JPS6222557B2 - - Google Patents
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- JPS6222557B2 JPS6222557B2 JP55150147A JP15014780A JPS6222557B2 JP S6222557 B2 JPS6222557 B2 JP S6222557B2 JP 55150147 A JP55150147 A JP 55150147A JP 15014780 A JP15014780 A JP 15014780A JP S6222557 B2 JPS6222557 B2 JP S6222557B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
この発明は半導体発光装置とその製造方法にか
かり、特に発光面の全面に均一な発光輝度が得ら
れるように改良された構造の半導体発光装置とそ
の製造方法に関する。 半導体発光装置(以降発光装置と略称する)
に、これらを1平面上に隣接させて配置し面発光
を行なわせるものがある。このためには個個の発
光装置の発光面の全面が均一な発光輝度であるこ
とが必要である。従来の発光装置は例えば第1図
と第2図で示す構造、または第3図と第4図で示
す構造であつた。すなわち、第1図に斜視図で、
また第2図に第1図におけるリード線を含む平面
の断面図で示す構造はリード線1,2の一方のリ
ード1の一端部には皿状の光反射面1aが設けら
れ、そこにペレツト状の発光素子3がマウントさ
れている。そして発光素子3とこの発光素子がマ
ウントされていない他方のリード2とは金属細線
4で接続され、発光素子組立体5が構成されてい
る。また、発光素子組立体5はリードの遊離端を
残して透光性樹脂6でモールド封止されている。
次に第3図、第4図に示される従来の構造のもの
は反射面7aを有する反射体7に発光素子組立体
5がモールド樹脂6で組付けられると同時に、こ
の反射体がモールドの際の型として用いられてい
る。 上に述べた従来例において、第1図および第2
図に示す例ではリード1に皿状の光反射面が設け
られているものの発光素子の発光がモールド樹脂
に配合された光散乱剤によつて発光装置の側面か
ら放散され光損失があるため、発光面の輝度が低
減するという重大な欠点がある。また、このよう
な損失を低減するにはモールド樹脂中の光散乱剤
を減らせばよいが、発光面の輝度の均一が損なわ
れる(一般に発光面の周縁が暗くなる)傾向があ
る。次に、第3図、第4図に示す例では反射体そ
のものをモールド型として用いるため、発光面に
型の端縁が露出し発光のない部分を生ずる。すな
わち発光面全域を均一に発光させることができな
い欠点がある。また、反射体7における反射面と
反対側の端縁はモールド樹脂の封入側となりこの
端縁にモールド樹脂がいわゆるバリのように不所
望に附着するため、これを点灯装置にセツトする
と第5図い示すように傾斜する。なお、図におけ
るθは傾斜を示す角度である。セツトにあたつて
傾斜があると発光面の視感による輝度が均一を欠
くと同時に、隣接の発光装置の発光面と段差をな
すため外観が悪いなどの欠点がある。 この発明は従来の欠点を改良するためになされ
たもので、発光面の発光輝度の均一化をはかるた
めに反射体の構造、モールド樹脂によるモールド
形状に良を施した発光装置と、上記構造の改良さ
れた製造方法を提供するものである。 以下にこの発明を1実施例につき図面を参照し
て詳細に説明する。第6図に一部を切欠断面で示
す斜視図、第7図に断面図、また第8図、第9図
に反射体を各反対側の端面から視た斜視図で示す
ように、反射面17aを備え白色のたとえば
ABS樹脂でモールド形成された反射体17に素
子組立体5が組付けられるように配置され、さら
にこの反射体には素子組立体のリード方向に延長
して形成された反射体基部17bと、この反射体
基部の外側に設けられたバルジ17cと、反射体
基部をリード方向(反射面と反対方向)にさらに
延長して形成された突出部17dが設けられてい
る。上記バルジは例えば図示の如く4隅に設けら
れ、反射面側は薄く形成されてこの反射体を発光
素子の製造において函型のモールド治具に挿入す
るのを容易にする。また、上記突出部は反射体に
