JPH06130660A - ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 解像度と耐熱性の両方に優れたポジ型フォト
レジスト組成物の開発。 【構成】 アルカリ可溶性ノボラック樹脂と１，２−ナ
フトキノンジアジド化合物を含むポジ型フォトレジスト
組成物において、アルカリ可溶性ノボラック樹脂が、フ
ェノール類とホルムアルデヒドとを付加縮合反応させる
ことによって得られる２核体含量が１０〜３０重量％の
範囲であるノボラック樹脂（Ｉ）及び該樹脂（Ｉ）を得
るために用いたフェノール類以外のフェノール類とホル
ムアルデヒドとを付加縮合反応させて得られる２〜４核
体の化合物を５０重量％以上含む低分子化合物（II）か
ら成り、該アルカリ可溶性ノボラック樹脂が２核体を１
０〜５０重量％含有するものであるポジ型フォトレジス
ト組成物である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ポジ型フォトレジスト
組成物、特に、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線などに
感応する高集積度の集積回路作製用ポジ型フォトレジス
ト組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路作製用フォトレジストとして
は、環化ゴムにビスアジド化合物を配合したネガ型フォ
トレジストと、アルカリ可溶性樹脂及びアルカリ不溶性
の１，２−ナフトキノンジアジド化合物から成るポジ型
フォトレジストが知られている。ネガ型フォトレジスト
の場合は、露光部の環化ゴムが三次元架橋され、現像液
に不溶となり、未露光部は溶解してレジストパターンを
形成する。このとき、現像液中でのレジストパターンの
膨潤が大きく、解像度が悪いという欠点がある。一方、
ポジ型フォトレジストは、露光部の１，２−ナフトキノ
ンジアジド化合物がインデンカルボン酸に変化し、アル
カリ可溶性樹脂に対する溶解抑制効果が減少し、露光部
が溶解してレジストパターンが形成される。このとき、
レジストパターンを形成する未露光部の寸法変化が、ポ
ジ型フォトレジストではネガ型フォトレジストに比べて
極めて小さいため、マスクのパターンに忠実な高解像度
のレジストパターンを得ることができる。このため、高
解像度型フォトレジストとしては、ポジ型フォトレジス
トが主流となり、最近では１６Ｍから６４ＭＤＲＡＭ用
として０．５μm以下の解像度が要求されるようになっ
てきた。

【０００３】従来、レジストパターンの高解像度化は、
フォトレジストに用いる樹脂の組成、分子量、分散度及
びオリゴマー含有量の最適化などによって行われてき
た。しかし、高解像度化を行うと集積回路の製造工程で
行われるドライエッチング（１３０〜１５０℃）での耐
熱性が不足し、レジストパターンの熱変形が起きるとい
う問題が生じる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、解像度と耐
熱性の両方に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供
することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、使用するアル
カリ可溶性ノボラック樹脂として２核体含量が１０〜３
０重量％のノボラック樹脂に特定と低分子化合物を加
え、この混合物中に含まれる２核体量を特定の範囲にす
ることによって解像度と耐熱性という相反する特性のバ
ランスを取ることができることを見出し、かかる知見に
基づいて完成したものである。

【０００６】すなわち、本発明は、アルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂と１，２−ナフトキノンジアジド化合物を含
むポジ型フォトレジスト組成物において、アルカリ可溶
性ノボラック樹脂が、フェノール類とホルムアルデヒド
とを付加縮合反応させることによって得られる２核体含
量が１０〜３０重量％の範囲であるノボラック樹脂
（Ｉ）及び前記ノボラック樹脂（Ｉ）を得るために用い
たフェノール類以外のフェノール類とホルムアルデヒド
とを付加縮合反応させることによって得られる２〜４核
体の化合物を５０重量％以上含む低分子化合物（II）か
ら成り、該アルカリ可溶性ノボラック樹脂が２核体を１
０〜５０重量％含有するものであるポジ型フォトレジス
ト組成物に関する。

