JPH06169477A - カラー受像管のターゲット照準の測定装置および測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、輝度スポットが蛍光体ストリップ
上に完全に存在していない場合にも正確に測定すること
のできるカラー受像管のターゲット照準測定方法を得る
ことを目的とする。 【構成】 画像コンバータ12により輝度ストリップの画
像を記録し、エッジを限定するために画像コンバータに
おいて発生された電荷パターンを分析し、電子ビームの
ターゲット照準を決定するために輝度スポットの外側エ
ッジの位置と蛍光体ストリップの外側エッジの位置を比
較するターゲット照準の測定方法で、輝度スポットの外
側エッジが蛍光体ストリップの外側エッジの内側に存在
するか否かが決定され、存在しない場合に補助偏向装置
23により変位および測定シーケンスが実行され、それに
おいて輝度スポットを発生する電子スポットは１度以上
変位されて輝度スポット画像が記録され分析されること
を特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、シャドウマスク中のス
ロットを通過し、受像管のスクリーン上の蛍光体ストリ
ップを照射する多ビームカラー受像管において電子ビー
ムのターゲット照準を測定するプロセスおよび装置に関
する。

【０００２】用語“ターゲット照準”とは、“カラー純
度”と同義である。ターゲット照準エラーは典型的にス
クリーンの中央の蛍光体ストリップの中心と、蛍光体ス
トリップと関連したシャドウマスク中のスロットを通過
する電子ビームによって発生された電子スポットの中心
との間の偏差を意味すると理解される。ターゲット照準
エラーが増加すると、電子スポットの外側エッジは隣接
した蛍光体ストリップに接近してゆき、ターゲット照準
エラーが大きい場合、最終的にそれに達する。これは電
子ビームに２つの隣接した蛍光体ストリップ中の蛍光物
質を励起させるが、これは異なるカラーである。したが
って、大きいターゲット照準エラーはカラー純度にエラ
ーを生じさせる。

【０００３】

【従来の技術】図１１および図１２は、イノベーション
テクニーク・ゲゼルシャフト・フュール・オートメーシ
ョン社により数年前から提供されているターゲット照準
測定装置を示す。図１３および図１４はこの装置により
実行されることができるプロセスを説明する。

【０００４】装置は受像管駆動装置10´、分析装置11
´、右画像コンバータカメラ12.R、左画像コンバータカ
メラ12.Lおよび上記の装置が動作するシーケンスを制御
するシーケンス制御装置13´を含む。受像管駆動装置10
´は電子ビーム発生システム14およびカラー受像管16の
偏向装置15を駆動する。分析装置11´はＲＡＭ17、分析
論理ユニット18´およびディスプレイ19を有する。ＣＣ
Ｄ画像コンバータ20（図１２参照）は２つの画像コンバ
ータカメラ12.Rおよび12.Lのそれぞれに配置されてい
る。シーケンス制御装置13´によって付勢される切替え
スイッチ21は、２つの画像コンバータカメラを切替える
ために使用される。

【０００５】ＣＣＤ画像コンバータ20用のデータは図１
２に示されている。ＣＣＤ画素からの電荷はシーケンス
制御装置13´によってＲＡＭ17に読取られる。ＲＡＭは
それぞれ８ビット（256 キロバイト）の10¹⁸［ｓｉｃ］
セル（10¹⁸ＣＣＤ画素に対応した）を有している。良く
理解するために、図１２は、ＣＣＤ画素の数および構造
に対応したｘおよびｙの各方向の512 ＲＡＭセルの疑似
アドレスモデルを想定した。この図は、ＲＡＭがＣＣＤ
から転送された画像に対応した情報を蓄積することがで
きることを明らかにする。

