JPS5991645A - 電子ビ−ムアドレス型光バルブ及びその製造方法 - Google Patents
電子ビ−ムアドレス型光バルブ及びその製造方法Info
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- JPS5991645A JPS5991645A JP19513683A JP19513683A JPS5991645A JP S5991645 A JPS5991645 A JP S5991645A JP 19513683 A JP19513683 A JP 19513683A JP 19513683 A JP19513683 A JP 19513683A JP S5991645 A JPS5991645 A JP S5991645A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133348—Charged particles addressed liquid crystal cells, e.g. controlled by an electron beam
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1341—Filling or closing of cells
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- Mathematical Physics (AREA)
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- Liquid Crystal (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光バルブ及びその製造方法、特に電子ビームで
アドレスする方式の液晶光変稠器とその製造方法に関す
る。
アドレスする方式の液晶光変稠器とその製造方法に関す
る。
背景技術とその問題点
電気信号の形で与えられる情報に基づいて映像を再生す
る為に光を変調するのが好ましい多くの応用例がある。
る為に光を変調するのが好ましい多くの応用例がある。
それらの例として、テレビジョンの映像、コンピュータ
発生データ、又は図形をスクリーン上に投写する映像投
写装置がある。
発生データ、又は図形をスクリーン上に投写する映像投
写装置がある。
対話型光バルブ技術を用いる投写装置は次のように２分
類できる。
類できる。
＋１） 光変調器を光導電素子によりアドレス装置に
結合しているもの （２） 光変調器を普通は電子ビーム又はレーザによ
り直接アドレスするもの 最初の型式の１例はＩＥＢＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｅｌｅｃ
、、Ｄｅｖ、 Ｖｏｌ。
結合しているもの （２） 光変調器を普通は電子ビーム又はレーザによ
り直接アドレスするもの 最初の型式の１例はＩＥＢＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｅｌｅｃ
、、Ｄｅｖ、 Ｖｏｌ。
１！Ｄ−２２，ＮＯ，９，１９７５年第７７５頁のＪ、
グリンバーグ等の著作に係る「ＰｈｏＬｏａｃｔｉｖａ
ｔｅｄ ＢｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｔＬｉｑｕｉｄ Ｃ
ｒｙｓｔａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｖａｌｖｅ ｆｏｒ
Ｃｏ１ｏｒ ＳｙｍｂｏｌｏｇｙＤｉｓｐｌａｙ
Ｊ及びＯｐｔ、 ｆＥｎｇ、 １１ｏ１．１？、 Ｎ
ｏ、４．１９７８年第３７１頁の−、ＢＩｅｈａ等の著
作に係る「＾ｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｖａｌｖｅ ｔｏ
Ｒｅａｌ−ＴｉｍｅＯｐｔｉｃａｌ Ｄａｔａ Ｐｒｏ
ｃｅｓｓｌｎｇ Ｊに言及する液晶光バルブである。上
述の素子にあっては、−側上を光照射により一励起した
光導電素子による反射型液晶セル間に電界を加える。こ
れにより、他側からの入射光を変調して、それを通り反
射する。しかし、この型式の素子は複雑な層構造と光学
構造を使用し、実用的な液晶セルでは、その厚さ、スイ
ッチング速度及びコントラスト比はある種の用途には不
満がある。
グリンバーグ等の著作に係る「ＰｈｏＬｏａｃｔｉｖａ
ｔｅｄ ＢｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｔＬｉｑｕｉｄ Ｃ
ｒｙｓｔａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｖａｌｖｅ ｆｏｒ
Ｃｏ１ｏｒ ＳｙｍｂｏｌｏｇｙＤｉｓｐｌａｙ
Ｊ及びＯｐｔ、 ｆＥｎｇ、 １１ｏ１．１？、 Ｎ
ｏ、４．１９７８年第３７１頁の−、ＢＩｅｈａ等の著
作に係る「＾ｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｖａｌｖｅ ｔｏ
Ｒｅａｌ−ＴｉｍｅＯｐｔｉｃａｌ Ｄａｔａ Ｐｒｏ
ｃｅｓｓｌｎｇ Ｊに言及する液晶光バルブである。上
述の素子にあっては、−側上を光照射により一励起した
光導電素子による反射型液晶セル間に電界を加える。こ
れにより、他側からの入射光を変調して、それを通り反
射する。しかし、この型式の素子は複雑な層構造と光学
構造を使用し、実用的な液晶セルでは、その厚さ、スイ
ッチング速度及びコントラスト比はある種の用途には不
満がある。
第２の例の光変調器は１０ ＳＩＤ Ｓｙｍｐｏｓｉｕ
ｍ ＤｉｇｅｓＬ。
ｍ ＤｉｇｅｓＬ。
Ｖｏｌ、ｌＯ，１９７９年第２０頁のＴ、ツルー著ｒＲ
ｅｃｅｎＬ＾ｄｖａｎｃｅｓ （ｎ ｉｌｌｇｈ Ｂｒ
ｉｇｈｔｎｅｓｓ ａｎｄ旧ｇｈ Ｒｅ５ｏｌｕｔｉｏ
ｎＣｏｌｏｒ Ｌｉｇｈｔ Ｖａｌｖ＠Ｐｒｏｊｅｃｔ
ｏｒ Ｊに言及するオイルＭａｌｌ！素子、ウオール等
の米国特許第３６２６０８４号明細書（発行日１９７１
年１２月７日）のｌ−ＤｅｆｏｒｍｏｇｒａｐｈｊｃＳ
ｔｏｒａｇｅ Ｄｉｓｐｌａｙ ＴｕｂｅＪに開承のデ
フォーモグラフィック・ミラー素子、ｓｔ口Ｐｒｏｃｅ
ｅｄｆｎｇｓ Ｖｏｌ、１９＋Ｎｏ、１．１９７８年第
１頁の■、デウェイ等の著作にょる１’Ｌａ５ｅｒ Ａ
ｄｄｒｅｓｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐ
ｒｏｊｅｃｔｉｏｎＤｉｓｐｌａｙｓＪ及び５ＰＩＥ、
Ｖｏｌ、２００．１９７９年第ｔｎ、ｇのＨ，スミス
等の著作にょる１−Ｕｌｔｒａ旧ｇｈ Ｒｅ５ｏｌｕｔ
ｉｏｎＧｒａｐｈｉｃ Ｄａｔａ Ｔｅｒａ＋１ｎａｌ
Ｊに記載の熱アドレス型スメクチック液晶光バルブ、
Ｗｅｓｔｉｎｇｈｏｕｓｅ ５ｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｐ
ａｐｅｒ、７４−ＩＧ？−Ｍｉｒｒｏ−ＰＬ （ＵＳ
４８１） 、１９７４年１１月のＲ，ｌ−−マス等に
ょるＩ Ｔｈｅ Ｍｉｒｒｏｒ ＭａｔｒｉｘＴｕｂｅ
、：＾Ｎｏｖｅｌ Ｌｉｇｈｔ Ｖａｌｖｅ ｆｏｒ
ＰｒｏｊｅｃｔｉｏｎＤｉｓｐｌａＶＳＪ ＋＾ｐｐＨ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ＬｅｔＬｅｒｓ＋νｏ１．２６
゜Ｎｏ、７．１９７５年第３９１頁の６．グルドバーグ
等にょる１゛＾ｎ ＡＡｌｌｍｌｎｕ ／ ５１０２／
５ｌｌｉｃｏｎ ’ｏｎ ５ａｐｈｉｒｅ ｔ、ｔｇ
ｈｔＶａｌｖｅ Ｍａｔｒｌｘ ｆｏｒ Ｐｒｏｊｅｃ
ｔｉｏｎ ＤｉｓｐｌａｙｓＪ ％及び１１ ＳＩＤ
Ｄｉｇｅｓｔ、 Ｖｏｌ、１１ １９８０年第２９９頁
のし、ボーンベック等によるｒＤｅｆｏｒｍａｂｌｅ
Ｍｉｒｒｏｒ ＰｒｏｊｅｃｔｉｏｎＤｉｓｐｌａ３１
Ｊに記載のミラーマトリクス素子、及びＰｒｏｃ、ｏ
ｆ ｔｈｅ ＩＢＥＢ、 ｖｏｌ、６＋ Ｎｏ、７＋
１９７３年のＧ、マリ−およびＪ、ドンジ日ン著Ｉ
Ｓｉｎｇｌｅ ＣｒｙｓｔａｌＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒ
