JPH06169477A - カラー受像管のターゲット照準の測定装置および測定方法 - Google Patents
カラー受像管のターゲット照準の測定装置および測定方法Info
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- JPH06169477A JPH06169477A JP5145176A JP14517693A JPH06169477A JP H06169477 A JPH06169477 A JP H06169477A JP 5145176 A JP5145176 A JP 5145176A JP 14517693 A JP14517693 A JP 14517693A JP H06169477 A JPH06169477 A JP H06169477A
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- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
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- Signal Processing (AREA)
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- Testing, Inspecting, Measuring Of Stereoscopic Televisions And Televisions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、輝度スポットが蛍光体ストリップ
上に完全に存在していない場合にも正確に測定すること
のできるカラー受像管のターゲット照準測定方法を得る
ことを目的とする。 【構成】 画像コンバータ12により輝度ストリップの画
像を記録し、エッジを限定するために画像コンバータに
おいて発生された電荷パターンを分析し、電子ビームの
ターゲット照準を決定するために輝度スポットの外側エ
ッジの位置と蛍光体ストリップの外側エッジの位置を比
較するターゲット照準の測定方法で、輝度スポットの外
側エッジが蛍光体ストリップの外側エッジの内側に存在
するか否かが決定され、存在しない場合に補助偏向装置
23により変位および測定シーケンスが実行され、それに
おいて輝度スポットを発生する電子スポットは1度以上
変位されて輝度スポット画像が記録され分析されること
を特徴とする。
上に完全に存在していない場合にも正確に測定すること
のできるカラー受像管のターゲット照準測定方法を得る
ことを目的とする。 【構成】 画像コンバータ12により輝度ストリップの画
像を記録し、エッジを限定するために画像コンバータに
おいて発生された電荷パターンを分析し、電子ビームの
ターゲット照準を決定するために輝度スポットの外側エ
ッジの位置と蛍光体ストリップの外側エッジの位置を比
較するターゲット照準の測定方法で、輝度スポットの外
側エッジが蛍光体ストリップの外側エッジの内側に存在
するか否かが決定され、存在しない場合に補助偏向装置
23により変位および測定シーケンスが実行され、それに
おいて輝度スポットを発生する電子スポットは1度以上
変位されて輝度スポット画像が記録され分析されること
を特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、シャドウマスク中のス
ロットを通過し、受像管のスクリーン上の蛍光体ストリ
ップを照射する多ビームカラー受像管において電子ビー
ムのターゲット照準を測定するプロセスおよび装置に関
する。
ロットを通過し、受像管のスクリーン上の蛍光体ストリ
ップを照射する多ビームカラー受像管において電子ビー
ムのターゲット照準を測定するプロセスおよび装置に関
する。
【0002】用語“ターゲット照準”とは、“カラー純
度”と同義である。ターゲット照準エラーは典型的にス
クリーンの中央の蛍光体ストリップの中心と、蛍光体ス
トリップと関連したシャドウマスク中のスロットを通過
する電子ビームによって発生された電子スポットの中心
との間の偏差を意味すると理解される。ターゲット照準
エラーが増加すると、電子スポットの外側エッジは隣接
した蛍光体ストリップに接近してゆき、ターゲット照準
エラーが大きい場合、最終的にそれに達する。これは電
子ビームに2つの隣接した蛍光体ストリップ中の蛍光物
質を励起させるが、これは異なるカラーである。したが
って、大きいターゲット照準エラーはカラー純度にエラ
ーを生じさせる。
度”と同義である。ターゲット照準エラーは典型的にス
クリーンの中央の蛍光体ストリップの中心と、蛍光体ス
トリップと関連したシャドウマスク中のスロットを通過
する電子ビームによって発生された電子スポットの中心
との間の偏差を意味すると理解される。ターゲット照準
エラーが増加すると、電子スポットの外側エッジは隣接
した蛍光体ストリップに接近してゆき、ターゲット照準
エラーが大きい場合、最終的にそれに達する。これは電
子ビームに2つの隣接した蛍光体ストリップ中の蛍光物
質を励起させるが、これは異なるカラーである。したが
って、大きいターゲット照準エラーはカラー純度にエラ
ーを生じさせる。
【0003】
【従来の技術】図11および図12は、イノベーション
テクニーク・ゲゼルシャフト・フュール・オートメーシ
ョン社により数年前から提供されているターゲット照準
測定装置を示す。図13および図14はこの装置により
実行されることができるプロセスを説明する。
テクニーク・ゲゼルシャフト・フュール・オートメーシ
ョン社により数年前から提供されているターゲット照準
測定装置を示す。図13および図14はこの装置により
実行されることができるプロセスを説明する。
【0004】装置は受像管駆動装置10´、分析装置11
´、右画像コンバータカメラ12.R、左画像コンバータカ
メラ12.Lおよび上記の装置が動作するシーケンスを制御
するシーケンス制御装置13´を含む。受像管駆動装置10
´は電子ビーム発生システム14およびカラー受像管16の
偏向装置15を駆動する。分析装置11´はRAM17、分析
論理ユニット18´およびディスプレイ19を有する。CC
D画像コンバータ20(図12参照)は2つの画像コンバ
ータカメラ12.Rおよび12.Lのそれぞれに配置されてい
る。シーケンス制御装置13´によって付勢される切替え
スイッチ21は、2つの画像コンバータカメラを切替える
ために使用される。
´、右画像コンバータカメラ12.R、左画像コンバータカ
メラ12.Lおよび上記の装置が動作するシーケンスを制御
するシーケンス制御装置13´を含む。受像管駆動装置10
´は電子ビーム発生システム14およびカラー受像管16の
偏向装置15を駆動する。分析装置11´はRAM17、分析