【０００６】図１３のａは、画像コンバータカメラ12.R
または12.Lの１つにおけるＣＣＤ画像コンバータ20によ
って記録された画像の一部分を概略的に示す。図１３ａ
は蛍光体ストリップＲ，ＧおよびＢの内側の輝度スポッ
ト22を示す。しかしながら、画像コンバータは輝度ドメ
インだけすなわち輝度スポット22だけを知覚する。画像
コンバータカメラが図１１に示された位置にあるとき、
これらの輝度スポットはほぼ 240μｍの幅であり、蛍光
体ストリップの幅はほぼ 300μｍである。輝度スポット
の高さはほぼ 700μｍであるが、その他すべての対応し
た添付図面のように図１３においてそれらは幅より小さ
い高さで描かれている。赤色放射ドメインは右上りの破
線の斜線によって、また緑色放射ドメインは実線の斜線
によって、また青色放射ドメインは左上りの斜線によっ
て示されている。

【０００７】図１４ａは蛍光物質が蛍光体ストリップの
表面全体において励起される場合を示す。これは、蛍光
体ストリップの幅全体が照明されるような程度に外部Ｕ
Ｖ光源により、または電子ビーム発生システムにより発
生された電子ビームの焦点をぼかすことによって行われ
る。

【０００８】図１１および図１２による装置が動作され
たとき、図１４のａによる画像は最初にＣＣＤ画像コン
バータ20によって記録され、次にＲＡＭ17に転送され
る。分析はどの程度の電荷がＣＣＤ画素中に蓄積された
かを決定するためにＣＣＤ情報の１つの水平ラインに沿
って実行される。この水平ラインに沿った電荷量は図１
４のｂに非常に簡単に示されている。電荷量を表示した
信号は水平ラインが蛍光体ストリップと交差するセグメ
ントにおいて高く、一方それは隣接した蛍光体ストリッ
プ間の通路に沿って低い値を有する。実際に蛍光体スト
リップのエッジはあまり急峻ではないため、実際の信号
プロフィールは図１４のｂのものより明瞭ではない。し
たがって、実際には発光および非発光領域間のエッジが
知覚されることができるように、信号プロフィールは滑
らかにされ、微分が実行され、続いてしきい値比較が行
われる。図１４のｂにおいて、蛍光体ストリップＧの左
エッジはＤl で示され、一方右エッジはＤr で示されて
いる。左エッジの位置は任意にゼロの値を割当てられ
る。右エッジは右へ68個の画素位置に位置され、これは
左端から約 300μｍの距離に対応する。これはスクリー
ン画像が５倍に拡大されるため、22μｍの幅の各ＣＣＤ
画素が4.4 μｍの幅の画像画素を表わすためである。

【０００９】蛍光体ストリップＧの外側エッジが定めら
れると直ぐに、図１３のａによる輝度スポット画像は記
録される。分析は図１４のｂを参照して説明された［？
手順か］にしたがって行われ、結果的に図１３のｂによ
る信号プロフィールを生成する。蛍光体ストリップＧ上
の輝度スポット22の左外側エッジＳl は、左蛍光体スト
リップエッジＤl の位置から約10μｍ離れて配置され
る。右輝度スポットエッジＳr は 250μｍである。

【００１０】図１３のｂおよび図１４のｂを参照して説
明されたデータから、輝度スポット22の中心線ＭＳがほ
ぼ 130μｍに配置され、一方蛍光体ストリップＧの中心
線ＭＤがほぼ 150μｍに位置されることは明らかであ
る。これら２つの中心線の間の差は20μｍのターゲット
照準エラーＬＦに対応する。

【００１１】したがって、既知のプロセスは以下の特徴
を有する： （ａ）少なくともターゲット照準が測定される蛍光体ス
トリップにおける蛍光物質を励起し、（ｂ）画像コンバ
ータにより輝度ストリップの画像を記録し、（ｃ）電荷
量の転移が配置され、したがって蛍光体ストリップの外
側エッジを決定する画像コンバータの外側エッジに関し
てエッジを限定するために画像コンバータにおいて発生
された電荷パターンを分析し、（ｄ）前記電子ビームが
前記蛍光体ストリップ上に輝度スポットを発生するよう
に受像管を動作し、（ｅ）実際に発生される輝度スポッ
トの画像を記録し、（ｆ）外側エッジの位置を決定する
ために輝度スポットの画像を分析し、（ｈ）電子ビーム
のターゲット照準を決定するために輝度スポットの外側
エッジの位置と蛍光体ストリップの外側エッジの位置を
比較する。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】既知の装置は受像管駆
動装置、画像コンバータ、分析装置およびシーケンス制
御装置を有し、これらの装置は上記のプロセスが実行さ
れるように設計されている。

