JPH0555129A - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
- Publication number
- JPH0555129A JPH0555129A JP21126591A JP21126591A JPH0555129A JP H0555129 A JPH0555129 A JP H0555129A JP 21126591 A JP21126591 A JP 21126591A JP 21126591 A JP21126591 A JP 21126591A JP H0555129 A JPH0555129 A JP H0555129A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- substrate
- hmds
- periphery
- peripheral portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】基板の周辺部にレジストを塗布しない。
【構成】レジストのスピン塗布処理に先だって、基板の
周辺部に臨界表面張力を低下させる表面処理剤による表
面処理を行なう。ぬれ性の悪い周辺部表面が形成されレ
ジストをはじくようになることにより、基板の周辺部に
はレジストが塗布されない。また、本発明は、基板の材
質をシリコン系セラミックス、表面処理剤の材質をヘキ
サメチルジシラザンとすることにより、ぬれ性と密着性
がバランスした条件でHMDS処理が行なわれる。
周辺部に臨界表面張力を低下させる表面処理剤による表
面処理を行なう。ぬれ性の悪い周辺部表面が形成されレ
ジストをはじくようになることにより、基板の周辺部に
はレジストが塗布されない。また、本発明は、基板の材
質をシリコン系セラミックス、表面処理剤の材質をヘキ
サメチルジシラザンとすることにより、ぬれ性と密着性
がバランスした条件でHMDS処理が行なわれる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板用レジスト塗布装
置において、基板中心部にのみレジストを塗布し、基板
周辺部にはレジストを塗布しないレジスト塗布方法に関
する。
置において、基板中心部にのみレジストを塗布し、基板
周辺部にはレジストを塗布しないレジスト塗布方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来、角形基板用レジスト塗布装置とし
ては、スピン塗布方法が一般に用いられている。このス
ピン塗布方法は基板を真空または機械的に保持した後に
基板にレジストを滴下し、基板を回転させることにより
遠心力を利用してレジストを塗布する方法である。
ては、スピン塗布方法が一般に用いられている。このス
ピン塗布方法は基板を真空または機械的に保持した後に
基板にレジストを滴下し、基板を回転させることにより
遠心力を利用してレジストを塗布する方法である。
【0003】また、基板周辺部にのみレジストを塗布し
ない方法として半導体製造工程において、例えば図3に
示す装置による除去方法が用いられている。すなわち、
レジストが全面に塗布されチャック1 で保持されている
シリコンウェハ2 を回転させながらノズル3 からシリコ
ンウェハ2 の周辺部に溶剤をかけ、シリコンウェハ2の
周辺部からレジストを除去する方法である。なお、4,4
はシリコンウェハ2 から除去されたレジストを排出する
排気口である。
ない方法として半導体製造工程において、例えば図3に
示す装置による除去方法が用いられている。すなわち、
レジストが全面に塗布されチャック1 で保持されている
シリコンウェハ2 を回転させながらノズル3 からシリコ
ンウェハ2 の周辺部に溶剤をかけ、シリコンウェハ2の
周辺部からレジストを除去する方法である。なお、4,4
はシリコンウェハ2 から除去されたレジストを排出する
排気口である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】図4に示す角形基板5
は、例えば液晶ディスプレイデバイスに用いられる基板
であって、露光は破線領域5aで行なわれ、周辺部5bにレ
ジストは不要である。この周辺部5bのレジストは製造工
程におけるゴミの原因となり、製品歩留りに悪影響を及
ぼすため、基板5 の周辺部5bのレジストを除去する必要
がある。
は、例えば液晶ディスプレイデバイスに用いられる基板
であって、露光は破線領域5aで行なわれ、周辺部5bにレ
ジストは不要である。この周辺部5bのレジストは製造工