ｉｃｓ ａｎｄ Ｔｈｅｉｒ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ
＋ｎ ＬｉｇｈｔＶａｌｖｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅ
ｖｉｃｅｓ Ｊに言及のポッケルス効果素子である。
ｅｃｅｎＬ＾ｄｖａｎｃｅｓ （ｎ ｉｌｌｇｈ Ｂｒ
ｉｇｈｔｎｅｓｓ ａｎｄ旧ｇｈ Ｒｅ５ｏｌｕｔｉｏ
ｎＣｏｌｏｒ Ｌｉｇｈｔ Ｖａｌｖ＠Ｐｒｏｊｅｃｔ
ｏｒ Ｊに言及するオイルＭａｌｌ！素子、ウオール等
の米国特許第３６２６０８４号明細書（発行日１９７１
年１２月７日）のｌ−ＤｅｆｏｒｍｏｇｒａｐｈｊｃＳ
ｔｏｒａｇｅ Ｄｉｓｐｌａｙ ＴｕｂｅＪに開承のデ
フォーモグラフィック・ミラー素子、ｓｔ口Ｐｒｏｃｅ
ｅｄｆｎｇｓ Ｖｏｌ、１９＋Ｎｏ、１．１９７８年第
１頁の■、デウェイ等の著作にょる１’Ｌａ５ｅｒ Ａ
ｄｄｒｅｓｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐ
ｒｏｊｅｃｔｉｏｎＤｉｓｐｌａｙｓＪ及び５ＰＩＥ、
Ｖｏｌ、２００．１９７９年第ｔｎ、ｇのＨ，スミス
等の著作にょる１−Ｕｌｔｒａ旧ｇｈ Ｒｅ５ｏｌｕｔ
ｉｏｎＧｒａｐｈｉｃ Ｄａｔａ Ｔｅｒａ＋１ｎａｌ
Ｊに記載の熱アドレス型スメクチック液晶光バルブ、
Ｗｅｓｔｉｎｇｈｏｕｓｅ ５ｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｐ
ａｐｅｒ、７４−ＩＧ？−Ｍｉｒｒｏ−ＰＬ （ＵＳ
４８１） 、１９７４年１１月のＲ，ｌ−−マス等に
ょるＩ Ｔｈｅ Ｍｉｒｒｏｒ ＭａｔｒｉｘＴｕｂｅ
、：＾Ｎｏｖｅｌ Ｌｉｇｈｔ Ｖａｌｖｅ ｆｏｒ
ＰｒｏｊｅｃｔｉｏｎＤｉｓｐｌａＶＳＪ ＋＾ｐｐＨ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ＬｅｔＬｅｒｓ＋νｏ１．２６
゜Ｎｏ、７．１９７５年第３９１頁の６．グルドバーグ
等にょる１゛＾ｎ ＡＡｌｌｍｌｎｕ ／ ５１０２／
５ｌｌｉｃｏｎ ’ｏｎ ５ａｐｈｉｒｅ ｔ、ｔｇ
ｈｔＶａｌｖｅ Ｍａｔｒｌｘ ｆｏｒ Ｐｒｏｊｅｃ
ｔｉｏｎ ＤｉｓｐｌａｙｓＪ ％及び１１ ＳＩＤ
Ｄｉｇｅｓｔ、 Ｖｏｌ、１１ １９８０年第２９９頁
のし、ボーンベック等によるｒＤｅｆｏｒｍａｂｌｅ
Ｍｉｒｒｏｒ ＰｒｏｊｅｃｔｉｏｎＤｉｓｐｌａ３１
Ｊに記載のミラーマトリクス素子、及びＰｒｏｃ、ｏ
ｆ ｔｈｅ ＩＢＥＢ、 ｖｏｌ、６＋ Ｎｏ、７＋
１９７３年のＧ、マリ−およびＪ、ドンジ日ン著Ｉ
Ｓｉｎｇｌｅ ＣｒｙｓｔａｌＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒ
ｉｃｓ ａｎｄ Ｔｈｅｉｒ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ
＋ｎ ＬｉｇｈｔＶａｌｖｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅ
ｖｉｃｅｓ Ｊに言及のポッケルス効果素子である。
］−述した第２の型式の素子は種々の欠点を有する。オ
イル薄膜、デフォーモグラフィック・ミラー、熱アドレ
ス及びマトリクス・ミラー素子はいずれもシュリーレン
（Ｓｃｈｌｉｅｒｅｎ ）光学系を必要とし、構造複雑
となるのみならず光学的効率が低い。更に、これら各素
子とポッケルス効果素子とはずべ°Ｃ反射型素子である
。映像を電子ビームによりオイル薄膜上に書くオイル薄
膜素子は電子ビームによるオイル薄膜とカソードの劣化
による＾い維持費と複雑な構造を必要とする。デフォー
モグラフィック、熱アドレス及びマトリクス・ミラ
′−単素子いずれも蓄積素子であっ゛（、スイッチング
速度に限界のある変調媒体を使用しており、他の用途へ
の使用を制限する。光変副にフレキシブル薄膜を使用す
るデフォーモグラフィソク素子は、低周波空間応答を有
せず且つ薄膜のフレキシビリティ−による故障が多発す
る。熱“ｌドレス素子は低感度である。電子ビームによ
りＫＤＰクリスタル上に書いζ光を変調するポッケルス
効果素子は、複雑であって、冷却システムを必要とし、
その解像度は使用するクリスタルの寸法により制限され
る。
イル薄膜、デフォーモグラフィック・ミラー、熱アドレ
ス及びマトリクス・ミラー素子はいずれもシュリーレン
（Ｓｃｈｌｉｅｒｅｎ ）光学系を必要とし、構造複雑
となるのみならず光学的効率が低い。更に、これら各素
子とポッケルス効果素子とはずべ°Ｃ反射型素子である
。映像を電子ビームによりオイル薄膜上に書くオイル薄
膜素子は電子ビームによるオイル薄膜とカソードの劣化
による＾い維持費と複雑な構造を必要とする。デフォー
モグラフィック、熱アドレス及びマトリクス・ミラ
′−単素子いずれも蓄積素子であっ゛（、スイッチング
速度に限界のある変調媒体を使用しており、他の用途へ
の使用を制限する。光変副にフレキシブル薄膜を使用す
るデフォーモグラフィソク素子は、低周波空間応答を有
せず且つ薄膜のフレキシビリティ−による故障が多発す
る。熱“ｌドレス素子は低感度である。電子ビームによ
りＫＤＰクリスタル上に書いζ光を変調するポッケルス
効果素子は、複雑であって、冷却システムを必要とし、
その解像度は使用するクリスタルの寸法により制限され
る。
液晶体はその選択制御光変調特性の為に、映像投写装置
に好適である。しかし、その目的に使用スル場合の１つ
の制限は、満足なアドレス機構の不足である。陰極線管
（ＣＲＴ）技術はセｉ度に進歩しているので、液晶セル
を電子ビームで直接アドレスするのが好ましい。事実、
反射型の液晶ＣＲＴテレビジョン表示装置がＰｒｏｃ、
ｏｆ ｔｈｅ １８１！Ｅ。
に好適である。しかし、その目的に使用スル場合の１つ
の制限は、満足なアドレス機構の不足である。陰極線管
（ＣＲＴ）技術はセｉ度に進歩しているので、液晶セル
を電子ビームで直接アドレスするのが好ましい。事実、
反射型の液晶ＣＲＴテレビジョン表示装置がＰｒｏｃ、
ｏｆ ｔｈｅ １８１！Ｅ。
Ｖｏｌ、５６． Ｎｏ、１２．１９６８年第２１４６
頁にＪ、パンラールテにより説明されている。しかし、
この場合に、電子ビームは複数の金属ピンにより液晶セ
ルに結合されているので°、低解像度及びピン間のクロ
ストークをはじめとする種々の問題がある。また、情報
蓄積の為の液晶体の電子ビーム走査は、ＩＥＥＩ！Ｔｒ
ａｎｓ、 ｏｎ ｔ！ｌｅｅ、 Ｄｅｖ、、シｏ１．Ｈ
Ｄ−１５． Ｎｏ、１１＋ １９６８年第８９６）ｆｆ
ｌにＪ、ハンセン及びＲ，シュニーバーブ著ｒＬｉｑｕ
ｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｍｅｄｉａ ｆｏｒ ｌ１ｌｅ
ｃｔｒｏｎ ＢｅａｍＲｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｊに開示し
ている。しかし、ここに開示の素子はコレステリック液
晶体を使用しているので、応答時間が遅く、スイッチン
グには商電界を必要とし、低感度となる。更に、電子ビ
ームアドレス型直視蓄積表示に液晶体を使用する可能性
は１９７３年５１０３ｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ
ｏｆ ＴｅｃｈｎｉｃａｌＰａｐｅｒｓの第１０２頁
に１．チャン及びＷ、ペネベーカー著ｒＢｉ−ｓｔａｂ
ｌｅ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｔｕｂｅ Ｗｉｔｂ ＡＣＣｏ
ｎＬｒｏｌｌｅｄＤｉｓｐｌａｙ Ｊに述べられている
。
頁にＪ、パンラールテにより説明されている。しかし、
この場合に、電子ビームは複数の金属ピンにより液晶セ
ルに結合されているので°、低解像度及びピン間のクロ
ストークをはじめとする種々の問題がある。また、情報
蓄積の為の液晶体の電子ビーム走査は、ＩＥＥＩ！Ｔｒ
ａｎｓ、 ｏｎ ｔ！ｌｅｅ、 Ｄｅｖ、、シｏ１．Ｈ
Ｄ−１５． Ｎｏ、１１＋ １９６８年第８９６）ｆｆ
ｌにＪ、ハンセン及びＲ，シュニーバーブ著ｒＬｉｑｕ
ｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｍｅｄｉａ ｆｏｒ ｌ１ｌｅ