【０００７】以下、本発明をさらに詳しく説明する。本
発明に用いる２核体含量が１０〜３０重量％の範囲であ
るノボラック樹脂（Ｉ）及び２〜４核体の化合物を５０
重量％以上含む低分子化合物（II）は、フェノール類と
ホルムアルデヒドとの重縮合化合物であり、それに用い
るフェノール類は、「フェノール樹脂−化学的基礎、応
用分野と実用性能／将来展望−」、Andre Knop, Louis
A. Pilato 著、瀬戸正二訳、（株）プラスチックス・エ
ージ発行（昭和５５年８月）で定義されているようにフ
ェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレ
ゾール、エチルフェノール、ブチルフェノール、２，５
−キシレノール、３，５−キシレノール、２，４−キシ
レノール、２，６−キシレノール、２，３，５−トリメ
チルフェノール、２，３，６−トリメチルフェノール、
レゾルシノール、カテコール、ハイドロキノン、１−ナ
フトール、２−ナフトール、ピロガロール、１，２，４
−トリヒドロキシベンゼン、ビスフェノールＡなどであ
る。これらのうち、本発明においてノボラック樹脂
（Ｉ）の製造に用いるフェノール類としてはｍ−クレゾ
ールとｐ−クレゾールが解像度の観点から好ましく、特
に、ｍ−クレゾール３０〜６０重量％及びｐ−クレゾー
ル７０〜４０重量％の混合クレゾールが好ましい。ｍ−
クレゾールが３０重量％未満及びｐ−クレゾールが７０
重量％を超えると、感度が低下する傾向がある。また、
ｍ−クレゾールが６０重量％を超える場合及びｐ−クレ
ゾールが４０重量％未満である場合は、解像度が低下す
る傾向がある。

【０００８】ノボラック樹脂（Ｉ）の２核体含量は、１
０〜３０重量％の範囲とされ、１０重量％未満のノボラ
ック樹脂（Ｉ）を用いるとレジストの解像度特性が低下
する傾向があり、逆に３０重量％を超えるノボラック樹
脂（Ｉ）を用いると耐熱性が低下する傾向がある。

【０００９】一方、低分子化合物（II）に用いるフェノ
ール類としては、前記のノボラック樹脂（Ｉ）に用いた
フェノール類以外のフェノール類を用いる必要がある。
解像度及び耐熱性の観点から、キシレノール、レゾルシ
ノール、カテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、
ナフトール、トリメチルフェノール、ビスフェノールな
どが好ましく、これらのうち１種以上を用いることがで
きる。

【００１０】ノボラック樹脂（Ｉ）及び低分子化合物
（II）は、フェノール類とホルムアルデヒドを通常用い
られている酸あるいは２価金属の有機酸塩などの触媒の
存在下に付加縮合反応させることによって合成される。
低分子化合物（II）は、ホルムアルデヒド／フェノール
のモル比を樹脂の場合に比べて小さくするか、又は適当
な溶媒中で反応させることによって得られる。触媒とし
て用いる酸は、無機酸及び有機酸のいずれでもよく、塩
酸、硫酸、リン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、シュウ酸
などが用いられる。また、２価金属の有機酸塩として
は、マグネシウム、亜鉛、コバルト等の有機酸塩が挙げ
られる。反応は、溶媒中あるいは無溶媒で行うことがで
き、６０〜２００℃で２〜２０時間行う。

