JPH06188296A - 半導体単結晶の欠陥検出方法 - Google Patents
半導体単結晶の欠陥検出方法Info
- Publication number
- JPH06188296A JPH06188296A JP35552492A JP35552492A JPH06188296A JP H06188296 A JPH06188296 A JP H06188296A JP 35552492 A JP35552492 A JP 35552492A JP 35552492 A JP35552492 A JP 35552492A JP H06188296 A JPH06188296 A JP H06188296A
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- oxygen precipitate
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- semiconductor single
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Abstract
(57)【要約】
【目的】酸素析出物だけを検出することができる半導体
単結晶の欠陥検出方法を提供する。 【構成】半導体単結晶をウエーハに切断し、該ウエーハ
をフッ酸に浸漬して酸素析出物を顕在化し、該顕在化し
た酸素析出物を顕微鏡観察することを特徴とする。
単結晶の欠陥検出方法を提供する。 【構成】半導体単結晶をウエーハに切断し、該ウエーハ
をフッ酸に浸漬して酸素析出物を顕在化し、該顕在化し
た酸素析出物を顕微鏡観察することを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はシリコンその他の半導
体単結晶の欠陥を検出する方法に関する。
体単結晶の欠陥を検出する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体単結晶の欠陥検出方法としては、
例えば特開平4−192345号公報に開示されたもの
があり、これはチョクラルスキー法等により引き上げた
半導体単結晶をウエーハに切断し、該ウエーハをフッ酸
と硝酸との混合液に浸漬し、更にK2Cr2O7とフッ酸
と水との混合液に浸漬して、ウエーハ表面に現れたさざ
波模様の個数を計数する方法である。
例えば特開平4−192345号公報に開示されたもの
があり、これはチョクラルスキー法等により引き上げた
半導体単結晶をウエーハに切断し、該ウエーハをフッ酸
と硝酸との混合液に浸漬し、更にK2Cr2O7とフッ酸
と水との混合液に浸漬して、ウエーハ表面に現れたさざ
波模様の個数を計数する方法である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法では、
フッ酸と硝酸との混合液、あるいはK2Cr2O7とフッ
酸と水との混合液をエッチング液として用いており、こ
の方法によると酸素析出物だけでなく、周辺の歪場、転
移ループ、積層欠陥などもエッチングされる。したがっ
て酸素析出物が隣接して複数存在するときにも全体とし
て大きな食像が1個だけ得れらるおそれがあり、また酸
素析出物がないときにも食像が得られるおそれがあり、
いずれの場合にも酸素析出物だけの正確な観察を図るこ
とができなかった。したがって本発明は純粋に酸素析出
物だけを検出することができる半導体単結晶の欠陥検出
方法を提供することを目的とする。
フッ酸と硝酸との混合液、あるいはK2Cr2O7とフッ
酸と水との混合液をエッチング液として用いており、こ
の方法によると酸素析出物だけでなく、周辺の歪場、転
移ループ、積層欠陥などもエッチングされる。したがっ
て酸素析出物が隣接して複数存在するときにも全体とし
て大きな食像が1個だけ得れらるおそれがあり、また酸
素析出物がないときにも食像が得られるおそれがあり、
いずれの場合にも酸素析出物だけの正確な観察を図るこ
とができなかった。したがって本発明は純粋に酸素析出
物だけを検出することができる半導体単結晶の欠陥検出
方法を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体単結晶
をウエーハに切断し、該ウエーハをフッ酸に浸漬して酸
素析出物を顕在化し、該顕在化した酸素析出物を顕微鏡
観察することによって、上記目的を達成したものであ
る。
をウエーハに切断し、該ウエーハをフッ酸に浸漬して酸
素析出物を顕在化し、該顕在化した酸素析出物を顕微鏡
観察することによって、上記目的を達成したものであ
る。
【0005】
【作用】フッ酸はSiOxの構造を持つ欠陥のみの食像
を表わすから、上記発明方法によれば純粋に酸素析出物
だけを検出することができる。
を表わすから、上記発明方法によれば純粋に酸素析出物
だけを検出することができる。
【0006】
【実施例】以下に本発明の実施例について説明する。チ
ョクラルスキー法によってシリコン単結晶を引き上げ、
引き上げたシリコン単結晶をスライスし、スライスした
シリコンウエーハをフッ酸50%水溶液に15分間浸漬
し、その後純水による洗浄と乾燥をした後、シリコンウ
エーハ表面を電子顕微鏡で観察した。図1はこの観察結
果の一例を示す倍率10万倍の写真である。他方図2は
従来例を示し、この従来例はWrightエッチング液
を用いたものであり、倍率は3万倍である。図2に示さ
れているように、従来のエッチング液を用いたときには
酸素析出物の周囲の歪場、転移等もエッチングされてい
るが、図1に示す本実施例によれば、酸素析出物のみが