論理ユニット18´およびディスプレイ19を有する。CC
D画像コンバータ20(図12参照)は2つの画像コンバ
ータカメラ12.Rおよび12.Lのそれぞれに配置されてい
る。シーケンス制御装置13´によって付勢される切替え
スイッチ21は、2つの画像コンバータカメラを切替える
ために使用される。
【0005】CCD画像コンバータ20用のデータは図1
2に示されている。CCD画素からの電荷はシーケンス
制御装置13´によってRAM17に読取られる。RAMは
それぞれ8ビット(256 キロバイト)の1018[sic]
セル(1018CCD画素に対応した)を有している。良く
理解するために、図12は、CCD画素の数および構造
に対応したxおよびyの各方向の512 RAMセルの疑似
アドレスモデルを想定した。この図は、RAMがCCD
から転送された画像に対応した情報を蓄積することがで
きることを明らかにする。
2に示されている。CCD画素からの電荷はシーケンス
制御装置13´によってRAM17に読取られる。RAMは
それぞれ8ビット(256 キロバイト)の1018[sic]
セル(1018CCD画素に対応した)を有している。良く
理解するために、図12は、CCD画素の数および構造
に対応したxおよびyの各方向の512 RAMセルの疑似
アドレスモデルを想定した。この図は、RAMがCCD
から転送された画像に対応した情報を蓄積することがで
きることを明らかにする。
【0006】図13のaは、画像コンバータカメラ12.R
または12.Lの1つにおけるCCD画像コンバータ20によ
って記録された画像の一部分を概略的に示す。図13a
は蛍光体ストリップR,GおよびBの内側の輝度スポッ
ト22を示す。しかしながら、画像コンバータは輝度ドメ
インだけすなわち輝度スポット22だけを知覚する。画像
コンバータカメラが図11に示された位置にあるとき、
これらの輝度スポットはほぼ 240μmの幅であり、蛍光
体ストリップの幅はほぼ 300μmである。輝度スポット
の高さはほぼ 700μmであるが、その他すべての対応し
た添付図面のように図13においてそれらは幅より小さ
い高さで描かれている。赤色放射ドメインは右上りの破
線の斜線によって、また緑色放射ドメインは実線の斜線
によって、また青色放射ドメインは左上りの斜線によっ
て示されている。
または12.Lの1つにおけるCCD画像コンバータ20によ
って記録された画像の一部分を概略的に示す。図13a
は蛍光体ストリップR,GおよびBの内側の輝度スポッ
ト22を示す。しかしながら、画像コンバータは輝度ドメ
インだけすなわち輝度スポット22だけを知覚する。画像
コンバータカメラが図11に示された位置にあるとき、
これらの輝度スポットはほぼ 240μmの幅であり、蛍光
体ストリップの幅はほぼ 300μmである。輝度スポット
の高さはほぼ 700μmであるが、その他すべての対応し
た添付図面のように図13においてそれらは幅より小さ
い高さで描かれている。赤色放射ドメインは右上りの破
線の斜線によって、また緑色放射ドメインは実線の斜線
によって、また青色放射ドメインは左上りの斜線によっ
て示されている。
【0007】図14aは蛍光物質が蛍光体ストリップの
表面全体において励起される場合を示す。これは、蛍光
体ストリップの幅全体が照明されるような程度に外部U
V光源により、または電子ビーム発生システムにより発
生された電子ビームの焦点をぼかすことによって行われ
る。
表面全体において励起される場合を示す。これは、蛍光
体ストリップの幅全体が照明されるような程度に外部U
V光源により、または電子ビーム発生システムにより発
生された電子ビームの焦点をぼかすことによって行われ
る。
【0008】図11および図12による装置が動作され
たとき、図14のaによる画像は最初にCCD画像コン
バータ20によって記録され、次にRAM17に転送され
る。分析はどの程度の電荷がCCD画素中に蓄積された
かを決定するためにCCD情報の1つの水平ラインに沿
って実行される。この水平ラインに沿った電荷量は図1
4のbに非常に簡単に示されている。電荷量を表示した
信号は水平ラインが蛍光体ストリップと交差するセグメ
ントにおいて高く、一方それは隣接した蛍光体ストリッ
プ間の通路に沿って低い値を有する。実際に蛍光体スト
リップのエッジはあまり急峻ではないため、実際の信号
プロフィールは図14のbのものより明瞭ではない。し
たがって、実際には発光および非発光領域間のエッジが
知覚されることができるように、信号プロフィールは滑
らかにされ、微分が実行され、続いてしきい値比較が行
われる。図14のbにおいて、蛍光体ストリップGの左
エッジはDl で示され、一方右エッジはDr で示されて
いる。左エッジの位置は任意にゼロの値を割当てられ
る。右エッジは右へ68個の画素位置に位置され、これは
左端から約 300μmの距離に対応する。これはスクリー
ン画像が5倍に拡大されるため、22μmの幅の各CCD
画素が4.4 μmの幅の画像画素を表わすためである。
たとき、図14のaによる画像は最初にCCD画像コン
バータ20によって記録され、次にRAM17に転送され
る。分析はどの程度の電荷がCCD画素中に蓄積された
かを決定するためにCCD情報の1つの水平ラインに沿
って実行される。この水平ラインに沿った電荷量は図1
4のbに非常に簡単に示されている。電荷量を表示した
信号は水平ラインが蛍光体ストリップと交差するセグメ
ントにおいて高く、一方それは隣接した蛍光体ストリッ
プ間の通路に沿って低い値を有する。実際に蛍光体スト
リップのエッジはあまり急峻ではないため、実際の信号
プロフィールは図14のbのものより明瞭ではない。し
たがって、実際には発光および非発光領域間のエッジが
知覚されることができるように、信号プロフィールは滑
らかにされ、微分が実行され、続いてしきい値比較が行
われる。図14のbにおいて、蛍光体ストリップGの左
エッジはDl で示され、一方右エッジはDr で示されて
いる。左エッジの位置は任意にゼロの値を割当てられ
る。右エッジは右へ68個の画素位置に位置され、これは
左端から約 300μmの距離に対応する。これはスクリー
ン画像が5倍に拡大されるため、22μmの幅の各CCD
画素が4.4 μmの幅の画像画素を表わすためである。
【0009】蛍光体ストリップGの外側エッジが定めら
れると直ぐに、図13のaによる輝度スポット画像は記
録される。分析は図14のbを参照して説明された[?
手順か]にしたがって行われ、結果的に図13のbによ
る信号プロフィールを生成する。蛍光体ストリップG上
の輝度スポット22の左外側エッジSl は、左蛍光体スト
リップエッジDl の位置から約10μm離れて配置され
る。右輝度スポットエッジSr は 250μmである。
れると直ぐに、図13のaによる輝度スポット画像は記
録される。分析は図14のbを参照して説明された[?
