JPH0556645B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0556645B2 JPH0556645B2 JP59079507A JP7950784A JPH0556645B2 JP H0556645 B2 JPH0556645 B2 JP H0556645B2 JP 59079507 A JP59079507 A JP 59079507A JP 7950784 A JP7950784 A JP 7950784A JP H0556645 B2 JPH0556645 B2 JP H0556645B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- exposure
- semiconductor substrate
- alignment
- alignment method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置の製造工程に於いて使用
するマスクアライメント方法に関するものであ
る。
するマスクアライメント方法に関するものであ
る。
（従来技術とその問題点）
従来、縮小投影型光露光法によるパターン形成
工程に於いては、レチクル上に形成したパターン
を、半導体基板上の所定の位置に精度良く転写す
る為に該半導体基板の位置を高精度に制御しなが
ら、ステツプ・アンド・リピート露光を行なう方
法が一般的である。上記の方法で半導体基板上に
所望のマスクパターンをステツプ・アンド・リピ
ート露光する場合、一般に第１図に示すように半
導体基板１１の外周近傍には、パターン１２を形
成しない空白領域１３が生ずる。これは一般に、
半導体基板の外周近傍は、半導体装置の製造工程
に於いて種々の治具等と接触する為に傷つき易い
為であるが、従来の縮小投影型光露光装置に於い
ては、一般に１ステツプ当りの露光領域が、数mm
角ないし十mm角程度と比較的小さく、半導体基板
の外周近傍に生ずる余白領域を比較的小さく抑え
ることが可能である為、従来は余り問題にならな
かつた。ところが近年縮小投影型光露光の生産性
を高める為に、１ステツプ当りの露光面積を十数
mm角ないし20mm角程度まで拡大した露光装置が開
発され、一般に使用されるようになつた。また超
微細パターンの高精度転写技術として注目されて
いるＸ線露光に於いても１ステツプ当りの露光面
積を約10mm角ないし30mm角としたステツプ・アン
ド・リピート露光装置が開発されている。上記ご
とき露光装置に於いては、第２図に示すように１
ステツプの露光領域２１の中にチツプパターン２
２とアライメントマーク２３を複数個形成するの
が一般的である。この場合第３図の露光例に示す
ように、半導体基板３１の周辺部の余白領域３２
に於いては、チツプパターン３３を形成する余裕
が十分有るにもかかわらず露光マスクの外周端近
傍に形成さないるアライメントマーク３４が半導
体基板３１の外にはみ出してしまう為にマスクア
ライメントが行なえず、多大な余白領域を生じて
しまい、半導体基板の利用効率及び生産性を低下
させる一因となつていた。
工程に於いては、レチクル上に形成したパターン
を、半導体基板上の所定の位置に精度良く転写す
る為に該半導体基板の位置を高精度に制御しなが
ら、ステツプ・アンド・リピート露光を行なう方
法が一般的である。上記の方法で半導体基板上に
所望のマスクパターンをステツプ・アンド・リピ
ート露光する場合、一般に第１図に示すように半
導体基板１１の外周近傍には、パターン１２を形
成しない空白領域１３が生ずる。これは一般に、
半導体基板の外周近傍は、半導体装置の製造工程
に於いて種々の治具等と接触する為に傷つき易い
為であるが、従来の縮小投影型光露光装置に於い
ては、一般に１ステツプ当りの露光領域が、数mm
角ないし十mm角程度と比較的小さく、半導体基板
の外周近傍に生ずる余白領域を比較的小さく抑え
ることが可能である為、従来は余り問題にならな
かつた。ところが近年縮小投影型光露光の生産性
を高める為に、１ステツプ当りの露光面積を十数
mm角ないし20mm角程度まで拡大した露光装置が開
発され、一般に使用されるようになつた。また超
微細パターンの高精度転写技術として注目されて
いるＸ線露光に於いても１ステツプ当りの露光面
積を約10mm角ないし30mm角としたステツプ・アン
ド・リピート露光装置が開発されている。上記ご
とき露光装置に於いては、第２図に示すように１
ステツプの露光領域２１の中にチツプパターン２
２とアライメントマーク２３を複数個形成するの
が一般的である。この場合第３図の露光例に示す
ように、半導体基板３１の周辺部の余白領域３２
に於いては、チツプパターン３３を形成する余裕
が十分有るにもかかわらず露光マスクの外周端近
傍に形成さないるアライメントマーク３４が半導
体基板３１の外にはみ出してしまう為にマスクア
ライメントが行なえず、多大な余白領域を生じて
しまい、半導体基板の利用効率及び生産性を低下
させる一因となつていた。
（発明の目的）
本発明の目的は上記のごとき従来のマスクアラ
イメント方法の欠点を改良し、半導体基板のほぼ
全域を有効に利用できるマスクアライメント方法
を提供することである。
イメント方法の欠点を改良し、半導体基板のほぼ
全域を有効に利用できるマスクアライメント方法
を提供することである。
（発明の構成）
本発明によれば可視光および光学レンズ系を用
いたマスクアライメント方法に於いて、４系統以
上の光学レンズ系と該レンズ系の各々に対応して
設けたアライメントマークを有するマスクを用
い、前記光学レンズ系およびアライメントマーク
の中から任意の２系統の組合せを用いて行なうこ
とを特徴とするマスクアライメント方法が得られ
る。
いたマスクアライメント方法に於いて、４系統以
上の光学レンズ系と該レンズ系の各々に対応して
設けたアライメントマークを有するマスクを用
い、前記光学レンズ系およびアライメントマーク
の中から任意の２系統の組合せを用いて行なうこ
とを特徴とするマスクアライメント方法が得られ
る。
（構成の詳細な説明）
以下、本発明の詳細を図面を用いて説明する。
本発明のマスクアライメント方法に於いては４
系統のアライメント用光学系と、これに対応して
設けた４つのアライメントマークを有するマスク
を用いる。
系統のアライメント用光学系と、これに対応して
設けた４つのアライメントマークを有するマスク
を用いる。
第４図は、本発明のマスクアライメント方法に
用いるマスクの主要部分を抜き出して模式的に示
したもので、４１はチツプパターン、４２はアラ
イメントマークをそれぞれ示す。
用いるマスクの主要部分を抜き出して模式的に示
したもので、４１はチツプパターン、４２はアラ
イメントマークをそれぞれ示す。
第５図は、本発明のマスクアライメント方法に
よるステツプ・アンド・リピート露光の一実施例
を模式的に示したものである。従来、第３図に示
した半導体基板の空白領域３２にチツプパターン
の形成が出来なかつたが、本発明のマスクアライ
メント方法に於いては、パターンを転写する基板
の形状に応じて、第４図に示した４つのアライメ
