅をできる
だけ広く取り、グルーブを狭くしたガイドトラックを形
成して、ランド部のみを記録、再生に用いる。したがっ
て、ランド仕様の光磁気ディスクでのクロストークと
は、任意のランドを再生している場合に、両隣のランド
に書かれた記録ビットからの漏れのことである。グルー
ブ仕様の光磁気ディスクでのクロストークとは、任意の
グルーブを再生している場合に、両隣のグルーブに書か
れた記録ビットからの漏れのことである。
【００７４】例えば、ＩＳ10089 規格（ＩＳＯの５.2
５”書き換え型光ディスクについて定めた規格）おいて
は、1.6 μm ピッチのガイドトラックにおいて、最短記
録ビット(0.765μm)に対するクロストーク量が−26ｄＢ
以下であるように定められている。
【００７５】本実施例では、このＩＳ10089 規格に定め
られたクロストーク測定法に基づき、0.765 μm の記録
ビットに対するクロストーク量を測定した。ただし、本
実施例の光磁気ディスク２０１の効果を確かめるため、
トラックピッチ1.6 μm 、ランド幅とグルーブ幅が同じ
0.8 μm である前述のガラスの基板１において、ランド
部を再生したときの両隣接グルーブからのクロストーク
量と、グルーブ部を再生したときの両隣接ランドからの
クロストーク量とをそれぞれ測定した。
【００７６】図１４にランド部を再生したときの測定結
果を示す。横軸は再生レーザーパワーであり、縦軸がク
ロストーク量である。図中、Ａと記した曲線は、本実施
例の光磁気ディスク２０１の測定結果であり、Ｂと記し
た曲線は、上記の従来の光磁気ディスクの測定結果であ
る。
【００７７】従来の光磁気ディスク（Ｂ）では、クロス
トーク量が−15ｄＢ程度と大きいのに対して、本実施例
の光磁気ディスク２０１（Ａ）では、−30ｄＢ程度と上
記ＩＳＯ規格で定められた−26ｄＢをクリアする値が得
られた。
【００７８】また、グルーブ部を再生したときのクロス
トークについても、同様の結果が得られた。
【００７９】このような結果が得られた理由を、図１５
を基づいて説明する。
【００８０】図１５は、光磁気ディスク２０１を真上か
らみたときの概略平面図であり、真ん中のランド部と両
隣のグルーブ部の円形（点線）で示された記録ビットが
記録されている。図中の大きい円（実線）が集光された
再生光ビームの光スポットであり、光スポットがランド
に追従するようにサーボがかけられている。図におい
て、ランド幅及びグルーブ幅は0.8 μm 、光スポット径
（光ビーム直径）は1.73μm （＝エアリーディスク径＝
1.22*780nm/0.55）、記録ビット直径は説明の便宜上、
0.335 μm の大きさで示している。
【００８１】同図において、再生光ビームの中には７個
の記録ビットが入って来ている。従来の光磁気ディスク
であれば、それぞれが垂直磁化（例えば記録ビット部の
磁化の向きが紙面に垂直上向きで、記録ビット以外の領
域で（消去部）の磁化は同下向き）を示し、極カー効果
を示すので、光ビーム内のそれぞれの信号を分離するこ
とはできなくなる。このことが、前述の実験結果で従来
の光磁気ディスクの0.35μm でのＣ／Ｎが小さかった理
由及び隣接トラックからのクロストークが大きかった理
由である。
【００８２】一方、本実施例の光磁気ディスク２０１で
あれば、再生光ビームの中心近傍の、周囲より温度の高
い領域では読み出し層３の磁化が垂直になり、それ以外
の領域では面内磁化のままである。従って、同図のよう
に再生光ビームの中に７個の記録ビットがあっても、再
生に寄与するのは再生光ビームの中心に位置する一つの
みであるので、0.335 μm と非常に小さな記録ビットで
あっても、Ｃ／Ｎが約３０dBも得られる。さらに、両隣
接トラックからのクロストークも非常に小さくなる。
【００８３】以上、説明した通り、本実施例の光磁気デ
ィスク２０１を用いることで、従来光磁気ディスクに比
べて２倍以上の高密度化が可能となることが実験により
確かめられた。
【００８４】次に、本実施例の遮光帯１２０を備えた光
ヘッド２０２を用いて、動的な測定を行った結果を説明
する。
【００８５】前述の通り、光ビームの直径（Ｒ）に対す
る遮光帯１２０の幅（ｗ）の比率（ｗ／Ｒ）は0.２であ
る。半導体レーザー１０１の波長は７８０ｎｍ、対物レ
ンズ１０５の開口数は０.5５である。
【００８６】まず、遮光帯１２０を外した状態で、光磁
気ディスク２０１の半径２６．５mmの位置のランド部
に、回転数１８００rpm （線速５ｍ／sec ）の下で、
０．７６５μｍの長さの単一周波数記録ビットを予め記
録した。
【００８７】次に、遮光帯１２０を取り付けて、この記
録ビット列を再生した。その結果、Ｃ／Ｎの値は、遮光
帯１２０がないときと同じであった。つまり、サイドロ
ーブによる再生信号が混入しないことが分かった。
【００８８】一方、従来の光磁気ディスクに上記と同様
の記録再生実験を行うと、Ｃ／Ｎの値は、遮光帯１２０
がないときより８ｄＢ以上低下した。つまり、サイドロ
ーブによる再生信号が混入する。再生信号の振幅も、遮
光帯１２０がないときの半分以下になった。
【００８９】したがって、遮光帯１２０を備えた光ヘッ
ド２０２を用いる場合、光磁気ディスク２０１を使用す
ることが好ましい。
【００９０】次に、遮光帯１２０を備えた光ヘッド２０
２を用いて記録再生を行った。記録再生条件は上記実験
と同一である。その結果、ｗ／Ｒ＝0.２の遮光帯１２０
をｗ／Ｒ＝0.３の遮光帯１２０に代えた場合、Ｃ／Ｎが
大幅に低下した。
【００９１】遮光帯１２０の幅（ｗ）を広くすると、メ
インローブの広がりが狭くなり、サイドローブの強度は
増大する。このため、ｗ／Ｒ＝0.２の遮光帯１２０を用
いた場合、サイドローブによって記録が行われないが、
ｗ／Ｒ＝0.３の遮光帯１２０を用いた場合、サイドロー
ブによって記録が行われることが分かった。
【００９２】したがって、遮光帯１２０の幅（ｗ）は、
0.３×Ｒより小さくすることが好ましく、0.２×Ｒ前後
が好適である。
【００９３】次に、ｗ／Ｒ＝0.２の遮光帯１２０を用い
た光ヘッド２０２で記録再生を行い、記録ビットの大き
さとＣ／Ｎとの関係を調べた。実験は前述の遮光帯１２
０のない光ヘッドの場合と同一条件で行った。その結
果、光ヘッド２０２を用いた場合、記録ビット長が０.3
５μｍでのＣ／Ｎが、遮光帯１２０のない光ヘッドを用
いた場合と比較して、５ｄＢ以上改善された。これは、
遮光帯１２０を設けることにより、光スポットの中央部
の径が小さくなることに起因する。
【００９４】次に、ｗ／Ｒ＝0.２の遮光帯１２０を用い
た光ヘッド２０２で記録再生を行い、クロストークを調
べた。実験は前述の遮光帯１２０のない光ヘッドの場合
と同一条件で行った。その結果、クレストーク値は−３
０ｄＢ程度であり、遮光帯１２０のない光ヘッドを用い
た場合とほとんど変わらず、良好であった。
【００９５】以上のように、遮光帯１２０を備えた光ヘ
ッド２０２と光磁気ディスク２０１を組み合わせること
により、光スポットの中央部の径を小さくでき、しか
も、中央部の外側の側部による再生信号を低減できる。
これにより、より高密度記録された情報を再生すること
が可能になる。
【００９６】上記の読み出し層３のGdFeCoの組成は、Gd
0.26(Fe0.82Co0.18)0.74に限定されるものではない。読
み出し層３は、室温でほぼ面内磁化を有し、室温以上の
温度で面内磁化から垂直磁化に移行すれば良い。希土類
遷移金属合金においては、希土類と遷移金属の比率を変
えれば、希土類と遷移金属の磁化が釣り合う補償温度が
変わる。GdFeCoはこの補償温度付近で垂直磁化を示す材
料系であることからGdとFeCoの比率を変えて補償温度を
変えてやれば、面内磁化から垂直磁化に移行する温度も
これにつれて変わる。
【００９７】図１６は、GdX (Fe0.82Co0.18)1-X の系に
おいてＸ、すなわちGdの組成を変えた場合の補償温度及
びキュリー温度を調べた結果である。
【００９８】補償温度が室温（２５℃）以上にある組成
範囲は、同図から明らかなようにＸが0.18以上である。
このうち、好ましくは、0.19＜Ｘ＜0.29の範囲である。
この範囲であれば、読み出し層３上に記録層４を積層し
た実使用構成において、面内から垂直方向に磁化の向き
が移動する温度が室温〜２００℃程度の範囲となる。こ
の温度があまり高すぎると、再生用のレーザーパワーが
記録用のレーザーパワーと同じくらい高くなってしまう
ので、記録層４に記録が行われて記録情報が乱される恐
れがある。
【００９９】次に、上記のGdFeCo系において、FeとCoの
比率を変えた場合、すなわち、GdX(Fe1-YCoY )1-Xにお
いて、Ｙを変えた場合における、特性（補償温度及びキ
ュリー温度）の変化について説明する。
【０１００】図１７は、Ｙが０の場合、すなわち、GdX
Fe1-X の特性を示す図である。同図において、例えば、
Gd組成がX=0.3 の場合、補償温度は約１２０℃で、キュ
リー温度は約２００℃である。
【０１０１】図１８は、Ｙが１の場合、すなわち、GdX
Co1-X の特性を示す図である。同図において、例えば、
Gd組成がX=0.3 の場合、補償温度は約２２０℃で、キュ
リー温度は約４００℃である。
【０１０２】以上のことから、Gd組成が同じであって
も、Co量が増えると、補償温度及びキュリー温度が上昇
することがわかる。
【０１０３】再生時の極カー回転角ができるだけ大きい
ほうが高いＣ／Ｎを得られるので、読み出し層３のキュ