ｃｔｒｏｎ ＢｅａｍＲｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｊに開示し
ている。しかし、ここに開示の素子はコレステリック液
晶体を使用しているので、応答時間が遅く、スイッチン
グには商電界を必要とし、低感度となる。更に、電子ビ
ームアドレス型直視蓄積表示に液晶体を使用する可能性
は１９７３年５１０３ｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ
ｏｆ ＴｅｃｈｎｉｃａｌＰａｐｅｒｓの第１０２頁
に１．チャン及びＷ、ペネベーカー著ｒＢｉ−ｓｔａｂ
ｌｅ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｔｕｂｅ Ｗｉｔｂ ＡＣＣｏ
ｎＬｒｏｌｌｅｄＤｉｓｐｌａｙ Ｊに述べられている
。
しかし、上述した参考文献のいずれにもテレビジョンの
場合の如く高速で変化する映像を、複雑な光学系を使用
することなく、満足に投写する。
場合の如く高速で変化する映像を、複雑な光学系を使用
することなく、満足に投写する。
透過光変調の＾速素子を提供できない。従う°Ｃ１この
ような素子の開発の必要性があった。
ような素子の開発の必要性があった。
発明の目的
従って、本発明の主目的は、新規且つ改良した電子ビー
ムアドレス型液晶バルブとその製造方法を提供すること
である。
ムアドレス型液晶バルブとその製造方法を提供すること
である。
本発明の他の目的は、バルブを通過するとき光が変調さ
れる光バルブを提供することである。
れる光バルブを提供することである。
本発明の更に他の目的は、高速書込み及びリフレッシュ
応用に好適な光バルブを提供することである。
応用に好適な光バルブを提供することである。
本発明の別の目的は、上述した光バルブを用いる映像投
写システムを提供することである。
写システムを提供することである。
本発明の更に別の目的は、アイソスタチック液晶セルが
得られる上述の光パルプの製造方法を提供することであ
る。
得られる上述の光パルプの製造方法を提供することであ
る。
これら及びその他の目的は、構成及び作用効果と共に添
付図を参照して行なう後述の説明を読めば当業者には容
易に理解できよう。
付図を参照して行なう後述の説明を読めば当業者には容
易に理解できよう。
発明の概要
本発明は透過光を変調し、ＣＲＴの場合と同様に電子ビ
ームを走査することにより直接アドレス可能な液晶光バ
ルブを提供することにより映像投写に使用される従来素
子の上述した欠点が克服でき上述の必要性を満たす０本
発明の光バルブは簡単な透過光学システムと共に商運変
化映像が投写でき、為解像度、コントラスト及び感度で
あり、しかも従来素子より高信頼性である０本発明はま
た、変調の為に光が透過する窓を有し、その後スクリー
ン上に投写するＣＲＴを使用する投写システムの構造を
提供することである。本発明は更に斯る光バルブの製造
方法を提供する。
ームを走査することにより直接アドレス可能な液晶光バ
ルブを提供することにより映像投写に使用される従来素
子の上述した欠点が克服でき上述の必要性を満たす０本
発明の光バルブは簡単な透過光学システムと共に商運変
化映像が投写でき、為解像度、コントラスト及び感度で
あり、しかも従来素子より高信頼性である０本発明はま
た、変調の為に光が透過する窓を有し、その後スクリー
ン上に投写するＣＲＴを使用する投写システムの構造を
提供することである。本発明は更に斯る光バルブの製造
方法を提供する。
本発明のライステンドネマチック（ＴＮ）液晶セルは透
明電極と透明ターゲツト板を有する透明フェースプレー
ト間に適当な液晶体をサンドインチ状に配して製造する
。ここで、セルの中心部は窓となり、それを通過する光
が変調される。書込み電子銃を用い”ζ細い電子ビーム
をターゲツト板の選択した領域へ導き、その位置のター
ゲット表面電位を変化する。更に、１個以上の照射線を
使用してターゲット＆に広く且つ焦点を結ばない電子ビ
ーム或は電子雲を導き、ターゲット表面電位を照射線カ
ソード電位に復帰させる。ターゲツト板の周囲近傍にコ
レクタを配置し′ζターゲットからの二次電子及びター
ゲットにより反撥された照射電子を捕集する。このコレ
クタ電位はターゲットの二次電子放射特性曲線の第１ク
ロスオーバ電 〜圧より僅かに低電圧に維持し、書
込み電子銃によリターゲットに書込み及び高速リフレッ
シュを可能とする。書込み電子銃、照射電子銃及びコレ
クタは液晶セル窓の所定の視野外に配することにより、
セルを介し”でターゲツト板に光を伝達すると
〜共に変調できるようにする。
明電極と透明ターゲツト板を有する透明フェースプレー
ト間に適当な液晶体をサンドインチ状に配して製造する
。ここで、セルの中心部は窓となり、それを通過する光
が変調される。書込み電子銃を用い”ζ細い電子ビーム
をターゲツト板の選択した領域へ導き、その位置のター
ゲット表面電位を変化する。更に、１個以上の照射線を
使用してターゲット＆に広く且つ焦点を結ばない電子ビ
ーム或は電子雲を導き、ターゲット表面電位を照射線カ
ソード電位に復帰させる。ターゲツト板の周囲近傍にコ
レクタを配置し′ζターゲットからの二次電子及びター
ゲットにより反撥された照射電子を捕集する。このコレ
クタ電位はターゲットの二次電子放射特性曲線の第１ク
ロスオーバ電 〜圧より僅かに低電圧に維持し、書
込み電子銃によリターゲットに書込み及び高速リフレッ
シュを可能とする。書込み電子銃、照射電子銃及びコレ
クタは液晶セル窓の所定の視野外に配することにより、
セルを介し”でターゲツト板に光を伝達すると
〜共に変調できるようにする。
書込み電子銃、照射線、コレクタ及び液晶セルを有する
ＣＲＴを用いて投写装置が構成できる。
ＣＲＴを用いて投写装置が構成できる。
この液晶セルのフェースプレートはＣＲＴのフェースプ
レートをなす、ＣＲＴの後方に光入射窓を設けてこの入
射的に光を伝達し、液晶セルを介して出射させる。光入
射窓の前とフェースプレートの前に偏光体を配置して液
晶セルを用いて、それを通過する先の偏光を変化して光
の強度を変調する。レンズ系を用いて光源からＣＲＴを
通る光を導き、出現光を投写する。
レートをなす、ＣＲＴの後方に光入射窓を設けてこの入
射的に光を伝達し、液晶セルを介して出射させる。光入
射窓の前とフェースプレートの前に偏光体を配置して液
晶セルを用いて、それを通過する先の偏光を変化して光
の強度を変調する。レンズ系を用いて光源からＣＲＴを
通る光を導き、出現光を投写する。
アイソスタチック（均衡）液晶セルとなる手舶により光
バルブを製作することができる。フェースプレートは１
表面上に酸化インジウムル１！鉛１−を形成して透明電
極となし、フェースプレートの入口及び出口となす。出
口はコレクタ室に結合する。
バルブを製作することができる。フェースプレートは１
表面上に酸化インジウムル１！鉛１−を形成して透明電
極となし、フェースプレートの入口及び出口となす。出
口はコレクタ室に結合する。
ターゲツト板はフェースプレート上に配しその周辺に取
り付け、ターゲツト板を１周辺スペーサにより電極から
分離する。セルの周り及びセル内の空間は排気し、その
後に完全にガス抜きした液晶体を入口より圧入しセルが
完全に満たされるようにし、その点で人口を封止する。
り付け、ターゲツト板を１周辺スペーサにより電極から
分離する。セルの周り及びセル内の空間は排気し、その
後に完全にガス抜きした液晶体を入口より圧入しセルが
完全に満たされるようにし、その点で人口を封止する。
その後ターゲツト板の外側の圧力を増加してターゲソｌ
が実質的にフェースプレートと平行になるようにして出
口を封止する。＾複屈折性、低誘電異方セ１及び室温で
低粘性のネマチック液晶が特に好適であることが判った
。
が実質的にフェースプレートと平行になるようにして出
口を封止する。＾複屈折性、低誘電異方セ１及び室温で
低粘性のネマチック液晶が特に好適であることが判った
。
実施例
先ず第１図を参照すると、電子ビームアドレス型液晶光
バルブは、前面（１２）と背面（１４）とを有する液晶
セル（ＬＬ細い電子ビームを液晶セルａ〔の背面（１４