手順か]にしたがって行われ、結果的に図13のbによ
る信号プロフィールを生成する。蛍光体ストリップG上
の輝度スポット22の左外側エッジSl は、左蛍光体スト
リップエッジDl の位置から約10μm離れて配置され
る。右輝度スポットエッジSr は 250μmである。
【0010】図13のbおよび図14のbを参照して説
明されたデータから、輝度スポット22の中心線MSがほ
ぼ 130μmに配置され、一方蛍光体ストリップGの中心
線MDがほぼ 150μmに位置されることは明らかであ
る。これら2つの中心線の間の差は20μmのターゲット
照準エラーLFに対応する。
明されたデータから、輝度スポット22の中心線MSがほ
ぼ 130μmに配置され、一方蛍光体ストリップGの中心
線MDがほぼ 150μmに位置されることは明らかであ
る。これら2つの中心線の間の差は20μmのターゲット
照準エラーLFに対応する。
【0011】したがって、既知のプロセスは以下の特徴
を有する: (a)少なくともターゲット照準が測定される蛍光体ス
トリップにおける蛍光物質を励起し、(b)画像コンバ
ータにより輝度ストリップの画像を記録し、(c)電荷
量の転移が配置され、したがって蛍光体ストリップの外
側エッジを決定する画像コンバータの外側エッジに関し
てエッジを限定するために画像コンバータにおいて発生
された電荷パターンを分析し、(d)前記電子ビームが
前記蛍光体ストリップ上に輝度スポットを発生するよう
に受像管を動作し、(e)実際に発生される輝度スポッ
トの画像を記録し、(f)外側エッジの位置を決定する
ために輝度スポットの画像を分析し、(h)電子ビーム
のターゲット照準を決定するために輝度スポットの外側
エッジの位置と蛍光体ストリップの外側エッジの位置を
比較する。
を有する: (a)少なくともターゲット照準が測定される蛍光体ス
トリップにおける蛍光物質を励起し、(b)画像コンバ
ータにより輝度ストリップの画像を記録し、(c)電荷
量の転移が配置され、したがって蛍光体ストリップの外
側エッジを決定する画像コンバータの外側エッジに関し
てエッジを限定するために画像コンバータにおいて発生
された電荷パターンを分析し、(d)前記電子ビームが
前記蛍光体ストリップ上に輝度スポットを発生するよう
に受像管を動作し、(e)実際に発生される輝度スポッ
トの画像を記録し、(f)外側エッジの位置を決定する
ために輝度スポットの画像を分析し、(h)電子ビーム
のターゲット照準を決定するために輝度スポットの外側
エッジの位置と蛍光体ストリップの外側エッジの位置を
比較する。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】既知の装置は受像管駆
動装置、画像コンバータ、分析装置およびシーケンス制
御装置を有し、これらの装置は上記のプロセスが実行さ
れるように設計されている。
動装置、画像コンバータ、分析装置およびシーケンス制
御装置を有し、これらの装置は上記のプロセスが実行さ
れるように設計されている。
【0013】上記に説明された測定に対する必要条件
は、輝度スポット22が関連した蛍光体ストリップ上に完
全に存在していることである。これがそうでない場合に
は、図15によって示されたように輝度スポット22の中
心はその外側エッジの1つの位置が知られていないた
め、決定されることができない。図15は受像管の中心
に対するこの場合を示し、示された実施例によると輝度
スポットは 220μmの幅であり、蛍光体ストリップは少
しだけ広く、すなわち 240μmである。この寸法関係の
ために、輝度スポットはターゲット照準エラーが小さく
ても関連した蛍光体ストリップ上に全体的に存在しな
い。したがって、上記の装置は実際に受像管の中心にお
けるターゲット照準を測定するのに適しておらず、大き
いターゲット照準エラーにより受像管上のターゲット照
準を測定するために適切ではない。最後に、このような
受像管に関して電子スポットは常に蛍光体ストリップよ
り広いため、それはマトリクス受像管上の測定に全く適
さない。
は、輝度スポット22が関連した蛍光体ストリップ上に完
全に存在していることである。これがそうでない場合に
は、図15によって示されたように輝度スポット22の中
心はその外側エッジの1つの位置が知られていないた
め、決定されることができない。図15は受像管の中心
に対するこの場合を示し、示された実施例によると輝度
スポットは 220μmの幅であり、蛍光体ストリップは少
しだけ広く、すなわち 240μmである。この寸法関係の
ために、輝度スポットはターゲット照準エラーが小さく
ても関連した蛍光体ストリップ上に全体的に存在しな
い。したがって、上記の装置は実際に受像管の中心にお
けるターゲット照準を測定するのに適しておらず、大き
いターゲット照準エラーにより受像管上のターゲット照
準を測定するために適切ではない。最後に、このような
受像管に関して電子スポットは常に蛍光体ストリップよ
り広いため、それはマトリクス受像管上の測定に全く適
さない。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明によるプロセスは
上記に示された特徴(a)乃至(f)および(h)を有
し、ステップ(f)後に以下のプロセスが連続すること
を特徴とする: (g)輝度スポットの外側エッジが蛍光体ストリップの
外側エッジの内側に存在し、この条件が満足された場
合、ステップ(h)が実行され、満足されない場合、補
助偏向装置を通る電流によって変位および測定シーケン
スが実行され、それにおいて輝度スポットを発生する電
子スポットはその2つの外側エッジが明確に知覚可能で
あるように少なくとも1度変位され、各輝度スポット画
像は記録され分析され、その分析データから電子スポッ
トの幅および変位並びにその外側エッジの元の位置が決
定され、その後ステップ(h)が実行される。
上記に示された特徴(a)乃至(f)および(h)を有
し、ステップ(f)後に以下のプロセスが連続すること
を特徴とする: (g)輝度スポットの外側エッジが蛍光体ストリップの
外側エッジの内側に存在し、この条件が満足された場
合、ステップ(h)が実行され、満足されない場合、補
助偏向装置を通る電流によって変位および測定シーケン
スが実行され、それにおいて輝度スポットを発生する電
子スポットはその2つの外側エッジが明確に知覚可能で
あるように少なくとも1度変位され、各輝度スポット画
像は記録され分析され、その分析データから電子スポッ
トの幅および変位並びにその外側エッジの元の位置が決
定され、その後ステップ(h)が実行される。
【0015】本発明による装置は、ターゲット照準が変
化されることができる補助偏向装置が付加的に存在して
いる既知のものとは、シーケンス制御装置および分析装
置が上記に述べられたステップ(g)を実行することが
できるように設計されている点で異なっている。
化されることができる補助偏向装置が付加的に存在して
いる既知のものとは、シーケンス制御装置および分析装