程におけるゴミの原因となり、製品歩留りに悪影響を及
ぼすため、基板5 の周辺部5bのレジストを除去する必要
がある。
【0005】しかしながら、上記したシリコンウェハ2
の周辺部のレジストを除去する方法は、シリコンウェハ
2 のような円形基板を対象とするものであって、図5に
示すような角形基板5 を対象としていない。
の周辺部のレジストを除去する方法は、シリコンウェハ
2 のような円形基板を対象とするものであって、図5に
示すような角形基板5 を対象としていない。
【0006】したがって、上記円形基板に用いられるレ
ジスト除去方法を用いることができないという問題があ
り、角形基板用のレジスト除去方法が必要である。
ジスト除去方法を用いることができないという問題があ
り、角形基板用のレジスト除去方法が必要である。
【0007】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、基板の周辺部のレジストを除去できるレジスト塗布
方法を提供することを目的とする。
で、基板の周辺部のレジストを除去できるレジスト塗布
方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、基板にその周辺部を除きレジストをスピ
ン塗布するレジスト塗布装置において、レジストのスピ
ン塗布処理に先だって上記基板の周辺部に臨界表面張力
を低下させる表面処理剤による表面処理を行ない、上記
基板の周辺部にレジストを塗布しないようにしたことを
特徴とする。
成するために、基板にその周辺部を除きレジストをスピ
ン塗布するレジスト塗布装置において、レジストのスピ
ン塗布処理に先だって上記基板の周辺部に臨界表面張力
を低下させる表面処理剤による表面処理を行ない、上記
基板の周辺部にレジストを塗布しないようにしたことを
特徴とする。
【0009】また、本発明は、基板の材質はシリコン系
セラミックスであり、かつ表面処理剤の材質はヘキサメ
チルジシラザンであることを特徴とする。
セラミックスであり、かつ表面処理剤の材質はヘキサメ
チルジシラザンであることを特徴とする。
【0010】
【作用】本発明は上記のように構成したので、基板の周
辺部を臨界表面張力を低下させる表面処理剤により表面
処理を行なうことにより、ぬれ性の悪い表面が形成され
て基板の周辺部表面はレジストをはじくようになり、基
板の周辺部にはレジストが塗布されない。
辺部を臨界表面張力を低下させる表面処理剤により表面
処理を行なうことにより、ぬれ性の悪い表面が形成され
て基板の周辺部表面はレジストをはじくようになり、基
板の周辺部にはレジストが塗布されない。
【0011】また、本発明は、基板の材質をシリコン系
セラミックス、表面処理剤の材質をヘキサメチルジシラ
ザンとすることにより、ぬれ性と密着性がバランスした
条件でHMDS処理が行なわれる。
セラミックス、表面処理剤の材質をヘキサメチルジシラ
ザンとすることにより、ぬれ性と密着性がバランスした
条件でHMDS処理が行なわれる。
【0012】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【0013】角形基板にレジストをスピン塗布方法によ
り塗布する場合、レジストは遠心力により基板周辺へと
のびて行き、基板端縁から排出される。レジストの排出
は、基板とレジストの表面張力に関係している。すなわ
ち、基板のぬれ性に関係しており、基板のぬれ性は接触
角法によって評価される。
り塗布する場合、レジストは遠心力により基板周辺へと
のびて行き、基板端縁から排出される。レジストの排出
は、基板とレジストの表面張力に関係している。すなわ
ち、基板のぬれ性に関係しており、基板のぬれ性は接触
角法によって評価される。
【0014】図1(a) 、図1(b) に基板のぬれ性とレジ
ストの関係を示す。図1(a) は、基板5 のぬれ性が良い
場合、すなわち、接触角が小さい場合、基板5 にレジス
ト6が密着し、基板5 にレジスト6 が塗布される状態を
示している。基板5 の材質としては、シリコンナイトラ
イド(SiNx)やシリコンオキサイド(SiOx)な
どのシリコン系セラミックスが適用される。また、図1
(b) は、基板5のぬれ性が悪い場合、すなわち、接触角
が大きいい場合、レジスト6 が基板5 にはじかれる状態
を示している。レジスト6 がはじかれる状態ではレジス
ト6 は排出され、基板5 には塗布されない。
ストの関係を示す。図1(a) は、基板5 のぬれ性が良い
場合、すなわち、接触角が小さい場合、基板5 にレジス
ト6が密着し、基板5 にレジスト6 が塗布される状態を