）の選択した位置へ導き、その点の電位を変化させる宵
込み電子銃（１６）、液晶セルａψの背面（１４）全体
に広く且つ焦点を結ばない電子を導く１閲以上の照射銃
（１８）及び液晶セル顧の背面（１４）の周辺近傍に配
してセル背１ｋＩ（１４）から放射する二次電子及び発
撥した照射電子を捕集するコレクタ電極（２０）より成
る。書込み電子銃（１６）、照射銃（１８）及びコレク
タ電極（２０）は液晶セル顛の背面（１４）に沿う実質
的に排気した空間内に少なくとも一部分が収納され、更
に液晶セルＱｆｌの一点鎖線（２２）で示す所定の視野
窓外に配置されている。これにより光は何ら妨害される
ことなく液晶セルＱｌ内へ伝達されて変調を受け、その
結果、光はセルαφの背面（１４）からセル窓へ入射し
て前面（１２）から出射する。
バルブは、前面（１２）と背面（１４）とを有する液晶
セル（ＬＬ細い電子ビームを液晶セルａ〔の背面（１４
）の選択した位置へ導き、その点の電位を変化させる宵
込み電子銃（１６）、液晶セルａψの背面（１４）全体
に広く且つ焦点を結ばない電子を導く１閲以上の照射銃
（１８）及び液晶セル顧の背面（１４）の周辺近傍に配
してセル背１ｋＩ（１４）から放射する二次電子及び発
撥した照射電子を捕集するコレクタ電極（２０）より成
る。書込み電子銃（１６）、照射銃（１８）及びコレク
タ電極（２０）は液晶セル顛の背面（１４）に沿う実質
的に排気した空間内に少なくとも一部分が収納され、更
に液晶セルＱｆｌの一点鎖線（２２）で示す所定の視野
窓外に配置されている。これにより光は何ら妨害される
ことなく液晶セルＱｌ内へ伝達されて変調を受け、その
結果、光はセルαφの背面（１４）からセル窓へ入射し
て前面（１２）から出射する。
液晶セル（ＩＩ自体は、好ましく−はガラス製の透明フ
ェースプレー１−（２４）を有し、その−例は液晶セル
ａψの前面（１２）をなす。透明フェースプレート電極
（２６）をフェースプレート（２４）の他面、即ち背向
（２８）に形成する。透明電極（２６）は酸化インジウ
ム錫（ＩＴＯ）の薄膜を表面（２８）上に従来技法によ
り被着形成するのが好ましい。透明且つ銹重体のターゲ
ツト板（３０）をフェースプレートに透明電極（２６）
と一定間隔りを保って配置し、ターゲツト板（３０）の
裏面又は外面は液晶セル顛の背面（１４）となる。ここ
で一定間隔りはスペーサ（３２）により決める。透明フ
ェースプレート電極（２６）とターゲツト板（３０）と
の間隙にはネマチック型液晶体（３４）を満たず。液晶
体（３４）はエポキシ化合物又はその他適当な材料の封
止体（３５）によりセル（至）の外周を覆うごとにより
漏洩を阻止している。電極（２６）とターゲツト板（３
０）の表面は共に液晶体（３４）に接触し′ζおり、適
当な処理を行なっ”Ｃ平行（均一）境界配列となり、両
面の配列はネマチック液晶体では直角となり９０°のね
じれを生じる。この表面配列は、好ましくは一酸化シリ
コン（Ｓｉｎ）の透明薄膜を面に対し゛Ｃ約５°の角度
で真空蒸着する従来方法により形成できる。
ェースプレー１−（２４）を有し、その−例は液晶セル
ａψの前面（１２）をなす。透明フェースプレート電極
（２６）をフェースプレート（２４）の他面、即ち背向
（２８）に形成する。透明電極（２６）は酸化インジウ
ム錫（ＩＴＯ）の薄膜を表面（２８）上に従来技法によ
り被着形成するのが好ましい。透明且つ銹重体のターゲ
ツト板（３０）をフェースプレートに透明電極（２６）
と一定間隔りを保って配置し、ターゲツト板（３０）の
裏面又は外面は液晶セル顛の背面（１４）となる。ここ
で一定間隔りはスペーサ（３２）により決める。透明フ
ェースプレート電極（２６）とターゲツト板（３０）と
の間隙にはネマチック型液晶体（３４）を満たず。液晶
体（３４）はエポキシ化合物又はその他適当な材料の封
止体（３５）によりセル（至）の外周を覆うごとにより
漏洩を阻止している。電極（２６）とターゲツト板（３
０）の表面は共に液晶体（３４）に接触し′ζおり、適
当な処理を行なっ”Ｃ平行（均一）境界配列となり、両
面の配列はネマチック液晶体では直角となり９０°のね
じれを生じる。この表面配列は、好ましくは一酸化シリ
コン（Ｓｉｎ）の透明薄膜を面に対し゛Ｃ約５°の角度
で真空蒸着する従来方法により形成できる。
フェースプレー） （２４）としてはフロートガラスが
好ましく、またターゲツト板としてはマイカ、ポリイミ
ド又はガラス等の透明銹電体薄躾をぴんと張ったものが
好ましいことが判ったが、他の材料であってもよい、タ
ーゲット＆ （３０）の材料は書込み電子ビームにより
衝撃を受けたとき二次電子放出比（δ）が１以上、好ま
しくはｌより十分大きい値となるよう選択又は処理され
ている必要がある。スペーサ（３２） Ｌｌ、デュポン
ン１の商標であるマイラーとして市販のポリエステル・
フィルム又はガラスフリフトにより形成するのが好まし
い。
好ましく、またターゲツト板としてはマイカ、ポリイミ
ド又はガラス等の透明銹電体薄躾をぴんと張ったものが
好ましいことが判ったが、他の材料であってもよい、タ
ーゲット＆ （３０）の材料は書込み電子ビームにより
衝撃を受けたとき二次電子放出比（δ）が１以上、好ま
しくはｌより十分大きい値となるよう選択又は処理され
ている必要がある。スペーサ（３２） Ｌｌ、デュポン
ン１の商標であるマイラーとして市販のポリエステル・
フィルム又はガラスフリフトにより形成するのが好まし
い。
組立済のセルＱｌでは、ネマチック液晶体（３４）の分
子は、セルを通過する平面偏光された光が、外部電界が
ないと９０°回転するようになされている。液晶体（３
４）の領域間に電圧を印加すると、その領域の液晶分子
の分子軸が電界に平行となるよう配向され、セルのその
領域を通る偏光された光の角度が減少する。よって、液
晶体（３４）は、その偏光を移すことにより光を変調す
る。もし十分な電圧を印加すると、このスイッチされた
セル領域を通過する偏光された光は全（不変である。
子は、セルを通過する平面偏光された光が、外部電界が
ないと９０°回転するようになされている。液晶体（３
４）の領域間に電圧を印加すると、その領域の液晶分子
の分子軸が電界に平行となるよう配向され、セルのその
領域を通る偏光された光の角度が減少する。よって、液
晶体（３４）は、その偏光を移すことにより光を変調す
る。もし十分な電圧を印加すると、このスイッチされた
セル領域を通過する偏光された光は全（不変である。
セルＱｌに好適な市販のネマチック液晶体としＣは、Ｅ
、ＭｅｒｃｋのＮｅ＋ｗａｔｌｃ Ｐｈａｓｅ １１３
２ＴＮＣ，（フェニル シクロセキサン単化合物３とビ
フェニル シクロヘキサン単物質１の混合物）及びＢＤ
ＨＣｈｅ＋ｗ！ｃａｌのＥ７（４−シアノ−４′−ｎ−
ペンタビフェニル、４−シアノ−４／Ｊ 、−ベンチ
ルーｐ−ターフェニル、４−シアノ−４′−ｎ−ヘプチ
ル−ビフェニルと４−シアノ−４’−ｎ−オクトキシビ
ニニルの共晶混合物）がある。理想的には、ネマチック
液晶は晶い複屈折性（即ちΔｎ ＞ ０．１５）、低誘
電異方性、及び室温における低粘性を有ずべきである。
、ＭｅｒｃｋのＮｅ＋ｗａｔｌｃ Ｐｈａｓｅ １１３
２ＴＮＣ，（フェニル シクロセキサン単化合物３とビ
フェニル シクロヘキサン単物質１の混合物）及びＢＤ
ＨＣｈｅ＋ｗ！ｃａｌのＥ７（４−シアノ−４′−ｎ−
ペンタビフェニル、４−シアノ−４／Ｊ 、−ベンチ
ルーｐ−ターフェニル、４−シアノ−４′−ｎ−ヘプチ
ル−ビフェニルと４−シアノ−４’−ｎ−オクトキシビ
ニニルの共晶混合物）がある。理想的には、ネマチック
液晶は晶い複屈折性（即ちΔｎ ＞ ０．１５）、低誘
電異方性、及び室温における低粘性を有ずべきである。
そのような特性を有する材料が好ましい理由は、標準白
黒テレビジョン内像表示に要する速度でセルを切換える
に必要な書込みビーム電流が最小にできるからである。
黒テレビジョン内像表示に要する速度でセルを切換える
に必要な書込みビーム電流が最小にできるからである。
このような物理的及び電気的特性の組合せを有ず４る液
晶体は、本発明の出願人による同日出願に係る液晶体（
発明者：ロハートし、ハバード及びジェイソンｃ」、ラ
イアン）に開示し°ζいるので参照されたい。例えば、
