JPH0566408A - 液晶素子の製造方法 - Google Patents
液晶素子の製造方法Info
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- JPH0566408A JPH0566408A JP22613391A JP22613391A JPH0566408A JP H0566408 A JPH0566408 A JP H0566408A JP 22613391 A JP22613391 A JP 22613391A JP 22613391 A JP22613391 A JP 22613391A JP H0566408 A JPH0566408 A JP H0566408A
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- cell
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶セルのシールや封止が破れない様な液晶
素子の製造方法を提供する。 【構成】 液晶セルに液晶を注入口から注入した後に液
晶セルの温度を実際に液晶セルが使用される状態の温度
まで上昇させて液晶セル内圧と外圧を等しくして注入口
を封止する。
素子の製造方法を提供する。 【構成】 液晶セルに液晶を注入口から注入した後に液
晶セルの温度を実際に液晶セルが使用される状態の温度
まで上昇させて液晶セル内圧と外圧を等しくして注入口
を封止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ熱書込み型の液晶
素子、光書込みの液晶ライトバルブ等に用いて好適な液
晶素子の製造方法に関する。
素子、光書込みの液晶ライトバルブ等に用いて好適な液
晶素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からレーザ熱書込み型の液晶素子を
用いた液晶表示装置としては例えば、液晶素子としてス
メクチック液晶を用いて液晶セルにレーザ光を照射し、
熱電気光学効果を利用し、熱書込みした画像をスクリー
ン上に投射表示する投射型ディスプレイ等が知られてい
る。
用いた液晶表示装置としては例えば、液晶素子としてス
メクチック液晶を用いて液晶セルにレーザ光を照射し、
熱電気光学効果を利用し、熱書込みした画像をスクリー
ン上に投射表示する投射型ディスプレイ等が知られてい
る。
【０００３】図５は上述したレーザ熱書込み型液晶表示
素子を用いた投射型液晶表示装置の光学システムの概要
を示すものである。図５でレーザダイオード１から出射
したレーザビームはコリメーションレンズ２を通って後
述する液晶セルのＸ軸並にＹ軸方向に走査されるガルバ
ノスキャナーミラ３を介し、第１の集光レンズ４を透過
し、二色性ミラ５で反射された書込みレーザビーム６は
液晶セル７の液晶面にフォーカスする様に照射される。
この液晶セル７に書込みレーザビーム６によって照射さ
れた書込み点は、そのまま保持される。
素子を用いた投射型液晶表示装置の光学システムの概要
を示すものである。図５でレーザダイオード１から出射
したレーザビームはコリメーションレンズ２を通って後
述する液晶セルのＸ軸並にＹ軸方向に走査されるガルバ
ノスキャナーミラ３を介し、第１の集光レンズ４を透過
し、二色性ミラ５で反射された書込みレーザビーム６は
液晶セル７の液晶面にフォーカスする様に照射される。
この液晶セル７に書込みレーザビーム６によって照射さ
れた書込み点は、そのまま保持される。
【０００４】更に液晶セル面上に投射された書込みレー
ザビーム６はＸ軸及びＹ軸用の二つのガルバノスキャナ
ーミラ３で偏向され、液晶面上の任意の位置に図形等を
描写することが出来る。
ザビーム６はＸ軸及びＹ軸用の二つのガルバノスキャナ
ーミラ３で偏向され、液晶面上の任意の位置に図形等を
描写することが出来る。
【０００５】液晶セル７の液晶面上に描画された図形等
は投射ランプ８からの投写光１０によってスクリーン９
上に投影される。即ち、投写ランプ８の投写光１０は第
２の集光レンズ１１に集められて二色性ミラ５を介し液