示している。基板5 の材質としては、シリコンナイトラ
イド(SiNx)やシリコンオキサイド(SiOx)な
どのシリコン系セラミックスが適用される。また、図1
(b) は、基板5のぬれ性が悪い場合、すなわち、接触角
が大きいい場合、レジスト6 が基板5 にはじかれる状態
を示している。レジスト6 がはじかれる状態ではレジス
ト6 は排出され、基板5 には塗布されない。
【0015】そこで、角形基板5 の周辺部5bのぬれ性を
変化させるために、周辺部5bに臨界表面張力を低下させ
る表面処理剤の層として、例えば、ヘキサメチルジシラ
ザン(Hexametyldisilazane 、以下HMDSと称す)の
層を形成し接触角を大きくさせる。HMDS処理は、一
般にレジストとの密着性を増強するために用いられてい
るが、それは適量のメチル基(−CH3 )が基板表面に
存在するためである。したがって、一般的にはぬれ性と
密着性がバランスした条件でHMDS処理が行なわれて
いる。
変化させるために、周辺部5bに臨界表面張力を低下させ
る表面処理剤の層として、例えば、ヘキサメチルジシラ
ザン(Hexametyldisilazane 、以下HMDSと称す)の
層を形成し接触角を大きくさせる。HMDS処理は、一
般にレジストとの密着性を増強するために用いられてい
るが、それは適量のメチル基(−CH3 )が基板表面に
存在するためである。したがって、一般的にはぬれ性と
密着性がバランスした条件でHMDS処理が行なわれて
いる。
【0016】本発明は、角形基板5 の周辺部5bに過剰の
HMDS処理、例えば数百分子層のHMDS処理を行な
い、図2に示すように、周辺部5bの表面に多量のメチル
基を含むHMDS層7 を形成する。このHMDS層7 に
おける基板5 の表面に接近している部分には、適量のH
MDS処理を行なったときと同様に、レジスト6 との密
着性がよいO−Si−(CH3 )3 が存在するが、HM
DS層7 の表面付近にはO−Si−(CH3 )3 がほと
んど存在せずHMDSのみが存在する。したがって、H
MDS処理後の角形基板5 の周辺部5bの表面はぬれ性が
極度に悪化し、レジスト6 をはじく性質を有するように
なる。HMDS層7 の形成後、レジストスピン塗布装置
により、角形基板5 にレジストを塗布する。
HMDS処理、例えば数百分子層のHMDS処理を行な
い、図2に示すように、周辺部5bの表面に多量のメチル
基を含むHMDS層7 を形成する。このHMDS層7 に
おける基板5 の表面に接近している部分には、適量のH
MDS処理を行なったときと同様に、レジスト6 との密
着性がよいO−Si−(CH3 )3 が存在するが、HM
DS層7 の表面付近にはO−Si−(CH3 )3 がほと
んど存在せずHMDSのみが存在する。したがって、H
MDS処理後の角形基板5 の周辺部5bの表面はぬれ性が
極度に悪化し、レジスト6 をはじく性質を有するように
なる。HMDS層7 の形成後、レジストスピン塗布装置
により、角形基板5 にレジストを塗布する。
【0017】上記ようにHMDS層7 の表面がレジスト
6 をはじく性質を有することにより、角形基板5 にレジ
ストをスピン塗布方法により塗布する場合、レジスト6
は角形基板5 の周辺部5aに塗布されない。
6 をはじく性質を有することにより、角形基板5 にレジ
ストをスピン塗布方法により塗布する場合、レジスト6
は角形基板5 の周辺部5aに塗布されない。
【0018】なお、上記実施例では、臨界表面張力を低
下させる表面処理剤としてHMDSを適用したが、これ
に限ることはなく、弗素系表面処理剤であってもよい。
弗素系表面処理剤の場合には、弗素系表面処理剤におけ
る−CF3 基は、HMDSにおける−CH3 基以上に基
板5 の表面の臨界表面張力を低下させる性質を有してお
り、HMDS処理より効果的にぬれ性の悪い表面を形成
することができる。
下させる表面処理剤としてHMDSを適用したが、これ
に限ることはなく、弗素系表面処理剤であってもよい。
弗素系表面処理剤の場合には、弗素系表面処理剤におけ
る−CF3 基は、HMDSにおける−CH3 基以上に基
板5 の表面の臨界表面張力を低下させる性質を有してお
り、HMDS処理より効果的にぬれ性の悪い表面を形成
することができる。
【0019】また、上記実施例では、基板5 の材質とし
てシリコンナイトライドやシリコンオキサイドなどのシ
リコン系セラミックスを適用したが、基板5 の材質とし
て、アルミニウム、モリブデン、モリブデン−タンタル
などを用いてもよい。
てシリコンナイトライドやシリコンオキサイドなどのシ