樹脂モールドを施すにあたり、この反射体を函型
のモールド治具に挿入したとき、モールド治具か
ら突出させてモールド樹脂の附着を防止する。次
にモールド樹脂体16は例えばエポキシ樹脂のよ
うなモールド用樹脂に光散乱剤、着色剤、さらに
は硬化促進剤等を添加したもので、素子組立体5
を反射体17に一体に固着させるとともに反射体
の周側面を少なくともバルジ17cの厚さに包囲
し、かつ反射面端から所定の厚さtにこのモール
ド樹脂層17eを設け、さらにその表面を微細で
均一なレンズ集合面に形成し発光面17fとして
いる。上記発光面におけるモールド樹脂層の厚さ
tは発光面に向つて開拡する反射面の角度や、反
射面端部の厚さ等から実験的に求まるものであ
る。また、発光面のレンズは半径が0.1〜1.0mmの
範囲が好適する。次に前記モールド樹脂層17e
の部分ではモールド樹脂に添加された光散乱剤の
濃度(散乱剤粒子の密度)が他の部分よりも大に
なつている。これは次に述べる製造方法によつて
達成されるが、発光色の濃度もモールド樹脂層部
分のみ所望の大きさにすることができる。これは
光散乱剤に発光色の染色を施し、あるいは発光色
の色素で沈降性の(比重の大きい)ものを選択し
て用いる、などによつて達成される。 次にこの半導体発光装置の製造方法を1実施例
につき説明する。この発光装置のモールドには上
面が開放された函型のモールド型が用いられる。
このモールド型は発光装置の組立工程の一部を示
す第10図の斜視図、第11図の断面図に示され
るように、上面が開放された合成樹脂の函型で、
その内底面が微細かつ均一な凹のレンズ集合面に
形成されたものである。そしてこのモールド型1
0に内装される反射体17は例えば白色のABS
樹脂で形成され、これに組付ける素子組立体のリ
ード方向に延長して反射体基部17bと、またそ
の外側に膨出したバルジ17cと、さらに延長し
た突出部17dとを備え、第10図において矢印
で示すように反射体17をその反射面17aから
モールド型10に挿入して行き、モールド型の開
端縁部の内側面にバルジを接触させて定位させ
る。このとき突出部17dはほぼその突出長に相
当する分だけモールド型の開端縁より突出するよ
うになつている。また反射面の端縁はモールド型
の内底面よりtなる間隔に保たれる。次に第12
図に示すように素子組立体5を挿入して行き、リ
ードをフレーム状に固定するタイバー20,2
0′の一方を支持するようにモールド型10の開
端に取着された支持部10a(第13図)に一方
のタイバー20を挾持支持させ、第14図に示す
ようにモールド樹脂6を注入する。なお、このモ
ールド樹脂はモールド樹脂注入用ノズル16によ
つて注入される。ついでモールド樹脂を加熱固化
させて素子組立体、反射体等を一体に構成したの
ちモールド型から抜出す。さらにタイバーを切断
除去して発光装置が得られる。 この発明によれば、発光面が均一で高輝度の発
光装置が得られる。また同時に発光装置を点灯装
置にセツトしたときモールド樹脂のバリによる傾
斜を生じない。このため、個々の発光装置を複数
個隣接させて広域の発光面を形成し均一な輝度を
得るのに好適する利点もある。なお、反射体にお
ける反射面の端縁の厚さをl1、反射体の外側のモ
ールド樹脂層の厚さをl2、反射面の端縁から発光
面との距離、すなわち発光面におけるモールド樹
脂層の厚さをtにて表わし、発光面にレンズ形成
の有無との視感による評価を行ない次表の結果が
得られた。
かり、特に発光面の全面に均一な発光輝度が得ら
れるように改良された構造の半導体発光装置とそ
の製造方法に関する。 半導体発光装置(以降発光装置と略称する)
に、これらを1平面上に隣接させて配置し面発光
を行なわせるものがある。このためには個個の発
光装置の発光面の全面が均一な発光輝度であるこ
とが必要である。従来の発光装置は例えば第1図
と第2図で示す構造、または第3図と第4図で示
す構造であつた。すなわち、第1図に斜視図で、
また第2図に第1図におけるリード線を含む平面
の断面図で示す構造はリード線1,2の一方のリ
ード1の一端部には皿状の光反射面1aが設けら
れ、そこにペレツト状の発光素子3がマウントさ
れている。そして発光素子3とこの発光素子がマ
ウントされていない他方のリード2とは金属細線
4で接続され、発光素子組立体5が構成されてい