【００１３】上記に説明された測定に対する必要条件
は、輝度スポット22が関連した蛍光体ストリップ上に完
全に存在していることである。これがそうでない場合に
は、図１５によって示されたように輝度スポット22の中
心はその外側エッジの１つの位置が知られていないた
め、決定されることができない。図１５は受像管の中心
に対するこの場合を示し、示された実施例によると輝度
スポットは 220μｍの幅であり、蛍光体ストリップは少
しだけ広く、すなわち 240μｍである。この寸法関係の
ために、輝度スポットはターゲット照準エラーが小さく
ても関連した蛍光体ストリップ上に全体的に存在しな
い。したがって、上記の装置は実際に受像管の中心にお
けるターゲット照準を測定するのに適しておらず、大き
いターゲット照準エラーにより受像管上のターゲット照
準を測定するために適切ではない。最後に、このような
受像管に関して電子スポットは常に蛍光体ストリップよ
り広いため、それはマトリクス受像管上の測定に全く適
さない。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明によるプロセスは
上記に示された特徴（ａ）乃至（ｆ）および（ｈ）を有
し、ステップ（ｆ）後に以下のプロセスが連続すること
を特徴とする： （ｇ）輝度スポットの外側エッジが蛍光体ストリップの
外側エッジの内側に存在し、この条件が満足された場
合、ステップ（ｈ）が実行され、満足されない場合、補
助偏向装置を通る電流によって変位および測定シーケン
スが実行され、それにおいて輝度スポットを発生する電
子スポットはその２つの外側エッジが明確に知覚可能で
あるように少なくとも１度変位され、各輝度スポット画
像は記録され分析され、その分析データから電子スポッ
トの幅および変位並びにその外側エッジの元の位置が決
定され、その後ステップ（ｈ）が実行される。

【００１５】本発明による装置は、ターゲット照準が変
化されることができる補助偏向装置が付加的に存在して
いる既知のものとは、シーケンス制御装置および分析装
置が上記に述べられたステップ（ｇ）を実行することが
できるように設計されている点で異なっている。

【００１６】本発明による方法および装置は、不可視の
電子スポットエッジの位置が電子スポットに対する変位
および測定シーケンスによって知覚されることができ、
それから電子スポットの中心、したがって蛍光体ストリ
ップ上のそのターゲット照準が決定されることができる
ことを保証する。

【００１７】変位シーケンスが必要か否かの決定が行わ
れることが好ましい。このために、輝度スポットの検出
された外側エッジが測定精度内で蛍光体ストリップの検
出された外側エッジと一致するか否かに関して検査が行
われる。一致した場合、これら２つのエッジが実際に正
確に一致するか否か、或は電子スポットの適切なエッジ
が蛍光体ストリップのない領域に存在するか否かは不明
である。この場合、輝度スポットは一度変位される。事
実、電子スポットの２つの外側エッジが明確に知覚でき
ない場合は２度変位される。この場合、変位感度は反復
された変位によって較正され、この感度は補助偏向装置
を通してスポット変位電流が送られないときに、電子ス
ポットが配置される箇所を計算して決定するために使用
される。