Δｎ〉０−１６＋ Ｅ ／／ ＜１３＋ ６．１ ＜
６及び２０’Ｃテ粘度＜４０の好適ネマチック液晶体は
、重量比８０％のＢＤＩＩＣｈｅｍｉｃａ１社の［１５
とＥ、Ｍｅｒｃｋ社の８１１０３の共晶混合物と重１比
２０％のＥ、Ｍｅｒｃｋ社の５１５４４の混合物がある
。
晶体は、本発明の出願人による同日出願に係る液晶体（
発明者：ロハートし、ハバード及びジェイソンｃ」、ラ
イアン）に開示し°ζいるので参照されたい。例えば、
Δｎ〉０−１６＋ Ｅ ／／ ＜１３＋ ６．１ ＜
６及び２０’Ｃテ粘度＜４０の好適ネマチック液晶体は
、重量比８０％のＢＤＩＩＣｈｅｍｉｃａ１社の［１５
とＥ、Ｍｅｒｃｋ社の８１１０３の共晶混合物と重１比
２０％のＥ、Ｍｅｒｃｋ社の５１５４４の混合物がある
。
書込み電子銃（１６）はＣＲＴに好適な種々の方法で製
作でき、表示技術分野では周知であるので詳細説明は省
略する。同様に、照射銃（１８）もまた種々の構成をと
り得、凸積ＣＲＴ表ボ技術分野では周知であるので説明
は省略する。
作でき、表示技術分野では周知であるので詳細説明は省
略する。同様に、照射銃（１８）もまた種々の構成をと
り得、凸積ＣＲＴ表ボ技術分野では周知であるので説明
は省略する。
光バルブのコレクタ構造は、その主目的が銹電体ターゲ
ット扱（３０）の背面（１４）により反撥された照射電
子又はそごからの二次放射電子捕集用であるので、特に
重要である。それはまた同時に液晶セルＯｌを介して光
を妨害することなく伝達せしめ、電位像をターゲツト板
（３０） ＋７）背１ｊｔｌ（１４）に■く。コレクタ
は、第１図に示すごとく中心軸がフェースプレート（２
４）から伸びて、液晶セルＱｌの周囲に配した導電性リ
ング（２ｏ）で形成するのが好ましい。セル顛のターゲ
ット４Ｎ（３０）は環状である。これにより、コレクタ
電極（２ｏ）を一点鎖線（２２）で表わすセル窓の視野
外に配置し°ζ、セルｕｌの周囲のコレクタ（２ｏ）に
関連する電界を十分均一にする。
ット扱（３０）の背面（１４）により反撥された照射電
子又はそごからの二次放射電子捕集用であるので、特に
重要である。それはまた同時に液晶セルＯｌを介して光
を妨害することなく伝達せしめ、電位像をターゲツト板
（３０） ＋７）背１ｊｔｌ（１４）に■く。コレクタ
は、第１図に示すごとく中心軸がフェースプレート（２
４）から伸びて、液晶セルＱｌの周囲に配した導電性リ
ング（２ｏ）で形成するのが好ましい。セル顛のターゲ
ット４Ｎ（３０）は環状である。これにより、コレクタ
電極（２ｏ）を一点鎖線（２２）で表わすセル窓の視野
外に配置し°ζ、セルｕｌの周囲のコレクタ（２ｏ）に
関連する電界を十分均一にする。
動作を説明すると、ターゲツト板（３０）の背面（１４
）は照射（１８）のカソードと同一電位Ｖｆｇに通常維
持している。その理由は、照射銃は絶えずターゲラ）（
３０）の背面（１４）に電子雲を照射する為である。背
向のうちＶｆｇと同一電位の領域は照射銃電子を反撥す
る。しかし、Ｖｆｇに対して正電位の領域は照射電子を
引き寄せて、その領域がｖｒｇに達するように余剰自由
電子をコレクタ（２０）に縫用する。ターゲツト板（３
０）は液晶体（２４）と同様にコンデンサとして作用し
、その結果液晶体の特定領域間の電圧によってその偏光
スイッチング効果はＶ ｆｇ、透明フェースプレート電
極（２６）の電位Ｖｆｐ及びその領域における液晶体の
キャパシタンスに対するターゲツト板（３０）のキャパ
シタンスの関数となる。典型的には、照射銃カソードは
電気的に透明電極（２６）に接続され、通常この透明型
８１（２６）とターゲット（３０） （７）背１ｋｌ（
１４）は同一電位Ｖｆｇであり、液晶体（３４）をスイ
ッチされない、無バイアス状態に維持する。しかし、セ
ルａψにバイアスをかけたい場合があり、その場合には
照射銃カソードと電極（２６）とは相互接続を行なわな
い。
）は照射（１８）のカソードと同一電位Ｖｆｇに通常維
持している。その理由は、照射銃は絶えずターゲラ）（
３０）の背面（１４）に電子雲を照射する為である。背
向のうちＶｆｇと同一電位の領域は照射銃電子を反撥す
る。しかし、Ｖｆｇに対して正電位の領域は照射電子を
引き寄せて、その領域がｖｒｇに達するように余剰自由
電子をコレクタ（２０）に縫用する。ターゲツト板（３
０）は液晶体（２４）と同様にコンデンサとして作用し
、その結果液晶体の特定領域間の電圧によってその偏光
スイッチング効果はＶ ｆｇ、透明フェースプレート電
極（２６）の電位Ｖｆｐ及びその領域における液晶体の
キャパシタンスに対するターゲツト板（３０）のキャパ
シタンスの関数となる。典型的には、照射銃カソードは
電気的に透明電極（２６）に接続され、通常この透明型
８１（２６）とターゲット（３０） （７）背１ｋｌ（
１４）は同一電位Ｖｆｇであり、液晶体（３４）をスイ
ッチされない、無バイアス状態に維持する。しかし、セ
ルａψにバイアスをかけたい場合があり、その場合には
照射銃カソードと電極（２６）とは相互接続を行なわな
い。
書込み電子銃（１６）のカソードは照射銃（１８）のカ
ソード電位Ｖｆｇに対し非常に高い負電位Ｖｗｇで動作
し、この電位の典型値は約４．５ｋＶであっ°ζ、書込
みビームがターゲットの背面を衝撃すると入射ビーム以
上の二次電子を放射する（第２図の二次電子放射特性曲
線参照）。よっζ、書込み電子銃（１６）からの電子ビ
ームが４ｋ”ｌｌしたターゲット領域は正電位となり液
晶の対応領域に容量的に結合して、その領域をスイッチ
する。
ソード電位Ｖｆｇに対し非常に高い負電位Ｖｗｇで動作
し、この電位の典型値は約４．５ｋＶであっ°ζ、書込
みビームがターゲットの背面を衝撃すると入射ビーム以
上の二次電子を放射する（第２図の二次電子放射特性曲
線参照）。よっζ、書込み電子銃（１６）からの電子ビ
ームが４ｋ”ｌｌしたターゲット領域は正電位となり液
晶の対応領域に容量的に結合して、その領域をスイッチ
する。
ターゲツト板の材料は誘電体であるので、コレクタをそ
の近傍に設けて書込み及び照射銃の帰路を形成しなけれ
ばならない。この機能を果す為に、コレクタは必らず書
込み及び照射銃のカソードに対して正でなければならな
い。しかし、盲込み電子銃により衝撃された領域をコレ
クタ電位Ｖｅａｌに安定化するのではなく、照射銃（１
８）の作用でｖｆｇへ復帰さセるには、コレクタ電位は
ターゲッ）（３０）の第１クロスオーバー電圧Ｖｃｒｌ
、即ち二次電子放出比δが１となる電子エネルギーに対
応する最低電位以下でなければならない。これにより、
光パルプｉ蓄積装置としてではなく高速書込み及びリフ
レッシュ動作とし°ζ使用することができる。
の近傍に設けて書込み及び照射銃の帰路を形成しなけれ
ばならない。この機能を果す為に、コレクタは必らず書
込み及び照射銃のカソードに対して正でなければならな
い。しかし、盲込み電子銃により衝撃された領域をコレ
クタ電位Ｖｅａｌに安定化するのではなく、照射銃（１
８）の作用でｖｆｇへ復帰さセるには、コレクタ電位は
ターゲッ）（３０）の第１クロスオーバー電圧Ｖｃｒｌ
、即ち二次電子放出比δが１となる電子エネルギーに対
応する最低電位以下でなければならない。これにより、
光パルプｉ蓄積装置としてではなく高速書込み及びリフ
レッシュ動作とし°ζ使用することができる。
次に第３図を参照すると、ターゲｙ ト（３０）の背面
（１４）の領域を書込み電子銃（１６）のビームにより
衝撃すると、その領域の電位はコレクタ電位Ｖｃｏｌに
向って上昇するが、これを超えることはない。コレクタ
電位はＶｃｒ１未満であるの°乙照射電子は放出する以
上に吸収され、その領域の書込み電子銃電流を停止した
後、再びＶｆｇに戻す。
（１４）の領域を書込み電子銃（１６）のビームにより
衝撃すると、その領域の電位はコレクタ電位Ｖｃｏｌに
向って上昇するが、これを超えることはない。コレクタ
電位はＶｃｒ１未満であるの°乙照射電子は放出する以
上に吸収され、その領域の書込み電子銃電流を停止した
後、再びＶｆｇに戻す。
このようにし′ζ電位像が書込み電子銃によりターゲッ
ト上に書込まれ、その後照射銃（１日）により消去され
、更に必要に応じて書込み電子銃（１６）により再宵込
みされる。この像は液晶に容量的に結合され、それを通
過する光を像に応じて変調する。