る。また、発光素子組立体5はリードの遊離端を
残して透光性樹脂6でモールド封止されている。
次に第3図、第4図に示される従来の構造のもの
は反射面7aを有する反射体7に発光素子組立体
5がモールド樹脂6で組付けられると同時に、こ
の反射体がモールドの際の型として用いられてい
る。 上に述べた従来例において、第1図および第2
図に示す例ではリード1に皿状の光反射面が設け
られているものの発光素子の発光がモールド樹脂
に配合された光散乱剤によつて発光装置の側面か
ら放散され光損失があるため、発光面の輝度が低
減するという重大な欠点がある。また、このよう
な損失を低減するにはモールド樹脂中の光散乱剤
を減らせばよいが、発光面の輝度の均一が損なわ
れる(一般に発光面の周縁が暗くなる)傾向があ
る。次に、第3図、第4図に示す例では反射体そ
のものをモールド型として用いるため、発光面に
型の端縁が露出し発光のない部分を生ずる。すな
わち発光面全域を均一に発光させることができな
い欠点がある。また、反射体7における反射面と
反対側の端縁はモールド樹脂の封入側となりこの
端縁にモールド樹脂がいわゆるバリのように不所
望に附着するため、これを点灯装置にセツトする
と第5図い示すように傾斜する。なお、図におけ
るθは傾斜を示す角度である。セツトにあたつて
傾斜があると発光面の視感による輝度が均一を欠
くと同時に、隣接の発光装置の発光面と段差をな
すため外観が悪いなどの欠点がある。 この発明は従来の欠点を改良するためになされ
たもので、発光面の発光輝度の均一化をはかるた
めに反射体の構造、モールド樹脂によるモールド
形状に良を施した発光装置と、上記構造の改良さ
れた製造方法を提供するものである。 以下にこの発明を1実施例につき図面を参照し
て詳細に説明する。第6図に一部を切欠断面で示
す斜視図、第7図に断面図、また第8図、第9図
に反射体を各反対側の端面から視た斜視図で示す
ように、反射面17aを備え白色のたとえば
ABS樹脂でモールド形成された反射体17に素
子組立体5が組付けられるように配置され、さら
にこの反射体には素子組立体のリード方向に延長
して形成された反射体基部17bと、この反射体
基部の外側に設けられたバルジ17cと、反射体
基部をリード方向(反射面と反対方向)にさらに
延長して形成された突出部17dが設けられてい
る。上記バルジは例えば図示の如く4隅に設けら
れ、反射面側は薄く形成されてこの反射体を発光
素子の製造において函型のモールド治具に挿入す
るのを容易にする。また、上記突出部は反射体に
樹脂モールドを施すにあたり、この反射体を函型
のモールド治具に挿入したとき、モールド治具か
ら突出させてモールド樹脂の附着を防止する。次
にモールド樹脂体16は例えばエポキシ樹脂のよ
うなモールド用樹脂に光散乱剤、着色剤、さらに
は硬化促進剤等を添加したもので、素子組立体5
を反射体17に一体に固着させるとともに反射体
の周側面を少なくともバルジ17cの厚さに包囲
し、かつ反射面端から所定の厚さtにこのモール
ド樹脂層17eを設け、さらにその表面を微細で
均一なレンズ集合面に形成し発光面17fとして
いる。上記発光面におけるモールド樹脂層の厚さ
tは発光面に向つて開拡する反射面の角度や、反
射面端部の厚さ等から実験的に求まるものであ
る。また、発光面のレンズは半径が0.1〜1.0mmの
範囲が好適する。次に前記モールド樹脂層17e
の部分ではモールド樹脂に添加された光散乱剤の
濃度(散乱剤粒子の密度)が他の部分よりも大に
なつている。これは次に述べる製造方法によつて
達成されるが、発光色の濃度もモールド樹脂層部
分のみ所望の大きさにすることができる。これは
光散乱剤に発光色の染色を施し、あるいは発光色
の色素で沈降性の(比重の大きい)ものを選択し
て用いる、などによつて達成される。 次にこの半導体発光装置の製造方法を1実施例
につき説明する。この発光装置のモールドには上
面が開放された函型のモールド型が用いられる。
このモールド型は発光装置の組立工程の一部を示
す第10図の斜視図、第11図の断面図に示され
るように、上面が開放された合成樹脂の函型で、
その内底面が微細かつ均一な凹のレンズ集合面に
形成されたものである。そしてこのモールド型1
0に内装される反射体17は例えば白色のABS
樹脂で形成され、これに組付ける素子組立体のリ
