JPS607120A - 半導体基板の位置決め方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体基板の位置決め方法に係り、特に、半
導体基板の両面にダイオード又はその他の回路素子を形
成する半導体基板の位置決め方法に関する。

従来、半導体基板（ウェハ）の両面に個別にパターンを
構成する場合、専用の両面アライナを使用し、その作業
を行っている。このような専用のアライナを用いた場合
、その作業は容易であるが、少量の需要に応じる場合等
、その装置が高価であるため、製造価格が高価に成る等
の欠点がある。

この発明は、両面アライナ等の高価な装置を用（１） いることなく、ウェハの両面に効率よくパターンを形成
可能にした半導体基板の位置決め方法の提供を目的とす
る。

この発明は、半導体基板の中心又は別に設定した基準点
で交差する基準線上の周縁端部にＶ字状の切欠き部を形
成し、この切欠き部を基準位置とすることを特徴とする
。

以下、この発明を図面に示した実施例を参照して詳細に
説明する。

第１図及び第２図はこの発明の半導体基板の位置決め方
法の実施例を示している。図において、ウェハ２の周縁
部には、ウェハ２の中心Ｏを通り直交する基準線４Ａ、
４Ｂ上にＶ字状の切欠き部６Ａ、６Ｂ、６Ｇ、６ｒ）が
形成されている。

このように形成されたウェハ２によれば、第２図に示す
ように、フォトレジストの露光時、十字線８Ａ、８Ｂが
形成されたマスク１０を使用し、この十字線の端部をウ
ェハ２の切欠き部６Ａ、６Ｂ、６Ｃ，６Ｄの頂点、即ち
Ｖカットの場合には、その鋭角部の頂点に合わせて露光
を行う。このウニ（２） ハ２を現像エツチングし、再度その面にレジストを塗り
付ける。

そして、ウェハ２を裏返し或いはその下面より前記と同
じ方法によってマスク１２を用いてその十字線１４−Ａ
、１４Ｂを前記Ｖ字状の切欠き部６Ａ。

６Ｂ、６Ｃ１６Ｄに合致させ、露光を行う。

このような位置決め方法によれば、ウェハ２に形成され
た切込み型の切欠き部６Ａ、６Ｂ、６Ｃ１６Ｄが表裏面
合致した位置となるため、ウェハ２の同位置に同様の露
光処理を行い、対応位置に所望の半導体素子を形成する
ことができる。従って、従来用いられている両面アライ
ナ等の特別の装備を用いることなく、高精度にウェハ２
の位置決めをして処理を行うことができる。

なお、前記実施例ではウェハ２の中心を基準としたが、
別に基準点を設けて基準線を設定しても同様の効果が期
待できる。

以上説明したようにこの発明によれば、ウェハの位置決
めを容易に行うことができ、その位置を高精度に設定す
ることができる。

（３）

【図面の簡単な説明】

第１図は半導体基板を示す説明図、第２図はその露光状
態を示す説明図である。 ２・・・半導体基板、６Ａ、６Ｂ、６Ｃ１６Ｄ・・・切
欠き部。 （４）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板の中心又は別に設定した基準点で交差する基
   準線上の周縁端部にＶ字状の切欠き部を形成し、この切
   欠き部を基準位置とすることを特徴とする半導体基板の
   位置決め方法。