ト上に書込まれ、その後照射銃（１日）により消去され
、更に必要に応じて書込み電子銃（１６）により再宵込
みされる。この像は液晶に容量的に結合され、それを通
過する光を像に応じて変調する。
上述したネマチック液晶体を１０−７ｍの間隔りでセル
内に配して（史用することにより、０．６Ｘ １０”
ｍの波長の白黒テレビジョン画像の投写が十分満足に得
られた。１４．７ｘ １０” Ａ及び４．４ミル（０，
１１ｗｎ）の幅の書込み電子ビーム電流とマイカ製ター
ゲットを用いて、次の結果が得られた。
内に配して（史用することにより、０．６Ｘ １０”
ｍの波長の白黒テレビジョン画像の投写が十分満足に得
られた。１４．７ｘ １０” Ａ及び４．４ミル（０，
１１ｗｎ）の幅の書込み電子ビーム電流とマイカ製ター
ゲットを用いて、次の結果が得られた。
表示スイッチング速度 ： ２５ｒｓコントラスト
比 ：５９：１ 解像度 ：８．９本／１１側書込み速度
： １６４ ｃｍ＋／ｗ＋ａ次に第４
図を参照すると、本発明による光バルブを使用する投写
装置は更に書込み電子銃（１６）、照射銃（１８）及び
コレクタ電極（２０）を有する排気室（３６）を有し、
液晶セル［１（ｌはこの室（３６）の前面に背面（１４
）を内側に向けて取付けている。
比 ：５９：１ 解像度 ：８．９本／１１側書込み速度
： １６４ ｃｍ＋／ｗ＋ａ次に第４
図を参照すると、本発明による光バルブを使用する投写
装置は更に書込み電子銃（１６）、照射銃（１８）及び
コレクタ電極（２０）を有する排気室（３６）を有し、
液晶セル［１（ｌはこの室（３６）の前面に背面（１４
）を内側に向けて取付けている。
透明材料で開口を覆った入射窓（３８）を好ましくは室
（３６）の後部に配し、書込み電子銃（１６）を中心軸
から外し°Ｃ入射窓（３８）の視野の妨害とならないよ
うになし、窓（３８）から液晶セルＱｌが臨める。第１
偏光子（４０）を入射窓の後に配し、そこへ入射する光
を偏光する。更に第２偏光子即ち検光子（４２）をセル
Ｑｌの前に置き、すべＣの光の通過を阻止するが１、選
択した極性の光は何ら強度の変化を受けることなく通過
する。偏光子（４０）と検光子（４２）は市販の偏光シ
ートにより作ってもよい。
（３６）の後部に配し、書込み電子銃（１６）を中心軸
から外し°Ｃ入射窓（３８）の視野の妨害とならないよ
うになし、窓（３８）から液晶セルＱｌが臨める。第１
偏光子（４０）を入射窓の後に配し、そこへ入射する光
を偏光する。更に第２偏光子即ち検光子（４２）をセル
Ｑｌの前に置き、すべＣの光の通過を阻止するが１、選
択した極性の光は何ら強度の変化を受けることなく通過
する。偏光子（４０）と検光子（４２）は市販の偏光シ
ートにより作ってもよい。
液晶セル０１の特定領域から検光子（４２）を通る光の
強度は、その領域が書込み電子銃（１６）によりオンに
スイッチされている程度に依存する。その理由は、検光
子（４２）を通過する光の強度は検光子（４２）とそこ
への入射光との相対偏光の関数である為である。その結
果、ツ゛イステッドネマチック型液晶セルにより偏光変
調は、偏光子（４０）と検光子（４２）とにより強度に
変換される。検光子（４２）の偏光方向を偏光子（４０
）の偏光方向と一致させると、書込み電子銃のビーム強
度に応じて得られる画像輝度も増加するが、検光子（４
２）の偏光方向を偏光子（４０）の偏光方向に対し９０
゜の角度を持たせると、書込み電子銃のビーム強度に応
じて画像輝度は減少する。
強度は、その領域が書込み電子銃（１６）によりオンに
スイッチされている程度に依存する。その理由は、検光
子（４２）を通過する光の強度は検光子（４２）とそこ
への入射光との相対偏光の関数である為である。その結
果、ツ゛イステッドネマチック型液晶セルにより偏光変
調は、偏光子（４０）と検光子（４２）とにより強度に
変換される。検光子（４２）の偏光方向を偏光子（４０
）の偏光方向と一致させると、書込み電子銃のビーム強
度に応じて得られる画像輝度も増加するが、検光子（４
２）の偏光方向を偏光子（４０）の偏光方向に対し９０
゜の角度を持たせると、書込み電子銃のビーム強度に応
じて画像輝度は減少する。
レンズ（４４）を使用してランプ（４６）の如き光源か
らの光を入射！５（３Ｂ）と液晶セルａψの窓を通過さ
せる。他のレンズ（４８）を用いて、液晶セルＱｌによ
り作った像をスクリーン（５０）の表面の如き観測スク
リーン上に焦点を結ばせ、スクリーン（５０）上に書込
み電子銃（１６）に印加した電気信号で表わされる画像
を投写する。ここではレンズ（４４）と（４８）を簡単
な光学系でボしているが、光パルプを使用する特定の用
途に応じて更に複雑な光学系を用いてもよい。
らの光を入射！５（３Ｂ）と液晶セルａψの窓を通過さ
せる。他のレンズ（４８）を用いて、液晶セルＱｌによ
り作った像をスクリーン（５０）の表面の如き観測スク
リーン上に焦点を結ばせ、スクリーン（５０）上に書込
み電子銃（１６）に印加した電気信号で表わされる画像
を投写する。ここではレンズ（４４）と（４８）を簡単
な光学系でボしているが、光パルプを使用する特定の用
途に応じて更に複雑な光学系を用いてもよい。
好適な光パルプの構造例は第５図にポず如きものとなる
ことが判った。フロートガラス又はその他所型透明体製
フェースプレー）（５２）の製法は、先ず酸化インジウ
ム錫（ＩＴＯ）層を１面上に従来技法により形成して透
明電極（５４）となし、次いで図示せずもＩＴＯ電極（
５４）の表面に薄く透明な一酸化シリコンの配向（アラ
インメント）膜を形成する。この配向膜は、静ｐｉ、Ｐ
ｈｙｓ、 Ｌｅｆｔ。
ことが判った。フロートガラス又はその他所型透明体製
フェースプレー）（５２）の製法は、先ず酸化インジウ
ム錫（ＩＴＯ）層を１面上に従来技法により形成して透
明電極（５４）となし、次いで図示せずもＩＴＯ電極（
５４）の表面に薄く透明な一酸化シリコンの配向（アラ
インメント）膜を形成する。この配向膜は、静ｐｉ、Ｐ
ｈｙｓ、 Ｌｅｆｔ。
のＶｏｌ、２１． Ｎｏ、４ １９７２年第１７３頁の
Ｊ、ジャニングの文献に記載する如き従来工程で板表面
から５の角度で一酸化シリコンを嵐空蒸着し′ζ形成し
°ζもよい。人口開口（５６）と出口開口（５８）とを
フェースプレートに形成する。人出口管（６０）及び（
６２）をフェースプレー） （５２）の各開口に連結し
て密封固定する。゛ガラスの真空アンプル又は室（６４
）を出口管（６２）の他端へ密封固定する。この構成で
はフェースプレー トが水平方向であり、ターゲツト板
（６６）を透明ＩＴＯ電極（５４）上に配して外周スペ
ーサ（６８）に乗せ、その周辺をエポキシ化合物又は他
の適当な封止体（７０）によりフェースプレート（５２
）に固定している。ターゲツト板（６６）はその内面に
透明−酸化シリコンの配向膜を有し、電極（５４）上の
配向膜に対して９０゜の角度を持たせている。
Ｊ、ジャニングの文献に記載する如き従来工程で板表面
から５の角度で一酸化シリコンを嵐空蒸着し′ζ形成し
°ζもよい。人口開口（５６）と出口開口（５８）とを
フェースプレートに形成する。人出口管（６０）及び（
６２）をフェースプレー） （５２）の各開口に連結し
て密封固定する。゛ガラスの真空アンプル又は室（６４
）を出口管（６２）の他端へ密封固定する。この構成で
はフェースプレー トが水平方向であり、ターゲツト板
（６６）を透明ＩＴＯ電極（５４）上に配して外周スペ
ーサ（６８）に乗せ、その周辺をエポキシ化合物又は他
の適当な封止体（７０）によりフェースプレート（５２
）に固定している。ターゲツト板（６６）はその内面に
透明−酸化シリコンの配向膜を有し、電極（５４）上の
配向膜に対して９０゜の角度を持たせている。
その後、ターゲツト板（６６）と透明電極（５４）間の
空間を液晶体により充満する。これには、先ずフェース
プレート（５２）、ターゲツト板（６６）、人口管（６
０）、出口管（６２）及びアンプル（６４）の周囲及び
内部を排気する。次に人口管（６０）の遊端を完全にガ
スを抜きした液晶体中に入れ、液晶材の圧力を増加して
入口管（６０）を通してセル内へ入れ゛ζフェースプレ
ート（５２）とターゲツト板（６６）間の間隙を満たし
、更に出口管（６２）を介し′ζアンプル（６４）内へ