リー温度は、高い方が有利である。ただし、あまりCo量
を増やし過ぎると、面内から垂直に磁化方向が移行する
温度も高くなるので注意が必要である。
【０１０４】これらの点を考慮して、Gdx (Fe1-YCoY )
1-XにおけるＹの値は、0.1 ＜Ｙ＜0.5 の範囲が良い。
【０１０５】上記の読み出し層３において、面内磁化か
ら垂直磁化に移行する温度等の特性は、当然のことなが
ら、記録層４の組成、膜厚等の影響を受ける。これは、
両層の間に磁気的な交換結合力が働くからである。した
がって、記録層４の材料、組成、膜厚により、読み出し
層３の最適な組成、膜厚が変わる。
【０１０６】以上説明した通り、本発明の光磁気ディス
クの読み出し層３の材料としては、面内磁化から垂直磁
化への急峻であるGdFeCoが最適であるが、以下に述べる
希土類遷移金属合金でも、同様の効果が得られる。
【０１０７】Gdx Fe1-X は、図１７に示すような特性を
有しており、0.24＜Ｘ＜0.35の範囲で室温以上に補償温
度を有する。
【０１０８】Gdx Co1-X は、図１８に示すような特性を
有しており、0.20＜Ｘ＜0.35の範囲で室温以上に補償温
度を有する。
【０１０９】遷移金属としてFeCo合金を用いている場
合、TbX (FeY Co1-Y )1-Xは、0.20＜Ｘ＜0.30（このと
き、Ｙは任意）の範囲で室温以上で補償温度を有する。
DyX (FeY Co1-Y )1-Xは、0.24＜Ｘ＜0.33（このとき、
Ｙは任意）の範囲で室温以上で補償温度を有する。HoX
(FeY Co1-Y )1-Xは、0.25＜Ｘ＜0.45（このとき、Ｙは
任意）の範囲で室温以上で補償温度を有する。
【０１１０】以上の材料に加えて、光ヘッド２０２の光
源である半導体レーザー１０１の波長が、前述の780nm
より短くなった場合に、その波長での極カー回転角が大
きな材料も、本発明の読み出し層３の材料として好適で
ある。
【０１１１】既に、説明した通り、光磁気ディスク２０
１等の光ディスクにおいて、その記録密度を制限するの
は光ビームの大きさであり、これはレーザー波長と対物
レンズ１０５の開口数により決まるものである。従っ
て、今よりも波長の短い半導体レーザー１０１が出現す
れば、それだけで光磁気ディスク２０１の記録密度は向
上する。現在では、既に670 〜680nm の波長の半導体レ
ーザー１０１がほぼ実用化レベルにあり、波長400nm 以
下のSHG レーザーも精力的に研究が進められている。
【０１１２】希土類遷移金属合金の極カー回転角は、波
長依存性を有しており、一般には、波長が短くなると、
極カー回転角は減少してしまう。短波長で極カー回転角
の大きい膜を用いると、信号強度が大きくなり高品質の
再生信号が得られることになる。
【０１１３】上述の読み出し層３の材料にNd,Pt,Pr,Pd
のうち少なくとも１種類の元素を微量添加することで、
読み出し層３として要求される特性をほとんど損なわず
に、短波長での極カー回転角を増加することができ、短
波長レーザーを用いた場合でも高品質な再生信号が得ら
れる光磁気ディスク２０１を提供できる。
【０１１４】更に、上述の読み出し層３の材料に、微量
のCr,V,Nb,Mn,Be,Niのうち少なくとも１種類の元素を添
加することで、読み出し層３自体の耐環境性が向上す
る。すなわち、水分、酸素侵入による読み出し層３の材
料の酸化による特性の劣化を少なくし、長期信頼性に優
れた光磁気ディスク２０１を提供できる。
【０１１５】次に、本実施例においては、読み出し層３
の膜厚を50nmとしたが、膜厚はこれに限定されるもので
はない。情報の記録再生は、図４の通り、読み出し層３
側からなされるが、読み出し層３の膜厚が薄すぎると、
記録層４の情報が透けてしまう。すなわち、読み出し層
３の面内磁化によるマスク効果が小さくなる。
【０１１６】前述の通り、読み出し層３の磁気特性は記
録層４の影響を受けるため、各々の材料、組成によって
読み出し層３の膜厚は変わってくるが、読み出し層３の
厚みとしては、20nm以上が必要である。また、好適には
50nm以上であれば良く、あまり厚すぎると記録層の情報
が転写されなくなるので100nm 程度以下の膜厚が好適で
ある。
【０１１７】記録層4 の材料は、室温からキュリー温度
まで垂直磁化を示す材料で、そのキュリー温度が記録に
適した温度範囲、すなわち 150〜250 ℃程度であれば良
い。上記実施例では、記録層４としてDyFeCoを採用した
が、DyFeCoは、その垂直磁気異方性が小さい材料であ
り、そのため、記録の際に必要な外部磁界が低くても記
録が行える。これは、特に、後述する磁界変調オーバー
ライト記録方式においては、非常に有利な点となり、記
録用外部磁界発生装置の小型化、低消費電力化が可能と
なる。
【０１１８】DyFeCo以外では、TbFeCo, GdTbFe, NdDyFe
Co, GdDyFeCo, GdTbFeCoが記録層４に好適である。上記
の記録層４の材料に、Cr, V, Nb, Mn, Be, Ni のうち少
なくとも１種類の元素を添加すると、より長期信頼性を
向上させることができる。また、記録層４の膜厚は、読
み出し層３の材料、組成、膜厚との兼ね合いで決まるも
のであるが、20nm程度以上で 100nm以下が好適である。
【０１１９】透明誘電体２のＡｌＮの膜厚は、80nmに限
定されるものではない。
【０１２０】透明誘電体層２の膜厚は、光磁気ディスク
２０１を再生する際、読み出し層３からの極カー回転角
を光の干渉効果を利用して増大させる、いわゆるカー効
果エンハンスメントを考慮して決定される。再生時の信
号品質 (Ｃ／Ｎ）をできるだけ大きくさせるためには、
極カー回転角を大きくさせることが必要である。このた
め、透明誘電体層２の膜厚は、極カー回転角が最も大き
くなるように設定される。
【０１２１】この膜厚は、再生光の波長、透明誘電体層
２の屈折率により変化する。本実施例の場合は、 780nm
の再生光波長に対して、屈折率 2.0のＡｌＮを用いてい
るので、透明誘電体層２のＡｌＮの膜厚を30〜 120nm程
度にすると、カー効果エンハンスメントの効果が大きく
なる。尚、好ましくは、透明誘電体層２のＡｌＮの膜厚
は、70〜 100nmであり、この範囲であれば極カー回転角
がほぼ最大になる。
【０１２２】上記の説明は、波長が 780nmの再生光に対
するものであったが、例えば波長が半分の 400nmの再生
光に対しては、透明誘電体層２の膜厚もほぼ半分にすれ
ば良い。
【０１２３】更に、透明誘電体層２の材料の違いあるい
は製法により透明誘電体層２の屈折率が変わった場合
は、屈折率と膜厚を乗じた値（光路長）が同じになるよ
うに、透明誘電体層２の膜厚を設定すれば良い。
【０１２４】すなわち、本実施例においては、透明誘電
体層２のＡｌＮの屈折率２と膜厚80nmを乗じた、 160nm
が透明誘電体層２の光路長となるが、このＡｌＮの屈折
率が２から 2.5に変わった場合は、160nm/2.5=64nm程度
に膜厚を設定すれば良いことになる。
【０１２５】上記の説明からわかるように、透明誘電体
層２の屈折率は大きいほど、その膜厚は少なくて済む。
また、屈折率が大きいほど、極カー回転角のエンハンス
効果も大きくなる。
【０１２６】ＡｌＮは、スパッター時のスパッターガス
であるArとN2の比率、ガス圧力等を変えることにより、
その屈折率が変わるが、おおむね 1.8〜 2.1程度と比較
的屈折率が大きな材料であり、透明誘電体層２の材料と
して好適である。
【０１２７】また、透明誘電体層２は、上記のカー効果
エンハンスメントだけでなく、保護層５とともに読み出
し層３と記録層４の希土類遷移金属合金磁性層の酸化を
防止する役割がある。
【０１２８】希土類遷移金属からなる磁性膜は、非常に
酸化されやすく、特に希土類が酸化されやすい。このた
め外部からの酸素、水分侵入を極力防止しなければ、酸
化によりその特性が著しく劣化してしまう。
【０１２９】そのため、本実施例においては、読み出し
層３と記録層４の両側をＡｌＮで挟み込む形の構成を取
っている。ＡｌＮは、その成分に酸素を含まない窒化膜
であり、非常に耐湿性に優れた材料である。
【０１３０】更に、ＡｌＮは、屈折率が２前後と比較的
大きく、かつ透明であり、その酸素をその成分に含まな
いので、長期安定性に優れた光磁気ディスク２０１を提
供できる。加えて、Ａ１ターゲットを用いて、N2ガスも
しくはArとN2の混合ガスを導入して反応性ＤＣ（直流電
流）スパッタリングを行うことが可能であり、ＲＦ（高
周波）スパッターに比べて成膜速度が大きいこと点でも
有利である。
【０１３１】ＡｌＮ以外の透明誘電体層２としては、比
較的屈折率が大きいＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、
ＳｉＡｌＯＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、ＺｎＳ、Ｔｉ
Ｏ2、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 等が好適である。こ
のうち特にＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴｉＮ、ＴｉＮ、
ＢＮ、ＺｎＳは、その成分に酸素を含まず、耐湿性に優
れた光磁気ディスクを提供することができる。
【０１３２】保護層５のＡｌＮの膜厚は、本実施例では
20nmとしたが、これに限定するものでは無い保護層５の