【００１１】本発明の組成物に用いるアルカリ可溶性ノ
ボラック樹脂は、ノボラック樹脂（Ｉ）に、該樹脂
（Ｉ）に用いたフェノール類以外のフェノール類を用い
た低分子化合物（II）を加え、成分（Ｉ）と（II）の混
合物中に含まれる２核体含量〔（Ｉ）由来のもの及び
（II）由来のもの〕を１０〜５０重量％の範囲に調製し
たものである。この調製は、成分（Ｉ）中の２核体含
量、成分（II）中の２核体含量及び成分（Ｉ）と（II）
との配合比を適宜定めることによって行うことができ
る。アルカリ可溶性ノボラック樹脂中に含まれる２核体
含量が、１０重量％未満であると解像度が低下し、５０
重量％を超えると耐熱性が低下する。なお、成分（Ｉ）
あるいは（II）に含まれる２核体含量を減少する場合に
は、成分（Ｉ）あるいは（II）に対する貧溶媒を用いて
ソックスレー抽出を行うか、液体クロマトグラフィーに
よる分取を行う。抽出に用いる貧溶媒としては、クロロ
ホルム、エチルアルコール、２−プロピルアルコール、
ヘキサン、水、緩衝液などがある。一方、液体クロマト
グラフィーによる分子量別分取を行う場合には、カラム
の充填剤として分子量分布の測定に用いたスチレン樹脂
系充填剤を用いることが必要で、シリカ系やアクリレー
ト樹脂系充填剤を用いると、分取中に樹脂が変性された
り、樹脂が充填剤に吸着され、フォトレジスト特性の評
価ができなくなる。また、分取用溶媒としては、アセト
ンが好ましく、通常、分子量分布の測定に用いられるテ
トラヒドロフランは、濃縮時に重合を起こすため好まし
くない。

【００１２】ノボラック樹脂（Ｉ）の分子量分布は、ゲ
ルパーミエーションクロマトグラフィーによって測定
し、標準ポリスチレンを用いて得られる検量線をもとに
算出することができる。ゲルパーミエーションクロマト
グラフィー測定は、カラムとして日立化成工業株式会社
製ゲルパックＧＬ−Ｒ４２０、Ｒ４３０、Ｒ４４０を各
１本づつ直列に連結し、テトラヒドロフランを溶媒とし
て流量１．７５ml／分で行う。このゲルパーミエーショ
ンクロマトグラフィーにより測定したノボラック樹脂
（Ｉ）の重量平均分子量は、３０００〜１５０００の範
囲であることが好ましい。３０００未満では、フォトレ
ジストの耐熱性が劣る傾向があり、１５０００を超える
と解像度が劣る傾向がある。

【００１３】一方、本発明に用いる低分子化合物（II）
の重量平均分子量は、１００〜３０００の範囲であるこ
とが好ましい。１００未満では、ほとんどがホルムアル
デヒドと縮合していないモノマーであり、低分子量化合
物（II）としての添加効果が劣る傾向があり、３０００
を超えると、解像度が低下する傾向がある。また、低分
子化合物（II）は、２〜４核体の化合物を５０重量％以
上含むことが必要であり、５０重量％未満では解像度が
低下する。低分子化合物（II）の中で１核体、すなわち
モノマーは１０重量％以下であることが好ましく、１０
重量％を超えると、耐熱性が低下する傾向がある。

【００１４】本発明に用いるアルカリ可溶性ノボラック
樹脂は、前記のようにノボラック樹脂（Ｉ）と低分子化
合物（II）とから調製するが、低分子化合物（II）はノ
ボラック樹脂（Ｉ）１００重量部に対して１０〜５０重
量部配合することが好ましい。１０重量部未満では低分
子化合物（II）の添加効果が発現せず、解像度が低下す
る傾向があり、５０重量部を超えて配合すると、耐熱性
が低下する傾向がある。

【００１５】本発明のポジ型フォトレジスト組成物中に
含まれる１，２−ナフトキノンジアジド化合物は、アル
カリ可溶性ノボラック樹脂１００重量部に対して１０〜
５０重量部配合されることが好ましい。１０重量部未満
ではアルカリ可溶性ノボラック樹脂に対する溶解抑制作
用が不充分で、レジストパターンが形成されにくい傾向
があり、５０重量部を超えると、通常行われる短時間の
露光時間で１，２−ナフトキノンジアジド化合物が完全
に分解せず、レジストパターンの形成が困難となる傾向
がある。このような１，２−ナフトキノンジアジド化合
物は、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリ
ドとヒドロキシル基含有化合物を弱アルカリの存在で縮
合させることによって得られる。ここで、ヒドロキシル
基含有化合物としては、ｐ−クレゾール、レゾルシノー
ル、ピロガロール、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，
２’４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、没食
子酸アルキルエステル、７−ヒドロキシ−２−（２，４
−ジヒドロキシフェニル）−２，４，４−トリメチルク
ロマン、４ｂ，５，９ｂ，１０−テトラヒドロ−２，
３，７，８−テトラヒドロキシ−５，１０−ジメチル−
インデン〔２，１−ａ〕−インデン、５，６，５’，
６’−テトラヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラ
メチル−１，１’−スピロビインダン、ビス（２，４−
ジヒドロキシフェニル）スルフィド、３−メチル−３−
（２，４−ジヒドロキシフェニル）−６−ヒドロキシク
マラノン等がある。これらの１，２−ナフトキノンジア
ジド化合物は、単独で又は２種以上混合して使用され
る。

