JPH06112586A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH06112586A JPH06112586A JP4280988A JP28098892A JPH06112586A JP H06112586 A JPH06112586 A JP H06112586A JP 4280988 A JP4280988 A JP 4280988A JP 28098892 A JP28098892 A JP 28098892A JP H06112586 A JPH06112586 A JP H06112586A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 光ディスク装置等に用いる可視光半導体レー
ザの高出力動作特性を改善する。 【構成】 活性層１１として充分に薄いバルク層または
多重量子井戸層を用いる。または、一方のクラッド層１
３を充分に薄くする。それぞれ適切なガイド層１２を設
け発振閾値電流を低減する。
ザの高出力動作特性を改善する。 【構成】 活性層１１として充分に薄いバルク層または
多重量子井戸層を用いる。または、一方のクラッド層１
３を充分に薄くする。それぞれ適切なガイド層１２を設
け発振閾値電流を低減する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク装置などの
情報処理装置の光源に用いる高出力半導体レーザに関す
る。
情報処理装置の光源に用いる高出力半導体レーザに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスク装置の記録容量をさら
に高めるため従来より短い発振波長を持つ可視光半導体
レーザの開発が進められている。該可視光半導体レーザ
が光ディスク装置に必要な高出力動作を行うためには、
該可視光半導体レーザ端面近傍の光吸収に起因する光学
損傷を抑制しなければならない。最近、上野ら（ジャパ
ニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジクス誌
第２９巻第９号Ｌ１６６６−Ｌ１６６８頁、１９９０年
９月）や板谷ら（第１２回 ＩＥＥＥ国際半導体レーザ
国際会議、１９９０年９月、スイス・ダボス、講演番号
Ｃ−５）はレーザ端面近傍にバンドギャップエネルギー
の大きい活性層を持つウィンドウ型可視光半導体レーザ
を試作し、光学損傷が抑制されたことを示し優れた高出
力動作特性を報告した。該半導体レーザ内部の活性層は
秩序状態のＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（厚さ６０ｎｍ）からな
るのに対しレーザ端面近傍の活性層はバンドギャップエ
ネルギの大きい無秩序状態のＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（厚さ
６０ｎｍ）からなり、該レーザ端面近傍の光吸収は低減
された。無秩序状態の該ＧａＩｎＰ活性層は、秩序状態
のＧａＩｎＰ活性層に不純物を拡散して形成された。該
不純物は活性層に対して基板と反対側に位置するクラッ
ド層（厚さ１μｍ）の表面から内部を経て活性層へ拡散
した。
に高めるため従来より短い発振波長を持つ可視光半導体
レーザの開発が進められている。該可視光半導体レーザ
が光ディスク装置に必要な高出力動作を行うためには、
該可視光半導体レーザ端面近傍の光吸収に起因する光学
損傷を抑制しなければならない。最近、上野ら（ジャパ
ニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジクス誌
第２９巻第９号Ｌ１６６６−Ｌ１６６８頁、１９９０年
９月）や板谷ら（第１２回 ＩＥＥＥ国際半導体レーザ
国際会議、１９９０年９月、スイス・ダボス、講演番号
Ｃ−５）はレーザ端面近傍にバンドギャップエネルギー
の大きい活性層を持つウィンドウ型可視光半導体レーザ
を試作し、光学損傷が抑制されたことを示し優れた高出
力動作特性を報告した。該半導体レーザ内部の活性層は
秩序状態のＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（厚さ６０ｎｍ）からな
るのに対しレーザ端面近傍の活性層はバンドギャップエ
ネルギの大きい無秩序状態のＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（厚さ
６０ｎｍ）からなり、該レーザ端面近傍の光吸収は低減
された。無秩序状態の該ＧａＩｎＰ活性層は、秩序状態
のＧａＩｎＰ活性層に不純物を拡散して形成された。該
不純物は活性層に対して基板と反対側に位置するクラッ
ド層（厚さ１μｍ）の表面から内部を経て活性層へ拡散
した。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】該ＧａＩｎＰ活性層の
不純物濃度が不十分な場合、秩序状態のＧａＩｎＰが残
存し光吸収は充分低減しない。逆に該ＧａＩｎＰ活性層
の不純物濃度が過剰な場合、自由キャリア散乱やバンド
テールの増大等のために光吸収は増大する。従って、活
性層の該不純物濃度は適切に制御される必要がある。上
述した従来の半導体レーザは不純物濃度の制御が不十分