ード方向に延長して反射体基部17bと、またそ
の外側に膨出したバルジ17cと、さらに延長し
た突出部17dとを備え、第10図において矢印
で示すように反射体17をその反射面17aから
モールド型10に挿入して行き、モールド型の開
端縁部の内側面にバルジを接触させて定位させ
る。このとき突出部17dはほぼその突出長に相
当する分だけモールド型の開端縁より突出するよ
うになつている。また反射面の端縁はモールド型
の内底面よりtなる間隔に保たれる。次に第12
図に示すように素子組立体5を挿入して行き、リ
ードをフレーム状に固定するタイバー20,2
0′の一方を支持するようにモールド型10の開
端に取着された支持部10a(第13図)に一方
のタイバー20を挾持支持させ、第14図に示す
ようにモールド樹脂6を注入する。なお、このモ
ールド樹脂はモールド樹脂注入用ノズル16によ
つて注入される。ついでモールド樹脂を加熱固化
させて素子組立体、反射体等を一体に構成したの
ちモールド型から抜出す。さらにタイバーを切断
除去して発光装置が得られる。 この発明によれば、発光面が均一で高輝度の発
光装置が得られる。また同時に発光装置を点灯装
置にセツトしたときモールド樹脂のバリによる傾
斜を生じない。このため、個々の発光装置を複数
個隣接させて広域の発光面を形成し均一な輝度を
得るのに好適する利点もある。なお、反射体にお
ける反射面の端縁の厚さをl1、反射体の外側のモ
ールド樹脂層の厚さをl2、反射面の端縁から発光
面との距離、すなわち発光面におけるモールド樹
脂層の厚さをtにて表わし、発光面にレンズ形成
の有無との視感による評価を行ない次表の結果が
得られた。
【表】
例
次にこの発明にかかる製造方法には上述の利点
を有す構造の発光装置の製造を容易ならしめる顕
著な利点もある。
次にこの発明にかかる製造方法には上述の利点
を有す構造の発光装置の製造を容易ならしめる顕
著な利点もある。
第1図ないし第5図は従来の発光装置の構造に
かかり、第1図は一例を示す斜視図、第2図は第
1図の断面図、第3図は別の一例の斜視図、第4
図は第3図の断面図、第5図は従来の構造の問題
点を説明するための側面図、第6図以降はこの発
明の発光装置にかかり、第6図は1実施例の斜視
図、第7図は断面図、第8図は反射体を反射面側
の端面から視た図、第9図は反射体を第8図と反
対側の端面から視た図、第10図ないし第12図
および第14図は発光装置の組立工程を示す第1
0図は斜視図で第11図、第12図、第14図は
いずれも断面図、第13図はモールド型の支持部
を示す側面図である。 1,2…リード線、5…発光素子組立体、6,
16…透光性樹脂、7,17…反射体、10…モ
ールド型、10a…モールド型における支持部、
17b…反射体基部、17c…バルジ、17d…
突出部、17e…モールド樹脂層、t…モールド
樹脂層の厚さ。
かかり、第1図は一例を示す斜視図、第2図は第
1図の断面図、第3図は別の一例の斜視図、第4
図は第3図の断面図、第5図は従来の構造の問題
点を説明するための側面図、第6図以降はこの発
明の発光装置にかかり、第6図は1実施例の斜視
図、第7図は断面図、第8図は反射体を反射面側
の端面から視た図、第9図は反射体を第8図と反
対側の端面から視た図、第10図ないし第12図
および第14図は発光装置の組立工程を示す第1
0図は斜視図で第11図、第12図、第14図は
いずれも断面図、第13図はモールド型の支持部
を示す側面図である。 1,2…リード線、5…発光素子組立体、6,
16…透光性樹脂、7,17…反射体、10…モ
ールド型、10a…モールド型における支持部、
17b…反射体基部、17c…バルジ、17d…
突出部、17e…モールド樹脂層、t…モールド
樹脂層の厚さ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 発光素子を電極導出リードに取着け構成され
た素子組立体を反射体にモールド樹脂で組付けた
半導体発光装置において、反射体に、これに組付
ける素子組立体のリード方向に延長して形成され
た反射体基部と、前記反射体基部の外側に設けら
れたバルジと、前記反射体基部をリード方向にさ
らに延長して形成された突出部とを設け、この反
射体に素子組立体を内装し一体に固着するモール
