JPH0555129A - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
- Publication number
- JPH0555129A JPH0555129A JP21126591A JP21126591A JPH0555129A JP H0555129 A JPH0555129 A JP H0555129A JP 21126591 A JP21126591 A JP 21126591A JP 21126591 A JP21126591 A JP 21126591A JP H0555129 A JPH0555129 A JP H0555129A
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- JP
- Japan
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- resist
- substrate
- hmds
- periphery
- peripheral portion
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- Pending
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】基板の周辺部にレジストを塗布しない。
【構成】レジストのスピン塗布処理に先だって、基板の
周辺部に臨界表面張力を低下させる表面処理剤による表
面処理を行なう。ぬれ性の悪い周辺部表面が形成されレ
ジストをはじくようになることにより、基板の周辺部に
はレジストが塗布されない。また、本発明は、基板の材
質をシリコン系セラミックス、表面処理剤の材質をヘキ
サメチルジシラザンとすることにより、ぬれ性と密着性
がバランスした条件でＨＭＤＳ処理が行なわれる。
周辺部に臨界表面張力を低下させる表面処理剤による表
面処理を行なう。ぬれ性の悪い周辺部表面が形成されレ
ジストをはじくようになることにより、基板の周辺部に
はレジストが塗布されない。また、本発明は、基板の材
質をシリコン系セラミックス、表面処理剤の材質をヘキ
サメチルジシラザンとすることにより、ぬれ性と密着性
がバランスした条件でＨＭＤＳ処理が行なわれる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板用レジスト塗布装
置において、基板中心部にのみレジストを塗布し、基板
周辺部にはレジストを塗布しないレジスト塗布方法に関
する。
置において、基板中心部にのみレジストを塗布し、基板
周辺部にはレジストを塗布しないレジスト塗布方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、角形基板用レジスト塗布装置とし
ては、スピン塗布方法が一般に用いられている。このス
ピン塗布方法は基板を真空または機械的に保持した後に
基板にレジストを滴下し、基板を回転させることにより
遠心力を利用してレジストを塗布する方法である。
ては、スピン塗布方法が一般に用いられている。このス
ピン塗布方法は基板を真空または機械的に保持した後に
基板にレジストを滴下し、基板を回転させることにより
遠心力を利用してレジストを塗布する方法である。
【０００３】また、基板周辺部にのみレジストを塗布し
ない方法として半導体製造工程において、例えば図３に
示す装置による除去方法が用いられている。すなわち、
レジストが全面に塗布されチャック1 で保持されている
シリコンウェハ2 を回転させながらノズル3 からシリコ
ンウェハ2 の周辺部に溶剤をかけ、シリコンウェハ2の
周辺部からレジストを除去する方法である。なお、4,4
はシリコンウェハ2 から除去されたレジストを排出する
排気口である。
ない方法として半導体製造工程において、例えば図３に
示す装置による除去方法が用いられている。すなわち、
レジストが全面に塗布されチャック1 で保持されている
シリコンウェハ2 を回転させながらノズル3 からシリコ
ンウェハ2 の周辺部に溶剤をかけ、シリコンウェハ2の
周辺部からレジストを除去する方法である。なお、4,4
はシリコンウェハ2 から除去されたレジストを排出する
排気口である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図４に示す角形基板5
は、例えば液晶ディスプレイデバイスに用いられる基板
であって、露光は破線領域5aで行なわれ、周辺部5bにレ
ジストは不要である。この周辺部5bのレジストは製造工
程におけるゴミの原因となり、製品歩留りに悪影響を及