ントマーク４２の中、任意の２個のアライメント
マークを用いてマスクアライメントを行なう為、
第５図に示すように半導体基板５１の全面にむだ
無くチツプ５２が形成できる。
よるステツプ・アンド・リピート露光の一実施例
を模式的に示したものである。従来、第３図に示
した半導体基板の空白領域３２にチツプパターン
の形成が出来なかつたが、本発明のマスクアライ
メント方法に於いては、パターンを転写する基板
の形状に応じて、第４図に示した４つのアライメ
ントマーク４２の中、任意の２個のアライメント
マークを用いてマスクアライメントを行なう為、
第５図に示すように半導体基板５１の全面にむだ
無くチツプ５２が形成できる。
（発明の効果）
本発明のマスクアライメント方法によれば、同
一寸法の半導体基板上に同一寸法のチツプパター
ンを露光する場合、従来方法に比べてチツプが10
％以上多く形成でき、半導体装置の生産性の向上
および低価格化をもたらすことができる。
一寸法の半導体基板上に同一寸法のチツプパター
ンを露光する場合、従来方法に比べてチツプが10
％以上多く形成でき、半導体装置の生産性の向上
および低価格化をもたらすことができる。
第１図は、従来のステツプ・アンド・リピート
露光による半導体基板上のチツプパターン形成領
域を示す概略平面図、第２図は、大口径レチクル
又はＸ線露光マスク上の一般的パターン配列を示
す模式的平面図、第３図は大口径レチクルを用い
たステツプ・アンド・リピート光露光又は一般的
ステツプ・アンド・リピート型Ｘ線露光による半
導体基板上のチツプ・パターン形成領域を示す模
式的平面図、第４図は本発明のマスクアライメン
ト方法に於いて用いるマスクの主要部分を抜き出
して示した模式的平面図、第５図は本発明のマス
クアライメント方法を用いたステツプ・アンド・
リピートＸ線露光による半導体基板上のチツプパ
ターン形成状態を示す模式的平面図である。 図中各番号はそれぞれ次のものを示す。１１，
３１，５１……半導体基板、１２，２２，３３，
４１，５２……チツプパターン形成領域、１３，
３２……空白領域、２３，３４，４２……アライ
メントマーク。
露光による半導体基板上のチツプパターン形成領
域を示す概略平面図、第２図は、大口径レチクル
又はＸ線露光マスク上の一般的パターン配列を示
す模式的平面図、第３図は大口径レチクルを用い
たステツプ・アンド・リピート光露光又は一般的
ステツプ・アンド・リピート型Ｘ線露光による半
導体基板上のチツプ・パターン形成領域を示す模
式的平面図、第４図は本発明のマスクアライメン
ト方法に於いて用いるマスクの主要部分を抜き出
して示した模式的平面図、第５図は本発明のマス
クアライメント方法を用いたステツプ・アンド・
リピートＸ線露光による半導体基板上のチツプパ
ターン形成状態を示す模式的平面図である。 図中各番号はそれぞれ次のものを示す。１１，
３１，５１……半導体基板、１２，２２，３３，
４１，５２……チツプパターン形成領域、１３，
３２……空白領域、２３，３４，４２……アライ
メントマーク。
Claims (1)
- １ 可視光および光学レンズ系を用いたマスクア
ライメント方法に於いて、４系統以上の光学レン
ズ系と該レンズ系の各々に対応して設けたアライ
メントマークを有するマスクを用い、前記光学レ
ンズ系およびアライメントマークの中から任意の
２系統の組合せを用いて行なうことを特徴とする
マスクアライメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59079507A JPS60224224A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | マスクアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59079507A JPS60224224A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | マスクアライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60224224A JPS60224224A (ja) | 1985-11-08 |
| JPH0556645B2 true JPH0556645B2 (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=13691855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59079507A Granted JPS60224224A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | マスクアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60224224A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61166026A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-26 | Fujitsu Ltd | 位置合わせ方法 |
| US5451261A (en) * | 1992-09-11 | 1995-09-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Metal film deposition apparatus and metal film deposition method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53132271A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-17 | Thomson Csf | Thin semiconductor plate* method of positioning pattern projected to said plate in projector* and projector |
-
1984
- 1984-04-20 JP JP59079507A patent/JPS60224224A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53132271A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-17 | Thomson Csf | Thin semiconductor plate* method of positioning pattern projected to said plate in projector* and projector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60224224A (ja) | 1985-11-08 |
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