置が上記に述べられたステップ(g)を実行することが
できるように設計されている点で異なっている。
【0016】本発明による方法および装置は、不可視の
電子スポットエッジの位置が電子スポットに対する変位
および測定シーケンスによって知覚されることができ、
それから電子スポットの中心、したがって蛍光体ストリ
ップ上のそのターゲット照準が決定されることができる
ことを保証する。
電子スポットエッジの位置が電子スポットに対する変位
および測定シーケンスによって知覚されることができ、
それから電子スポットの中心、したがって蛍光体ストリ
ップ上のそのターゲット照準が決定されることができる
ことを保証する。
【0017】変位シーケンスが必要か否かの決定が行わ
れることが好ましい。このために、輝度スポットの検出
された外側エッジが測定精度内で蛍光体ストリップの検
出された外側エッジと一致するか否かに関して検査が行
われる。一致した場合、これら2つのエッジが実際に正
確に一致するか否か、或は電子スポットの適切なエッジ
が蛍光体ストリップのない領域に存在するか否かは不明
である。この場合、輝度スポットは一度変位される。事
実、電子スポットの2つの外側エッジが明確に知覚でき
ない場合は2度変位される。この場合、変位感度は反復
された変位によって較正され、この感度は補助偏向装置
を通してスポット変位電流が送られないときに、電子ス
ポットが配置される箇所を計算して決定するために使用
される。
れることが好ましい。このために、輝度スポットの検出
された外側エッジが測定精度内で蛍光体ストリップの検
出された外側エッジと一致するか否かに関して検査が行
われる。一致した場合、これら2つのエッジが実際に正
確に一致するか否か、或は電子スポットの適切なエッジ
が蛍光体ストリップのない領域に存在するか否かは不明
である。この場合、輝度スポットは一度変位される。事
実、電子スポットの2つの外側エッジが明確に知覚でき
ない場合は2度変位される。この場合、変位感度は反復
された変位によって較正され、この感度は補助偏向装置
を通してスポット変位電流が送られないときに、電子ス
ポットが配置される箇所を計算して決定するために使用
される。
【0018】
【実施例】図1による本発明による装置は図11による
市販の装置に非常に類似しており、したがってここでは
相違点だけについて説明する。補助偏向装置23は、電子
ビーム発生システム14の前端部の付近に配置されてい
る。受像管駆動装置10はまた、電子ビーム発生システム
14および偏向装置15に加えて補助偏向装置23を駆動する
ように設計される。分析装置において、分析論理ユニッ
トは既知の装置と少し異なって設計されているため、参
照符号11´および18´ではなく参照符号11および18が使
用される。さらに、設計における変化のために、シーケ
ンス制御装置は参照符号13´ではなく13で示されてい
る。2つの画像コンバータカメラの代わりに、単一の画
像コンバータカメラ12が存在し、カラー受像管16のスク
リーンの中心に配置されている。単一の画像コンバータ
カメラ12を持つこの図は、本発明による装置および関連
したプロセスは、大部分の電子スポットがそれらの各蛍
光体ストリップ上に完全に命中しない場合でも当然使用
できることを示すために機能する。しかしながら、それ
にもかかわらず実際のターゲット照準測定のために、2
つの画像カメラ12.Rおよび12.Lがしばしば使用される。
スクリーンの中心の外側の位置でターゲット照準はシャ
ドウマスクが加熱されたときに特に臨界的になるため、
これらは図11に示されたようにスクリーン上に配置さ
れる。したがって、後続する受像管調節のためにこれら
の重要なドメインにおいてターゲット照準を測定するこ
とが有効である。本発明による装置およびプロセスの使
用は、ターゲット照準エラーの大きさにかかわらず、ま
た受像管がマトリクスストリップを有しているか否かに
かかわらず全ての受像管が試験されることができるとい
う利点を伴う。
市販の装置に非常に類似しており、したがってここでは
相違点だけについて説明する。補助偏向装置23は、電子
ビーム発生システム14の前端部の付近に配置されてい
る。受像管駆動装置10はまた、電子ビーム発生システム
14および偏向装置15に加えて補助偏向装置23を駆動する
ように設計される。分析装置において、分析論理ユニッ
トは既知の装置と少し異なって設計されているため、参
照符号11´および18´ではなく参照符号11および18が使
用される。さらに、設計における変化のために、シーケ
ンス制御装置は参照符号13´ではなく13で示されてい
る。2つの画像コンバータカメラの代わりに、単一の画
像コンバータカメラ12が存在し、カラー受像管16のスク
リーンの中心に配置されている。単一の画像コンバータ
カメラ12を持つこの図は、本発明による装置および関連
したプロセスは、大部分の電子スポットがそれらの各蛍
光体ストリップ上に完全に命中しない場合でも当然使用
できることを示すために機能する。しかしながら、それ
にもかかわらず実際のターゲット照準測定のために、2
つの画像カメラ12.Rおよび12.Lがしばしば使用される。
スクリーンの中心の外側の位置でターゲット照準はシャ
ドウマスクが加熱されたときに特に臨界的になるため、
これらは図11に示されたようにスクリーン上に配置さ
れる。したがって、後続する受像管調節のためにこれら
の重要なドメインにおいてターゲット照準を測定するこ
とが有効である。本発明による装置およびプロセスの使
用は、ターゲット照準エラーの大きさにかかわらず、ま
た受像管がマトリクスストリップを有しているか否かに
かかわらず全ての受像管が試験されることができるとい
う利点を伴う。
【0019】図2は、スクリーン上の電子ビームのター
ゲット照準が補助偏向装置23によってどのように変化さ
れることができるかを示す。図2のaおよびbにおい
て、2つの電子ビームすなわち実線の直線として第1の
ビームおよび破線の折れ線として第2のビームが示され
ている。2つのグラフからターゲット照準変位LVは、
受像管16のスクリーンに向って見たとき、補助偏向平面
HAhが偏向装置15の主偏向平面Aの背後に構成された
補助偏向装置、または偏向平面HAvが主偏向平面Aの
前方に配置されるもののいずれによって達成されること
が可能である。偏向装置15の背後に配置された補助偏向
装置23は偏向装置15の前方に配置された補助偏向装置よ
り大きい精度および小さい物理的複雑性により電子ビー
ムを調節することができるが、実際は特に受像管のネッ
クの周囲の偏向装置15の背後の空間全体が電子ビーム発
生システム上の磁気リングを磁化する磁化構造またはこ
のような2つの磁気リングによって占められ、例えば本
発明による装置により得られたターゲット照準測定結果
に基づいて磁化電流が決定された場合、偏向装置の正面
に配置された補助偏向装置が好ましい。
ゲット照準が補助偏向装置23によってどのように変化さ