ぼすため、基板5 の周辺部5bのレジストを除去する必要
がある。
は、例えば液晶ディスプレイデバイスに用いられる基板
であって、露光は破線領域5aで行なわれ、周辺部5bにレ
ジストは不要である。この周辺部5bのレジストは製造工
程におけるゴミの原因となり、製品歩留りに悪影響を及
ぼすため、基板5 の周辺部5bのレジストを除去する必要
がある。
【０００５】しかしながら、上記したシリコンウェハ2
の周辺部のレジストを除去する方法は、シリコンウェハ
2 のような円形基板を対象とするものであって、図５に
示すような角形基板5 を対象としていない。
の周辺部のレジストを除去する方法は、シリコンウェハ
2 のような円形基板を対象とするものであって、図５に
示すような角形基板5 を対象としていない。
【０００６】したがって、上記円形基板に用いられるレ
ジスト除去方法を用いることができないという問題があ
り、角形基板用のレジスト除去方法が必要である。
ジスト除去方法を用いることができないという問題があ
り、角形基板用のレジスト除去方法が必要である。
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、基板の周辺部のレジストを除去できるレジスト塗布
方法を提供することを目的とする。
で、基板の周辺部のレジストを除去できるレジスト塗布
方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、基板にその周辺部を除きレジストをスピ
ン塗布するレジスト塗布装置において、レジストのスピ
ン塗布処理に先だって上記基板の周辺部に臨界表面張力
を低下させる表面処理剤による表面処理を行ない、上記
基板の周辺部にレジストを塗布しないようにしたことを
特徴とする。
成するために、基板にその周辺部を除きレジストをスピ
ン塗布するレジスト塗布装置において、レジストのスピ
ン塗布処理に先だって上記基板の周辺部に臨界表面張力
を低下させる表面処理剤による表面処理を行ない、上記
基板の周辺部にレジストを塗布しないようにしたことを
特徴とする。
【０００９】また、本発明は、基板の材質はシリコン系
セラミックスであり、かつ表面処理剤の材質はヘキサメ
チルジシラザンであることを特徴とする。
セラミックスであり、かつ表面処理剤の材質はヘキサメ
チルジシラザンであることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明は上記のように構成したので、基板の周
辺部を臨界表面張力を低下させる表面処理剤により表面
処理を行なうことにより、ぬれ性の悪い表面が形成され
て基板の周辺部表面はレジストをはじくようになり、基
板の周辺部にはレジストが塗布されない。
辺部を臨界表面張力を低下させる表面処理剤により表面
処理を行なうことにより、ぬれ性の悪い表面が形成され
て基板の周辺部表面はレジストをはじくようになり、基
板の周辺部にはレジストが塗布されない。
【００１１】また、本発明は、基板の材質をシリコン系
セラミックス、表面処理剤の材質をヘキサメチルジシラ
ザンとすることにより、ぬれ性と密着性がバランスした
条件でＨＭＤＳ処理が行なわれる。
セラミックス、表面処理剤の材質をヘキサメチルジシラ
ザンとすることにより、ぬれ性と密着性がバランスした
条件でＨＭＤＳ処理が行なわれる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１３】角形基板にレジストをスピン塗布方法によ
り塗布する場合、レジストは遠心力により基板周辺へと
のびて行き、基板端縁から排出される。レジストの排出
は、基板とレジストの表面張力に関係している。すなわ
ち、基板のぬれ性に関係しており、基板のぬれ性は接触
角法によって評価される。
り塗布する場合、レジストは遠心力により基板周辺へと
のびて行き、基板端縁から排出される。レジストの排出
は、基板とレジストの表面張力に関係している。すなわ
ち、基板のぬれ性に関係しており、基板のぬれ性は接触
角法によって評価される。
【００１４】図１(a) 、図１(b) に基板のぬれ性とレジ
ストの関係を示す。図１(a) は、基板5 のぬれ性が良い
場合、すなわち、接触角が小さい場合、基板5 にレジス
ト6が密着し、基板5 にレジスト6 が塗布される状態を
示している。基板5 の材質としては、シリコンナイトラ
イド（ＳｉＮｘ）やシリコンオキサイド（ＳｉＯｘ）な
どのシリコン系セラミックスが適用される。また、図１
(b) は、基板5のぬれ性が悪い場合、すなわち、接触角
が大きいい場合、レジスト6 が基板5 にはじかれる状態
を示している。レジスト6 がはじかれる状態ではレジス