【００１６】本発明のポジ型フォトレジスト組成物をシ
リコンウェハ等の基板に塗布する場合には、前記アルカ
リ可溶性ノボラック樹脂と１，２−ナフトキノンジアジ
ド化合物とを溶剤に溶解し、これをスピンコータ等で塗
布すればよい。この際に使用する溶剤としては、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコール
モノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エ
チルセロソルブアセテート、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、
乳酸エチルなどが挙げられる。このようにして調製した
ポジ型フォトレジスト組成物を０．２μmのテフロンフ
ィルタで濾過し、ジシラザン処理したシリコンウエハ上
に膜厚約１．０μmになるように塗布し、溶剤を除去す
るため乾燥後、紫外線や遠紫外線を用いて露光する。次
に、露光後、加熱を行い、アルカリ現像液で現像し、さ
らに乾燥してポジ型レジストパターンを形成する。最後
に、このレジストパターンを酸素プラズマ等でエッチン
グすることによって回路を形成することができる。

【００１７】

【実施例】次に、実施例及び比較例により本発明をさら
に具体的に説明するが、本発明はこれによって制限され
るものではない。なお、実施例及び比較例に用いるノボ
ラック樹脂（Ｉ）及び低分子化合物（II）は、下記のよ
うにして製造したものである。以下において、「％」は
重量％を意味する。

【００１８】ノボラック樹脂１ ５００mlのセパラブルフラスコにｍ−クレゾール１０８
ｇ、ｐ−クレゾール１６２ｇ（ｍ−クレゾール／ｐ−ク
レゾール＝４０／６０重量比）、３７％ホルマリン１３
６ｇ及び無水シュウ酸２ｇを仕込み、攪拌しながら９６
℃に昇温し、２．５時間反応させる。その後、１８０℃
まで昇温しながら常圧で脱水し、さらに１時間反応させ
た後、減圧下に未反応のモノマーを除去した。得られた
ノボラック樹脂の２核体含量は１４％であった。

【００１９】ノボラック樹脂２ ｍ−クレゾール１３５ｇ、ｐ−クレゾール１３５ｇ（ｍ
−クレゾール／ｐ−クレゾール＝５０／５０重量比）、
３７％ホルマリン１４３ｇ以外は、ノボラック樹脂１と
同様の方法で合成を行った。得られたノボラック樹脂の
２核体含量は、１３％であった。

【００２０】ノボラック樹脂３ ｍ−クレゾール１６２ｇ、ｐ−クレゾール１０８ｇ（ｍ
−クレゾール／ｐ−クレゾール＝６０／４０重量比）、
３７％ホルマリン１５０ｇ以外は、ノボラック樹脂１と
同様の方法で合成を行った。得られたノボラック樹脂の
２核体含量は、１２％であった。

【００２１】ノボラック樹脂４ ｍ−クレゾール６７．５ｇ、ｐ−クレゾール２０２．５
ｇ（ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝２５／７５重量
比）、３７％ホルマリン１３０ｇ以外は、ノボラック樹
脂１と同様の方法で合成を行った。得られたノボラック
樹脂の２核体含量は、１４％であった。

【００２２】ノボラック樹脂５ ｍ−クレゾール２０２．５ｇ、ｐ−クレゾール６７．５
ｇ（ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝７５／２５重量
比）、３７％ホルマリン１５４ｇ以外は、ノボラック樹
脂１と同様の方法で合成を行った。得られたノボラック
樹脂の２核体含量は、１１％であった。

