JPH05142770A - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型フオトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPH05142770A JPH05142770A JP30221891A JP30221891A JPH05142770A JP H05142770 A JPH05142770 A JP H05142770A JP 30221891 A JP30221891 A JP 30221891A JP 30221891 A JP30221891 A JP 30221891A JP H05142770 A JPH05142770 A JP H05142770A
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- JP
- Japan
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- cresol
- photoresist composition
- weight
- resin
- positive photoresist
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 解像度、耐ドライエッチング性、耐熱性の優
れたポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 【構成】 アルカリ可溶性ノボラック樹脂と１，２−ナ
フトキノンジアジド化合物を含むポジ型フォトレジスト
組成物において、アルカリ可溶性ノボラック樹脂がフェ
ノール類とホルムアルデヒドとを付加縮合反応させるこ
とによって製造されるノボラック樹脂であって、ゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィーにより求めた標準ポ
リスチレン換算の重量平均分子量が３０００〜１５００
０の範囲でかつ分散度が２．０以下であるポジ型フォト
レジスト組成物。
れたポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 【構成】 アルカリ可溶性ノボラック樹脂と１，２−ナ
フトキノンジアジド化合物を含むポジ型フォトレジスト
組成物において、アルカリ可溶性ノボラック樹脂がフェ
ノール類とホルムアルデヒドとを付加縮合反応させるこ
とによって製造されるノボラック樹脂であって、ゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィーにより求めた標準ポ
リスチレン換算の重量平均分子量が３０００〜１５００
０の範囲でかつ分散度が２．０以下であるポジ型フォト
レジスト組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は特定のアルカリ可溶性ノ
ボラック樹脂と１，２−ナフトキノンジアジド化合物を
含むポジ型フォトレジスト組成物に関するもので、特に
紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線等に感応する高集積度
の集積回路作製用ポジ型フォトレジスト組成物に関す
る。
ボラック樹脂と１，２−ナフトキノンジアジド化合物を
含むポジ型フォトレジスト組成物に関するもので、特に
紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線等に感応する高集積度
の集積回路作製用ポジ型フォトレジスト組成物に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】集積回路作製用フォトレジストとして
は、環化ゴムにビスアジド化合物を配合したネガ型フォ
トレジストと、アルカリ可溶性樹脂、アルカリ不溶性の
１，２−ナフトキノンジアジド化合物からなるポジ型フ
ォトレジスト等が知られている。ネガ型フォトレジスト
の場合は露光部の環化ゴムが３次元架橋され現像液に不
溶となり、未露光部は溶解してレジストパターンを形成
する。この時、現像液中でのレジストパターンの膨潤が
大きく、解像度が悪いという欠点を持つ。一方ポジ型フ
ォトレジストは露光部の１，２−ナフトキノンジアジド
化合物がインデンカルボン酸に変化し、アルカリ可溶性
樹脂に対する溶解抑制効果が減少し、露光部が溶解して
レジストパターンが形成される。
は、環化ゴムにビスアジド化合物を配合したネガ型フォ
トレジストと、アルカリ可溶性樹脂、アルカリ不溶性の
１，２−ナフトキノンジアジド化合物からなるポジ型フ