【００１８】

【実施例】図１による本発明による装置は図１１による
市販の装置に非常に類似しており、したがってここでは
相違点だけについて説明する。補助偏向装置23は、電子
ビーム発生システム14の前端部の付近に配置されてい
る。受像管駆動装置10はまた、電子ビーム発生システム
14および偏向装置15に加えて補助偏向装置23を駆動する
ように設計される。分析装置において、分析論理ユニッ
トは既知の装置と少し異なって設計されているため、参
照符号11´および18´ではなく参照符号11および18が使
用される。さらに、設計における変化のために、シーケ
ンス制御装置は参照符号13´ではなく13で示されてい
る。２つの画像コンバータカメラの代わりに、単一の画
像コンバータカメラ12が存在し、カラー受像管16のスク
リーンの中心に配置されている。単一の画像コンバータ
カメラ12を持つこの図は、本発明による装置および関連
したプロセスは、大部分の電子スポットがそれらの各蛍
光体ストリップ上に完全に命中しない場合でも当然使用
できることを示すために機能する。しかしながら、それ
にもかかわらず実際のターゲット照準測定のために、２
つの画像カメラ12.Rおよび12.Lがしばしば使用される。
スクリーンの中心の外側の位置でターゲット照準はシャ
ドウマスクが加熱されたときに特に臨界的になるため、
これらは図１１に示されたようにスクリーン上に配置さ
れる。したがって、後続する受像管調節のためにこれら
の重要なドメインにおいてターゲット照準を測定するこ
とが有効である。本発明による装置およびプロセスの使
用は、ターゲット照準エラーの大きさにかかわらず、ま
た受像管がマトリクスストリップを有しているか否かに
かかわらず全ての受像管が試験されることができるとい
う利点を伴う。

【００１９】図２は、スクリーン上の電子ビームのター
ゲット照準が補助偏向装置23によってどのように変化さ
れることができるかを示す。図２のａおよびｂにおい
て、２つの電子ビームすなわち実線の直線として第１の
ビームおよび破線の折れ線として第２のビームが示され
ている。２つのグラフからターゲット照準変位ＬＶは、
受像管16のスクリーンに向って見たとき、補助偏向平面
ＨＡｈが偏向装置15の主偏向平面Ａの背後に構成された
補助偏向装置、または偏向平面ＨＡｖが主偏向平面Ａの
前方に配置されるもののいずれによって達成されること
が可能である。偏向装置15の背後に配置された補助偏向
装置23は偏向装置15の前方に配置された補助偏向装置よ
り大きい精度および小さい物理的複雑性により電子ビー
ムを調節することができるが、実際は特に受像管のネッ
クの周囲の偏向装置15の背後の空間全体が電子ビーム発
生システム上の磁気リングを磁化する磁化構造またはこ
のような２つの磁気リングによって占められ、例えば本
発明による装置により得られたターゲット照準測定結果
に基づいて磁化電流が決定された場合、偏向装置の正面
に配置された補助偏向装置が好ましい。

【００２０】図３および図４は、図１の装置により図１
５のターゲット照準の場合に対して信頼性の高いターゲ
ット照準測定がどのようにして実現可能かを示す。これ
に関して、図３のａは図５に対応する。図３のｃは、図
１４のａおよびｂを参照して説明されたことに対応した
蛍光体ストリップＧの外側エッジの位置を決定する測定
結果を示す。蛍光体ストリップの左エッジは再度ゼロの
値を割当てられる。蛍光体ストリップの右エッジは 240
μｍに位置し、蛍光体ストリップの中心線ＭＤは 120μ
ｍに存在している。図３のｂは輝度スポットの左エッジ
が蛍光体ストリップの左エッジと一致していることを意
味する。それは知覚できないが、電子スポットのエッジ
がさらに左へ、すなわちｘ座標プラス20μｍに位置され
るためである。電子スポットしたがって輝度スポットの
右端は 200μｍに配置される。