れることができるかを示す。図2のaおよびbにおい
て、2つの電子ビームすなわち実線の直線として第1の
ビームおよび破線の折れ線として第2のビームが示され
ている。2つのグラフからターゲット照準変位LVは、
受像管16のスクリーンに向って見たとき、補助偏向平面
HAhが偏向装置15の主偏向平面Aの背後に構成された
補助偏向装置、または偏向平面HAvが主偏向平面Aの
前方に配置されるもののいずれによって達成されること
が可能である。偏向装置15の背後に配置された補助偏向
装置23は偏向装置15の前方に配置された補助偏向装置よ
り大きい精度および小さい物理的複雑性により電子ビー
ムを調節することができるが、実際は特に受像管のネッ
クの周囲の偏向装置15の背後の空間全体が電子ビーム発
生システム上の磁気リングを磁化する磁化構造またはこ
のような2つの磁気リングによって占められ、例えば本
発明による装置により得られたターゲット照準測定結果
に基づいて磁化電流が決定された場合、偏向装置の正面
に配置された補助偏向装置が好ましい。
【0020】図3および図4は、図1の装置により図1
5のターゲット照準の場合に対して信頼性の高いターゲ
ット照準測定がどのようにして実現可能かを示す。これ
に関して、図3のaは図5に対応する。図3のcは、図
14のaおよびbを参照して説明されたことに対応した
蛍光体ストリップGの外側エッジの位置を決定する測定
結果を示す。蛍光体ストリップの左エッジは再度ゼロの
値を割当てられる。蛍光体ストリップの右エッジは 240
μmに位置し、蛍光体ストリップの中心線MDは 120μ
mに存在している。図3のbは輝度スポットの左エッジ
が蛍光体ストリップの左エッジと一致していることを意
味する。それは知覚できないが、電子スポットのエッジ
がさらに左へ、すなわちx座標プラス20μmに位置され
るためである。電子スポットしたがって輝度スポットの
右端は 200μmに配置される。
5のターゲット照準の場合に対して信頼性の高いターゲ
ット照準測定がどのようにして実現可能かを示す。これ
に関して、図3のaは図5に対応する。図3のcは、図
14のaおよびbを参照して説明されたことに対応した
蛍光体ストリップGの外側エッジの位置を決定する測定
結果を示す。蛍光体ストリップの左エッジは再度ゼロの
値を割当てられる。蛍光体ストリップの右エッジは 240
μmに位置し、蛍光体ストリップの中心線MDは 120μ
mに存在している。図3のbは輝度スポットの左エッジ
が蛍光体ストリップの左エッジと一致していることを意
味する。それは知覚できないが、電子スポットのエッジ
がさらに左へ、すなわちx座標プラス20μmに位置され
るためである。電子スポットしたがって輝度スポットの
右端は 200μmに配置される。
【0021】図4のaにおいて、電子スポットはそれが
隣接した蛍光体ストリップ上に2つの部分的な輝度スポ
ット22.Rおよび22.Gを生成する程度に変位される。変位
は電子スポットの両外側エッジが隣接した蛍光体ストリ
ップ内に明確に配置されるように行われる。図3のcに
よると、隣接した蛍光体ストリップ間の分離は30μmで
ある。図3から蛍光体ストリップの左外側エッジおよび
輝度スポットが一致することは明らかであるが、電子ス
ポットの左外側エッジがどこに存在しているかは不明で
あり、そのために2つの外側エッジは正確に一致してい
ると仮定される。偏向電流は補助偏向装置23を通して供
給されなければならず、この電流は30μmの分離距離に
わたり、明確な測定ができる左側でそれに隣接した蛍光
体ストリップ中に左外側エッジを変位するのに明らかに
十分である。比較的低い補助偏向電流により実行される
ことが希望された場合、可視的な輝度スポットの右外側
エッジおよび電子スポットの近似的に知られている幅は
電子スポットの左外側エッジがかなり大まかに配置され
る箇所を評価するために使用されるように行われること
も可能である。これが電子スポットの左外側エッジが既
に左側で隣接した蛍光体ストリップの右外側エッジに非
常に近接して配置されたことを示した場合、比較的低い
補助偏向電流は左側において明確に蛍光体ストリップ中
に電子スポットの左外側エッジを変位するために使用さ
れることができる。
隣接した蛍光体ストリップ上に2つの部分的な輝度スポ
ット22.Rおよび22.Gを生成する程度に変位される。変位
は電子スポットの両外側エッジが隣接した蛍光体ストリ
ップ内に明確に配置されるように行われる。図3のcに
よると、隣接した蛍光体ストリップ間の分離は30μmで
ある。図3から蛍光体ストリップの左外側エッジおよび
輝度スポットが一致することは明らかであるが、電子ス
ポットの左外側エッジがどこに存在しているかは不明で
あり、そのために2つの外側エッジは正確に一致してい
ると仮定される。偏向電流は補助偏向装置23を通して供
給されなければならず、この電流は30μmの分離距離に
わたり、明確な測定ができる左側でそれに隣接した蛍光
体ストリップ中に左外側エッジを変位するのに明らかに
十分である。比較的低い補助偏向電流により実行される
ことが希望された場合、可視的な輝度スポットの右外側
エッジおよび電子スポットの近似的に知られている幅は
電子スポットの左外側エッジがかなり大まかに配置され
る箇所を評価するために使用されるように行われること
も可能である。これが電子スポットの左外側エッジが既
に左側で隣接した蛍光体ストリップの右外側エッジに非
常に近接して配置されたことを示した場合、比較的低い
補助偏向電流は左側において明確に蛍光体ストリップ中
に電子スポットの左外側エッジを変位するために使用さ
れることができる。
【0022】図4のbによる測定は、輝度スポットが 1
40μm−(−80μm)= 220μmの幅であり、その右外
側エッジは左に 220μm− 140μm=60μm変位された
ことを示す。したがって、輝度スポットの電流中心線M
Sは30μmに配置され、図3による変位されない状態に
おいてそれはさらに右方向60μmすなわち90μmに配置
される。したがって、ターゲット照準エラー、換言する
と蛍光体ストリップの中心線MDからの偏差は 120μm
−90μm=30μmである。
40μm−(−80μm)= 220μmの幅であり、その右外
側エッジは左に 220μm− 140μm=60μm変位された
ことを示す。したがって、輝度スポットの電流中心線M
Sは30μmに配置され、図3による変位されない状態に
おいてそれはさらに右方向60μmすなわち90μmに配置
される。したがって、ターゲット照準エラー、換言する
と蛍光体ストリップの中心線MDからの偏差は 120μm
−90μm=30μmである。
【0023】図3および図4は2つの外側エッジの1つ
が最初に知覚不可能である場合を示すために使用された
が、図5乃至図7は電子スポットが変位されない場合は
両外側エッジが知覚不可能である場合に関する。図5の
aおよびcによると、マトリクスストリップの70μmだ
け分離した幅 200μmの幅の蛍光体ストリップが存在す