であり高出力動作特性が限定されている。該半導体レー
ザの高出力動作特性を改善するためには、該不純物の制
御性を向上させる必要がある。
不純物濃度が不十分な場合、秩序状態のＧａＩｎＰが残
存し光吸収は充分低減しない。逆に該ＧａＩｎＰ活性層
の不純物濃度が過剰な場合、自由キャリア散乱やバンド
テールの増大等のために光吸収は増大する。従って、活
性層の該不純物濃度は適切に制御される必要がある。上
述した従来の半導体レーザは不純物濃度の制御が不十分
であり高出力動作特性が限定されている。該半導体レー
ザの高出力動作特性を改善するためには、該不純物の制
御性を向上させる必要がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザの
１つは、活性層の厚さが５０ｎｍ以下と充分薄いことを
特徴とする半導体レーザである。本発明の別の半導体レ
ーザは、活性層に対して基板と反対側に位置するクラッ
ド層の厚さが０．７５μｍ以下と充分薄いことを特徴と
する半導体レーザである。
１つは、活性層の厚さが５０ｎｍ以下と充分薄いことを
特徴とする半導体レーザである。本発明の別の半導体レ
ーザは、活性層に対して基板と反対側に位置するクラッ
ド層の厚さが０．７５μｍ以下と充分薄いことを特徴と
する半導体レーザである。
【０００５】
【作用】該不純物がクラッド層を経て活性層に拡散する
と、活性層上端から下端に向かい不純物濃度勾配が生じ
る。活性層が薄いほど該活性層上端と下端の不純物濃度
差は低減し、活性層全域にわたる該不純物濃度の制御性
は向上する。また、該不純物は該クラッド層の表面から
内部を経て活性層上端へ拡散するため、該クラッド層が
薄いほど該不純物の拡散距離が短く活性層の該不純物の
制御性は向上する。
と、活性層上端から下端に向かい不純物濃度勾配が生じ
る。活性層が薄いほど該活性層上端と下端の不純物濃度
差は低減し、活性層全域にわたる該不純物濃度の制御性
は向上する。また、該不純物は該クラッド層の表面から
内部を経て活性層上端へ拡散するため、該クラッド層が
薄いほど該不純物の拡散距離が短く活性層の該不純物の
制御性は向上する。
【０００６】
【実施例】本発明の半導体レーザの平面図を図１に示
す。レーザ内部の励起領域３の活性層が秩序状態のＡｌ
ＧａＩｎＰからなるのに対し、レーザ端面６近傍のウィ
ンドウ領域４の活性層は無秩序状態のＡｌＧａＩｎＰか
らなる。図２および図３はそれぞれ励起領域３およびウ
ィンドウ領域４におけるレーザ断面図である。図２およ
び図３の断面は図１のレーザ端面６に平行な平面であ
る。
す。レーザ内部の励起領域３の活性層が秩序状態のＡｌ
ＧａＩｎＰからなるのに対し、レーザ端面６近傍のウィ
ンドウ領域４の活性層は無秩序状態のＡｌＧａＩｎＰか
らなる。図２および図３はそれぞれ励起領域３およびウ
ィンドウ領域４におけるレーザ断面図である。図２およ
び図３の断面は図１のレーザ端面６に平行な平面であ
る。
【０００７】本発明の半導体レーザの実施例の１つを以
下に示す。まず、ｎ−ＧａＡｓ基板７上にｎ−ＧａＡｓ
バッファー層８、９００ｎｍ厚のＳｉドープｎ−（Ａｌ
0.7Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層９、１００ｎ
ｍ厚のＳｉドープｎ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐガイド層１０、活性層１１、１００ｎｍ厚のＺｎ
ドープｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐガイド
層１２、９００ｎｍ厚のＺｎドープｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層１３、１０ｎｍ厚のＺ
ｎドープｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１４を順次に有機金
属気相成長法（Ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ
Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＯＶＰＥ法）により
積層成長した。結晶成長条件は成長温度６５０−７５０
℃、Ｖ／ＩＩＩ比５０−５００、成長速度１−２μｍ／
ｈとした。結晶成長法はＭＯＶＰＥ法に限らずＭＢＥ
法、ＭＯＭＢＥ法、ＧＳＭＢＥ法などが可能である。該
活性層１１は１０ｎｍ厚の無秩序状態の（Ａｌ0.05 Ｇ
ａ0.95 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐウェル層と５ｎｍ厚の（Ａｌ
0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層からなる多重量
子井戸層である。無秩序状態の（Ａｌ0.05 Ｇａ0.95 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐのバンドギャップエネルギーは１．８８
ｅＶである。該ウェル数は４とした。無秩序状態のＧａ
ＩｎＰウェル層を用いてもよい。該活性層１１に５０ｎ
ｍ以下の厚さの無秩序状態のＡｌＧａＩｎＰまたはＧａ
ＩｎＰバルク層を用いてもよい。ｐ−ＧａＩｎＰ層１４