検出されていることが解る。
ョクラルスキー法によってシリコン単結晶を引き上げ、
引き上げたシリコン単結晶をスライスし、スライスした
シリコンウエーハをフッ酸50%水溶液に15分間浸漬
し、その後純水による洗浄と乾燥をした後、シリコンウ
エーハ表面を電子顕微鏡で観察した。図1はこの観察結
果の一例を示す倍率10万倍の写真である。他方図2は
従来例を示し、この従来例はWrightエッチング液
を用いたものであり、倍率は3万倍である。図2に示さ
れているように、従来のエッチング液を用いたときには
酸素析出物の周囲の歪場、転移等もエッチングされてい
るが、図1に示す本実施例によれば、酸素析出物のみが
検出されていることが解る。
【0007】
【発明の効果】本発明はフッ酸をエッチング液として用
いて半導体単結晶の欠陥を検出する方法であるから、第
1に酸素析出物と、積層欠陥、転移等を区別することが
できる。第2に、歪場を含まず、酸素析出物のみのサイ
ズを計測することができる。第3に、半導体単結晶の最
表面のみの情報を得ることができる。第4に半導体単結
晶の表面の荒れが少ないため、微小な酸素析出物を高感
度で検出することができる。
いて半導体単結晶の欠陥を検出する方法であるから、第
1に酸素析出物と、積層欠陥、転移等を区別することが
できる。第2に、歪場を含まず、酸素析出物のみのサイ
ズを計測することができる。第3に、半導体単結晶の最
表面のみの情報を得ることができる。第4に半導体単結
晶の表面の荒れが少ないため、微小な酸素析出物を高感
度で検出することができる。
【図1】本発明の一実施例によって検出された結晶構造
の表面を示す10万倍電子顕微鏡写真
の表面を示す10万倍電子顕微鏡写真
【図2】従来例によって検出された結晶構造の表面を示
す3万倍電子顕微鏡写真
す3万倍電子顕微鏡写真
Claims (1)
- 【請求項1】半導体単結晶をウエーハに切断し、該ウエ
ーハをフッ酸に浸漬して酸素析出物を顕在化し、該顕在
化した酸素析出物を顕微鏡観察する半導体単結晶の欠陥
検出方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35552492A JP2848176B2 (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 半導体単結晶の欠陥検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35552492A JP2848176B2 (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 半導体単結晶の欠陥検出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06188296A true JPH06188296A (ja) | 1994-07-08 |
JP2848176B2 JP2848176B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=18444440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35552492A Expired - Lifetime JP2848176B2 (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 半導体単結晶の欠陥検出方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2848176B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100398303B1 (ko) * | 2000-06-26 | 2003-09-19 | 미쯔비시 마테리알 폴리실리콘 가부시끼가이샤 | 다결정 실리콘의 평가 방법 |
CN100373573C (zh) * | 2005-01-06 | 2008-03-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 深次微米半导体器件中致命缺陷的确认方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103965914B (zh) * | 2013-01-25 | 2016-06-08 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 蚀刻npn掺杂区域形貌以进行失效检验的组合物及检验方法 |
-
1992
- 1992-12-17 JP JP35552492A patent/JP2848176B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100398303B1 (ko) * | 2000-06-26 | 2003-09-19 | 미쯔비시 마테리알 폴리실리콘 가부시끼가이샤 | 다결정 실리콘의 평가 방법 |
CN100373573C (zh) * | 2005-01-06 | 2008-03-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 深次微米半导体器件中致命缺陷的确认方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2848176B2 (ja) | 1999-01-20 |
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