る。最初に、輝度スポットの両外側エッジは蛍光体スト
リップGの外側エッジと一致する。
が最初に知覚不可能である場合を示すために使用された
が、図5乃至図7は電子スポットが変位されない場合は
両外側エッジが知覚不可能である場合に関する。図5の
aおよびcによると、マトリクスストリップの70μmだ
け分離した幅 200μmの幅の蛍光体ストリップが存在す
る。最初に、輝度スポットの両外側エッジは蛍光体スト
リップGの外側エッジと一致する。
【0024】図6の場合、全ての電子スポットは左側に
大きく変位され、この中心電子スポットの2つの外側エ
ッジが輝度スポットの関連した外側エッジによって明確
に知覚可能であり、これらの外側エッジは隣接した蛍光
体ストリップRおよびG上に位置される。左外側エッジ
に対して測定された座標は−130 μmであり、再び蛍光
体ストリップGの左外側エッジを参照すると、右エッジ
に対して測定された座標は 110μmである。したがっ
て、輝度スポットは 240μmの幅であり、その垂直中心
線は−10μmに配置される。しかしながら、収集された
データはこの中心線MSがどれ程左方向に変位されるの
かを決定するのに依然として十分ではないため、その元
の位置がそれから逆に計算される。
大きく変位され、この中心電子スポットの2つの外側エ
ッジが輝度スポットの関連した外側エッジによって明確
に知覚可能であり、これらの外側エッジは隣接した蛍光
体ストリップRおよびG上に位置される。左外側エッジ
に対して測定された座標は−130 μmであり、再び蛍光
体ストリップGの左外側エッジを参照すると、右エッジ
に対して測定された座標は 110μmである。したがっ
て、輝度スポットは 240μmの幅であり、その垂直中心
線は−10μmに配置される。しかしながら、収集された
データはこの中心線MSがどれ程左方向に変位されるの
かを決定するのに依然として十分ではないため、その元
の位置がそれから逆に計算される。
【0025】元の位置に関する中心線MSの変位は、各
場合において補助偏向装置23を通る同じ電流を供給する
ことによって1つの受像管から他のものへの電子スポッ
トの同じ変位が生成された場合には知ることができる。
しかしながら、電子発生システム14、偏向装置15および
補助偏向装置23の相対的な位置は1つの受像管によって
変化し、補助偏向装置23を通過する電流とビーム変位と
の間の関係がほぼ50%までの予測エラーによって影響さ
れる。この欠点を除去するために、ここに示された実施
例において補助偏向装置23を通過する電流と輝度スポッ
ト変位との間の関係は較正される。このために、この電
子スポットが図6に示されたように左に変位された後、
それは右に変位され、2つの部分的な輝度スポット22.G
および22.Bと共に図7による画像を生成する。輝度スポ
ットの左エッジは70μmに位置され、これは図6の位置
から 200μmの変位に対応する。実施例において、 200
μmの変位は 600mAの補助偏向装置23を通る電流の差
を要求され、+399 [sic]mAの電流が左への第1
の変位に対して供給され、−300 mAの電流が第2の変
位に対して供給される。−600 mAの電流差から結果的
に生じた右への 200μmの変位は、 300mAの電流が第
1段階で 100μmの変位を生成したことを示す。左に変
位された位置における輝度スポットにより、中心線MS
は−10μmのx座標で観察された。この中心線は最初に
さらに 100μm右方向にすなわち90μmに位置してい
た。したがって、ターゲット照準エラーは 100μmのx
座標に配置された輝度スポットGの中心線MDを参照す
ると10μm(さらに厳密には−10μmすなわち左に変位
された)である。
場合において補助偏向装置23を通る同じ電流を供給する
ことによって1つの受像管から他のものへの電子スポッ
トの同じ変位が生成された場合には知ることができる。
しかしながら、電子発生システム14、偏向装置15および
補助偏向装置23の相対的な位置は1つの受像管によって
変化し、補助偏向装置23を通過する電流とビーム変位と
の間の関係がほぼ50%までの予測エラーによって影響さ
れる。この欠点を除去するために、ここに示された実施
例において補助偏向装置23を通過する電流と輝度スポッ
ト変位との間の関係は較正される。このために、この電
子スポットが図6に示されたように左に変位された後、
それは右に変位され、2つの部分的な輝度スポット22.G
および22.Bと共に図7による画像を生成する。輝度スポ
ットの左エッジは70μmに位置され、これは図6の位置
から 200μmの変位に対応する。実施例において、 200
μmの変位は 600mAの補助偏向装置23を通る電流の差
を要求され、+399 [sic]mAの電流が左への第1
の変位に対して供給され、−300 mAの電流が第2の変
位に対して供給される。−600 mAの電流差から結果的
に生じた右への 200μmの変位は、 300mAの電流が第
1段階で 100μmの変位を生成したことを示す。左に変
位された位置における輝度スポットにより、中心線MS
は−10μmのx座標で観察された。この中心線は最初に
さらに 100μm右方向にすなわち90μmに位置してい
た。したがって、ターゲット照準エラーは 100μmのx
座標に配置された輝度スポットGの中心線MDを参照す
ると10μm(さらに厳密には−10μmすなわち左に変位
された)である。
【0026】図6および図7において、輝度スポットは
両方の場合にこの輝度スポットの両外側エッジが知覚可
能であるように位置される。しかしながら、それは両外
側エッジが2つの場合の一方だけで知覚可能であれば十
分である。幅、したがって中心線MSの位置は両外側エ
ッジが知覚可能である画像から決定され、一方上記の較
正したがって中心線MSの元の位置への変換は両画像に
おいて知覚可能な外側エッジを変位することによって実
行される。
両方の場合にこの輝度スポットの両外側エッジが知覚可
能であるように位置される。しかしながら、それは両外
側エッジが2つの場合の一方だけで知覚可能であれば十
分である。幅、したがって中心線MSの位置は両外側エ
ッジが知覚可能である画像から決定され、一方上記の較
正したがって中心線MSの元の位置への変換は両画像に
おいて知覚可能な外側エッジを変位することによって実
行される。
【0027】両外側エッジが図6および図7に示された
ように2つの変位後に知覚可能である場合、この輝度ス
ポットの中心線MSは図6にしたがって画像を測定した
直後に決定される必要はなく、その代りとして試験され
る電子スポットの外側エッジの元の位置を計算し、これ
らの外側エッジによって電子スポットの中心線MSを決
定するために図6の画像を使用することも可能である。
ように2つの変位後に知覚可能である場合、この輝度ス
ポットの中心線MSは図6にしたがって画像を測定した
直後に決定される必要はなく、その代りとして試験され
る電子スポットの外側エッジの元の位置を計算し、これ