まで結晶成長した後、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
３およびｐ−ＧａＩｎＰ層１４の一部を除去してメサ型
の幅３−６μｍのストライプを形成し、光導波路１を形
成した。次に、ウィンドウ領域４の該ｐ−ＧａＩｎＰ層
１４の表面からｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１３およ
びｐ−ＡｌＧａＩｎＰガイド層１２を経て活性層１１へ
Ｚｎ不純物を拡散した。該不純物拡散は、ＺｎＡｓ２拡
散原料と拡散マスクを用いた熱拡散法で行い、拡散温度
６００−７００℃、拡散時間１時間未満とした。拡散原
料はＺｎＡｓ２に限らずＺｎ２Ａｓ３などでもよい。該
不純物拡散は該熱拡散法に限らず、結晶成長中のドーパ
ンＺｎの自己拡散現象（第１２回 ＩＥＥＥ 国際半導
体レーザ国際会議、１９９０年９月、スイス・ダボス、
講演番号Ｃ−５）を利用して行ってもよい。該不燃物拡
散を終えると、該ウィンドウ領域４の該ＡｌＧａＩｎＰ
ウェル層は無秩序状態となる。無秩序状態の該ウェル層
のバンドギャップエネルギーは約１．９５ｅＶである。
不純物拡散の制御性が向上した結果、該ウィンドウ領域
の活性層の光吸収は顕著に低減した。不純物拡散の後、
ｎ−ＧａＡｓブロック層１５を選択的に成長し、さらに
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１６を全面に成長し、ｎ電極
１７とｐ電極１８を形成した。最後にレーザ端面６を劈
開により形成し、該レーザ端面のそれぞれに１射率およ
び高反射率の誘電体膜を形成し、半導体レーザが完成し
た。共振器長は７００μｍとした。該半導体レーザはガ
イド層を備えるため、活性層１１が薄いにもかかわらず
発振閾値電流は６０ｍＡと低い。スポットサイズｄ／Γ
は０．３２μｍと従来の半導体レーザにほぼ等しい。該
半導体レーザは５０ｍＷ出力で長時間安定動作した。
下に示す。まず、ｎ−ＧａＡｓ基板７上にｎ−ＧａＡｓ
バッファー層８、９００ｎｍ厚のＳｉドープｎ−（Ａｌ
0.7Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層９、１００ｎ
ｍ厚のＳｉドープｎ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐガイド層１０、活性層１１、１００ｎｍ厚のＺｎ
ドープｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐガイド
層１２、９００ｎｍ厚のＺｎドープｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層１３、１０ｎｍ厚のＺ
ｎドープｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１４を順次に有機金
属気相成長法（Ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ
Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＯＶＰＥ法）により
積層成長した。結晶成長条件は成長温度６５０−７５０
℃、Ｖ／ＩＩＩ比５０−５００、成長速度１−２μｍ／
ｈとした。結晶成長法はＭＯＶＰＥ法に限らずＭＢＥ
法、ＭＯＭＢＥ法、ＧＳＭＢＥ法などが可能である。該
活性層１１は１０ｎｍ厚の無秩序状態の（Ａｌ0.05 Ｇ
ａ0.95 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐウェル層と５ｎｍ厚の（Ａｌ
0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層からなる多重量
子井戸層である。無秩序状態の（Ａｌ0.05 Ｇａ0.95 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐのバンドギャップエネルギーは１．８８
ｅＶである。該ウェル数は４とした。無秩序状態のＧａ
ＩｎＰウェル層を用いてもよい。該活性層１１に５０ｎ
ｍ以下の厚さの無秩序状態のＡｌＧａＩｎＰまたはＧａ
ＩｎＰバルク層を用いてもよい。ｐ−ＧａＩｎＰ層１４
まで結晶成長した後、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
３およびｐ−ＧａＩｎＰ層１４の一部を除去してメサ型
の幅３−６μｍのストライプを形成し、光導波路１を形
成した。次に、ウィンドウ領域４の該ｐ−ＧａＩｎＰ層
１４の表面からｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１３およ
びｐ−ＡｌＧａＩｎＰガイド層１２を経て活性層１１へ
Ｚｎ不純物を拡散した。該不純物拡散は、ＺｎＡｓ２拡
散原料と拡散マスクを用いた熱拡散法で行い、拡散温度
６００−７００℃、拡散時間１時間未満とした。拡散原
料はＺｎＡｓ２に限らずＺｎ２Ａｓ３などでもよい。該
不純物拡散は該熱拡散法に限らず、結晶成長中のドーパ
ンＺｎの自己拡散現象（第１２回 ＩＥＥＥ 国際半導
体レーザ国際会議、１９９０年９月、スイス・ダボス、
講演番号Ｃ−５）を利用して行ってもよい。該不燃物拡