晶セル７にバックから当てられ、液晶面上の図形等は投
影レンズ１２及び折り返しミラ１３を介しスクリーン９
上に投影される。
は投射ランプ８からの投写光１０によってスクリーン９
上に投影される。即ち、投写ランプ８の投写光１０は第
２の集光レンズ１１に集められて二色性ミラ５を介し液
晶セル７にバックから当てられ、液晶面上の図形等は投
影レンズ１２及び折り返しミラ１３を介しスクリーン９
上に投影される。
【０００６】上記した液晶セル７の熱書込みの原理を図
６Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄによって説明する。図で液晶セル７は
二枚のガラス基板１４及び１５から成る。これらガラス
基板１４にはＩＴＯ（酸化インジウム）等の透明電極膜
１６，１７並にＳｉＯ2 （二酸化シリコン）等の絶縁膜
１８，１９がコーティングされ、更に書込みレーザビー
ム６が入射される反対側のガラス基板１４にはレーザミ
ラ２０が形成されている。このレーザミラ２０は誘電体
の光学多層膜で構成される。
６Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄによって説明する。図で液晶セル７は
二枚のガラス基板１４及び１５から成る。これらガラス
基板１４にはＩＴＯ（酸化インジウム）等の透明電極膜
１６，１７並にＳｉＯ2 （二酸化シリコン）等の絶縁膜
１８，１９がコーティングされ、更に書込みレーザビー
ム６が入射される反対側のガラス基板１４にはレーザミ
ラ２０が形成されている。このレーザミラ２０は誘電体
の光学多層膜で構成される。
【０００７】二つのガラス基板１４及び１５間は例えば
熱硬化性樹脂等の接着材層から成るシール材２１でシー
ルされる。
熱硬化性樹脂等の接着材層から成るシール材２１でシー
ルされる。
【０００８】シール材２１でシールされた空セル容器内
にはスメクチック液晶２４等が充填される。この液晶２
４はレーザ等の熱書込みによって、ＳｍＡ（スメクチッ
クＡ）液晶相⇔Ｎ液晶相⇔等方性液晶相（Ｉｓｏ相）に
相変化するものが用いられる。
にはスメクチック液晶２４等が充填される。この液晶２
４はレーザ等の熱書込みによって、ＳｍＡ（スメクチッ
クＡ）液晶相⇔Ｎ液晶相⇔等方性液晶相（Ｉｓｏ相）に
相変化するものが用いられる。
【０００９】この様な液晶２４にレーザ等の熱を加えＳ
ｍＡ相からＩｓｏ相へ一度相転移させた後に元のＳｍＡ
相に戻すとＩｓｏ相でのランダムな配向がＳｍＡ相で保
持され、光散乱状態が形成されて、メモリ状態を保持す
る。この状態を消去するには電圧を印加して一様配向し
ているＳｍＡ相に戻す様にしてやればよい。
ｍＡ相からＩｓｏ相へ一度相転移させた後に元のＳｍＡ
相に戻すとＩｓｏ相でのランダムな配向がＳｍＡ相で保
持され、光散乱状態が形成されて、メモリ状態を保持す
る。この状態を消去するには電圧を印加して一様配向し
ているＳｍＡ相に戻す様にしてやればよい。
【００１０】即ち、透明電極膜１６，１７は画面を消去
するときに電圧を印加するために形成され、絶縁膜１
８，１９は液晶中の不純物によって、透明電極１６，１
７間がショートされるのを防止するために形成される。
更にレーザミラ２０はレーザダイオードから入射されて
来る書込みレーザビームを反射し、レーザビームのエネ
ルギーを有効利用するためにコーティングされている。
するときに電圧を印加するために形成され、絶縁膜１
８，１９は液晶中の不純物によって、透明電極１６，１
７間がショートされるのを防止するために形成される。
更にレーザミラ２０はレーザダイオードから入射されて
来る書込みレーザビームを反射し、レーザビームのエネ
ルギーを有効利用するためにコーティングされている。
【００１１】上述の如き液晶セル７の透明電極膜１６，
１７間にはスイッチ２２及び交流の電源２３が直列接続
されている。
１７間にはスイッチ２２及び交流の電源２３が直列接続
されている。
【００１２】図６Ａに示す状態ではスイッチ２２はオフ
状態で液晶２４は一様に配列されたＳｍＡ相である。
状態で液晶２４は一様に配列されたＳｍＡ相である。
【００１３】次に図６Ｂに示す様に、書込みレーザビー