ォトレジスト等が知られている。ネガ型フォトレジスト
の場合は露光部の環化ゴムが３次元架橋され現像液に不
溶となり、未露光部は溶解してレジストパターンを形成
する。この時、現像液中でのレジストパターンの膨潤が
大きく、解像度が悪いという欠点を持つ。一方ポジ型フ
ォトレジストは露光部の１，２−ナフトキノンジアジド
化合物がインデンカルボン酸に変化し、アルカリ可溶性
樹脂に対する溶解抑制効果が減少し、露光部が溶解して
レジストパターンが形成される。
【０００３】この時、レジストパターンを形成する未露
光部の寸法変化がポジ型フォトレジストはネガ型フォト
レジストに比べて極めて小さいため、マスクのパターン
に忠実な高解像度のレジストパターンを得ることができ
る。このため、高解像度型フォトレジストはポジ型フォ
トレジストが主流となり、最近は１６Ｍから６４ＭＤＲ
ＡＭ用として０．５μｍ以下の解像度が要求されるよう
になってきた。
光部の寸法変化がポジ型フォトレジストはネガ型フォト
レジストに比べて極めて小さいため、マスクのパターン
に忠実な高解像度のレジストパターンを得ることができ
る。このため、高解像度型フォトレジストはポジ型フォ
トレジストが主流となり、最近は１６Ｍから６４ＭＤＲ
ＡＭ用として０．５μｍ以下の解像度が要求されるよう
になってきた。
【０００４】レジストパターンの高解像度化は、フォト
レジストに用いる樹脂の組成や分子量の最適化と共に樹
脂中のオリゴマ含有量を増やすことによって達成するこ
とができる。しかし、一方でオリゴマ含有量を増やすと
集積回路の製造工程で行われるドライエッチング（１３
０〜１５０℃）での耐熱性が不足し、レジストパターン
の熱変形が起きるという問題が生じている。そこで、解
像度と耐熱性の両方に優れたフォトレジストが必要とさ
れていた。
レジストに用いる樹脂の組成や分子量の最適化と共に樹
脂中のオリゴマ含有量を増やすことによって達成するこ
とができる。しかし、一方でオリゴマ含有量を増やすと
集積回路の製造工程で行われるドライエッチング（１３
０〜１５０℃）での耐熱性が不足し、レジストパターン
の熱変形が起きるという問題が生じている。そこで、解
像度と耐熱性の両方に優れたフォトレジストが必要とさ
れていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記問題に鑑
みなされたもので、解像度、耐ドライエッチング性、耐
熱性に優れた高解像度用ポジ型フォトレジスト組成物を
提供するものである。
みなされたもので、解像度、耐ドライエッチング性、耐
熱性に優れた高解像度用ポジ型フォトレジスト組成物を
提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明はアルカリ可溶性
ノボラック樹脂と１，２−ナフトキノンジアジド化合物
を含むポジ型フォトレジスト組成物において、アルカリ
可溶性ノボラック樹脂がフェノール類とホルムアルデヒ
ドとを付加縮合反応させることによって製造されるノボ
ラック樹脂であって、ゲルパーミエーションクロマトグ
ラフィーにより求めたポリスチレン換算の重量平均分子
量が３０００〜１５０００の範囲でかつ分散度が２．０
以下であることを特徴とするポジ型フォトレジスト組成
物に関する。
ノボラック樹脂と１，２−ナフトキノンジアジド化合物
を含むポジ型フォトレジスト組成物において、アルカリ
可溶性ノボラック樹脂がフェノール類とホルムアルデヒ
ドとを付加縮合反応させることによって製造されるノボ
ラック樹脂であって、ゲルパーミエーションクロマトグ
ラフィーにより求めたポリスチレン換算の重量平均分子
量が３０００〜１５０００の範囲でかつ分散度が２．０
以下であることを特徴とするポジ型フォトレジスト組成
物に関する。
【０００７】以下に本発明をさらに詳しく述べる。本発
明に用いられるアルカリ可溶性ノボラック樹脂とはフェ
ノール類とホルムアルデヒドの重縮合化合物で、用いる
フェノール類としては、フェノール、ｍ−クレゾール、
ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール、エチルフェノール、
ブチルフェノール、２，５−キシレノール、３，５−キ
シレノール、２，４−キシレノール、２，６−キシレノ
ール、２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，６
−トリメチルフェノール、レゾルシノール、カテコー
ル、ハイドロキノン、１−ナフトール、２−ナフトー
ル、ピロガロール、１，２，４−トリヒドロキシベンゼ
ン等がある。
明に用いられるアルカリ可溶性ノボラック樹脂とはフェ