散を終えると、該ウィンドウ領域４の該ＡｌＧａＩｎＰ
ウェル層は無秩序状態となる。無秩序状態の該ウェル層
のバンドギャップエネルギーは約１．９５ｅＶである。
不純物拡散の制御性が向上した結果、該ウィンドウ領域
の活性層の光吸収は顕著に低減した。不純物拡散の後、
ｎ−ＧａＡｓブロック層１５を選択的に成長し、さらに
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１６を全面に成長し、ｎ電極
１７とｐ電極１８を形成した。最後にレーザ端面６を劈
開により形成し、該レーザ端面のそれぞれに１射率およ
び高反射率の誘電体膜を形成し、半導体レーザが完成し
た。共振器長は７００μｍとした。該半導体レーザはガ
イド層を備えるため、活性層１１が薄いにもかかわらず
発振閾値電流は６０ｍＡと低い。スポットサイズｄ／Γ
は０．３２μｍと従来の半導体レーザにほぼ等しい。該
半導体レーザは５０ｍＷ出力で長時間安定動作した。
【０００８】次に、本発明の半導体レーザの第２の実施
例を以下に示す。本実施例の構造および製造方法は既に
述べた第１の実施例と類似点が多いので、図２および図
３を参照して第１の実施例と異なる点だけを以下に述べ
る。まず、ｎ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層９を３μｍと厚くし、ｎ−（Ａｌ0.6 Ｇ
ａ0. 4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐガイド層１０を３００ｎｍとし
た。多重量子井戸活性層１１のウェル数は６とした。ｐ
−ＡｌＧａＩｎＰガイド層１２は用いない。ｐ−（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１３を６５０ｎｍと薄
くした。ｎ側に厚いガイド層を設けたため該ｐ−ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層１３が薄いにもかかわらずｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層１６への光の浸み出しは小さく、Ｇａ
Ａｓの光吸収に基づくモードロスは８ｃｍ−１と小さ
い。本半導体レーザのスポットサイズｄ／Γは０．３０
μｍと小さく、発振閾値電流は６０ｍＡと低かった。該
半導体レーザは５０ｍＷ出力で長時間安定動作した。
例を以下に示す。本実施例の構造および製造方法は既に
述べた第１の実施例と類似点が多いので、図２および図
３を参照して第１の実施例と異なる点だけを以下に述べ
る。まず、ｎ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層９を３μｍと厚くし、ｎ−（Ａｌ0.6 Ｇ
ａ0. 4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐガイド層１０を３００ｎｍとし
た。多重量子井戸活性層１１のウェル数は６とした。ｐ
−ＡｌＧａＩｎＰガイド層１２は用いない。ｐ−（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層１３を６５０ｎｍと薄
くした。ｎ側に厚いガイド層を設けたため該ｐ−ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層１３が薄いにもかかわらずｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層１６への光の浸み出しは小さく、Ｇａ
Ａｓの光吸収に基づくモードロスは８ｃｍ−１と小さ
い。本半導体レーザのスポットサイズｄ／Γは０．３０
μｍと小さく、発振閾値電流は６０ｍＡと低かった。該
半導体レーザは５０ｍＷ出力で長時間安定動作した。
【０００９】
【発明の効果】本発明によれば、半導体レーザの製造に
必要な不純物拡散工程の制御性を高め、該半導体レーザ
の高出力動作特性を改善することができる。
必要な不純物拡散工程の制御性を高め、該半導体レーザ
の高出力動作特性を改善することができる。
【図１】本発明の半導体レーザの平面構造を示した図で
ある。
ある。
【図２】本発明の半導体レーザの断面構造を示した図の
１つである。
１つである。
【図３】本発明の半導体レーザの断面構造を示したもう
１つの図である。
１つの図である。
１ 光導波路 ４ ウィンドウ領域 ６ レーザ端面 ７ ｎ−ＧａＡｓ基板 ９ ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 １０ ｎ−ＡｌＧａＩｎＰガイド層 １１ 活性層 １２ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰガイド層 １３ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 １５ ｎ−ＧａＡｓブロック層 １６ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
Claims (4)
- 【請求項１】 第１伝導型のＧａＡｓ基板上に順次に形
成された第１伝導型のＡｌＧａＡｓＩｎＰクラッド層
と、ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰからなる活性層