ム６を基板ガラス１５側から入射させると書込みレーザ
ビーム６の当たった部分の液晶２４ａだけ光散乱状態の
Ｉｓｏ相となり図６Ｃに示す様に画素２５となり、所定
の画像が描画可能となる。
ム６を基板ガラス１５側から入射させると書込みレーザ
ビーム６の当たった部分の液晶２４ａだけ光散乱状態の
Ｉｓｏ相となり図６Ｃに示す様に画素２５となり、所定
の画像が描画可能となる。
【００１４】次に図６Ｄに示す様にスイッチ２２をオン
して交流の電源２３から透明電極１６，１７に電圧を印
加すれば液晶２４のＩｓｏ相は元のＳｍＡ相の一様な配
列に戻される。
して交流の電源２３から透明電極１６，１７に電圧を印
加すれば液晶２４のＩｓｏ相は元のＳｍＡ相の一様な配
列に戻される。
【００１５】特に、この様な液晶パネル７に於いては、
標準的なセルギャップｔ（図６Ｄ参照）の値は１０μｍ
に、画素サイズは１０μｍ2 程度であるので、１０μｍ
径のガラスファイバ等のスペーサを表示領域に散布する
と、このガラスファイバによって画面がつぶされるため
に、セルギャップｔはシール材２１中に混入したガラス
ファイバによって保持する様に成されている。
標準的なセルギャップｔ（図６Ｄ参照）の値は１０μｍ
に、画素サイズは１０μｍ2 程度であるので、１０μｍ
径のガラスファイバ等のスペーサを表示領域に散布する
と、このガラスファイバによって画面がつぶされるため
に、セルギャップｔはシール材２１中に混入したガラス
ファイバによって保持する様に成されている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】上記した液晶セル７は
動作中にその応答性を高めるために恒温槽内に入れられ
て、所定の温度になる様に加熱される構成となされてい
る。
動作中にその応答性を高めるために恒温槽内に入れられ
て、所定の温度になる様に加熱される構成となされてい
る。
【００１７】更に、図５のシステム構成の光学系路で説
明した様に液晶セル７の背面に置かれた投写ランプ８等
の輻射熱で液晶セル７の温度が上昇する場合がある。
明した様に液晶セル７の背面に置かれた投写ランプ８等
の輻射熱で液晶セル７の温度が上昇する場合がある。
【００１８】この様に液晶セル７に高い温度が加えられ
ると常温で封止された液晶セル７では液晶２４の熱膨張
により、セルギャップｔの厚みが設計値の例えば１０μ
ｍからずれる問題があった。
ると常温で封止された液晶セル７では液晶２４の熱膨張
により、セルギャップｔの厚みが設計値の例えば１０μ
ｍからずれる問題があった。
【００１９】又、液晶セル７内の液晶２４の熱膨張でガ
ラス基板１４及び１５に対し内面からの圧力が高まるた
めにシール材２１或いは封止部分が破れて液晶が漏れ出
したり、液晶２４内に気泡が浸入する等のトラブルを発
生することがあった。
ラス基板１４及び１５に対し内面からの圧力が高まるた
めにシール材２１或いは封止部分が破れて液晶が漏れ出
したり、液晶２４内に気泡が浸入する等のトラブルを発
生することがあった。
【００２０】更に、液晶セル７の動作状態では昇温状態
となり、非動作状態では降温状態となるので、この様な
繰返しによって、液晶セル７内の液晶２４は膨張、収縮
し、ガラス基板１４，１５並にシール材２１に圧力の変
化が繰り返し加えられるため上述したと同様のトラブル
が発生する問題があった。
となり、非動作状態では降温状態となるので、この様な
繰返しによって、液晶セル７内の液晶２４は膨張、収縮
し、ガラス基板１４，１５並にシール材２１に圧力の変
化が繰り返し加えられるため上述したと同様のトラブル
が発生する問題があった。
【００２１】本発明は叙上の問題点を解決するためにな
されたもので、その目的とするところは液晶セルの内圧
を動作時に外圧と同等とし、非動作時には外圧より低く
して、シール材が内圧を受けることのない様にし、液晶
セルの信頼性を向上させる様に成した液晶素子の製造方
法を提供しようとするものである。
されたもので、その目的とするところは液晶セルの内圧
を動作時に外圧と同等とし、非動作時には外圧より低く
して、シール材が内圧を受けることのない様にし、液晶