入れる。フェースプレート（５２）とターゲツト板（６
６）間の空隙を完全に満たすと入口管（６０）を従来技
法により所望点（７２）で切り取る。ターゲツト板（６
６）の外表面の圧力を増加してターゲツト板（６６）が
外周スペーサ（６８）上に正しく止まると共にフェース
プレートに実質的に平行となるようにする。続いて、出
口管（６２）を適当位置（７４）で切り取っ゛Ｃ液晶体
をセル内に封止する。完全にガス抜きした液晶体を用い
°ζ上述の工程を実効して、アイソスタチック（均衡）
液晶セルを作り、もっ°ＣＣ均一ブレートセパレージン
と構造の安定を高真空中で行なう。
空間を液晶体により充満する。これには、先ずフェース
プレート（５２）、ターゲツト板（６６）、人口管（６
０）、出口管（６２）及びアンプル（６４）の周囲及び
内部を排気する。次に人口管（６０）の遊端を完全にガ
スを抜きした液晶体中に入れ、液晶材の圧力を増加して
入口管（６０）を通してセル内へ入れ゛ζフェースプレ
ート（５２）とターゲツト板（６６）間の間隙を満たし
、更に出口管（６２）を介し′ζアンプル（６４）内へ
入れる。フェースプレート（５２）とターゲツト板（６
６）間の空隙を完全に満たすと入口管（６０）を従来技
法により所望点（７２）で切り取る。ターゲツト板（６
６）の外表面の圧力を増加してターゲツト板（６６）が
外周スペーサ（６８）上に正しく止まると共にフェース
プレートに実質的に平行となるようにする。続いて、出
口管（６２）を適当位置（７４）で切り取っ゛Ｃ液晶体
をセル内に封止する。完全にガス抜きした液晶体を用い
°ζ上述の工程を実効して、アイソスタチック（均衡）
液晶セルを作り、もっ°ＣＣ均一ブレートセパレージン
と構造の安定を高真空中で行なう。
液晶体をセル内へ充填するのに適当な治具（７６）を第
５図に示す。人口管（６０）を治具の上部（７７）にね
じ切りキャップ（７Ｂ）、ワッシャ（８０）及び弾性０
リング（８２）で密封的に取付け、人口管は治具の上部
の上側室（８４）と上側室（８６）を介し”Ｃ１方に伸
び°ζいる。
５図に示す。人口管（６０）を治具の上部（７７）にね
じ切りキャップ（７Ｂ）、ワッシャ（８０）及び弾性０
リング（８２）で密封的に取付け、人口管は治具の上部
の上側室（８４）と上側室（８６）を介し”Ｃ１方に伸
び°ζいる。
一度セルと囲りのスペースを排気すると、液晶体（９２
）のコンテナ（９０）を保持する治具の下部（８８）は
、治具の主部（７７）の−上側室（８６）内に向けてね
じを締め上げ、治具の内部を排気する為に設りたボート
（９４）を覆う、ス：・ツバ（９６）と０リング（９８
）は圧力封止用に設けており、入口管（６０）を液晶体
（９２）内に入れる。液晶体（９２）の圧力を増加する
と入口ボート（１００）を介して上部室（８４）内にガ
スを導入して入口管（６０）内に液晶が入る。好ましく
は、このガスは不活性ガスであって液晶体（９２）への
溶解度が低い。よってアルゴンが最適であるが他のガス
を使用場ることも可能であろう。
）のコンテナ（９０）を保持する治具の下部（８８）は
、治具の主部（７７）の−上側室（８６）内に向けてね
じを締め上げ、治具の内部を排気する為に設りたボート
（９４）を覆う、ス：・ツバ（９６）と０リング（９８
）は圧力封止用に設けており、入口管（６０）を液晶体
（９２）内に入れる。液晶体（９２）の圧力を増加する
と入口ボート（１００）を介して上部室（８４）内にガ
スを導入して入口管（６０）内に液晶が入る。好ましく
は、このガスは不活性ガスであって液晶体（９２）への
溶解度が低い。よってアルゴンが最適であるが他のガス
を使用場ることも可能であろう。
セルと周囲空間の初期排気は構体をペルジャー２内に入
れ、それを排気することにより行なう。一度セルを液晶
体で充填すると、ペルジャー内の圧力を増加し゛Ｃ前述
した通りターゲツト板（６６）の外表面の圧力を増加す
る。
れ、それを排気することにより行なう。一度セルを液晶
体で充填すると、ペルジャー内の圧力を増加し゛Ｃ前述
した通りターゲツト板（６６）の外表面の圧力を増加す
る。
一度液晶セルを作ると、それを書込み及び照射統並びに
コレクタ電極を有する適当な構体と合体するが、取付け
て、例えばＣＲＴの如き真空中でバルブを動作させるよ
うにする。
コレクタ電極を有する適当な構体と合体するが、取付け
て、例えばＣＲＴの如き真空中でバルブを動作させるよ
うにする。
または、セルをＣＲ’Ｉ’のフェースプレートとして使
用する場合には、ペルジャーに入れる前にＣＲＴのファ
ネル（１０２）に取付ける。この場合に、ターゲツト板
（６６）の外側の圧力は、ＣＲＴ内の圧力を好ましくは
アルゴン等の不活性ガスにより増加することにより増加
できる。ＣＲＴは従来技法により熱処理をして、特に水
蒸気等のガスを封止前に除去する。このセルはエポキシ
によりソアネル（１０２）に取付けるが、他の従来接着
手段を使用し°Ｃもよい、ここでエポキシはＣＲＴの熱
処理に必要な短時間の晶温（例えば３００℃のオーダー
）に耐える市販のものから選択すべきである。
用する場合には、ペルジャーに入れる前にＣＲＴのファ
ネル（１０２）に取付ける。この場合に、ターゲツト板
（６６）の外側の圧力は、ＣＲＴ内の圧力を好ましくは
アルゴン等の不活性ガスにより増加することにより増加
できる。ＣＲＴは従来技法により熱処理をして、特に水
蒸気等のガスを封止前に除去する。このセルはエポキシ
によりソアネル（１０２）に取付けるが、他の従来接着
手段を使用し°Ｃもよい、ここでエポキシはＣＲＴの熱
処理に必要な短時間の晶温（例えば３００℃のオーダー
）に耐える市販のものから選択すべきである。
本発明の光バルブに使用のＴＮ液晶セルは上述したセル
に限定するものではない。使用可能と思われる他のＴＮ
液晶としては、１８８８ Ｔｒａｎｓ、 ｔ！ｌｅｃ。
に限定するものではない。使用可能と思われる他のＴＮ
液晶としては、１８８８ Ｔｒａｎｓ、 ｔ！ｌｅｃ。
Ｄｅｖ、、Ｖｏｌ、 ＨＤ−２８Ｊｏ、６＋ １９８１
年第７２３頁のＲ，ハバ−ド及びり、ボスによる１−Ｏ
ｐｔｌｃａｌ−Ｂｏｕｎｃｅ Ｒｅ＋＋＋ｏｖａｌａｎ
ｄ Ｔｕｒｎｏｆｆ−Ｔｉｍｅ Ｒｅｄｕｃｔｉｏ
ｎ ｉｎ ＴＨｉｓｔｅｄ−Ｎｅｗ＋ａｔｉｃ１１
ｉｓｐｌａｙｓＪに説明している如きフローアシステツ
ド（ｆｌｏｓ４−ａｓｓｉｓｔｅｄ ）セルがある。更
に、使用できる他のものとして、１９８２年４月１日ネ
バダ州ラスベうスにおける第４回液晶及びｏｒｄｅｒｄ
液体に関するシンポジウムに提出したＲ、ハバード等の
論文１−Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ Ｄｕａｌ−Ｆ
ｒｅｑｕｅｎｃｙ ＡｄｄｒｅｓｓａｂｌｅＬｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ Ｊに記載する液晶体を用いて作
った二周波数アドレス可能な１’Ｎセルである。
年第７２３頁のＲ，ハバ−ド及びり、ボスによる１−Ｏ
ｐｔｌｃａｌ−Ｂｏｕｎｃｅ Ｒｅ＋＋＋ｏｖａｌａｎ
ｄ Ｔｕｒｎｏｆｆ−Ｔｉｍｅ Ｒｅｄｕｃｔｉｏ
ｎ ｉｎ ＴＨｉｓｔｅｄ−Ｎｅｗ＋ａｔｉｃ１１
ｉｓｐｌａｙｓＪに説明している如きフローアシステツ
ド（ｆｌｏｓ４−ａｓｓｉｓｔｅｄ ）セルがある。更
に、使用できる他のものとして、１９８２年４月１日ネ
バダ州ラスベうスにおける第４回液晶及びｏｒｄｅｒｄ
液体に関するシンポジウムに提出したＲ、ハバード等の
論文１−Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ Ｄｕａｌ−Ｆ
ｒｅｑｕｅｎｃｙ ＡｄｄｒｅｓｓａｂｌｅＬｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ Ｊに記載する液晶体を用いて作
った二周波数アドレス可能な１’Ｎセルである。
本明細書で使用した用語等は単に本発明の説明用であっ
て、何ら制限する意図はなく、同種又は類似物の使用を
除外する意図は全くないことをここに念の為付言してお
く。
て、何ら制限する意図はなく、同種又は類似物の使用を
除外する意図は全くないことをここに念の為付言してお
く。
発明の効果
本発明は特定ＴＮ液晶体のセルと従来の両種ＣＲＴ技術