【００２３】低分子化合物１ ５００mlのセパラブルプラスコに２，５−キシレノール
２４４ｇを仕込み、加熱して溶解した後、３７％ホルマ
リン１２９．７３ｇ及びシュウ酸１．８ｇを加えてノボ
ラック樹脂１と同様の方法で合成を行った。得られた化
合物の２〜４核体の含量は６３％であった。２〜４核体
の含量は、ノボラック樹脂（Ｉ）の分子量分布の測定と
同じゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求
めた（以下、同様）。

【００２４】低分子化合物２ ３，５−キシレノール２４４ｇ、３７％ホルマリン６
４．８６ｇ及びシュウ酸１．８ｇを用いた以外は、低分
子化合物１と同様の方法で合成を行った。得られた化合
物の２〜４核体の含量は７６％であった。

【００２５】低分子化合物３ ２，６−キシレノール１８３ｇ、３７％ホルマリン１４
５．９５ｇ及びシュウ酸１．３５ｇを用いた以外は、低
分子化合物１と同様の方法で合成を行った。得られた化
合物の２〜４核体の含量は８９％であった。

【００２６】低分子化合物４ ２，４−キシレノール１８３ｇ、３７％ホルマリン１４
５．９５ｇ及びシュウ酸１．３５ｇを用いた以外は、低
分子化合物１と同様の方法で合成を行った。得られた化
合物の２〜４核体の含量は６８％であった。

【００２７】低分子化合物５ １−ナフトール２１６．２６ｇ、３７％ホルマリン９
７．３０ｇ、シュウ酸１．３５ｇ及びメタノール１００
mlを用いた以外は、ノボラック樹脂１と同様の方法で合
成を行った。得られた化合物の２〜４核体の含量は５８
％であった。

【００２８】低分子化合物６ ２−ナフトール２１６．２６ｇ、３７％ホルマリン９
７．３０ｇ、シュウ酸１．３５ｇ及びメタノール１５０
mlを用いた以外は、ノボラック樹脂１と同様の方法で合
成を行った。得られた化合物の２〜４核体の含量は９１
％であった。

【００２９】低分子化合物７ カテコール１６５ｇ、３７％ホルマリン１０９．４５
ｇ、シュウ酸１．３５ｇ及びジエチレングリコールモノ
メチルエーテル７５mlを用いた以外は、ノボラック樹脂
１と同様の方法で合成を行った。但し、脱水は１３０℃
で行い、未反応モノマー及びジエチレングリコールモノ
メチルエーテルは、脱水終了後、分取用ゲルパーミエー
ションクロマトグラフィーを用いて除去した。分取用カ
ラムとして日立化成工業株式会社製ゲルパックＧＬ−Ａ
１３０（内径４０mm、長さ６００mm）を用い、溶媒とし
てアセトンを用い、流速１５ml／分でクロマトグラフィ
ーを行った。得られた化合物の２〜４核体の含量は８２
％であった。

【００３０】低分子化合物８ ハイドロキノン２２０ｇ及びエチレングリコール２００
mlを仕込み、加熱溶解後、３７％ホルマリン９７．３ｇ
及びシュウ酸１．８ｇを加えた以外は、低分子化合物７
と同様の方法で合成を行った。得られた化合物の２〜４
核体の含量は７８％であった。

【００３１】低分子化合物９ ピロガロール２５２ｇ及びエチルセロソルブアセテート
２００mlを仕込み、加熱溶解後、３７％ホルマリン１９
４．５９ｇ及びシュウ酸１．８ｇを加えた以外は、低分
子化合物７と同様の方法で合成を行った。得られた化合
物の２〜４核体の含量は６７％であった。

【００３２】低分子化合物１０ ２，３，５−トリメチルフェノール２７２ｇ及びエチル
セロソルブアセテート２００mlを仕込み、加熱溶解後、
３７％ホルマリン１９４．５９ｇ及びシュウ酸１．８ｇ
を加えた以外は、低分子化合物７と同様の方法で合成を
行った。得られた化合物の２〜４核体の含量は６５％で
あった。