セルの信頼性を向上させる様に成した液晶素子の製造方
法を提供しようとするものである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶素子の製造
方法はその例が図１に示されている様に、少なくとも一
方が透明な基板間周辺部を接着層で接着して空隙を設け
液晶セルを形成する工程ＳＴ1 と、この液晶セルに設け
られた液晶注入孔から液晶を注入する工程ＳＴ 4 と、液
晶セルを恒温槽中に置き液晶セルの温度を上げる工程
と、その後、液晶セルの内圧と外気圧を等しくする工程
ＳＴ6 と、液晶注入孔を封止する工程ＳＴ 9 とを有する
ことを特徴とするものである。
方法はその例が図１に示されている様に、少なくとも一
方が透明な基板間周辺部を接着層で接着して空隙を設け
液晶セルを形成する工程ＳＴ1 と、この液晶セルに設け
られた液晶注入孔から液晶を注入する工程ＳＴ 4 と、液
晶セルを恒温槽中に置き液晶セルの温度を上げる工程
と、その後、液晶セルの内圧と外気圧を等しくする工程
ＳＴ6 と、液晶注入孔を封止する工程ＳＴ 9 とを有する
ことを特徴とするものである。
【００２３】
【作用】本発明は液晶セル７に液晶２４を注入して注入
口２７を封じる際に液晶セルの温度を、そのセルの実際
の動作時と同じか、或いは近い状態にし、液晶セルの内
圧と外気圧を等しくして封止したのでシール部分が破
れ、液晶が漏れたり、気泡が液晶内に混入するトラブル
を回避出来て、信頼性の高い液晶素子の製造方法が得ら
れる。
口２７を封じる際に液晶セルの温度を、そのセルの実際
の動作時と同じか、或いは近い状態にし、液晶セルの内
圧と外気圧を等しくして封止したのでシール部分が破
れ、液晶が漏れたり、気泡が液晶内に混入するトラブル
を回避出来て、信頼性の高い液晶素子の製造方法が得ら
れる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の液晶素子の製造方法の一実施
例を図面によって説明する。
例を図面によって説明する。
【００２５】先ず、ガラス基板１４，１５はガラス基板
洗浄工程で洗浄が行われ、ガラス基板１４の表面には誘
電体の光学多層膜によるレーザミラ２０が形成され他方
のガラス基板１５はレーザミラが蒸着されない。
洗浄工程で洗浄が行われ、ガラス基板１４の表面には誘
電体の光学多層膜によるレーザミラ２０が形成され他方
のガラス基板１５はレーザミラが蒸着されない。
【００２６】次の導電膜電蒸着工程ではＩＴＯ等の透明
電極膜１６，１７がガラス基板１４上並にレーザミラ２
０上に形成される。
電極膜１６，１７がガラス基板１４上並にレーザミラ２
０上に形成される。
【００２７】更に次の絶縁膜蒸着工程ではＳｉＯ2 等の
絶縁膜１８，１９が透明電極膜１６，１７上に形成され
る。
絶縁膜１８，１９が透明電極膜１６，１７上に形成され
る。
【００２８】次に絶縁膜１８，１９上に配向剤が塗布さ
れて、配向層が形成される。
れて、配向層が形成される。
【００２９】次にシール部のシール印刷か行われ、シー
ル剤がシール印刷部に塗布される。更に、脱泡・乾燥が
行われ、基板ガラス１４，１５は所定の膜が形成され
て、図１のフローに示す様に貼り合わせ工程ＳＴ1 に入
る。
ル剤がシール印刷部に塗布される。更に、脱泡・乾燥が
行われ、基板ガラス１４，１５は所定の膜が形成され
て、図１のフローに示す様に貼り合わせ工程ＳＴ1 に入
る。
【００３０】貼り合わせ工程ＳＴ1 ではセルギャップを
所定の厚みに保持するためにシール材２１としての熱硬
化樹脂の接着剤中に直径１０μｍ程度のガラスファイバ
を混入して厚さｔを一定に保つ様に成す。
所定の厚みに保持するためにシール材２１としての熱硬
化樹脂の接着剤中に直径１０μｍ程度のガラスファイバ
を混入して厚さｔを一定に保つ様に成す。
【００３１】更に貼り合わせ工程ＳＴ1 で作られた空セ
ルを加熱硬化させる加熱硬化工程ＳＴ2 を経て次の真空
脱気工程ＳＴ3 に入る。
ルを加熱硬化させる加熱硬化工程ＳＴ2 を経て次の真空
脱気工程ＳＴ3 に入る。
【００３２】真空脱気工程ＳＴ3 では空セルを真空チャ
ンバ内に入れ、次の液晶注入工程ＳＴ4 で液晶材料２４