膜厚の範囲としては、1 〜200nm が好適である。
【０１３３】本実施例においては、読み出し層３と記録
層４の両磁性層あわせた膜厚は100nm であり、この膜厚
になると光ヘッド２０２から入射された光はほとんど磁
性層を透過しない。したがって、保護層５の膜厚に特に
制限はなく、磁性層の酸化を長期に渡って防止するに必
要な膜厚であれば良い。酸化防止能力が低い材料であれ
ば膜厚を厚く、高ければ薄くすれば良い。
【０１３４】保護層５は、透明誘導体層２ととものその
熱伝導率が、光磁気ディスク２０１の記録感度特性に影
響を及ぼす。記録感度特性とは、記録、あるいは消去に
必要なレーザーパワーがどの程度必要かを意味する。光
磁気ディスク２０１に入射された光はそのほとんどが、
透明誘導体層2 を通過し、吸収膜である読み出し層３・
記録層４に吸収されて、熱に変わる。このとき、読み出
し層３・記録層４の熱が透明誘導体層2 、保護層５に熱
伝導により移動する。したがって、透明誘導体層2 、保
護層5 の熱伝導率および熱容量（比熱) が記録感度に影
響を及ぼす。
【０１３５】このことは、光磁気ディスク２０１の記録
感度を保護層5 の膜厚である程度制御できるということ
を意味し、例えば、記録感度を上げる( 低いレーザーパ
ワーで記録消去を行える) 目的であれば保護層5 の膜厚
を薄くすれば良い。通常は、レーザー寿命を延ばすた
め、記録感度はある程度高い方が有利であり、保護層５
の膜厚は薄い方が良い。
【０１３６】ＡｌＮはこの意味でも好適で、耐湿性に優
れるので、保護層５として用いた場合、膜厚を薄くする
ことができ、記録感度の高い光磁気ディスク２０１を提
供することができる。
【０１３７】本実施例では、保護層５を透明誘導体層２
と同じＡｌＮとすることで、耐湿性に優れた光磁気ディ
スク２０１を提供でき、かつ保護層５と透明誘導体層2
を同じ材料で形成することで、生産性も向上させること
ができる。ＡｌＮは、前述の通り、非常に耐湿性に優れ
た材料であるので、比較的薄い膜厚である20nmに設定す
ることができる。生産性を考慮しても薄いほうが有利で
ある。 また、保護層５の材料としては、ＡｌＮ以外
に、前述の目的、効果を考慮すれば、上述の透明誘導体
層２の材料として用いられる、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、Ａ
ｌＴａＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、Ｚ
ｎＳ、ＴｉＯ2 、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 が好適で
ある。
【０１３８】また、透明誘導体層2 と同じ材料を用いれ
ば生産性の点でも有利である。
【０１３９】このうち特に、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、Ａｌ
ＴａＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｎＳは、その成分に酸素を含
まず、耐湿性に優れた光磁気ディスク２０１を提供する
ことができる。
【０１４０】基板１の材料としては、上記のガラス以外
に、化学強化されたガラス、これらのガラス基板上に紫
外線硬化型樹脂層を形成した、いわゆる２Ｐ層付きガラ
ス基板、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタク
リレート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン
（ＡＰＯ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ塩化ビフェニ
ール（ＰＶＣ）、エポキシ等の基板１を使用することが
可能である。
【０１４１】基板１に化学強化されたガラスを採用した
場合、機械特性（光磁気ディスク２０１の場合、面振
れ、偏心、反り、傾き等）に優れていること、硬度が大
きく、砂や埃により傷が付きにくいこと、化学的に安定
なため、各種溶剤に溶けないこと、プラスチックに比べ
帯電しにくいので埃や塵が付着しにくいこと、化学的に
強化されているので割れにくいこと、耐湿性、耐酸化
性、耐熱性に優れているので、光磁気記録媒体の長期信
頼性が向上すること、光学特性に優れており、高い信号
品質が得られること等が利点として挙げられる。
【０１４２】尚、基板１として、上記のガラス、化学強
化ガラスを用いた場合に、光ビーム案内用のガイドトラ
ック、及びアドレス信号等の情報を得るために予め基板
に形成されるプリピットと呼ばれる凹凸信号を基板上に
形成する方法としては、これらガラス基板表面を反応性
ドライエッチングすることにより形成される。また、２
Ｐ層と呼ばれる紫外線硬化型樹脂を照射して樹脂を硬化
させた後、スタンパーをはがして樹脂層上に上記のガイ
ドトラック、プリピット等を形成する方法がある。
【０１４３】基板１にＰＣを採用した場合、射出成型が
できるため、同一の基板１を大量に、安価に供給できる
こと、ほかのプラスチックに比べ、吸水率が低いので、
光磁気記録媒体の長期信頼性が向上すること、耐熱性、
耐衝撃性に優れていることなどが利点として挙げられ
る。なお、この材料も含め、以下に述べる射出成型が可
能な材料については、ガイドトラック、プリピット等
は、射出成型時にスタンパーを成型金型表面に取り付け
ておけば、成型と同時に基板１の表面に形成される。
【０１４４】基板１にＰＭＭＡを採用した場合、射出成
型ができるため、同一の基板１を大量に、安価に供給で
きること、他のプラスチックに比べ、複屈折が小さいの
で、光学特性に優れており、高い信号品質が得られるこ
と、耐久性に優れていること等が利点として挙げられ
る。
【０１４５】基板１にＡＰＯを採用した場合、射出成型
ができるため、同一の基板１を大量に、安価に供給でき
ること、他のプラスチックに比べ、吸水率が低いので、
光磁気記録媒体の長期信頼性が向上すること、複屈折が
小さいので、光学特性に優れており、高い信号品質が得
られること、耐熱性、耐衝撃性に優れていること等が利
点として挙げられる。
【０１４６】基板１にＰＳを採用した場合、射出成型が
できるため、同一の基板１を大量に、安価に供給できる
こと、他のプラスチックに比べ、吸水率が低いので、光
磁気記録媒体の長期信頼性が向上すること等が利点とし
て挙げられる。
【０１４７】基板１にＰＶＣを採用した場合、射出成型
ができるため、同一の基板１を大量に、安価に供給でき
ること、他のプラスチックに比べ、吸水率が低いので、
光磁気記録媒体の長期信頼性が向上すること、難燃性で
あること等が利点として挙げられる。
【０１４８】基板１にエポキシを採用した場合、他のプ
ラスチックに比べ、吸水率が低いので、光磁気記録媒体
の長期信頼性が向上すること、熱硬化性樹脂であるた
め、耐熱性に非常に優れていること等が利点として挙げ
られる。
【０１４９】以上のように基板１として、各種材料を使
用することが可能であるが、それらの材料を光磁気ディ
スク２０１の基板１として使用する場合、以下の光学特
性、機械特性を満足していることが望ましい。
【０１５０】屈折率 ：１．４４〜１．６２ 複屈折 ：１００ｎｍ以下（平行光で測定された往
復複屈折） 透過率 ：９０％以上 厚さ変動 ：±０．１ｍｍ チルト ：１０ｍｒａｄ以下 面振れ加速度：１０ｍ／ｓ2 以下 径方向加速度：３ｍ／ｓ2 以下 記録層４にレーザー光を集光するための光ヘッド２０２
は、基板１の屈折率に合わせて設計されるため、基板１
の屈折率の変動が大きくなるとレーザー光を十分に集光
することができなくなる。レーザー光の集光状態が変わ
ってくると記録媒体（つまり、読み出し層３と記録層
４）の温度分布が変化することになり、記録再生に影響
を及ぼす。本発明においては、再生時の記録媒体の温度
分布が特に重要となってくるため、使用する基板１の屈
折率を１．４４〜１．６２の範囲内に抑えることが望ま
しい。
【０１５１】また、基板１を通してレーザー光を入射さ
せるため、基板１に複屈折が存在すると、レーザー光が
基板１を通過する際、その偏光状態が変わってしまう。
本発明は読み出し層３の磁化状態の変化をカー効果を利
用して偏光状態の変化として再生するため、基板１を通
過する際に偏光状態が変わってしまうと再生することが
できなくなってしまう。そのため、平行光で測定した際
の基板１の往復複屈折は100nm 以下であることが望まし
い。
【０１５２】また、基板１の透過率が低くなると、例え
ば記録時において、光ヘッド２０２からの光ビームが基
板１を通過する際、その光量が減少してしまう。そのた
め、記録に必要である光量を記録媒体で得ようとする
と、より高出力なレーザー光源が必要となる。特に本発
明においては、記録媒体が記録層４と読み出し層３の２
層からなっており、従来の単層の（読み出し層３のな
い）記録媒体に比べて、記録媒体を昇温するためには、
より多くの光量を必要とするため、基板１の透過率は９
０％以上であることが望ましい。
【０１５３】また、記録媒体にレーザー光を集光するた
めの光ヘッド２０２は、基板１の厚さに合わせて設計さ
れるため、基板１の厚さの変動が大きくなるとレーザー
光を十分に集光することができなくなる。レーザー光の
集光状態が変わってくると記録媒体の温度分布が変化す
ることになり、記録再生に悪影響を及ぼす。本発明にお
いては、再生時の記録媒体の温度分布が特に重要となっ