【００３３】実施例１〜２６ ノボラック樹脂（Ｉ）に低分子化合物（II）を加えたア
ルカリ可溶性ノボラック樹脂及び１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸クロリドと７−ヒドロキシ−
２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−２，４，４−
トリメチルクロマンの１．２：１（モル比）縮合反応物
（感光剤）を表１及び表２に示す割合で混合し、エチル
セロソルブアセテートに溶解してポジ型フォトレジスト
組成物を調製した。

【００３４】このポジ型フォトレジスト組成物をヘキサ
メチルジシラザン処理したシリコンウエハ上にスピンコ
ータで膜厚１．２μmになるように塗布し、９０℃で９
０秒乾燥後、縮小投影露光器を用いてレチクルを介して
波長３６５nmで露光した。露光後、１１０℃で９０秒乾
燥し、次いで２．３８％水酸化テトラメチルアンモニウ
ム水溶液で現像し、さらに１１０℃で９０秒乾燥してレ
ジストパターンを得た。このレジストパターンの走査電
子顕微鏡（ＳＥＭ）写真像を観察することにより解像度
を求め、耐熱性は５０μmのパターンにおいて一定温度
で５分間加熱し、ＳＥＭ写真で観察してレジストパター
ンの熱変形の程度により求めた。実施例１〜２６の配合
及び評価結果を表１及び表２に示した。

【００３５】比較例１〜３ 実施例１〜２６の低分子化合物を含むアルカリ可溶性ノ
ボラック樹脂の代わりに、低分子化合物を含まないノボ
ラック樹脂を用いて、実施例と同様なポジ型フォトレジ
スト組成物を調製し、評価した。比較例１〜３の配合及
び評価結果を表３に示した。

【００３６】

【表１】

【００３７】

【表２】

【００３８】

【表３】

【００３９】上記の表に示した評価結果から、本発明の
実施例によりノボラック樹脂（Ｉ）に低分子化合物（I
I）を加えたアルカリ可溶性ノボラック樹脂を用いて得
られたレジストは、比較例で得られたレジストよりも解
像度と耐熱性のバランスが良いことが分かる。

【００４０】

【発明の効果】本発明のポジ型フォトレジスト組成物を
用いれば、解像度及び耐熱性の両者に優れたレジストを
得ることができ、本発明のポジ型フォトレジスト組成物
は、高集積度の集積回路作製に好適である。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アルカリ可溶性ノボラック樹脂と１，２
   −ナフトキノンジアジド化合物を含むポジ型フォトレジ
   スト組成物において、アルカリ可溶性ノボラック樹脂
   が、フェノール類とホルムアルデヒドとを付加縮合反応
   させることによって得られる２核体含量が１０〜３０重
   量％の範囲であるノボラック樹脂（Ｉ）及び前記ノボラ
   ック樹脂（Ｉ）を得るために用いたフェノール類以外の
   フェノール類とホルムアルデヒドとを付加縮合反応させ
   ることによって得られる２〜４核体の化合物を５０重量
   ％以上含む低分子化合物（II）から成り、該アルカリ可
   溶性ノボラック樹脂が２核体を１０〜５０重量％含有す
   るものであるポジ型フォトレジスト組成物。
2. 【請求項２】 ノボラック樹脂（Ｉ）に用いるフェノー
   ル類がクレゾール類である請求項１記載のポジ型フォト
   レジスト組成物。
3. 【請求項３】 ノボラック樹脂（Ｉ）に用いるフェノー
   ル類が、ｍ−クレゾール３０〜６０重量％とｐ−クレゾ
   ール７０〜４０重量％との混合物から成る請求項１又は
   ２記載のポジ型フォトレジスト組成物。
4. 【請求項４】 低分子化合物（II）に用いるフェノール
   類がキシレノール、レゾルシノール、カテコール、ハイ
   ドロキノン、ピロガロール、ナフトール、トリメチルフ
   ェノール及びビスフェノールのうちの１種以上である請
   求項１、２又は３記載のポジ型フォトレジスト組成物。