ド樹脂で反射体を包囲させるとともに反射体にお
ける反射面端から所定の厚さでモールド樹脂の他
の部分よりも光散乱剤を高濃度に有するモールド
樹脂層の表面を微細かつ均一なレンズ集合面をな
す発光面に形成し、反射体の他端にリードと反射
体基部の突出部とを突出させたことを特徴とする
半導体発光装置。 2 上面が開放されかつ内底面が微細かつ均一な
凹のレンズ集合面に形成された函型のモールド型
の内端縁に密接するように予め反射体基部の外側
にバルジとこの基部の端縁に突出部とを有する反
射体を用意し、反射体をその突出部を除いてモー
ルド型に内装しバルジをモールド型の開放端部の
内壁に密接保持させ、ついで素子組立体を前記反
射体に取付けし、モールド樹脂を充填し加熱固化
させたのち、モールド型から抜出すことを特徴と
する半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55150147A JPS5773985A (en) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | Semiconductor light emitting device and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55150147A JPS5773985A (en) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | Semiconductor light emitting device and manufacture thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5773985A JPS5773985A (en) | 1982-05-08 |
JPS6222557B2 true JPS6222557B2 (ja) | 1987-05-19 |
Family
ID=15490515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55150147A Granted JPS5773985A (en) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | Semiconductor light emitting device and manufacture thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5773985A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2565726B1 (fr) * | 1984-06-08 | 1987-11-27 | Radiotechnique Compelec | Procede de realisation d'un panneau lumineux de signalisation a diodes electroluminescentes et panneau ainsi obtenu. |
AU1307999A (en) * | 1997-11-06 | 1999-05-31 | Donnelly Corporation | Light emitting element having an optical element molded in surface thereof |
WO2005083805A1 (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Led光源 |
JP4757477B2 (ja) * | 2004-11-04 | 2011-08-24 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置 |
-
1980
- 1980-10-28 JP JP55150147A patent/JPS5773985A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5773985A (en) | 1982-05-08 |
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