てくるため、使用する基板１の厚さ変動を±0.1mm の範
囲内に抑えることが望ましい。
【０１５４】また、基板１にチルトが存在すると光ヘッ
ド２０２からのレーザー光は、傾いた記録媒体面に集光
されることになり、チルトの状態に応じて集光状態が変
化することになり、基板１の厚さが変動した場合と同様
に、記録再生に悪影響を及ぼす。そのため、本発明にお
いては、基板１のチルトを10mrad以下、もっと好ましく
は5mrad 以下とすることが望ましい。
【０１５５】また、基板１が光ヘッド２０２に対して上
下に移動した場合、光ヘッド２０２はその上下動を補償
し記録媒体面にレーザー光を集光すべく動作するが、上
下動が大きくなり過ぎると光ヘッド２０２の補償動作が
不完全なものとなり、記録媒体面でのレーザー光の集光
状態は不完全なものとなる。レーザー光の集光状態が不
完全なものとなると記録媒体の温度分布が変化すること
になり、記録再生に悪影響を及ぼす。本発明において
は、再生時の記録媒体の温度分布が特に重要となってく
るため、使用する基板の回転時の上下動については、そ
の面振れ加速度を１０ｍ／ｓ2 以下に抑えることが望ま
しい。
【０１５６】また、基板１にはあらかじめ１．０〜１．
６μｍピッチで光ビーム案内用のガイドトラックが設け
られているが、ガイドトラックに偏心が存在すると、回
転時にガイドトラックは光ヘッド２０２に対して半径方
向に移動することになる。この時、光ヘッド２０２はそ
の半径方向の移動を補償しガイドトラックと一定の関係
を保つべくレーザー光を集光させるが、ガイドトラック
の半径方向への移動が大きくなり過ぎると光ヘッド２０
２の補償動作が不完全なものとなり、ガイドトラックと
一定の関係を保った状態でレーザー光を集光させること
ができなくなる。本発明においては、再生時の記録媒体
の温度分布が特に重要となってくるため、使用する基板
の回転時の半径方向への移動については、その径方向加
速度を３ｍ／ｓ2 以下に抑えることが望ましい。
【０１５７】集光されたレーザー光を光磁気ディスク２
０１の所定の位置に導く方法として、スパイラル状、ま
たは、同心円状のガイドトラックを利用した連続サーボ
方式と、スパイラル状、または、同心円状のピット列を
利用したサンプルサーボ方式が考えられる。
【０１５８】連続サーボ方式の場合、図１９に示すよう
に、１．２〜１．６μｍピッチで、０．２〜０．６μｍ
幅のグルーブが、λ／（８ｎ）程度の深さで形成され、
ランド部分で情報の記録再生が行われるのが一般的であ
る。これはランド仕様の光磁気ディスク２０１と呼ばれ
る。ここで、λはレーザビームの波長であり、ｎは使用
される基板の屈折率である。
【０１５９】このような、一般的な方式に本発明を適用
することは十分に可能である。本発明においては、隣接
トラックの記録ビットのよるクロストークが大幅に低減
されることにより、例えば、ランド仕様の光磁気ディス
ク２０１においては、０．５〜１．２μｍピッチで、
０．１〜０．４μｍ幅のグルーブを形成した場合でも、
隣接記録ビットからのクロストークに影響されることな
く、記録再生を行うことが可能になり、記録密度は大幅
に向上する。
【０１６０】更に、図２０に示すように、０．８〜１．
６μｍピッチで、同一幅のグルーブとランドを形成し、
グルーブ部分とランド部分の両方で記録再生を行った場
合においても隣接トラックの記録ビットからのクロスト
ークに影響されることなく、グルーブ部分とランド部分
の両方で記録再生を行うことが可能となり、記録密度は
大幅に向上する。
【０１６１】一方、サンプルサーボ方式の場合は、図２
１に示すように、１．２〜１．６μｍピッチでもってウ
ォブルピットが（λ／（４ｎ））程度の深さで形成さ
れ、レーザビームが常にウォブルピットの中心を走査す
るように情報の記録再生が行われるのが一般的である。
このような一般的な方式に本発明を適用することは十分
に可能である。本発明においては、隣接する記録ビット
からのクロストークが大幅に低減されることにより、
０．５〜１．２μｍピッチで、ウォブルピットを形成し
た場合でも、隣接する記録ビットからのクロストークに
影響される事なく、記録再生を行うことが可能となり、
記録密度は大幅に向上する。
【０１６２】さらに、図２２に示すように、０．８〜
１．６μｍピッチで、ウォブルピットを形成し、ウォブ
ルピットが逆極性で存在する位置に情報の記録再生を行
った場合において隣接記録ビットからのクロストークに
影響される事なく記録再生を行うことが可能となり、記
録密度は大幅に向上する。
【０１６３】また、図２３に示すように、連続サーボ方
式において、グルーブをウォブリングさせることにより
光磁気ディスクの位置情報を得る場合は、ウォブリング
状態が逆位相となった部分において、隣接グルーブに存
在する記録ビットからのクロストークが大きくなるとい
う問題が存在したが、本発明を適用することによりウォ
ブリング状態が逆位相となった部分においても、隣接グ
ルーブに存在する記録ビットからのクロストークが発生
する事なく、良好な記録再生を行うことが可能となる。
【０１６４】次に、本実施例の光磁気ディスク２０１に
適用する際のディスクフォーマットについて記述する。
【０１６５】一般に、光磁気ディスクにおいては、異な
るメーカー間、あるいは、異なる光磁気ディスク間の互
換性を維持するために、それぞれの半径位置での記録、
消去パワーをどのような値あるいは、デューティーに設
定するかを、内外周の一部に（λ／（４ｎ））程度の深
さのプリピット列であらかじめ記録されている。また、
読み取ったそれらの値を元に、実際に記録再生を行える
テスト領域が内外周に設けられている（例えば、ＩＳ10
089 規格を参照）。
【０１６６】一方、再生パワーについても、特定の再生
パワーとするための情報が、内外周の一部にプリピット
列であらかじめ記録されている。
【０１６７】本実施例のの光磁気ディスク２０１におい
ては、再生時の記録媒体の温度分布が再生特性に大きな
影響を及ぼすため、再生パワーの設定方法が非常に重要
である。
【０１６８】再生パワーの設定方法として、例えば、再
生パワーについても記録パワーと同様に、内外周に再生
パワーを設定するためのテスト領域を設け、テスト領域
において得られた再生パワーからそれぞれの半径位置で
の再生パワーを最適化するための情報を、内外周の一部
にピット列で予め記録しておく方が望ましい。
【０１６９】特に光磁気ディスク２０１の回転数が常に
一定であるＣＡＶ方式を用いる光磁気ディスク・ドライ
ブにおいては、半径位置に応じて光磁気ディスク２０１
の線速が変わるため、半径位置に応じて再生レーザーパ
ワーを変えたほうがより好ましい。したがって、できる
だけ多くの半径方向領域に区切った情報をプリピット列
として記録しておいたほうが良い。
【０１７０】また、同じく、各半径位置でより最適な再
生レーザーパワーを設定する方法として、記録領域を半
径位置により複数のゾーンに分けて、ゾーンとゾーンの
境界部分にそれぞれのゾーンごとに記録パワー及び再生
パワーをテスト領域において最適化することにより、再
生時の記録媒体の温度分布をより正確に制御することが
可能となり、良好な記録再生が可能となる。
【０１７１】次に、本実施例の光磁気ディスク２０１
は、以下に説明する種々の記録方式に適応するものであ
る点について説明する。
【０１７２】まず、オーバーライトができない第１世代
の光磁気ディスクの記録方法について説明する。
【０１７３】第１世代の光磁気ディスクは、ＩＳ10089
規格（ＩＳＯの５．２５”書き換え型光ディスクについ
て定めた規格）に準拠して、既に多く市販されており、
オーバーライトができないため、すでに情報が記録され
ている所に、新たに情報を記録する場合には、一旦その
部分の消去を行い、次に記録を行うという動作が必要に
なる。そのため、最低２回の光磁気ディスクの回転が必
要になり、データ転送速度が遅いという欠陥がある。
【０１７４】しかしながら、磁性膜に要求される性能
は、次に説明するオーバーライト可能な光磁気ディスク
に比べて、それほで高くないという利点はある。
【０１７５】オーバーライトができない欠点を無くすた
めに、例えば複数個の光学ヘッドを配して、回転待ちの
ロスを無くし、データ転送速度を向上させる方法は一部
の装置で採用されている。
【０１７６】例えば、２個の光学ヘッドを用いて、先行
する光学ヘッドで既に記録されている情報を消去し、後
から追いかける光学ヘッドで新しい情報を記録する方法
である。再生の際は、どちらか一方の光学ヘッドを用い
て再生する。
【０１７７】また、３個の光学ヘッドを用いて記録する
場合は、先行する光学ヘッドが既に記録されている情報
を消去し、次の光学ヘッドで新しい情報を記録し、残り
の光学ヘッドでベリファイ（新しい情報が正しく記録さ
れているかを確認）する。
【０１７８】また、複数の光学ヘッドを用いる代わり
に、１個の光学ヘッドをビームスプリッターを用いて複
数のビームを作り出し、これを上記複数の光学ヘッドと
同じように用いても良い。
【０１７９】これにより、既に記録されている情報の消
去過程を経ることなく、新たな情報の記録が行え、第１
世代の光磁気ディスクを用いての疑似オーバーライトが
実現できる。
【０１８０】本実施例の光磁気ディスク２０１では、既
に実験結果説明の所で示した通り、記録、再生、消去が
行える事が確認できており、本記録方式を適用できる。
【０１８１】次に、磁界変調オーバーライト記録方式に
ついて説明をする。
【０１８２】磁界変調オーバーライト記録方式とは、光