らの外側エッジによって電子スポットの中心線MSを決
定するために図6の画像を使用することも可能である。
【0028】図8は、ターゲット照準が上記に論じられ
た全ての場合においてできるだけ迅速に定められるよう
に図1による装置によって好ましく実行されるような、
すなわち電子スポットの両外側エッジは始めから知覚可
能である図13、1つの外側エッジだけが知覚可能であ
る図3のa、および最初に両外側エッジが認められない
図5のaによるシーケンスを示す。
た全ての場合においてできるだけ迅速に定められるよう
に図1による装置によって好ましく実行されるような、
すなわち電子スポットの両外側エッジは始めから知覚可
能である図13、1つの外側エッジだけが知覚可能であ
る図3のa、および最初に両外側エッジが認められない
図5のaによるシーケンスを示す。
【0029】図8のフロー図のステップs1 において、
受像管は図14のaに示されたように蛍光体ストリップ
が完全に発光し、関連した画像が記録されるように動作
される。この画像から蛍光体ストリップの外側エッジの
位置が決定され、ストリップの垂直中心線MDの位置は
図14のbによって示されたようにこれ(ステップs2
)から導かれる。電子スポットの位置を決定する後続
的なステップが存在する。このために、受像管は電子ス
ポットがスクリーンを照射し、対応した輝度スポット画
像が記録されるように動作される(ステップs3 )。そ
の後、画像における水平輝度転移の位置が決定される
(ステップs4 )。2つの輝度転移が1つの蛍光体スト
リップ内に位置されていることがステップ5で決定され
て認められた場合、プロセスは図13に基づいて最初に
示されたプロセスシーケンスを含むステップs6 により
終了する。ステップs1 乃至s4 およびs6 のシーケン
スは、図11を参照して示された装置によって遂行され
たプロセスシーケンスに対応する。
受像管は図14のaに示されたように蛍光体ストリップ
が完全に発光し、関連した画像が記録されるように動作
される。この画像から蛍光体ストリップの外側エッジの
位置が決定され、ストリップの垂直中心線MDの位置は
図14のbによって示されたようにこれ(ステップs2
)から導かれる。電子スポットの位置を決定する後続
的なステップが存在する。このために、受像管は電子ス
ポットがスクリーンを照射し、対応した輝度スポット画
像が記録されるように動作される(ステップs3 )。そ
の後、画像における水平輝度転移の位置が決定される
(ステップs4 )。2つの輝度転移が1つの蛍光体スト
リップ内に位置されていることがステップ5で決定され
て認められた場合、プロセスは図13に基づいて最初に
示されたプロセスシーケンスを含むステップs6 により
終了する。ステップs1 乃至s4 およびs6 のシーケン
スは、図11を参照して示された装置によって遂行され
たプロセスシーケンスに対応する。
【0030】新しく挿入されたステップs5 において、
2つの輝度転移が蛍光体ストリップ上にないことが認め
られた場合、シーケンスは1つの輝度転移がストリップ
上に位置されるか否かに関する決定が行われるステップ
s7 に至る。ストリップ上に位置される場合、第1のサ
ブプログラムu1 はマーカーAおよびB間において遂行
し、そうでない、すなわち図5の場合には、第2のサブ
プログラムu2 がマーカーCおよびD間において行われ
る。
2つの輝度転移が蛍光体ストリップ上にないことが認め
られた場合、シーケンスは1つの輝度転移がストリップ
上に位置されるか否かに関する決定が行われるステップ
s7 に至る。ストリップ上に位置される場合、第1のサ
ブプログラムu1 はマーカーAおよびB間において遂行
し、そうでない、すなわち図5の場合には、第2のサブ
プログラムu2 がマーカーCおよびD間において行われ
る。
【0031】図9は、3つの個々のステップu1.1 乃至
u1.3 に分割された第1のサブプログラムu1 を示す。
図9によるフロー図のステップは詳細にラベルを付けら
れており、シーケンスは図3および図4を参照して最初
に示されたものに対応しているため、ここではこのシー
ケンスの説明を省略する。
u1.3 に分割された第1のサブプログラムu1 を示す。
図9によるフロー図のステップは詳細にラベルを付けら
れており、シーケンスは図3および図4を参照して最初
に示されたものに対応しているため、ここではこのシー
ケンスの説明を省略する。
【0032】図10は5つの個々のステップu2.1 乃至
u2.5 に分割された第2のサブプログラムu2 を示す。
ここにおいても、図5乃至図7を参照した最初の説明に
よって支持されたフロー図の詳細なラベル付けがなされ
ている。
u2.5 に分割された第2のサブプログラムu2 を示す。
ここにおいても、図5乃至図7を参照した最初の説明に
よって支持されたフロー図の詳細なラベル付けがなされ
ている。
【0033】図8のフロー図によると、電子スポットの
位置を決定するシーケンスの実行は、2つの外側エッジ
のいくつがスポットを変位せずに知覚可能であるかに依
存している。しかしながら、プロセスシーケンスが常に
第2のサブプログラムu2 、すなわち電子スポットの外
側エッジが最初に知覚可能でなくても、信頼性の高い結
果を生じるシーケンスにしたがって発生するように進め
ることも可能である。したがって、実際に不要である場
合でも、最も複雑なシーケンスが実行されるが、これは
場合に応じて区別する必要性をなくする。
位置を決定するシーケンスの実行は、2つの外側エッジ
のいくつがスポットを変位せずに知覚可能であるかに依
存している。しかしながら、プロセスシーケンスが常に
第2のサブプログラムu2 、すなわち電子スポットの外
側エッジが最初に知覚可能でなくても、信頼性の高い結
果を生じるシーケンスにしたがって発生するように進め
ることも可能である。したがって、実際に不要である場
合でも、最も複雑なシーケンスが実行されるが、これは
場合に応じて区別する必要性をなくする。
【図1】カラー受像管およびターゲット照準を測定する
装置のブロック図。
装置のブロック図。
【図2】受像管の方を見て偏向装置の背面または受像管
の背面のいずれかに配置されることができる補助偏向装
置によりターゲット照準がどのように使用されることが
できるかを説明した概略図。
の背面のいずれかに配置されることができる補助偏向装
置によりターゲット照準がどのように使用されることが
できるかを説明した概略図。
【図3】電子スポットの1つの外側エッジが蛍光体スト
リップ上にない場合の輝度スポット画像、水平ラインに
沿った輝度スポット測定および同じ水平ラインに沿った
蛍光体ストリップ測定に対する信号プロフィールを説明
する概略図。
リップ上にない場合の輝度スポット画像、水平ラインに
沿った輝度スポット測定および同じ水平ラインに沿った
蛍光体ストリップ測定に対する信号プロフィールを説明
する概略図。
【図4】図3のものに対応しているが、図3による電子