と、第２伝導型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層を少なくと
も含む多層エピタキシャル層と、一対のレーザ端面とを
備え、該活性層または該第２伝導型クラッド層の厚さが
充分に薄く、該レーザ端面近傍の活性層は無秩序状態で
あり、レーザー内部の活性層は秩序状態であることを特
徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記活性層がＡｌＧａＩｎＰおよびＧａ
ＩｎＰからなる多重量子井戸層でなり、該井戸層の厚さ
の合計が５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１
に記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 前記活性層が厚さが５０ｎｍ以下のＧａ
ＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰバルク層でなることを特徴
とする請求項１に記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】 第２伝導型クラッド層の厚さが０．７５
μｍ以下であることを特徴とする請求項乃至３に記載の
半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4280988A JPH06112586A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4280988A JPH06112586A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112586A true JPH06112586A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17632696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4280988A Pending JPH06112586A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112586A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997050158A1 (fr) * | 1996-06-24 | 1997-12-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser semi-conducteur |
| US5987048A (en) * | 1996-07-26 | 1999-11-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gallium nitride-based compound semiconductor laser and method of manufacturing the same |
-
1992
- 1992-09-25 JP JP4280988A patent/JPH06112586A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997050158A1 (fr) * | 1996-06-24 | 1997-12-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser semi-conducteur |
| US6185237B1 (en) | 1996-06-24 | 2001-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser |
| US5987048A (en) * | 1996-07-26 | 1999-11-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gallium nitride-based compound semiconductor laser and method of manufacturing the same |
| US6118801A (en) * | 1996-07-26 | 2000-09-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gallium nitride-based compound semiconductor laser and method of manufacturing the same |
| US6359919B1 (en) | 1996-07-26 | 2002-03-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gallium nitride-based compound semiconductor laser and method of manufacturing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990316 |