磁気記録媒体に一定のパワーのレーザーを照射しなが
ら、情報に応じて磁界強度を変調して記録する方法であ
り、図２４に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０１８３】図２４は、光磁気ディスクに磁界変調オー
バーライトを行う光磁気ディスク装置の一例を示す説明
図であり、記録及び再生時にレーザー光を照射するレー
ザー光源（図示されていない）、及び記録及び再生時に
光磁気ディスクからの反射光を受光する受光素子（図示
されていない）等を内蔵した光学ヘッド１１と、光学ヘ
ッド１１と機械的、もしくは電気的に連結された浮上型
磁気ヘッド１２を備えている。
【０１８４】浮上型磁気ヘッド１２は浮上スライダー１
２ａとＭｎＺｎフェライト等からなるコアにコイルが巻
回された磁気ヘッド１２ｂから構成され、浮上型磁気ヘ
ッド１２はサスペンション１３により光磁気ディスク１
４に押圧され、数μｍ〜数１０μｍ程度の一定の間隙で
浮上している。
【０１８５】この状態で浮上型磁気ヘッド１２および光
学ヘッド１１を光磁気ディスク１４の記録領域内の所望
の半径位置に移動させ、光学ヘッド１１から光磁気ディ
スク１４の記録層に２〜１０ｍＷ程度のレーザー光を集
光して照射し、記録層をキュリー温度（又は保磁力がほ
ぼ“０”になる温度）近傍まで昇温させた上で、記録す
べき情報に応じて上向きと下向きとに反転する磁界を磁
気ヘッド１２ｂにより印加する。これにより、既に記録
されている情報の消去過程を経ることなく、オーバーラ
イト記録方式で情報の記録を行うことができる。
【０１８６】尚、本実施例では、磁界変調オーバーライ
ト時に、レーザーパワーを一定としたが、磁界の極性が
切り替わる時にレーザーパワーを記録されないパワーま
で下げて、記録がなされないようにすると、記録される
記録ビット形状がよりきれいになり、再生信号品質が向
上する。
【０１８７】磁界変調オーバーライトにおいては、高速
記録を行おうとする場合には、高速で磁界を変調する必
要があるが、磁気ヘッド１２ｂの消費電力、大きさの点
で制約があり、あまり大きな磁界を、発生させることは
困難である。従って、光磁気ディスク１４には、比較的
小さな磁界で記録できることが要求される。
【０１８８】本実施例の光磁気ディスク２０１において
は、記録層４のキュリー温度を１５０〜２５０℃と比較
的低く押さえ、記録がなされやすくするとともに、垂直
磁気異方性の小さい材料であるDyFeCoを採用すること
で、記録時の磁界をより低く押さえることができ、磁界
変調オーバーライト方式に非常に適した構成となってい
る。
【０１８９】次に、光変調オーバーライト記録方式につ
いて説明する。
【０１９０】光変調オーバーライト記録方式とは、磁界
変調オーバーライト記録方式とは全く逆であり、光磁気
記録媒体に一定の磁界強度を印加し、情報に応じてレー
ザーパワーを変調して記録する方法である。これについ
て、図２５ないし図２９に基づいて説明すれば、以下の
通りである。
【０１９１】図２６は、以下に説明する光変調オーバー
ライト記録方式に適した、読み出し層３及び記録層４の
膜面に垂直方向の保磁力の温度依存性および記録磁場Ｈ
W を示している。
【０１９２】記録は、記録磁場ＨW を印加しながら、高
低、２レベルに強度変調されたレーザー光を照射するこ
とにより行う。すなわち、図２７に示すように、高レベ
ルＩのレーザー光が照射されると、読み出し層３及び記
録層４がともにキュリー点ＴC1、ＴC2付近またはそれ以
上となる温度ＴH まで昇温し、低レベルIIのレーザー光
が照射されると、記録層４のみがキュリー点ＴC2以上と
なる温度ＴL まで昇温するように設定されている。
【０１９３】したがって、低レベルIIのレーザー光が照
射されると、読み出し層３の保磁力Ｈ1 は十分小さいの
で、磁化は記録磁場ＨW の向きに従い、さらに冷却の過
程で記録層４に転写される。すなわち、図２５に示すよ
うに、磁化は上向きになる。
【０１９４】次に、高レベルＩのレーザー光が照射され
ると、補償温度を越えているので、読み出し層３の磁化
の向きは記録磁場ＨW により、低レベルIIのレーザー光
の場合とは逆向き、すなわち、下向きとなる。冷却の過
程では低レベルIIのレーザー光と同じ温度迄下がるが、
読み出し層３と記録層４の冷却過程が異なる（記録層４
の方が速く冷却される）ため、まず記録層４のみ低レベ
ルIIのレーザー光が照射された温度ＴL となり読み出し
層３の磁化の向きが記録層４に転写され、下向きとな
る。その後、読み出し層３が低レベルIIののレーザー光
と同じ温度迄下がり、記録磁場ＨW の向きに従い、上向
きとなる。この時、記録層４の磁化の向きはその保磁力
Ｈ2 が記録磁場ＨW より十分大きいので、記録磁場ＨW
の向きには従わない。
【０１９５】再生時のレーザー光の強度、図２７のレベ
ルIII のレーザー光が照射されると、読み出し層３の温
度はＴR （図２６）となり、読み出し層３の磁化が面内
磁化から垂直磁化に移行し、記録層４及び読み出し層３
の両層とも垂直磁気異方性を示す。この時、記録磁場Ｈ
W は印加されないか、記録層４の保磁力Ｈ2 より十分小
さいので、再生時には読み出し層３の磁化の向きは記録
層４との界面に作用する交換力により記録層４の向きと
一致する。
【０１９６】これにより、既に記録されている情報の消
去過程を経ることなく、オーバーライト記録方式で情報
の記録を行うことができる。
【０１９７】尚、記録は、記録磁場ＨW を印加しなが
ら、図２８または、図２９に示すような変調された２タ
イプのレーザー光を照射して行ってもよい。
【０１９８】すなわち、タイプＩの高レベルのレーザー
光が照射されると、読み出し層３及び記録層４がともに
キュリー点ＴC1、ＴC2付近またはそれ以上となる温度Ｔ
H まで昇温し、タイプIIの低レベルのレーザー光が照射
されると、記録層４のみがキュリー点ＴC2以上となる温
度ＴL まで昇温するように設定されている。このように
すると、特にタイプＩの高レベルのレーザー光が照射さ
れた時の読み出し層３と記録層４の冷却過程を大きく相
違させることができる。すなわち、記録層４の方が速く
冷却される。このため、より容易に重ね書きを行うこと
ができる。
【０１９９】但し、タイプＩの高レベルのレーザー光が
照射された後、しばらく照射されるレーザー光の強度
は、高レベル以下であればよい。
【０２００】以上の記録方式によれば、光変調オーバー
ライト時に、一般には必要となる初期化用磁界を印加す
る必要がなくなる利点がある。
【０２０１】上記光磁気ディスク（図４）は、一般には
片面タイプと呼ばれる。この光磁気ディスクは、透明誘
電体層２、読み出し層３、記録層４、保護層５の薄膜部
分を総じて記録媒体層と称することにすると、図３０に
示すように、基板１、記録媒体層９、オーバーコート層
６の構造となる。
【０２０２】これに対して、図３１に示すように、基板
１の上に記録媒体層９を形成したものを２枚、記録媒体
層９・９が対向するように接着層１０で接着した光磁気
ディスクは、両面タイプと呼ばれている。
【０２０３】尚、接着層１０の材料はポリウレタンアク
リレート系接着剤が特に良い。この接着剤は紫外線、熱
及び嫌気性の３タイプの硬化機能が組み合わされたもの
であり、紫外線が透過しない記録媒体層９の影になる部
分の硬化が熱及び嫌気性硬化機能により硬化されるとい
う利点を持っており、極めて高い耐湿性を有し、長期安
定性に極めて優れた両面タイプの光磁気ディスクを提供
することができる。
【０２０４】片面タイプは、両面タイプと比べて光磁気
ディスクの厚みが半分で済むため、例えば小型化が要求
される記録再生装置に有利である。
【０２０５】両面タイプは、両面再生が可能なため、例
えば大容量を要求される記録再生装置に有利である。
【０２０６】片面タイプ、両面タイプのいずれを採用す
るかは上記のような光磁気ディスクの厚さ、容量を考慮
する以外に、以下に説明するように、記録方式にも大き
く依存する。
【０２０７】光磁気ディスクへの情報の記録には、周知
のごとく、光ビームと磁界が用いられる。図２４に示す
ように、光磁気ディスク装置においては、半導体レーザ
ー等の光源からの光ビームを対物レンズで基板１を通し
て記録媒体層９上に集光させて照射し、これと対峙した
位置に設けられた磁石、電磁石等の磁界発生装置（例え
ば、浮上型磁気ヘッド１２）により磁界が記録媒体層９
に印加されるようになっている。記録の際には光ビーム
強度を再生時よりも高くすることで、集光された部分の
記録媒体層９の温度が上昇し、その部分の磁性膜の保磁
力が小さくなる。この時に外部から保磁力以上の大きさ
の磁界を印加すると、印加された磁界の方向に磁性膜の
磁化がならい、記録が完了する。
【０２０８】例えば、情報に応じて記録用磁界を変調す
る磁界変調オーバーライト方式では、磁界発生装置（多
くは電磁石）を極力記録媒体層９に近づける必要があ
る。これは、電磁石のコイルの発熱、装置消費電力、大
きさ等の制限により、記録に必要な周波数（一般には数
百ｋHz〜数十ＭHz）で変調し、記録に必要な磁界（一般
的には５００ｅ〜数百Ｏｅ程度）を発生させようとする
と、記録媒体に０．２mm以下程度、多くの場合は５０μ
ｍ程度まで近づける必要が生じる。このため、両面タイ
プの光磁気ディスクでは、基板１の厚さが一般に１．２
mm前後であり薄くても０．５mm程度必要なため、光ビー
ムを対峙させて電磁石を配した場合、記録磁界強度が不
足してしまい、記録が行えない、従って、記録変調オー