スポットがその外側エッジの両方が輝度スポットの外側
エッジとして知覚可能である左端に変位された場合の概
略図。
スポットがその外側エッジの両方が輝度スポットの外側
エッジとして知覚可能である左端に変位された場合の概
略図。
【図5】図3のものに対応しているが、マトリクススト
リップを持つカラー受像管において電子ビームの外側エ
ッジがいずれも蛍光体ストリップの内側にない場合の概
略図。
リップを持つカラー受像管において電子ビームの外側エ
ッジがいずれも蛍光体ストリップの内側にない場合の概
略図。
【図6】図5のa,bのものに対応しているが、図5に
よる電子スポットの2つの外側エッジが輝度スポットの
外側エッジの形態で知覚可能である左端に変位された場
合の概略図。
よる電子スポットの2つの外側エッジが輝度スポットの
外側エッジの形態で知覚可能である左端に変位された場
合の概略図。
【図7】図5のa,bのものに対応しているが、電子ス
ポットの2つの外側エッジが輝度スポットの外側エッジ
の形態で知覚可能である右端に変位された場合の図。
ポットの2つの外側エッジが輝度スポットの外側エッジ
の形態で知覚可能である右端に変位された場合の図。
【図8】図1による装置によって実行される動作プロセ
スを説明するための要約フロー図。
スを説明するための要約フロー図。
【図9】図8のシーケンス中のサブプログラムu1 に対
するフロー図。
するフロー図。
【図10】図8のフロー図におけるサブプログラムu2
に対するフロー図。
に対するフロー図。
【図11】図1のものに対応する従来の装置のブロック
回路図。
回路図。
【図12】図1による装置において使用されているよう
なCCDコンバータ中の画素分布およびRAMの疑似ア
ドレスの概略図。
なCCDコンバータ中の画素分布およびRAMの疑似ア
ドレスの概略図。
【図13】図3のa,bに対応しているが、電子スポッ
トの外側エッジが蛍光体ストリップ内に存在している場
合の概略図。
トの外側エッジが蛍光体ストリップ内に存在している場
合の概略図。
【図14】図13のa,bに対応しているが、輝度スポ
ットのものではなくその外側エッジが決定されることが
できるように、輝度ストリップが完全に照明されている
場合の概略図。
ットのものではなくその外側エッジが決定されることが
できるように、輝度ストリップが完全に照明されている
場合の概略図。
【図15】図3のaのものに対応した概略図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ツェリィオ・ゼルンホルスト ドイツ連邦共和国、3100 ツェレ、テレフ ンケンシュトラーセ 3 (72)発明者 クルト・リンガー ドイツ連邦共和国、2803 バイヘ、ハルデ ンベルクシュトラーセ 31
Claims (4)
- 【請求項1】 (a)少なくともターゲット照準が測定
される蛍光体ストリップにおける蛍光物質を励起し、 (b)画像コンバータにより輝度ストリップの画像を記
録し、 (c)電荷量の転移が配置され、したがって蛍光体スト
リップの外側エッジを決定する画像コンバータの外側エ
ッジに関してエッジを限定するために画像コンバータに
おいて発生された電荷パターンを分析し、 (d)電子ビームが前記蛍光体ストリップ上に輝度スポ
ットを発生するように受像管を動作し、 (e)実際に発生される輝度スポットの画像を記録し、 (f)外側エッジの位置を決定するために輝度スポット
の画像を分析し、 (h)電子ビームのターゲット照準を決定するために輝
度スポットの外側エッジの位置と蛍光体ストリップの外
側エッジの位置を比較するステップを含み、シャドウマ
スク中のスロットを通過し、受像管のスクリーン上の蛍
光体ストリップを照射する多ビームカラー受像管におけ
る電子ビームのターゲット照準を測定する方法におい
て、 ステップ(f)の後に、 (g)輝度スポットの外側エッジが蛍光体ストリップの
外側エッジの内側に存在するか否かの決定が行われ、 この条件が満足された場合、前記ステップ(h)が実行
され、 満足されない場合、補助偏向装置を通る電流によって変
位および測定シーケンスが実行され、それにおいて輝度
スポットを発生する電子スポットはその2つの外側エッ
ジが明確に知覚可能であるように少なくとも1度変位さ
れ、各輝度スポット画像は記録され分析され、その分析
データから電子スポットの幅および変位並びにその外側
エッジの元の位置が決定され、その後ステップ(h)が
実行されることを特徴とする測定方法。 - 【請求項2】 前記変位シーケンスは、 (g1)電子スポットがその2つの外側エッジが明確に
知覚可能であるように補助偏向装置を通る第1の電流に
よって変位され、この電子スポットの画像が外側エッジ
の位置から電子スポットの幅を決定するように記録され
て分析され、この値が蓄積されるステップと、 (g2)第1の電流の値および電子スポットの2つの外
側エッジの位置を特徴付ける値が蓄積されるステップ
と、 (g3)電子スポットが、2つの外側エッジの少なくと
も1つが明確に知覚可能である程度に反対方向に補助偏
向装置を通る第2の電流によって変位され、この電子ス
ポットの画像がステップ(g1)および(g3)で知覚
可能な外側エッジの変位を決定するように記録され、分
析されるステップと、 (g4)この変位および第1と第2の電流間の差を使用
して、ステップ(g1)および(g3)において知覚可
能な外側エッジの元の位置すなわち補助偏向装置を通る
電流の不在時の変位されない位置が決定されるステップ
とを含み、 (g5)ステップ(h)はこの外側エッジの位置および
電子スポットの幅を使用して実行される請求項1記載の
方法。 - 【請求項3】 前記変位シーケンス中、輝度スポットの
外側エッジが蛍光体ストリップの外側エッジ内に存在す
るか否かに関する検査が行われ、 存在する場合、請求項2のステップ(g1)乃至(g
5)が実行され、 存在しない場合、その2つの外側エッジが隣接した蛍光
体ストリップ上で明確に知覚可能であるように十分に電
子スポットが変位され、輝度スポットの画像が画像コン
バータによって記録され、輝度スポットの前記外側エッ
ジの位置を参照して分析され、したがって電子スポット
の幅および元の位置に関するその変位を限定し、そのデ
ータから始めの知覚不可能な外側エッジの位置が決定さ
れ、その情報によりステップ(h)による分析が実行さ
れることを特徴とする請求項1または2記載の方法。 - 【請求項4】 シャドウマスク中のスロットを通過し、
受像管のスクリーン上の蛍光体ストリップを照射する多
ビームカラー受像管における電子ビームのターゲット照
準を測定する装置において、 画像コンバータ構造と、 受像管駆動装置と、 分析装置と、 シーケンス制御装置とを具備し、 シーケンス制御装置および分析装置は請求項1記載のス
テップ(a)乃至(h)を実行するように構成されてい
ることを特徴とする測定装置。
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