ト6 は排出され、基板5 には塗布されない。
ストの関係を示す。図１(a) は、基板5 のぬれ性が良い
場合、すなわち、接触角が小さい場合、基板5 にレジス
ト6が密着し、基板5 にレジスト6 が塗布される状態を
示している。基板5 の材質としては、シリコンナイトラ
イド（ＳｉＮｘ）やシリコンオキサイド（ＳｉＯｘ）な
どのシリコン系セラミックスが適用される。また、図１
(b) は、基板5のぬれ性が悪い場合、すなわち、接触角
が大きいい場合、レジスト6 が基板5 にはじかれる状態
を示している。レジスト6 がはじかれる状態ではレジス
ト6 は排出され、基板5 には塗布されない。
【００１５】そこで、角形基板5 の周辺部5bのぬれ性を
変化させるために、周辺部5bに臨界表面張力を低下させ
る表面処理剤の層として、例えば、ヘキサメチルジシラ
ザン（Hexametyldisilazane 、以下ＨＭＤＳと称す）の
層を形成し接触角を大きくさせる。ＨＭＤＳ処理は、一
般にレジストとの密着性を増強するために用いられてい
るが、それは適量のメチル基（−ＣＨ3 ）が基板表面に
存在するためである。したがって、一般的にはぬれ性と
密着性がバランスした条件でＨＭＤＳ処理が行なわれて
いる。
変化させるために、周辺部5bに臨界表面張力を低下させ
る表面処理剤の層として、例えば、ヘキサメチルジシラ
ザン（Hexametyldisilazane 、以下ＨＭＤＳと称す）の
層を形成し接触角を大きくさせる。ＨＭＤＳ処理は、一
般にレジストとの密着性を増強するために用いられてい
るが、それは適量のメチル基（−ＣＨ3 ）が基板表面に
存在するためである。したがって、一般的にはぬれ性と
密着性がバランスした条件でＨＭＤＳ処理が行なわれて
いる。
【００１６】本発明は、角形基板5 の周辺部5bに過剰の
ＨＭＤＳ処理、例えば数百分子層のＨＭＤＳ処理を行な
い、図２に示すように、周辺部5bの表面に多量のメチル
基を含むＨＭＤＳ層7 を形成する。このＨＭＤＳ層7 に
おける基板5 の表面に接近している部分には、適量のＨ
ＭＤＳ処理を行なったときと同様に、レジスト6 との密
着性がよいＯ−Ｓｉ−（ＣＨ3 ）3 が存在するが、ＨＭ
ＤＳ層7 の表面付近にはＯ−Ｓｉ−（ＣＨ3 ）3 がほと
んど存在せずＨＭＤＳのみが存在する。したがって、Ｈ
ＭＤＳ処理後の角形基板5 の周辺部5bの表面はぬれ性が
極度に悪化し、レジスト6 をはじく性質を有するように
なる。ＨＭＤＳ層7 の形成後、レジストスピン塗布装置
により、角形基板5 にレジストを塗布する。
ＨＭＤＳ処理、例えば数百分子層のＨＭＤＳ処理を行な
い、図２に示すように、周辺部5bの表面に多量のメチル
基を含むＨＭＤＳ層7 を形成する。このＨＭＤＳ層7 に
おける基板5 の表面に接近している部分には、適量のＨ
ＭＤＳ処理を行なったときと同様に、レジスト6 との密
着性がよいＯ−Ｓｉ−（ＣＨ3 ）3 が存在するが、ＨＭ
ＤＳ層7 の表面付近にはＯ−Ｓｉ−（ＣＨ3 ）3 がほと
んど存在せずＨＭＤＳのみが存在する。したがって、Ｈ
ＭＤＳ処理後の角形基板5 の周辺部5bの表面はぬれ性が
極度に悪化し、レジスト6 をはじく性質を有するように
なる。ＨＭＤＳ層7 の形成後、レジストスピン塗布装置
により、角形基板5 にレジストを塗布する。
【００１７】上記ようにＨＭＤＳ層7 の表面がレジスト
6 をはじく性質を有することにより、角形基板5 にレジ
ストをスピン塗布方法により塗布する場合、レジスト6
は角形基板5 の周辺部5aに塗布されない。
6 をはじく性質を有することにより、角形基板5 にレジ
ストをスピン塗布方法により塗布する場合、レジスト6
は角形基板5 の周辺部5aに塗布されない。
【００１８】なお、上記実施例では、臨界表面張力を低
下させる表面処理剤としてＨＭＤＳを適用したが、これ
に限ることはなく、弗素系表面処理剤であってもよい。
弗素系表面処理剤の場合には、弗素系表面処理剤におけ
る−ＣＦ3 基は、ＨＭＤＳにおける−ＣＨ3 基以上に基
板5 の表面の臨界表面張力を低下させる性質を有してお
り、ＨＭＤＳ処理より効果的にぬれ性の悪い表面を形成
することができる。
下させる表面処理剤としてＨＭＤＳを適用したが、これ
に限ることはなく、弗素系表面処理剤であってもよい。
弗素系表面処理剤の場合には、弗素系表面処理剤におけ
る−ＣＦ3 基は、ＨＭＤＳにおける−ＣＨ3 基以上に基
板5 の表面の臨界表面張力を低下させる性質を有してお
り、ＨＭＤＳ処理より効果的にぬれ性の悪い表面を形成
することができる。
【００１９】また、上記実施例では、基板5 の材質とし
てシリコンナイトライドやシリコンオキサイドなどのシ