ノール類とホルムアルデヒドの重縮合化合物で、用いる
フェノール類としては、フェノール、ｍ−クレゾール、
ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール、エチルフェノール、
ブチルフェノール、２，５−キシレノール、３，５−キ
シレノール、２，４−キシレノール、２，６−キシレノ
ール、２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，６
−トリメチルフェノール、レゾルシノール、カテコー
ル、ハイドロキノン、１−ナフトール、２−ナフトー
ル、ピロガロール、１，２，４−トリヒドロキシベンゼ
ン等がある。
【０００８】このうちｍ−クレゾールとｐ−クレゾール
が解像度と耐熱性との観点から好ましく、特に好ましく
はｍ−クレゾールが３０〜６０重量％及びｐ−クレゾー
ルが７０〜４０重量％の範囲にある混合クレゾールとホ
ルムアルデヒドを原料とするノボラック樹脂である。
が解像度と耐熱性との観点から好ましく、特に好ましく
はｍ−クレゾールが３０〜６０重量％及びｐ−クレゾー
ルが７０〜４０重量％の範囲にある混合クレゾールとホ
ルムアルデヒドを原料とするノボラック樹脂である。
【０００９】このノボラック樹脂の重量平均分子量は３
０００〜１５０００の範囲とされ、分散度（重量平均分
子量／数平均分子量）は２．０以下とされる。重量平均
分子量が３０００未満になるとフォトレジストの耐熱性
が著しく劣り、一方、１５０００を越えると、フォトレ
ジストの解像度が著しく劣る。分散度が２．０を越える
とフォトレジストの耐熱性が低下する。
０００〜１５０００の範囲とされ、分散度（重量平均分
子量／数平均分子量）は２．０以下とされる。重量平均
分子量が３０００未満になるとフォトレジストの耐熱性
が著しく劣り、一方、１５０００を越えると、フォトレ
ジストの解像度が著しく劣る。分散度が２．０を越える
とフォトレジストの耐熱性が低下する。
【００１０】ノボラック樹脂の分子量は標準ポリスチレ
ンを用いて得られる検量線をもとに計算できる値で、ゲ
ルパーミエーションクロマトグラフィーの測定はカラム
として日立化成工業株式会製ゲルパックＧＬ−Ｒ４２
０、Ｒ４３０、Ｒ４４０を各一本ずつ直列に連結し、検
出器を示差屈折計を用いテトラヒドロフランを溶媒とし
て、流量１．７５ｍｌ／ｍｉｎで行える。
ンを用いて得られる検量線をもとに計算できる値で、ゲ
ルパーミエーションクロマトグラフィーの測定はカラム
として日立化成工業株式会製ゲルパックＧＬ−Ｒ４２
０、Ｒ４３０、Ｒ４４０を各一本ずつ直列に連結し、検
出器を示差屈折計を用いテトラヒドロフランを溶媒とし
て、流量１．７５ｍｌ／ｍｉｎで行える。
【００１１】アルカリ可溶性ノボラック樹脂は、まずフ
ェノール類とホルムアルデヒドを通常用いられている酸
あるいは２価金属の有機酸塩等を触媒とし合成し、次に
得られた樹脂を樹脂に対して貧溶媒及び良溶媒を用いた
溶媒抽出、液体クロマトグラフィーによる分子量別分取
等によって分散度を２．０以下とできる。
ェノール類とホルムアルデヒドを通常用いられている酸
あるいは２価金属の有機酸塩等を触媒とし合成し、次に
得られた樹脂を樹脂に対して貧溶媒及び良溶媒を用いた
溶媒抽出、液体クロマトグラフィーによる分子量別分取
等によって分散度を２．０以下とできる。
【００１２】触媒として用いる酸は無機酸及び有機酸の
いずれでもよく、塩酸、硫酸、リン酸、ｐ−トルエンス
ルホン酸、シュウ酸等が用いられる。また、２価金属の
有機酸塩としてはマグネシウム、亜鉛、コバルト等の有
機酸塩がある。
いずれでもよく、塩酸、硫酸、リン酸、ｐ−トルエンス
ルホン酸、シュウ酸等が用いられる。また、２価金属の
有機酸塩としてはマグネシウム、亜鉛、コバルト等の有
機酸塩がある。
【００１３】反応は溶媒中あるいは無溶媒中のいずれで
も可能であり、６０〜２００℃で２〜２０時間行えばよ
い。
も可能であり、６０〜２００℃で２〜２０時間行えばよ
い。
【００１４】本発明で樹脂の溶媒抽出に用いる貧溶媒と
しては、クロロホルム、エチルアルコール、２−プロピ
ルアルコール、ヘキサン、水、緩衝液等があり、良溶媒
にはテトラヒドロフラン、メタノール、ジオキサン、ア
セトニトリル、アセトン、ピリジン、ジメチルスルホキ
シド、ジメチルアセトアミド、エチルセロソルブアセタ
ート、メチルセロソルブアセタート、酢酸ブチル、乳酸
エチル、キシレン等がある。
しては、クロロホルム、エチルアルコール、２−プロピ
ルアルコール、ヘキサン、水、緩衝液等があり、良溶媒
にはテトラヒドロフラン、メタノール、ジオキサン、ア
セトニトリル、アセトン、ピリジン、ジメチルスルホキ