【００２１】図４のａにおいて、電子スポットはそれが
隣接した蛍光体ストリップ上に２つの部分的な輝度スポ
ット22.Rおよび22.Gを生成する程度に変位される。変位
は電子スポットの両外側エッジが隣接した蛍光体ストリ
ップ内に明確に配置されるように行われる。図３のｃに
よると、隣接した蛍光体ストリップ間の分離は30μｍで
ある。図３から蛍光体ストリップの左外側エッジおよび
輝度スポットが一致することは明らかであるが、電子ス
ポットの左外側エッジがどこに存在しているかは不明で
あり、そのために２つの外側エッジは正確に一致してい
ると仮定される。偏向電流は補助偏向装置23を通して供
給されなければならず、この電流は30μｍの分離距離に
わたり、明確な測定ができる左側でそれに隣接した蛍光
体ストリップ中に左外側エッジを変位するのに明らかに
十分である。比較的低い補助偏向電流により実行される
ことが希望された場合、可視的な輝度スポットの右外側
エッジおよび電子スポットの近似的に知られている幅は
電子スポットの左外側エッジがかなり大まかに配置され
る箇所を評価するために使用されるように行われること
も可能である。これが電子スポットの左外側エッジが既
に左側で隣接した蛍光体ストリップの右外側エッジに非
常に近接して配置されたことを示した場合、比較的低い
補助偏向電流は左側において明確に蛍光体ストリップ中
に電子スポットの左外側エッジを変位するために使用さ
れることができる。

【００２２】図４のｂによる測定は、輝度スポットが 1
40μｍ−（−80μｍ）＝ 220μｍの幅であり、その右外
側エッジは左に 220μｍ− 140μｍ＝60μｍ変位された
ことを示す。したがって、輝度スポットの電流中心線Ｍ
Ｓは30μｍに配置され、図３による変位されない状態に
おいてそれはさらに右方向60μｍすなわち90μｍに配置
される。したがって、ターゲット照準エラー、換言する
と蛍光体ストリップの中心線ＭＤからの偏差は 120μｍ
−90μｍ＝30μｍである。

【００２３】図３および図４は２つの外側エッジの１つ
が最初に知覚不可能である場合を示すために使用された
が、図５乃至図７は電子スポットが変位されない場合は
両外側エッジが知覚不可能である場合に関する。図５の
ａおよびｃによると、マトリクスストリップの70μｍだ
け分離した幅 200μｍの幅の蛍光体ストリップが存在す
る。最初に、輝度スポットの両外側エッジは蛍光体スト
リップＧの外側エッジと一致する。

【００２４】図６の場合、全ての電子スポットは左側に
大きく変位され、この中心電子スポットの２つの外側エ
ッジが輝度スポットの関連した外側エッジによって明確
に知覚可能であり、これらの外側エッジは隣接した蛍光
体ストリップＲおよびＧ上に位置される。左外側エッジ
に対して測定された座標は−130 μｍであり、再び蛍光
体ストリップＧの左外側エッジを参照すると、右エッジ
に対して測定された座標は 110μｍである。したがっ
て、輝度スポットは 240μｍの幅であり、その垂直中心
線は−10μｍに配置される。しかしながら、収集された
データはこの中心線ＭＳがどれ程左方向に変位されるの
かを決定するのに依然として十分ではないため、その元
の位置がそれから逆に計算される。

【００２５】元の位置に関する中心線ＭＳの変位は、各
場合において補助偏向装置23を通る同じ電流を供給する
ことによって１つの受像管から他のものへの電子スポッ
トの同じ変位が生成された場合には知ることができる。
しかしながら、電子発生システム14、偏向装置15および
補助偏向装置23の相対的な位置は１つの受像管によって
変化し、補助偏向装置23を通過する電流とビーム変位と
の間の関係がほぼ50％までの予測エラーによって影響さ
れる。この欠点を除去するために、ここに示された実施
例において補助偏向装置23を通過する電流と輝度スポッ
ト変位との間の関係は較正される。このために、この電
子スポットが図６に示されたように左に変位された後、
それは右に変位され、２つの部分的な輝度スポット22.G
および22.Bと共に図７による画像を生成する。輝度スポ
ットの左エッジは70μｍに位置され、これは図６の位置
から 200μｍの変位に対応する。実施例において、 200
μｍの変位は 600ｍＡの補助偏向装置23を通る電流の差
を要求され、＋399 ［ｓｉｃ］ｍＡの電流が左への第１
の変位に対して供給され、−300 ｍＡの電流が第２の変
位に対して供給される。−600 ｍＡの電流差から結果的
に生じた右への 200μｍの変位は、 300ｍＡの電流が第
１段階で 100μｍの変位を生成したことを示す。左に変
位された位置における輝度スポットにより、中心線ＭＳ
は−10μｍのｘ座標で観察された。この中心線は最初に
さらに 100μｍ右方向にすなわち90μｍに位置してい
た。したがって、ターゲット照準エラーは 100μｍのｘ
座標に配置された輝度スポットＧの中心線ＭＤを参照す
ると10μｍ（さらに厳密には−10μｍすなわち左に変位
された）である。