バーライト方式に適した記録媒体層９を採用した場合
は、片面タイプの光磁気ディスクが多く用いられる。
【０２０９】これに対して、情報に応じて光ビームを変
調する光変調オーバーライト方式では、記録用の磁界が
一方向を向いたまま、あるいは記録用磁界が不要であ
る。よって、発生磁界の強い、例えば永久磁石を用いる
ことができ、磁界変調オーバーライト方式の場合のよう
に記録媒体層９に極力近づけて配置せずとも、記録媒体
層９から数mm程度離して配置できる。従って、片面タイ
プだけでなく、両面タイプも採用できる。
【０２１０】本実施例の光磁気ディスク２０１を片面デ
ィスクとして用いる場合、構造上、以下に説明するよう
なバリエーションが可能である。
【０２１１】第１のバリエーションは、オーバーコート
層６上にハードコート層（図示されていない）を形成し
た光磁気ディスク２０１であり、基板１／記録媒体層９
／オーバーコート層６／ハードコート層の構造を有して
いる。ハードコート層として、例えばアクリレート系の
紫外線硬化型ハードコート樹脂膜を、例えばポリウレタ
ンアクリレート系の紫外線硬化型樹脂からなり膜厚が約
６μｍのオーバーコート層６の上に形成する。ハードコ
ート層の膜厚は、例えば３μｍである。
【０２１２】オーバーコート層６を形成することで、記
録媒体層９の酸化による特性劣化を防ぎ、長期信頼性を
確保することができる。これに加えて、ハードコート膜
を設けることで、例えば記録用の磁石がディスクに接触
してしまっても、硬度の高い、耐摩耗性にすぐれたハー
ドコート膜の作用で、傷を付きにくくし、また傷が発生
しても、それが記録媒体層９にまで達することを防ぐこ
とができる。
【０２１３】また、当然のことながら、オーバーコート
層６にハードコート層の機能を付加させてオーバーコー
ト層６だけで済ませても良い。
【０２１４】第２のバリエーションは、オーバーコート
層６上にハードコート層を形成すると共に、基板１の記
録媒体層９とは反対側の面にハードコート層（図示され
ていない）を形成した光磁気ディスクであり、ハードコ
ート層／基板１／記録媒体層９／オーバーコート層６／
ハードコート層の構造を有している。
【０２１５】光磁気ディスク用の基板１の材料として、
ＰＣをはじめとするプラスチックが多く用いられるが、
これらの材料はガラスに比べて、非常に柔らかく、爪で
こすっただけでも傷が入ってしまう。この傷は、光ビー
ムで記録再生を行う際にひどい場合には、サーボ飛びを
生じさせ、情報の記録再生が不可能になる場合もある。
【０２１６】本実施例の光磁気ディスク２０１において
は、光ビームの中心近傍だけを利用して再生を行うの
で、基板１の表面の傷等の欠陥が再生に及ぼす影響が従
来の光磁気ディスクよりも大きくなってしまう。このた
め、ハードコート層を基板１の記録媒体層９とは反対側
の面に設けることで、傷発生が防ぐことができる本構成
は非常に有効である。
【０２１７】また、両面タイプにおいても、光磁気ディ
スク２０１のそれぞれの基板１・１の表面にハードコー
ト層を設ければ、同様の効果があることは明らかであ
る。
【０２１８】第３のバリエーションは、上記第１、第２
のバリエーションのオーバーコート層６上、あるいは、
ハードコート層上に更に、帯電防止コート層（図示され
ていない）、あるいは、帯電防止機能を付加させた層を
形成した光磁気ディスクである。
【０２１９】基板１の表面にゴミ、ほこりが付くと、傷
と同様に情報の記録再生が不可能となる場合がある。ま
た、オーバーコート膜６上にほこりが付くと、磁界変調
オーバーライト方式の場合に、磁石を浮上型磁気ヘッド
１２（図２４）として、オーバーコート膜６上を数μｍ
のギャップで配置しているような場合には、ゴミ、ほこ
りが浮上型磁気ヘッド１２、記録媒体層９の損傷を生じ
させてしまう。
【０２２０】本構成のように、基板１側の表面または記
録媒体層９側表面に帯電防止機能を有する層が設けられ
た構成を取れば、空気中のゴミ、ほこり等が基板１の表
面あるいはオーバーコート層６上に付着するのを防止す
ることができる。
【０２２１】本実施例の光磁気ディスクにおいては、光
ビームの中心近傍だけを利用して再生を行うので、基板
１の表面のゴミ、ほこり等の欠陥が再生に及ぼす影響が
従来の光磁気ディスクよりも大きいので、本構成は極め
て有効である。
【０２２２】帯電防止層としては、例えば、導電性フィ
ラーを混入したアクリル系ハードコート樹脂を使用する
ことができ、その膜厚は約２〜３μｍが適当である。
【０２２３】また、帯電防止層は、プラスチックの基板
１、ガラスの基板１を問わず、表面抵抗率を下げ、ゴ
ミ、ほこり等を付きにくくする目的で設けられる。
【０２２４】また、当然のことながら、オーバーコート
層６またはハードコート層に帯電防止効果を付加させて
も良い。
【０２２５】また、両面タイプにおいても、光磁気ディ
スク２０１のそれぞれの基板１・１の表面に対して、本
構成を適用できることは明らかである。
【０２２６】第４のバリエーションは、オーバーコート
層６上に潤滑層（図示されていない）を形成した光磁気
ディスクであり、基板１／記録媒体層９／オーバーコー
ト層６／潤滑層の構造を有している。潤滑層としては、
例えば、フッ素系樹脂を使用することができ、その膜厚
は約２μｍが適当である。
【０２２７】潤滑層を設けることで、磁界変調オーバー
ライト方式で浮上型磁気ヘッド１２を用いた場合、浮上
型磁気ヘッド１２と光磁気ディスクとの間の潤滑性を向
上させることができる。
【０２２８】すなわち、浮上型磁気ヘッド１２は記録媒
体層９上に数μｍから数十μｍのギャップを保ちながら
情報の記録を行うために配置されるものであり、浮上型
磁気ヘッド１２を記録媒体層９に押し付けるよう働くサ
スペンション１３による押圧と、光磁気ディスクの高速
回転による空気流により発生して浮上型磁気ヘッド１２
を記録媒体層９から離すように働く浮上力をバランスし
て、上記ギャップが保たれる。
【０２２９】このような浮上型磁気ヘッド１２を用い
て、光磁気ディスクの回転開始時、所定回転数に達する
までの時間、及び、回転終了時、所定回転数より停止に
至るまでの間、浮上型磁気ヘッド１２と光磁気ディスク
とが接するＣＳＳ（Contact-Start-Stop）方式を採用す
る場合には、浮上型磁気ヘッド１２と光磁気ディスクと
が吸着すると、光磁気ディスクの回転開始時、浮上型磁
気ヘッド１２が破損されることがある。しかしながら、
本実施例の光磁気ディスク２０１によれば、オーバーコ
ート層６上に潤滑膜を設けたので、浮上型磁気ヘッド１
２と光磁気ディスク２０１との間の潤滑性が向上し、吸
着による浮上型磁気ヘッド１２の破損を防止できる。
【０２３０】当然のことながら、記録媒体層９の劣化を
防ぐ、耐湿保護性能も兼ね備えた材料であれば、オーバ
ーコート層６と潤滑層を別々に設ける必要はない。
【０２３１】第５のバリエーションは、基板１の記録媒
体層９とは反対側の面に透湿防止層（図示されていな
い）と第２のオーバーコート層（図示されていない）と
を積層した光磁気ディスクであり、オーバコート層／透
湿防止層／基板１／記録媒体層９／オーバコート層６の
構造を有している。
【０２３２】透湿防止層には、例えば、A1N, A1SiN, Si
N, A1TaN, SiO, ZnS, TiO2等の透明誘電体材料を使用で
き、その膜厚は５nm程度が適当である。第２のオーバコ
ート層は、特に基板１としてＰＣ等の吸湿性の高いプラ
スチックを基板１に用いた場合に有効である。
【０２３３】透湿防止層は、環境湿度変化に対する光磁
気ディスクの反り変化を低く押さえる効果を有してい
る。これについて、以下に説明する。
【０２３４】基板１の光入射側にこの透湿防止膜がない
場合は、例えば環境湿度が大きく変化した場合に、記録
媒体層９のない側、すなわち基板１の入射光側からのみ
プラスチックの基板１に水分が吸湿されたり放湿された
りする。この吸湿、放湿によりプラスチックの基板１に
は局部的な体積変化が生じ、プラスチックの基板１に反
りが生じてしまう。
【０２３５】この光磁気ディスクの反りは、情報の再
生、記録等に用いられる光ビームの光軸に対して基板１
が傾いた状態になるため、サーボがずれて信号品質が劣
化したり、ひどい場合にはサーボ飛びが生じたりしてし
まう。
【０２３６】また、基板１にチルトが存在すると光学ヘ
ッド１１（図２４）からのレーザー光は、傾いた記録媒
体層９の面に集光されることになり、チルトの状態に応
じて集光状態が変化することになり、記録再生に悪影響
を及ぼす。
【０２３７】更に、基板１が光学ヘッド１１に対して上
下に移動した場合、光学ヘッド１１はその上下動を補償
し記録媒体層９の面にレーザー光を集光すべく動作する
が、上下動が大きくなり過ぎると光学ヘッド１１の補償
動作が不完全なものとなり、記録媒体層９の面でのレー
ザー光の集光状態は不完全なものとなる。レーザー光の
集光状態が不完全なものとなると記録媒体層９の温度分
布が変化することになり、記録再生に影響を及ぼす。本
実施例においては、再生時の記録媒体層９の温度分布が
特に重要となってくるため、極力基板１の反り、環境に
よる反り変化を押さえることが必要となってくる。
【０２３８】本構成の光磁気ディスクであれば、透湿防
止層があることにより基板１の表面側における水分の吸
湿、放出がなくなるため、環境変化時の基板１の反りを
大幅に押さえることができ、上記説明の通り、本実施例
の光磁気ディスク２０１に特に適した構成となる。