が注入される。この液晶材料２４として上述したスメク
チック液晶が注入される。
ンバ内に入れ、次の液晶注入工程ＳＴ4 で液晶材料２４
が注入される。この液晶材料２４として上述したスメク
チック液晶が注入される。
【００３３】通常の工程では液晶注入工程終了後に、直
ちに封止工程に入る。
ちに封止工程に入る。
【００３４】本例では液晶材料２４が注入れた液晶セル
７を図４に示す恒温槽２６中に挿入する工程ＳＴ5 があ
り、恒温槽２６中に３０分乃至２時間入れ、液晶セル７
が実際に使用される環境温度、例えば５３℃に設定する
加熱工程ＳＴ6 が行われる。恒温槽２６中に入れる時間
は液晶セル７の大きさにより異なるが、液晶セル７が設
定温度に安定するまでの時間を選択すればよく、設定温
度も、動作温度に近い温度であってもよく液晶セル７が
設定温度に充分になじんで液晶セル７の内圧と外気圧が
等しくなった状態で次の注入口２７に付着した液晶２４
をふきとる工程ＳＴ8 を行った後に、封止工程ＳＴ9 に
入り封止材３５で封止する。注入口２７の封止は常温硬
化形接着剤或いはシリコン樹脂系接着剤等が用いられ
る。上述の液晶セルでは注入口２７は従来から一般に用
いられている注入口２７であってもよい。
７を図４に示す恒温槽２６中に挿入する工程ＳＴ5 があ
り、恒温槽２６中に３０分乃至２時間入れ、液晶セル７
が実際に使用される環境温度、例えば５３℃に設定する
加熱工程ＳＴ6 が行われる。恒温槽２６中に入れる時間
は液晶セル７の大きさにより異なるが、液晶セル７が設
定温度に安定するまでの時間を選択すればよく、設定温
度も、動作温度に近い温度であってもよく液晶セル７が
設定温度に充分になじんで液晶セル７の内圧と外気圧が
等しくなった状態で次の注入口２７に付着した液晶２４
をふきとる工程ＳＴ8 を行った後に、封止工程ＳＴ9 に
入り封止材３５で封止する。注入口２７の封止は常温硬
化形接着剤或いはシリコン樹脂系接着剤等が用いられ
る。上述の液晶セルでは注入口２７は従来から一般に用
いられている注入口２７であってもよい。
【００３５】上述の液晶セル７の注入口近傍の取付状態
の一例を図２及び図３で説明する。
の一例を図２及び図３で説明する。
【００３６】図３は貼り合わせ工程に構成される注入口
２７の組立状態の傾斜図で、例えばガラス基板１５に溝
２８が形成され、この溝２８はシール材２１を通過し、
この溝２８には細管２９が嵌着され、溝２８と細管２９
間は接着剤によって完全にシールされている。
２７の組立状態の傾斜図で、例えばガラス基板１５に溝
２８が形成され、この溝２８はシール材２１を通過し、
この溝２８には細管２９が嵌着され、溝２８と細管２９
間は接着剤によって完全にシールされている。
【００３７】図３は溝２８に細管２９を嵌挿して接着剤
３１でシールした状態の要部の側断面図を示している。
３１でシールした状態の要部の側断面図を示している。
【００３８】上述の構成によると、液晶セル７の内圧は
動作時に外気圧と同等となり、非動作時で常温に戻った
時の液晶は外気圧より低くなるのでシール材２１でシー
ルされたシール部や封止された注入口２７を押さえ付け
る方向に働くためにシール部が破れて液晶２４が漏れる
弊害が除かれ、液晶セル７の信頼性が向上する。
動作時に外気圧と同等となり、非動作時で常温に戻った
時の液晶は外気圧より低くなるのでシール材２１でシー
ルされたシール部や封止された注入口２７を押さえ付け
る方向に働くためにシール部が破れて液晶２４が漏れる
弊害が除かれ、液晶セル７の信頼性が向上する。
【００３９】上述の実施例では加熱工程ＳＴ6 で所定温
度に加熱した後に封止を行ったが、図１の破線で示す様
に加熱工程ＳＴ6 と注入口２７の液晶ふきとり工程ＳＴ
8 の間に不活性ガス注入工程ＳＴ9を入れる様にしても
よい。
度に加熱した後に封止を行ったが、図１の破線で示す様
に加熱工程ＳＴ6 と注入口２７の液晶ふきとり工程ＳＴ
8 の間に不活性ガス注入工程ＳＴ9を入れる様にしても
よい。
【００４０】即ち、この不活性ガス注入工程ＳＴ8 は図
４に示す恒温槽２６に設けた吸入弁３２から窒素ガス等