シド、ジメチルアセトアミド、エチルセロソルブアセタ
ート、メチルセロソルブアセタート、酢酸ブチル、乳酸
エチル、キシレン等がある。
【００１５】高分子量成分を除去するためには樹脂をい
ったん良溶媒中に溶解し、そこへ貧溶媒を加えていくこ
とによって高分子量成分を析出させる。
ったん良溶媒中に溶解し、そこへ貧溶媒を加えていくこ
とによって高分子量成分を析出させる。
【００１６】また、低分子量成分を除去するためには貧
溶媒を用いてソックスレー抽出等を行う。
溶媒を用いてソックスレー抽出等を行う。
【００１７】一方、液体クロマトグラフィーによる分子
量別分取を行う場合はカラムの充てん剤として分子量の
測定に用いたスチレン樹脂系充てん剤を用いることが必
要で、シリカ系やアクリレート樹脂系充てん剤を用いる
と、分取中に樹脂が変性されたり樹脂が充てん剤に吸着
し、フォトレジスト特性の評価ができなくなる。
量別分取を行う場合はカラムの充てん剤として分子量の
測定に用いたスチレン樹脂系充てん剤を用いることが必
要で、シリカ系やアクリレート樹脂系充てん剤を用いる
と、分取中に樹脂が変性されたり樹脂が充てん剤に吸着
し、フォトレジスト特性の評価ができなくなる。
【００１８】また、分取用溶媒としてはアセトンが好ま
しく、通常用いられるテトラヒドロフランは濃縮時に、
重合を越こし好ましくない。
しく、通常用いられるテトラヒドロフランは濃縮時に、
重合を越こし好ましくない。
【００１９】本発明のアルカリ可溶性ノボラック樹脂は
ノボラック樹脂と１，２−ナフトキノンジアジド化合物
の総量１００重量部に対して５０〜９０重量部使用する
ことが好ましく、６０〜８０重量部の範囲で使用するこ
とがより好ましい。５０重量部未満では通常行う短時間
の露光では１，２−ナフトキノンジアジド化合物が完全
に分解せずレジストパターンの形成が困難となる。ま
た、９０重量部を越えると感光剤による溶解抑制作用が
不十分となりレジストパターンが形成されない。
ノボラック樹脂と１，２−ナフトキノンジアジド化合物
の総量１００重量部に対して５０〜９０重量部使用する
ことが好ましく、６０〜８０重量部の範囲で使用するこ
とがより好ましい。５０重量部未満では通常行う短時間
の露光では１，２−ナフトキノンジアジド化合物が完全
に分解せずレジストパターンの形成が困難となる。ま
た、９０重量部を越えると感光剤による溶解抑制作用が
不十分となりレジストパターンが形成されない。
【００２０】一方、本発明の１，２−ナフトキノンジア
ジド化合物は１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸
クロリドとヒドロキシル基を有する化合物を弱アルカリ
の存在に縮合させることにより得られる。
ジド化合物は１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸
クロリドとヒドロキシル基を有する化合物を弱アルカリ
の存在に縮合させることにより得られる。
【００２１】ヒドロキシル基を有する化合物としてはｐ
−クレゾール、レゾルシノール、ピロガロール、２，４
−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４−トリヒド
ロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、没食子酸アルキルエステル、
７−ヒドロキシ−２−（２，４−ジヒドロキシフェニ
ル）−２，４，４−トリメチルクコマン、４ｂ，５，９
ｂ，１０−テトラヒドロ−２，３，７，８−テトラヒド
ロキシ−５，１０−ジメチル−インデン［２，１−ａ］
−インデン、５，６，５′，６′テトラヒドロキシ−
３，３，３′，３′−テトラメチル−１，１′−スピロ
ビインダン、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）ス
ルフィド、３−メチル−３−（２，４−ジヒドロキシフ
ェニル）−６−ヒドロキシクマラノン等がある。これら
の１，２−ナフトキノンジアジド化合物は単独または２
種以上混合して使用される。
−クレゾール、レゾルシノール、ピロガロール、２，４
−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４−トリヒド
ロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、没食子酸アルキルエステル、
７−ヒドロキシ−２−（２，４−ジヒドロキシフェニ
ル）−２，４，４−トリメチルクコマン、４ｂ，５，９
ｂ，１０−テトラヒドロ−２，３，７，８−テトラヒド