【００２６】図６および図７において、輝度スポットは
両方の場合にこの輝度スポットの両外側エッジが知覚可
能であるように位置される。しかしながら、それは両外
側エッジが２つの場合の一方だけで知覚可能であれば十
分である。幅、したがって中心線ＭＳの位置は両外側エ
ッジが知覚可能である画像から決定され、一方上記の較
正したがって中心線ＭＳの元の位置への変換は両画像に
おいて知覚可能な外側エッジを変位することによって実
行される。

【００２７】両外側エッジが図６および図７に示された
ように２つの変位後に知覚可能である場合、この輝度ス
ポットの中心線ＭＳは図６にしたがって画像を測定した
直後に決定される必要はなく、その代りとして試験され
る電子スポットの外側エッジの元の位置を計算し、これ
らの外側エッジによって電子スポットの中心線ＭＳを決
定するために図６の画像を使用することも可能である。

【００２８】図８は、ターゲット照準が上記に論じられ
た全ての場合においてできるだけ迅速に定められるよう
に図１による装置によって好ましく実行されるような、
すなわち電子スポットの両外側エッジは始めから知覚可
能である図１３、１つの外側エッジだけが知覚可能であ
る図３のａ、および最初に両外側エッジが認められない
図５のａによるシーケンスを示す。

【００２９】図８のフロー図のステップｓ1 において、
受像管は図１４のａに示されたように蛍光体ストリップ
が完全に発光し、関連した画像が記録されるように動作
される。この画像から蛍光体ストリップの外側エッジの
位置が決定され、ストリップの垂直中心線ＭＤの位置は
図１４のｂによって示されたようにこれ（ステップｓ2
）から導かれる。電子スポットの位置を決定する後続
的なステップが存在する。このために、受像管は電子ス
ポットがスクリーンを照射し、対応した輝度スポット画
像が記録されるように動作される（ステップｓ3 ）。そ
の後、画像における水平輝度転移の位置が決定される
（ステップｓ4 ）。２つの輝度転移が１つの蛍光体スト
リップ内に位置されていることがステップ５で決定され
て認められた場合、プロセスは図１３に基づいて最初に
示されたプロセスシーケンスを含むステップｓ6 により
終了する。ステップｓ1 乃至ｓ4 およびｓ6 のシーケン
スは、図１１を参照して示された装置によって遂行され
たプロセスシーケンスに対応する。

【００３０】新しく挿入されたステップｓ5 において、
２つの輝度転移が蛍光体ストリップ上にないことが認め
られた場合、シーケンスは１つの輝度転移がストリップ
上に位置されるか否かに関する決定が行われるステップ
ｓ7 に至る。ストリップ上に位置される場合、第１のサ
ブプログラムｕ1 はマーカーＡおよびＢ間において遂行
し、そうでない、すなわち図５の場合には、第２のサブ
プログラムｕ2 がマーカーＣおよびＤ間において行われ
る。

【００３１】図９は、３つの個々のステップｕ1.1 乃至
ｕ1.3 に分割された第１のサブプログラムｕ1 を示す。
図９によるフロー図のステップは詳細にラベルを付けら
れており、シーケンスは図３および図４を参照して最初
に示されたものに対応しているため、ここではこのシー
ケンスの説明を省略する。