の不活性ガス３４を恒温槽２６内に導入し、排気弁３３
を開いて恒温槽２６内の空気を窒素ガス３４に置換し余
分な液晶２４をふきとり、恒温槽２６内の温度を室温に
戻す。この時、液晶２４の体積が減少した分だけ窒素ガ
ス３４が注入口２７から細管２９内に導入されるので、
この状態で注入口２７を封止する様にしてもよい。
４に示す恒温槽２６に設けた吸入弁３２から窒素ガス等
の不活性ガス３４を恒温槽２６内に導入し、排気弁３３
を開いて恒温槽２６内の空気を窒素ガス３４に置換し余
分な液晶２４をふきとり、恒温槽２６内の温度を室温に
戻す。この時、液晶２４の体積が減少した分だけ窒素ガ
ス３４が注入口２７から細管２９内に導入されるので、
この状態で注入口２７を封止する様にしてもよい。
【００４１】上述の実施例の場合は液晶セル７を動作状
態や非動作状態と成し、温度が繰り返し、変化しても、
液晶セル７内の液晶２４の体積の増減がガラス基板１
４，１５におよぼす影響が減りセルが変形して、液晶層
のセルギャップの厚みｔが変化するのを防止出来る。特
に液晶セル７の有効画面３０内にセルギャップを保持す
るガラスファイバ等を入れられない約２インチ程度の大
きさの液晶セルでは特に有効となる。
態や非動作状態と成し、温度が繰り返し、変化しても、
液晶セル７内の液晶２４の体積の増減がガラス基板１
４，１５におよぼす影響が減りセルが変形して、液晶層
のセルギャップの厚みｔが変化するのを防止出来る。特
に液晶セル７の有効画面３０内にセルギャップを保持す
るガラスファイバ等を入れられない約２インチ程度の大
きさの液晶セルでは特に有効となる。
【００４２】上述の実施例では液晶セルに液晶を注入し
た後に液晶セルの温度を実際の動作時と同じか或いは近
い状態にして、液晶セル内圧と外圧を等しくして注入口
を封止した場合と、注入口部分の有効画面外に溝を形成
し、細管を挿通し、液晶注入後にこの細管内に不活性ガ
スを導入することで液晶の熱による膨張、収縮を緩衝さ
せた場合を説明したが、これら両方法を併用すればより
効果的な液晶素子の製造方法が得られることは明らかで
ある。
た後に液晶セルの温度を実際の動作時と同じか或いは近
い状態にして、液晶セル内圧と外圧を等しくして注入口
を封止した場合と、注入口部分の有効画面外に溝を形成
し、細管を挿通し、液晶注入後にこの細管内に不活性ガ
スを導入することで液晶の熱による膨張、収縮を緩衝さ
せた場合を説明したが、これら両方法を併用すればより
効果的な液晶素子の製造方法が得られることは明らかで
ある。
【００４３】
【発明の効果】本発明の液晶素子の製造方法によれば液
晶の熱膨張によってシール部分や封止部分が破れたり、
液晶内に気泡が混入することのないものが得られる。
晶の熱膨張によってシール部分や封止部分が破れたり、
液晶内に気泡が混入することのないものが得られる。
【図１】本発明の液晶素子の製造方法の一実施例を示す
工程図である。
工程図である。
【図２】本発明の液晶素子の製造方法に用いる液晶セル
の注入口組立説明図である。
の注入口組立説明図である。
【図３】本発明の液晶素子の製造方法に用いる液晶パネ
ルの注入口の要部拡大側断面図である。
ルの注入口の要部拡大側断面図である。
【図４】本発明の液晶素子の製造方法に用いる恒温槽内
での液晶セルの処理説明図である。
での液晶セルの処理説明図である。
【図５】熱書込み投射型液晶セルのシステム構成図であ
る。
る。
【図６】熱書込み投射型液晶セルの動作原理説明図であ
る。
る。
１ レーザダイオード ７ 液晶セル ８ 投写ランプ ９ スクリーン １４，１５ ガラス基板 ２１ シール材 ２４ 液晶 ２６ 恒温槽 ２７ 注入口 ２８ 溝 ２９ 細管
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも一方が透明な基板間周辺部を
接着層で接着して空隙を設け液晶セルを形成する工程
と、 上記液晶セルに設けられた液晶注入孔から液晶を注入す
る工程と、 上記液晶セルを恒温槽中に置き液晶セルの温度を上げる
工程と、その後上記液晶セルの内圧と外気圧を等しくす
る工程と、 上記液晶注入孔を封止する工程とを有することを特徴と