ロキシ−５，１０−ジメチル−インデン［２，１−ａ］
−インデン、５，６，５′，６′テトラヒドロキシ−
３，３，３′，３′−テトラメチル−１，１′−スピロ
ビインダン、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）ス
ルフィド、３−メチル−３−（２，４−ジヒドロキシフ
ェニル）−６−ヒドロキシクマラノン等がある。これら
の１，２−ナフトキノンジアジド化合物は単独または２
種以上混合して使用される。
【００２２】本発明の１，２−ナフトキノンジアジド化
合物はノボラック樹脂と感光剤の総量１００重量部に対
して１０〜５０重量部使用することが好ましく、２０〜
４０重量部の範囲で用いることがより好ましい。１０重
量部未満ではアルカリ可溶性ノボラック樹脂に対する溶
解抑制作用が不十分となりレジストパターンが形成され
ない。また、５０重量部を越えると通常行う短時間の露
光では１，２−ナフトキノンジアジド化合物が完全に分
解せずレジストパターンの形成が困難となる。
合物はノボラック樹脂と感光剤の総量１００重量部に対
して１０〜５０重量部使用することが好ましく、２０〜
４０重量部の範囲で用いることがより好ましい。１０重
量部未満ではアルカリ可溶性ノボラック樹脂に対する溶
解抑制作用が不十分となりレジストパターンが形成され
ない。また、５０重量部を越えると通常行う短時間の露
光では１，２−ナフトキノンジアジド化合物が完全に分
解せずレジストパターンの形成が困難となる。
【００２３】本発明のポジ型フォトレジスト組成物をシ
リコンウエハ等の基板に塗布する場合は、前記アルカリ
可溶性ノボラック樹脂と１，２−ナフトキノンジアジド
化合物とを溶剤に溶解し、これをスピーンコータ等で塗
布する。
リコンウエハ等の基板に塗布する場合は、前記アルカリ
可溶性ノボラック樹脂と１，２−ナフトキノンジアジド
化合物とを溶剤に溶解し、これをスピーンコータ等で塗
布する。
【００２４】この際使用する溶剤としては、エチレング
リコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノ
エチルエーテル、メチルセロソルブアセタート、エチル
セロソルブアセタート、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸
エチル等がある。
リコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノ
エチルエーテル、メチルセロソルブアセタート、エチル
セロソルブアセタート、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸
エチル等がある。
【００２５】このようにして調整したポジ型フォトレジ
スト組成物を０．２μｍのテフロンフィルターでろ過
し、ジシラザン処理したシリコンウエハー上に膜厚約
１．０μｍになるように塗布し、溶媒を除去するために
乾燥後、紫外線や遠紫外線を用いて露光する。次に、露
光後加熱を行い、アルカリ現像液で現像し、更に乾燥し
てポジ型レジストパターンを形成する。最後に、このレ
ジストパターンを酸素プラズマ等でエッチングすること
によって回路を形成することができる。以下に実施例を
挙げ、本発明を具体的に記述する。
スト組成物を０．２μｍのテフロンフィルターでろ過
し、ジシラザン処理したシリコンウエハー上に膜厚約
１．０μｍになるように塗布し、溶媒を除去するために
乾燥後、紫外線や遠紫外線を用いて露光する。次に、露
光後加熱を行い、アルカリ現像液で現像し、更に乾燥し
てポジ型レジストパターンを形成する。最後に、このレ
ジストパターンを酸素プラズマ等でエッチングすること
によって回路を形成することができる。以下に実施例を
挙げ、本発明を具体的に記述する。
【００２６】
【実施例】以下にアルカリ可溶性ノボラック樹脂の製造
例を示す。 ノボラック樹脂１ ５００ｍｌのセパラブルフラスコに、ｍ−クレゾール１
０８ｇ、ｐ−クレゾール１６２ｇ（ｍ−クレゾール／ｐ
−クレゾール＝４０／６０重量比）、３７％ホルマリン
１３６ｇ及び無水シュウ酸２ｇを仕込み、かくはんしな
がら９６℃に昇温し、２．５時間反応した。その後、１
８０℃まで昇温しながら常圧で脱水し、更に１時間反応
した後減圧下で未反応モノマーを除去した。
例を示す。 ノボラック樹脂１ ５００ｍｌのセパラブルフラスコに、ｍ−クレゾール１
０８ｇ、ｐ−クレゾール１６２ｇ（ｍ−クレゾール／ｐ
−クレゾール＝４０／６０重量比）、３７％ホルマリン
１３６ｇ及び無水シュウ酸２ｇを仕込み、かくはんしな
がら９６℃に昇温し、２．５時間反応した。その後、１