【００３２】図１０は５つの個々のステップｕ2.1 乃至
ｕ2.5 に分割された第２のサブプログラムｕ2 を示す。
ここにおいても、図５乃至図７を参照した最初の説明に
よって支持されたフロー図の詳細なラベル付けがなされ
ている。

【００３３】図８のフロー図によると、電子スポットの
位置を決定するシーケンスの実行は、２つの外側エッジ
のいくつがスポットを変位せずに知覚可能であるかに依
存している。しかしながら、プロセスシーケンスが常に
第２のサブプログラムｕ2 、すなわち電子スポットの外
側エッジが最初に知覚可能でなくても、信頼性の高い結
果を生じるシーケンスにしたがって発生するように進め
ることも可能である。したがって、実際に不要である場
合でも、最も複雑なシーケンスが実行されるが、これは
場合に応じて区別する必要性をなくする。

【図面の簡単な説明】

【図１】カラー受像管およびターゲット照準を測定する
装置のブロック図。

【図２】受像管の方を見て偏向装置の背面または受像管
の背面のいずれかに配置されることができる補助偏向装
置によりターゲット照準がどのように使用されることが
できるかを説明した概略図。

【図３】電子スポットの１つの外側エッジが蛍光体スト
リップ上にない場合の輝度スポット画像、水平ラインに
沿った輝度スポット測定および同じ水平ラインに沿った
蛍光体ストリップ測定に対する信号プロフィールを説明
する概略図。

【図４】図３のものに対応しているが、図３による電子
スポットがその外側エッジの両方が輝度スポットの外側
エッジとして知覚可能である左端に変位された場合の概
略図。

【図５】図３のものに対応しているが、マトリクススト
リップを持つカラー受像管において電子ビームの外側エ
ッジがいずれも蛍光体ストリップの内側にない場合の概
略図。

【図６】図５のａ，ｂのものに対応しているが、図５に
よる電子スポットの２つの外側エッジが輝度スポットの
外側エッジの形態で知覚可能である左端に変位された場
合の概略図。

【図７】図５のａ，ｂのものに対応しているが、電子ス
ポットの２つの外側エッジが輝度スポットの外側エッジ
の形態で知覚可能である右端に変位された場合の図。

【図８】図１による装置によって実行される動作プロセ
スを説明するための要約フロー図。

【図９】図８のシーケンス中のサブプログラムｕ1 に対
するフロー図。

【図１０】図８のフロー図におけるサブプログラムｕ2
に対するフロー図。

【図１１】図１のものに対応する従来の装置のブロック
回路図。

【図１２】図１による装置において使用されているよう
なＣＣＤコンバータ中の画素分布およびＲＡＭの疑似ア
ドレスの概略図。

【図１３】図３のａ，ｂに対応しているが、電子スポッ
トの外側エッジが蛍光体ストリップ内に存在している場
合の概略図。

【図１４】図１３のａ，ｂに対応しているが、輝度スポ
ットのものではなくその外側エッジが決定されることが
できるように、輝度ストリップが完全に照明されている
場合の概略図。

【図１５】図３のａのものに対応した概略図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ツェリィオ・ゼルンホルスト ドイツ連邦共和国、3100 ツェレ、テレフ ンケンシュトラーセ ３ (72)発明者 クルト・リンガー ドイツ連邦共和国、2803 バイヘ、ハルデ ンベルクシュトラーセ 31