【０２３９】尚、透湿防止層上の第２のオーバコート層
は、透湿防止層への傷発生の防止、基板１の表面の保護
等の目的で設けられており、その材料は、記録媒体層９
上のオーバコート層６と同じでも良い。
【０２４０】更に、本構成に加えて前述の、例えば、ハ
ードコート層あるいは帯電防止層を第２のオーバコート
層の代わりに、あるいはその上に設けても良い。
【０２４１】以上の実施例では、光ヘッド２０２におい
て、対物レンズ１０５の開口数を０.5５とし、半導体レ
ーザー１０１の波長を７８０ｎｍとしたが、これらの数
値は一例であって、これらに限る必要はない。開口数を
0.6〜０.9５とすれば、光スポットの中心部の径をさら
に小さくできる。したがって、記録密度がさらに高くな
る。
【０２４２】また、光源として、半導体レーザー１０１
の代わりに、発振波長の短いアルゴンイオンレーザー等
のレーザーを使用すれば、あるいは、レーザーとＳＨＧ
（Second Harmonic Generation) 素子を組み合わせて使
用すれば、３３５〜６００ｎｍの波長のレーザー光が得
られるので、光スポットの中心部の径をさらに小さくで
きる。したがって、記録密度がさらに高くなる。
【０２４３】本発明の第２実施例を図３２に基づいて説
明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前
記の実施例の図面に示した部材と同一の機能を有する部
材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【０２４４】本実施例の光磁気ディスク装置は、図３２
に示すように、基板１、透明誘電体層２、読み出し層
３、記録層４、放熱層２０、オーバコート層６がこの順
に積層された光磁気ディスク２０１を備えている点で前
記実施例とは異なっており、光ヘッド２０２（図１）は
前記実施例と同一である。
【０２４５】放熱層２０には、例えば、Ａｌを使用で
き、その膜厚は、約１００ｎｍが適当である。基板１、
透明誘電体層２、読み出し層３、記録層４、オーバコー
ト層６には、前記実施例と同一の材料を使用できる。
【０２４６】記録層４上に放熱層２０を設けたので、記
録の際に、記録ビット形状をよりシャープにする効果が
ある。これは、次の理由による。
【０２４７】入射面側から入射された光ビームは、その
ほとんどが読み出し層３及び記録層４に吸収され熱に変
わる。この時、熱は読み出し層３及び記録層４の厚さ方
向に伝導するとともに、層内方向、つまり横方向にも伝
導する。この横方向への熱伝導量が多く、かつ、熱伝導
する速度が遅いと、例えば、より高速に、高い記録密度
で記録を行おうとする場合、次に記録しようとする記録
ビットに対して熱的な悪影響を及ぼす。このため、既定
の長さよりも長い記録ビットになってしまったり、ある
いはガイドトラックに対して横方向に広がった記録ビッ
トが形成されたりする。横方向に記録ビットが広がって
しまうと、クロストーク量の増加につながり、良好な記
録再生が行えなくなる。
【０２４８】本実施例では、熱伝導の高いＡｌからなる
放熱層２０を記録層４上に形成しているので、横方向へ
の熱の広がりを放熱層２０側、つまり厚さ方向へ逃がす
ことができ、上記のような横方向への熱の広がりを低減
させることができる。したがって、より密度の高い、よ
り高速な記録条件下で、熱干渉のない記録を行うことが
可能になる。
【０２４９】また、放熱層２０を設けると、以下に説明
するように、光変調オーバーライト記録の際にも、有利
となる。
【０２５０】放熱層２０があることにより、記録の過程
で、光ビーム照射により一旦昇温した領域が冷えると
き、読み出し層３と記録層４のそれぞれの層の温度変化
に、よりはっきりとした差をもたせることができる。こ
の効果は、特に高レベルのレーザー光が照射された時の
読み出し層３と記録層４の冷却過程を大きく相違させる
ことができるため（記録層４の方が速く冷却される）、
より容易に重ね書きを行うことができる。
【０２５１】放熱層２０の材料であるＡｌは、読み出し
層３、記録層４に用いられる希土類遷移金属合金膜より
もその熱伝導率が高く、放熱層２０に適した材料であ
る。加えて、透明誘電体層２にＡｌＮを用いる場合、こ
のＡｌＮは、ＡｌターゲットをArおよびN2ガスで反応性
スパッターすることにより形成されるので、同じＡｌタ
ーゲットをArガスでスパッターすることで放熱層２０を
容易に形成できる。また、Ａｌは非常に安価な材料でも
ある。
【０２５２】放熱層２０の材料は、Ａｌ以外にＡｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，ＳＵＳ，Ｔａ，Ｃｒ等のように、読み出し層
３、記録層４より熱伝導率が大きい材料であればよい。
【０２５３】放熱層にＡｕ，Ａｇ，Ｃｕを採用した場
合、耐酸化性、耐湿性、耐孔食性に優れているので、長
期信頼性が向上する。
【０２５４】放熱層にＳＵＳ，Ｔａ，Ｃｒを採用した場
合、耐酸化性、耐湿性、耐孔食性に極めて優れているの
で、長期信頼性が向上する。
【０２５５】尚、本実施例では、放熱層２０の膜厚を10
0nm としたが、厚くするほど放熱効果は高くなり、加え
て、長期信頼性も向上する。しかしながら、既に説明し
た通り、光磁気ディスク２０１の記録感度にも影響を及
ぼすので、材料の熱伝導率、比熱に応じた膜厚の設定が
必要であり、5 〜200nm の範囲が良い。とりわけ、10〜
100nm が好適である。熱伝導率が比較的高く、耐食性に
優れた材料であれば、膜厚は10〜100nm 程度と薄くて済
み、製造時の膜形成に要する時間も短縮することができ
る。
【０２５６】また、記録層４と放熱層２０の間に誘電体
層（図示されていない）を挿入してもかまわない。誘電
体層には、透明誘電体層２と同じ材料を用いれば良く、
A1N,SiN, A1SiN 等、第１実施例で説明した材料を使用
できる。特に、A1N, SiN, A1SiN 、TiN 、A1TaN, ZnS,
BN等の成分に酸素を含まない窒化膜を用いれば、長期信
頼性により優れた光磁気ディスク２０１を提供すること
ができる。誘電体層の膜厚は、10〜100nm の範囲が良
い。
【０２５７】本発明の第３実施例を図３３に基づいて説
明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前
記の実施例の図面に示した部材と同一の機能を有する部
材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【０２５８】本実施例の光磁気ディスク装置は、図３３
に示すように、基板１、透明誘電体層２、読み出し層
３、記録層４、透明誘電体層２１、反射層２２、オーバ
コート層６がこの順に積層された光磁気ディスク２０１
を備えている点で前記実施例とは異なっており、光ヘッ
ド２０２（図１）は前記実施例と同一である。
【０２５９】透明誘電体層２１には、例えば、ＡｌＮを
使用でき、その膜厚は、約３０ｎｍが適当である。反射
層２２には、例えば、Ａｌを使用でき、その膜厚は、約
３０ｎｍが適当である。基板１、透明誘電体層２、読み
出し層３、記録層４、オーバコート層６には、前記実施
例と同一の材料を使用できる。ただし、読み出し層３の
膜厚を前記第１実施例の半分の１５ｎｍ、記録層４の膜
厚を前記第１実施例の半分の１５ｎｍにしており、両層
合わせて30nmである。
【０２６０】つまり、本実施例の光磁気ディスク２０１
においては、入射した光ビームの一部が、読み出し層３
及び記録層４を透過して、透明誘電体層２１を透過し、
反射層２２で反射されるように、読み出し層３及び記録
層４の膜厚が設定されている。
【０２６１】これにより、読み出し層３の表面で反射し
た光と、反射層２２により反射され再び記録層４及び読
み出し層３を透過した光とが干渉して、磁気光学効果が
エンハンスされて極カー回転角が大きくなる。このた
め、より高精度に情報の再生が行え、再生信号の品質が
向上する。
【０２６２】本構成においては、エンハンス効果を上げ
るためには、透明誘電体層２の膜厚は、70〜100nm が最
適で、この時、透明誘電体層２１の膜厚は15〜50nmが好
適である。
【０２６３】透明誘電体層２の膜厚を70〜100nm とすれ
ば良い理由は、第１実施例において既に説明したよう
に、最も極カー回転角のエンハンス効果が大きくなるか
らである。
【０２６４】透明誘電体層２１の膜厚は、膜厚を厚くす
ればするほど、極カー回転角が大きくなるが、反射率が
小さくなる。反射率をあまり小さくし過ぎると、ガイド
トラックにサーボをかけるための信号が小さくなり、安
定したサーボがかけられなくなってしまう。このため、
透明誘電体層２１の膜厚は15〜50nm程度が適している。
【０２６５】また、透明誘電体層２の屈折率よりも透明
誘電体層２１の屈折率を大きくすれば、よりエンハンス
効果を高めることができる。
【０２６６】また、読み出し層３及び記録層４は、どち
らも希土類遷移金属合金からなる光吸収率の高い層であ
るので、これらを合わせた膜厚が、50nm以上になるとほ
とんど光が透過せず、エンハンス効果が得られなくな
る。従って、これら２層を合わせた膜厚は、10〜50nmが
好適である。
【０２６７】また、反射層２２の膜厚は、あまり薄すぎ
ると反射層２２を光が透過してしまい、エンハンス効果
が低下するので、最低でも20nm程度は必要である。ま
た、あまり厚すぎると記録、再生等に必要なレーザパワ
ーが高くなり、光磁気ディスクの記録感度を低下させて