８０℃まで昇温しながら常圧で脱水し、更に１時間反応
した後減圧下で未反応モノマーを除去した。
【００２７】その後、アセトンを溶離液とするゲルパー
ミエーションクロマトグラフィーを用いて分子量別分取
を行い分散度を１．９に調整した。なお、分取用カラム
は日立化成工業株式会社製ゲルパックＧＬ−Ａ１３０
（内径４０ｍｍ長さ６００ｍｍ）を用い、溶媒としてア
セトン、流速１５ｍｌ／ｍｉｎで行った。
ミエーションクロマトグラフィーを用いて分子量別分取
を行い分散度を１．９に調整した。なお、分取用カラム
は日立化成工業株式会社製ゲルパックＧＬ−Ａ１３０
（内径４０ｍｍ長さ６００ｍｍ）を用い、溶媒としてア
セトン、流速１５ｍｌ／ｍｉｎで行った。
【００２８】ノボラック樹脂２ ｍ−クレゾール１３５ｇ、ｐ−クレゾール１３５ｇ（ｍ
−クレゾール／ｐ−クレゾール＝５０／５０重量比）及
び３７％ホルマリン１４３ｇとした以外はノボラック樹
脂１と同様な方法で合成した。分散度は１．９。
−クレゾール／ｐ−クレゾール＝５０／５０重量比）及
び３７％ホルマリン１４３ｇとした以外はノボラック樹
脂１と同様な方法で合成した。分散度は１．９。
【００２９】ノボラック樹脂３ ｍ−クレゾール１６２ｇ、ｐ−クレゾール１０８ｇ（ｍ
−クレゾール／ｐ−クレゾール＝６０／４０重量比）及
び３７％ホルマリン１５０ｇとした以外はノボラック樹
脂１と同様な方法で合成した。分散度は１．９。
−クレゾール／ｐ−クレゾール＝６０／４０重量比）及
び３７％ホルマリン１５０ｇとした以外はノボラック樹
脂１と同様な方法で合成した。分散度は１．９。
【００３０】ノボラック樹脂４ ｍ−クレゾール６７．５ｇ、ｐ−クレゾール２０２．５
ｇ（ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝２５／７５重量
比）及び３７％ホルマリン１３０ｇとした以外はノボラ
ック樹脂１と同様な方法で合成した。分散度は１．６。
ｇ（ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝２５／７５重量
比）及び３７％ホルマリン１３０ｇとした以外はノボラ
ック樹脂１と同様な方法で合成した。分散度は１．６。
【００３１】ノボラック樹脂５ ｍ−クレゾール２０２．５ｇ、ｐ−クレゾール６７．５
ｇ（ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝７５／２５重量
比）及び３７％ホルマリン１５４ｇとした以外はノボラ
ック樹脂１と同様な方法で合成した。分散度は１．９。
ｇ（ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝７５／２５重量
比）及び３７％ホルマリン１５４ｇとした以外はノボラ
ック樹脂１と同様な方法で合成した。分散度は１．９。
【００３２】実施例１〜５、比較例１〜３ 前記の製造例で得たノボラツク樹脂及び１，２−ナフト
キノンジアジド−５スルホン酸クロリドと７−ヒドロキ
シ−２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−２，４，
４−トリメチルクコマンの１．２：１（モル比）縮合反
応物を表１に示すような割合で混合しエチルセロソルブ
アセテートに溶解してポジ型フォトレジスト組成物を調
整した。
キノンジアジド−５スルホン酸クロリドと７−ヒドロキ
シ−２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−２，４，
４−トリメチルクコマンの１．２：１（モル比）縮合反
応物を表１に示すような割合で混合しエチルセロソルブ
アセテートに溶解してポジ型フォトレジスト組成物を調
整した。
【００３３】このポジ型フォトレジスト組成物をヘキサ
メチルジシラザン処理したシリコンウエハ上にスピンコ
ータで膜厚１．２μｍになるように塗布し、９０℃で９
０秒乾燥後、縮小投影露光器を用いてレチクルを介して
波長３６５ｎｍで露光した。露光後は１１０℃で９０秒
乾燥後、２．３８重量％水酸化テトラメチルアンモニウ
ム水溶液を用いて現像し、更に１１０℃で９０秒乾燥し
てレジストパターンを得た。このレジストパターンの電
子顕微鏡（ＳＥＭ）像を観察することにより解像度を求
め、耐熱性は５０μｍのパターンにおいて一定温度で５
分間加熱し、ＳＥＭ写真で観察してレジストパターンの
熱変形の程度により求めた。実施例及び比較例の評価結
果を表１に示した。表１に示したように実施例である樹
脂の分散度が２．０以下の場合、解像度及び耐熱性とも
に優れていることが分かる。
メチルジシラザン処理したシリコンウエハ上にスピンコ
ータで膜厚１．２μｍになるように塗布し、９０℃で９