リコン系セラミックスを適用したが、基板5 の材質とし
て、アルミニウム、モリブデン、モリブデン−タンタル
などを用いてもよい。
てシリコンナイトライドやシリコンオキサイドなどのシ
リコン系セラミックスを適用したが、基板5 の材質とし
て、アルミニウム、モリブデン、モリブデン−タンタル
などを用いてもよい。
【００２０】また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形
可能であることは勿論である。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形
可能であることは勿論である。
【００２１】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明のレジスト
塗布方法によれば、基板の周辺部を臨界表面張力を低下
させる表面処理剤により表面処理を行なうことにより、
ぬれ性の悪い表面が形成されてレジストをはじくように
なり、基板の周辺部にレジストを塗布させないことが可
能になるという効果を奏する。
塗布方法によれば、基板の周辺部を臨界表面張力を低下
させる表面処理剤により表面処理を行なうことにより、
ぬれ性の悪い表面が形成されてレジストをはじくように
なり、基板の周辺部にレジストを塗布させないことが可
能になるという効果を奏する。
【００２２】また、基板の材質をシリコン系セラミック
ス、表面処理剤の材質をヘキサメチルジシラザンとする
ことにより、ぬれ性と密着性がバランスした条件でＨＭ
ＤＳ処理を行なうことができる。
ス、表面処理剤の材質をヘキサメチルジシラザンとする
ことにより、ぬれ性と密着性がバランスした条件でＨＭ
ＤＳ処理を行なうことができる。
【図１】図１(a) は基板にレジストが塗布される状態を
示す図、および図１(b) は、レジストが基板にはじかれ
る状態を示す図である。
示す図、および図１(b) は、レジストが基板にはじかれ
る状態を示す図である。
【図２】本発明により形成されたＨＭＤＳ層の一例を示
す図である。
す図である。
【図３】従来のレジストのスピン塗布装置の一例を示す
図である。
図である。
【図４】角形基板の一例を示す図である。
5 …角型基板（基板） 5b…周辺部
Claims (2)
- 【請求項１】 基板にその周辺部を除きレジストをスピ
ン塗布するレジスト塗布装置において、レジストのスピ
ン塗布処理に先だって上記基板の周辺部に臨界表面張力
を低下させる表面処理剤による表面処理を行ない、上記
基板の周辺部にレジストを塗布しないようにしたことを
特徴とするレジスト塗布方法。 - 【請求項２】 基板の材質はシリコン系セラミックスで
あり、かつ表面処理剤の材質はヘキサメチルジシラザン
であることを特徴とする請求項１記載のレジスト塗布方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21126591A JPH0555129A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21126591A JPH0555129A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | レジスト塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555129A true JPH0555129A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16603055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21126591A Pending JPH0555129A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017034166A (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社東芝 | 基板処理方法 |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP21126591A patent/JPH0555129A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017034166A (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社東芝 | 基板処理方法 |
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