しまうので、100nm 以下程度が好ましい。従って、反射
層２２に好適な膜厚は20〜100nm の範囲である。
【０２６８】反射層２２の材料として、Ａｌを採用した
理由は、半導体レーザーの波長範囲で反射率が約80% と
大きいこと、スパッタリングによる形成の際に、透明誘
電体層２のＡｌＮと共通のＡｌターゲットを使用するこ
とが可能となること等が挙げられる。前述の通り、Ａｌ
Ｎを成膜するときには、ArとN2の混合ガスあるいはN2ガ
スにより反応性スパッタリングを行い、反射層２２のＡ
１を成膜するときには、Arガスを導入してスパッタリン
グを行う。
【０２６９】Ａ１以外の反射層としては、Ａｕ，Ｐｔ，
Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｃｕ，ＳＵＳ，Ｔａ，Ｃｒ等のよう
に、光ビームの波長での反射率が５０％以上の材料であ
れば良い。
【０２７０】反射層２２にＡｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｏを採
用した場合、耐酸化性、耐湿性、耐孔食性に優れている
ので、長期信頼性が向上する。
【０２７１】反射層２２にＮｉを採用した場合、熱伝導
率が小さいので、光磁気ディスクが高記録感度になり、
耐酸化性、耐湿性、耐孔食性に優れているので、長期信
頼性が向上する。
【０２７２】反射層２２にＡｇを採用した場合、耐酸化
性、耐湿性、耐孔食性に優れているので、長期信頼性が
向上する。しかも、Ａｇターゲットは廉価である。
【０２７３】反射層２２にＳＵＳ，Ｔａ，Ｃｒを採用し
た場合、耐酸化性、耐湿性、耐孔食性に極めて優れてい
るので、より長期信頼性に優れた光磁気ディスクを提供
することができる。
【０２７４】上述の第１ないし第３実施例では、光磁気
記憶装置として光磁気ディスク装置を挙げて説明した
が、光磁気カード装置、光磁気テープ装置にも本発明を
応用できる。なお、光磁気テープ装置の光磁気テープに
は、光磁気ディスク２０１で使用されている基板１の代
わりに、可撓性のあるテープベース（基体）、例えば、
ポリエチレンテレフタレートからなるテープベースを用
いるとよい。
【０２７５】本発明に対応する光磁気ディスク装置は、
以上のように、室温で面内磁気異方性が優位な面内磁化
を示す一方、温度上昇に伴い垂直磁気異方性が優位な垂
直磁化に移行する読み出し層３および情報を記録する記
録層４を有する光磁気ディスク２０１と、半導体レーザ
ー１０１と、半導体レーザー１０１からの光ビームを光
磁気ディスク２０１上に収斂させる対物レンズ１０５
と、半導体レーザー１０１から対物レンズ１０５に向か
う光ビームの一部を遮る遮光帯１２０とが備えられてい
る。
【０２７６】これによれば、光スポットの、光強度の高
い中央部の大きさを小さくできる。しかも、遮光帯１２
０によりサイドローブが発生し、光スポットの中央部の
外側に比較的光強度の高い側部が生じても、側部に対応
した読み出し層の部分は面内磁化のままである。したが
って、光スポットの中央部による再生信号に、光スポッ
トの側部による再生信号が混ざることはない。これによ
り、再生信号品質が向上すると共に、記録密度を著しく
向上する。
【０２７７】
【発明の効果】本発明に係る光磁気記憶装置は、以上の
ように、室温で面内磁気異方性が優位な面内磁化を示す
一方、温度上昇に伴い垂直磁気異方性が優位な垂直磁化
に移行する読み出し層および情報を記録する記録層を有
する光磁気記録媒体と、レーザー光源と、レーザー光源
からの光ビームを光磁気記録媒体上に収斂させる対物レ
ンズと、レーザー光源から対物レンズに向かう光ビーム
の一部を遮る遮光手段とが備えられているので、光スポ
ットの、光強度の高い中央部の大きさを小さくでき、し
かも、遮光手段によりサイドローブが発生し、光スポッ
トの中央部の外側に比較的光強度の高い側部が生じて
も、側部に対応した読み出し層の部分は面内磁化のまま
である。したがって、光スポットの中央部による再生信
号に、光スポットの側部による再生信号が混ざることは
ない。これにより、再生信号品質が向上すると共に、記
録密度を著しく向上するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示すものであり、光磁気
ディスク装置の概略の構成図である。
【図２】図１の光磁気ディスク装置の遮光帯と光磁気デ
ィスクのグルーブとの相対配置を示す説明図である。
【図３】図１の光磁気ディスク装置における光磁気ディ
スク上の光スポットの形状および光強度分布を示す説明
図である。
【図４】図１の光磁気ディスク装置に備えられる光磁気
ディスクの概略の構成図である。
【図５】図４の光磁気ディスクの読み出し層の磁気特性
を示す磁気状態の説明図である。
【図６】図５の室温から温度T1において、読み出し層に
印加される外部印加磁界と極カー回転角との関係を示す
説明図である。
【図７】図５の温度T1から温度T2において、読み出し層
に印加される外部印加磁界と極カー回転角との関係を示
す説明図である。
【図８】図５の温度T2から温度T3において、読み出し層
に印加される外部印加磁界と極カー回転角との関係を示
す説明図である。
【図９】図５の温度T3からキュリー温度Tcにおいて、読
み出し層に印加される外部印加磁界と極カー回転角との
関係を示す説明図である。
【図１０】図４の光磁気ディスクの読み出し層の室温で
の極カー回転角の外部印加磁界依存性を実測した結果を
示すグラフである。
【図１１】図４の光磁気ディスクの読み出し層の１２０
℃での極カー回転角の外部印加磁界依存性を実測した結
果を示すグラフである。
【図１２】図４の光磁気ディスクの再生信号振幅を再生
レーザパワーに対してプロットしたグラフである。
【図１３】図４の光磁気ディスクの再生信号品質（Ｃ／
Ｎ）を記録ビット長さに対してプロットしたグラフであ
る。
【図１４】図４の光磁気ディスクのクロストークを再生
時のレーザーパワーに対してプロットしたグラフであ
る。
【図１５】図４の光磁気ディスクの効果を示すための説
明図である。
【図１６】GdX (Fe0.82Co0.18)1-X のキュリー温度(Tc)
と補償温度(Tcomp) の組成依存性を示したグラフであ
る。
【図１７】GdX Fe1-X のキュリー温度(Tc)と補償温度(T
comp) の組成依存性を示したグラフである。
【図１８】GdX Co1-X のキュリー温度(Tc)と補償温度(T
comp) の組成依存性を示したグラフである。
【図１９】図４の光磁気ディスクの基板上に形成された
ランド、グルーブ形状の一例を示す説明図である。
【図２０】図４の光磁気ディスクの基板上に形成された
ランド、グルーブ形状の他の例を示す説明図である。
【図２１】図４の光磁気ディスクの基板上に形成された
ウォブルピットの配置の一例を示す説明図である。
【図２２】図４の光磁気ディスクの基板上に形成された
ウォブルピットの配置の他の例を示す説明図である。
【図２３】図４の光磁気ディスクの基板上に形成された
ウォブルリンググルーブの一例を示す説明図である。
【図２４】図４の光磁気ディスクを用いた磁界変調オー
バーライト記録方法を示す説明図である。
【図２５】図４の光磁気ディスクを用いた光変調オーバ
ーライト記録方法を示すと共に、読み出し層及び記録層
の磁化方向を示す説明図である。
【図２６】図４の光磁気ディスクにおいて、光変調オー
バーライト記録に適した読み出し層及び記録層の保持力
の温度依存性を示す説明図である。
【図２７】図４の光磁気ディスクに対して、光変調オー
バーライト時、および、再生時に照射される光ビームの
強度の一例を表す説明図である。
【図２８】図４の光磁気ディスクに対して、光変調オー
バーライト時、および、再生時に照射される光ビームの
強度の他の例を表す説明図である。
【図２９】図４の光磁気ディスクに対して、光変調オー
バーライト時、および、再生時に照射される光ビームの
強度のその他の例を表す説明図である。
【図３０】図４の光磁気ディスクの片面タイプを示す説
明図である。
【図３１】図４の光磁気ディスクの両面タイプを示す説
明図である。
【図３２】本発明の第２実施例を示すものであり、光磁
気ディスク装置で使用される光磁気ディスクの概略の構
成図である。
【図３３】本発明の第３実施例を示すものであり、光磁
気ディスク装置で使用される光磁気ディスクの概略の構
成図である。
【符号の説明】
１ 基板（基体） ２ 透明誘電体層 ３ 読み出し層 ４ 記録層 ５ 保護層 ６ オーバーコート層 ９ 記録媒体層 １０ 接着層 ２０ 放熱層 ２１ 透明誘電体層 ２２ 反射層 １０１ 半導体レーザー（レーザー光源） １０５ 対物レンズ １２０ 遮光帯（遮光手段） ２０１ 光磁気ディスク（光磁気記録媒体） ２０２ 光ヘッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】室温で面内磁気異方性が優位な面内磁化を
    示す一方、温度上昇に伴い垂直磁気異方性が優位な垂直
    磁化に移行する読み出し層および情報を記録する記録層
    を有する光磁気記録媒体と、レーザー光源と、レーザー
    光源からの光ビームを光磁気記録媒体上に収斂させる対
    物レンズと、レーザー光源から対物レンズに向かう光ビ
    ームの一部を遮る遮光手段とが備えられていることを特
    徴とする光磁気記憶装置。
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