を用いるごとにより、白黒テレビジョン画像等の晶速画
像をスクリーン上に投写できる。
を用いるごとにより、白黒テレビジョン画像等の晶速画
像をスクリーン上に投写できる。
よって、従来の蓄積型ＣＲＴで使用した高度技術がその
まま使用でき、＾速画像を十分な輝度、コントラストで
表不スクリーン上に投写表承できる。
まま使用でき、＾速画像を十分な輝度、コントラストで
表不スクリーン上に投写表承できる。
本発明の光バルブによると、解像度は液晶セルのマトリ
クス電榛又はピン等に左右されず、宵込み電子ビームス
ポット寸法等により決まるので権め“ζｈ解像度が実現
できる。更に、本発明の製法によると、ＣＲＴ構造の為
に外部と内部との圧力差を制御することにより均一な厚
さの液晶セルが晶品質に且つ簡単に製造できる。
クス電榛又はピン等に左右されず、宵込み電子ビームス
ポット寸法等により決まるので権め“ζｈ解像度が実現
できる。更に、本発明の製法によると、ＣＲＴ構造の為
に外部と内部との圧力差を制御することにより均一な厚
さの液晶セルが晶品質に且つ簡単に製造できる。
第１１！！！ｌは本発明による光バルブの原理を示す簡
略側面図、第２図は第１図の光バルブに使用するターゲ
ットの二次電子放出比特性曲線図、第３図は書込み電子
銃電流とターゲットの電位関係をポす波形図、第４図は
本発明による投写装置の側面略図、第５図は本発明によ
る光バルブの製法を説明する為の図を示す。 （ＩＩは液晶セル、（１６）は書込み電子銃、（１８）
は照射銃、（２４） 、 （５２）は透明支持板（フ
ェースプレート）、（２６） 、 （５４）は透明電
極、（３０） 。 （６６）はターゲツト板、（３２） 、 （６Ｂ）は
スペーサ、（３４） 、 （９２）は液晶体、（５６
） 、 （５Ｂ）は人口、出口である。
略側面図、第２図は第１図の光バルブに使用するターゲ
ットの二次電子放出比特性曲線図、第３図は書込み電子
銃電流とターゲットの電位関係をポす波形図、第４図は
本発明による投写装置の側面略図、第５図は本発明によ
る光バルブの製法を説明する為の図を示す。 （ＩＩは液晶セル、（１６）は書込み電子銃、（１８）
は照射銃、（２４） 、 （５２）は透明支持板（フ
ェースプレート）、（２６） 、 （５４）は透明電
極、（３０） 。 （６６）はターゲツト板、（３２） 、 （６Ｂ）は
スペーサ、（３４） 、 （９２）は液晶体、（５６
） 、 （５Ｂ）は人口、出口である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透明絶縁体のターゲット及び透明電極を被着した透
明支持板間に液晶体を充填した液晶セルと、該液晶セル
の上記ターゲットに電位像を形成する書込み電子銃と、
上記液晶セルの上記ターゲットに略均−な電子ビームを
放射する照射銃とを具える電子ビームアドレス型光パル
プ。 ２、電子ビームアドレス型光バルブの液晶セルを製造す
るに際し、透明絶縁フェースプレート内面に透明電極を
形成し、上記フェースプレートの外側に液晶体注入用人
出口を形成し、上記フェースプレートの上記透明電極側
にスペーサを介して透明絶縁ターゲツト板を気密配置し
、該ターゲツト板の外側と該ターゲツト板及び上記フェ
ースプレートのｔｌｌｒ４との圧力差を制御して」二記
ターゲッｌ−＆を上記フェースプレートに略平行に且つ
上記間隙を上記液晶体で充填した後上記人出口を閉じて
形成する電子ビームアドレス型光バルブの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US43497382A | 1982-10-18 | 1982-10-18 | |
| US434975 | 1982-10-18 | ||
| US434973 | 1982-10-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5991645A true JPS5991645A (ja) | 1984-05-26 |
Family
ID=23726470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19513683A Pending JPS5991645A (ja) | 1982-10-18 | 1983-10-18 | 電子ビ−ムアドレス型光バルブ及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5991645A (ja) |
| DE (1) | DE3337350A1 (ja) |
| GB (1) | GB2129605A (ja) |
| NL (1) | NL8303553A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6015936A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63259945A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-10-27 | ノキア（ドイチュラント）ゲーエムベーハー | 画像管を備えた画像再生装置とその製造方法 |
| JPS63278028A (ja) * | 1987-05-05 | 1988-11-15 | Sony Tektronix Corp | 液晶光変調器 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3627408A (en) * | 1965-06-29 | 1971-12-14 | Westinghouse Electric Corp | Electric field device |
| US3626084A (en) * | 1970-06-12 | 1971-12-07 | Ibm | Deformographic storage display tube |
| US3808769A (en) * | 1972-09-05 | 1974-05-07 | Rca Corp | Liquid crystal device closure method |
| CA1041643A (en) * | 1974-05-10 | 1978-10-31 | Xerox Corporation | Imaging system |
-
1983
- 1983-09-23 GB GB08325484A patent/GB2129605A/en not_active Withdrawn
- 1983-10-13 DE DE19833337350 patent/DE3337350A1/de not_active Ceased
- 1983-10-14 NL NL8303553A patent/NL8303553A/nl not_active Application Discontinuation
- 1983-10-18 JP JP19513683A patent/JPS5991645A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6015936A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63259945A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-10-27 | ノキア（ドイチュラント）ゲーエムベーハー | 画像管を備えた画像再生装置とその製造方法 |
| JPS63278028A (ja) * | 1987-05-05 | 1988-11-15 | Sony Tektronix Corp | 液晶光変調器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8325484D0 (en) | 1983-10-26 |
| NL8303553A (nl) | 1984-05-16 |
| DE3337350A1 (de) | 1984-04-19 |
| GB2129605A (en) | 1984-05-16 |
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