する液晶素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記液晶セルの内圧と外気圧を等しくし
た後、該液晶セルを常温に戻す工程を付加すると共に、
注入された液晶の体積変化を吸収する手段を設けたこと
を特徴とする請求項１に記載の液晶素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22613391A JPH0566408A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22613391A JPH0566408A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 液晶素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0566408A true JPH0566408A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16840369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22613391A Pending JPH0566408A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0566408A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002049045A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Nec Corp | 液晶表示パネルの製造方法 |
| KR100472555B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-06-07 | 삼성전자주식회사 | 진공 시스템의 진공압 형성 방법 |
| US7291238B2 (en) * | 2003-06-17 | 2007-11-06 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Method of manufacturing liquid crystal display panel and liquid crystal display panel manufacturing apparatus |
| WO2013042565A1 (ja) * | 2011-09-20 | 2013-03-28 | 日本電気硝子株式会社 | 液晶素子及び液晶素子用セル |
| JP2021051145A (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 株式会社Ｊｖｃケンウッド | 液晶表示素子、液晶表示素子の製造方法、及び、液晶デバイスの製造方法 |
-
1991
- 1991-09-05 JP JP22613391A patent/JPH0566408A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPWO2013042565A1 (ja) * | 2011-09-20 | 2015-03-26 | 日本電気硝子株式会社 | 液晶素子及び液晶素子用セル |
| US9146444B2 (en) | 2011-09-20 | 2015-09-29 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Liquid crystal element and cell for liquid crystal element |
| JP2021051145A (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 株式会社Ｊｖｃケンウッド | 液晶表示素子、液晶表示素子の製造方法、及び、液晶デバイスの製造方法 |
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