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ａ）少なくともターゲット照準が測定
   される蛍光体ストリップにおける蛍光物質を励起し、 （ｂ）画像コンバータにより輝度ストリップの画像を記
   録し、 （ｃ）電荷量の転移が配置され、したがって蛍光体スト
   リップの外側エッジを決定する画像コンバータの外側エ
   ッジに関してエッジを限定するために画像コンバータに
   おいて発生された電荷パターンを分析し、 （ｄ）電子ビームが前記蛍光体ストリップ上に輝度スポ
   ットを発生するように受像管を動作し、 （ｅ）実際に発生される輝度スポットの画像を記録し、 （ｆ）外側エッジの位置を決定するために輝度スポット
   の画像を分析し、 （ｈ）電子ビームのターゲット照準を決定するために輝
   度スポットの外側エッジの位置と蛍光体ストリップの外
   側エッジの位置を比較するステップを含み、シャドウマ
   スク中のスロットを通過し、受像管のスクリーン上の蛍
   光体ストリップを照射する多ビームカラー受像管におけ
   る電子ビームのターゲット照準を測定する方法におい
   て、 ステップ（ｆ）の後に、 （ｇ）輝度スポットの外側エッジが蛍光体ストリップの
   外側エッジの内側に存在するか否かの決定が行われ、 この条件が満足された場合、前記ステップ（ｈ）が実行
   され、 満足されない場合、補助偏向装置を通る電流によって変
   位および測定シーケンスが実行され、それにおいて輝度
   スポットを発生する電子スポットはその２つの外側エッ
   ジが明確に知覚可能であるように少なくとも１度変位さ
   れ、各輝度スポット画像は記録され分析され、その分析
   データから電子スポットの幅および変位並びにその外側
   エッジの元の位置が決定され、その後ステップ（ｈ）が
   実行されることを特徴とする測定方法。
2. 【請求項２】 前記変位シーケンスは、 （ｇ１）電子スポットがその２つの外側エッジが明確に
   知覚可能であるように補助偏向装置を通る第１の電流に
   よって変位され、この電子スポットの画像が外側エッジ
   の位置から電子スポットの幅を決定するように記録され
   て分析され、この値が蓄積されるステップと、 （ｇ２）第１の電流の値および電子スポットの２つの外
   側エッジの位置を特徴付ける値が蓄積されるステップ
   と、 （ｇ３）電子スポットが、２つの外側エッジの少なくと
   も１つが明確に知覚可能である程度に反対方向に補助偏
   向装置を通る第２の電流によって変位され、この電子ス
   ポットの画像がステップ（ｇ１）および（ｇ３）で知覚
   可能な外側エッジの変位を決定するように記録され、分
   析されるステップと、 （ｇ４）この変位および第１と第２の電流間の差を使用
   して、ステップ（ｇ１）および（ｇ３）において知覚可
   能な外側エッジの元の位置すなわち補助偏向装置を通る
   電流の不在時の変位されない位置が決定されるステップ
   とを含み、 （ｇ５）ステップ（ｈ）はこの外側エッジの位置および
   電子スポットの幅を使用して実行される請求項１記載の
   方法。
3. 【請求項３】 前記変位シーケンス中、輝度スポットの
   外側エッジが蛍光体ストリップの外側エッジ内に存在す
   るか否かに関する検査が行われ、 存在する場合、請求項２のステップ（ｇ１）乃至（ｇ
   ５）が実行され、 存在しない場合、その２つの外側エッジが隣接した蛍光
   体ストリップ上で明確に知覚可能であるように十分に電
   子スポットが変位され、輝度スポットの画像が画像コン
   バータによって記録され、輝度スポットの前記外側エッ
   ジの位置を参照して分析され、したがって電子スポット
   の幅および元の位置に関するその変位を限定し、そのデ
   ータから始めの知覚不可能な外側エッジの位置が決定さ
   れ、その情報によりステップ（ｈ）による分析が実行さ
   れることを特徴とする請求項１または２記載の方法。
4. 【請求項４】 シャドウマスク中のスロットを通過し、
   受像管のスクリーン上の蛍光体ストリップを照射する多
   ビームカラー受像管における電子ビームのターゲット照
   準を測定する装置において、 画像コンバータ構造と、 受像管駆動装置と、 分析装置と、 シーケンス制御装置とを具備し、 シーケンス制御装置および分析装置は請求項１記載のス
   テップ（ａ）乃至（ｈ）を実行するように構成されてい
   ることを特徴とする測定装置。