０秒乾燥後、縮小投影露光器を用いてレチクルを介して
波長３６５ｎｍで露光した。露光後は１１０℃で９０秒
乾燥後、２．３８重量％水酸化テトラメチルアンモニウ
ム水溶液を用いて現像し、更に１１０℃で９０秒乾燥し
てレジストパターンを得た。このレジストパターンの電
子顕微鏡（ＳＥＭ）像を観察することにより解像度を求
め、耐熱性は５０μｍのパターンにおいて一定温度で５
分間加熱し、ＳＥＭ写真で観察してレジストパターンの
熱変形の程度により求めた。実施例及び比較例の評価結
果を表１に示した。表１に示したように実施例である樹
脂の分散度が２．０以下の場合、解像度及び耐熱性とも
に優れていることが分かる。
【００３４】
【表１】
【発明の効果】本発明により解像度と耐熱性の両者に優
れたポジ型フォトレジスト組成物を得ることができる。
れたポジ型フォトレジスト組成物を得ることができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 アルカリ可溶性ノボラック樹脂と１，２
−ナフトキノンジアジド化合物を含むポジ型フォトレジ
スト組成物において、アルカリ可溶性ノボラック樹脂が
フェノール類とホルムアルデヒドとを付加縮合反応させ
ることによって製造されるノボラック樹脂であって、ゲ
ルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた標
準ポリスチレン換算の重量平均分子量が３０００〜１５
０００の範囲でかつ分散度が２．０以下であるポジ型フ
ォトレジスト組成物。 - 【請求項２】 フェノール類としてクレゾール類を用い
る請求項１記載のポジ型フォトレジスト組成物。 - 【請求項３】 クレゾール類がｍ−クレゾール及びｐ−
クレゾールの混合物からなり、ｍ−クレゾールが３０〜
６０重量％及びｐ−クレゾールが７０〜４０重量％の範
囲である請求項２記載のポジ型フォトレジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30221891A JPH05142770A (ja) | 1991-11-19 | 1991-11-19 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30221891A JPH05142770A (ja) | 1991-11-19 | 1991-11-19 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05142770A true JPH05142770A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17906380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30221891A Pending JPH05142770A (ja) | 1991-11-19 | 1991-11-19 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05142770A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0766139A1 (en) * | 1995-09-22 | 1997-04-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive working photoresist composition |
| EP0786699A1 (en) | 1996-01-22 | 1997-07-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
-
1991
- 1991-11-19 JP JP30221891A patent/JPH05142770A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0766139A1 (en) * | 1995-09-22 | 1997-04-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive working photoresist composition |
| EP0786699A1 (en) | 1996-01-22 | 1997-07-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
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