リコン系セラミックスを適用したが、基板5 の材質とし
て、アルミニウム、モリブデン、モリブデン−タンタル
などを用いてもよい。
【0020】また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形
可能であることは勿論である。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形
可能であることは勿論である。
【0021】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明のレジスト
塗布方法によれば、基板の周辺部を臨界表面張力を低下
させる表面処理剤により表面処理を行なうことにより、
ぬれ性の悪い表面が形成されてレジストをはじくように
なり、基板の周辺部にレジストを塗布させないことが可
能になるという効果を奏する。
塗布方法によれば、基板の周辺部を臨界表面張力を低下
させる表面処理剤により表面処理を行なうことにより、
ぬれ性の悪い表面が形成されてレジストをはじくように
なり、基板の周辺部にレジストを塗布させないことが可
能になるという効果を奏する。
【0022】また、基板の材質をシリコン系セラミック
ス、表面処理剤の材質をヘキサメチルジシラザンとする
ことにより、ぬれ性と密着性がバランスした条件でHM
DS処理を行なうことができる。
ス、表面処理剤の材質をヘキサメチルジシラザンとする
ことにより、ぬれ性と密着性がバランスした条件でHM
DS処理を行なうことができる。
【図1】図1(a) は基板にレジストが塗布される状態を
示す図、および図1(b) は、レジストが基板にはじかれ
る状態を示す図である。
示す図、および図1(b) は、レジストが基板にはじかれ
る状態を示す図である。
【図2】本発明により形成されたHMDS層の一例を示
す図である。
す図である。
【図3】従来のレジストのスピン塗布装置の一例を示す
図である。
図である。
【図4】角形基板の一例を示す図である。
5 …角型基板(基板) 5b…周辺部
Claims (2)
- 【請求項1】 基板にその周辺部を除きレジストをスピ
ン塗布するレジスト塗布装置において、レジストのスピ
ン塗布処理に先だって上記基板の周辺部に臨界表面張力
を低下させる表面処理剤による表面処理を行ない、上記
基板の周辺部にレジストを塗布しないようにしたことを
特徴とするレジスト塗布方法。 - 【請求項2】 基板の材質はシリコン系セラミックスで
あり、かつ表面処理剤の材質はヘキサメチルジシラザン
であることを特徴とする請求項1記載のレジスト塗布方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21126591A JPH0555129A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21126591A JPH0555129A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | レジスト塗布方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0555129A true JPH0555129A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16603055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21126591A Pending JPH0555129A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0555129A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017034166A (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社東芝 | 基板処理方法 |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP21126591A patent/JPH0555129A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017034166A (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社東芝 | 基板処理方法 |
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