JPH0376109A - レジストのコーティング方法 - Google Patents
レジストのコーティング方法Info
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- JPH0376109A JPH0376109A JP21186489A JP21186489A JPH0376109A JP H0376109 A JPH0376109 A JP H0376109A JP 21186489 A JP21186489 A JP 21186489A JP 21186489 A JP21186489 A JP 21186489A JP H0376109 A JPH0376109 A JP H0376109A
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 8
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、レジストのコーティング方法に関する。
［発明の概要］
本発明は、レジストを半導体基板・上にコーティングす
る方法において、 有機溶媒のスピンコーティング又は有機溶媒蒸気、又は
有機溶媒のミストによる有機溶媒処理を前記半導体基板
表面に施した後、レジストをコーティングすることによ
り、 レジストの濡れ性を向上させ、密着性を良好となし、レ
ジスト膜の均一性を向上させるようにしたものである。
る方法において、 有機溶媒のスピンコーティング又は有機溶媒蒸気、又は
有機溶媒のミストによる有機溶媒処理を前記半導体基板
表面に施した後、レジストをコーティングすることによ
り、 レジストの濡れ性を向上させ、密着性を良好となし、レ
ジスト膜の均一性を向上させるようにしたものである。
［従来の技術Ｊ
レジスト膜のコーティングは、例えばシリコンウェハ、
シリコンナイトライド（Ｓ ｉｓＮ ４）Ｉｌｌ 、
Ｓ１０ｗ膜、多結晶シリコン膜、アルミニウム膜。
シリコンナイトライド（Ｓ ｉｓＮ ４）Ｉｌｌ 、
Ｓ１０ｗ膜、多結晶シリコン膜、アルミニウム膜。
タングステンシリサイド（Ｗ Ｓ ｉ ＊）膜等の各種
の材料の上に行なわれる。これらの材料表面は、親水性
のものと、疎水性のものとに分類されるが、通常は基板
等の表面をヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の気相
処理によって表面の極性を疎水性に近づけてレジストの
極性（非極性、疎水性）に近づけて濡れ性を改善し、コ
ーティングの均一性を図っている。この種の従来技術と
しては、特開昭６０−２１３０２５号公報記載の技術が
知られている。
の材料の上に行なわれる。これらの材料表面は、親水性
のものと、疎水性のものとに分類されるが、通常は基板
等の表面をヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の気相
処理によって表面の極性を疎水性に近づけてレジストの
極性（非極性、疎水性）に近づけて濡れ性を改善し、コ
ーティングの均一性を図っている。この種の従来技術と
しては、特開昭６０−２１３０２５号公報記載の技術が
知られている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このような従来方法においては、例えば
アルミニウム基板ではＨＭＤＳ処理は原理的に効果がな
く、通常はそのままレジストをコーティングしているが
、レジストの種類によってその極性の違いから良い濡れ
性を得ることが出来ず、ともすると所謂ハジキ現象が生
じ、レジストがコーティングされない場所が生じる問題
点を有していた。
アルミニウム基板ではＨＭＤＳ処理は原理的に効果がな
く、通常はそのままレジストをコーティングしているが
、レジストの種類によってその極性の違いから良い濡れ
性を得ることが出来ず、ともすると所謂ハジキ現象が生
じ、レジストがコーティングされない場所が生じる問題
点を有していた。
このようなコーティングされない面が微小でも生じると
、当然そこではパターニングが行なわれないことになり
、ＬＳＩ製造上に大きな問題となっている。
、当然そこではパターニングが行なわれないことになり
、ＬＳＩ製造上に大きな問題となっている。
本発明は、このような従来の問題点に着目して創案され
たものであって、レジストの濡れ性、密着性を向上させ
た均一なレジストのコーティング方法を得んとするもの
である。
たものであって、レジストの濡れ性、密着性を向上させ
た均一なレジストのコーティング方法を得んとするもの
である。
［課題を解決するための手段］
そこで、本発明は、レジストを半導体基板上にコーティ
ングする方法において、有機溶媒のスピンコーティング
又は有機溶媒蒸気、又は有機溶媒のミストによる有機溶
媒処理を前記半導体基板表面に施した後、レジストをコ
ーティングすることを、その解決手段としている。
ングする方法において、有機溶媒のスピンコーティング
又は有機溶媒蒸気、又は有機溶媒のミストによる有機溶
媒処理を前記半導体基板表面に施した後、レジストをコ
ーティングすることを、その解決手段としている。
［作用コ
レジスト材料に用いられる有機溶媒は、例えば水、エタ
ノール等のような完全な極性溶媒でもなく、又、例えば
トルエン等のハイドロカーボン系のような完全な非極性
溶媒でもなく中間的極性のものである。そして、溶媒分
子が基板に対して表面処理される場合、活性剤と同様基
板の極性に近い分子の枝を基板に向けて吸着される。例
えば、基板が中程度の極性であれば、ランダムにあるい
は両方の分子の枝が吸着される。
ノール等のような完全な極性溶媒でもなく、又、例えば
トルエン等のハイドロカーボン系のような完全な非極性
溶媒でもなく中間的極性のものである。そして、溶媒分
子が基板に対して表面処理される場合、活性剤と同様基
板の極性に近い分子の枝を基板に向けて吸着される。例
えば、基板が中程度の極性であれば、ランダムにあるい
は両方の分子の枝が吸着される。
このような基板表面の状態でレジストをコーティングす
れば、もともとこの溶媒はレジストの中味（ベースポリ
マー及び感光剤）を良く溶解するものであるため、基板
表面の溶解分子ともなじみがよく、結果として良い濡れ
性が得られ、密着性が向上し、コーティングしたレジス
トの均一性が得られる。
れば、もともとこの溶媒はレジストの中味（ベースポリ
マー及び感光剤）を良く溶解するものであるため、基板
表面の溶解分子ともなじみがよく、結果として良い濡れ
性が得られ、密着性が向上し、コーティングしたレジス
トの均一性が得られる。
［実施例］
以下、本発明に係るレジストのコーティング方法の詳細
を図面に示す実施例に基づいて説明する。
を図面に示す実施例に基づいて説明する。
本実施例においては、第１図Ａに示すように、シリコン
ウェハｌをスピンナ２に真空吸着させた後、スピンナ２
上方に設けである有機溶媒吐出ノズル３より、レジスト
の有機溶媒であるエチルセロソルブアセテート（ＥＣＡ
）４を吐出させ、基板表面の処理を行なう。
ウェハｌをスピンナ２に真空吸着させた後、スピンナ２
上方に設けである有機溶媒吐出ノズル３より、レジスト
の有機溶媒であるエチルセロソルブアセテート（ＥＣＡ
）４を吐出させ、基板表面の処理を行なう。
この場合、表面処理前において、シリコンウェハ１の表
面に疎水性基がある場合は、第２図Ａに示すような状態
であり、親水性がある場合は、第２図Ｂに示すような状
態である。これら疎水性、親水性基を有するシリコンウ
ェハ（基板）に対し、エチルセロソルブアセテート４を
処理すると、第２図Ｃに示すように、エチルセロソルブ
アセテート４側の分子の枝とウェハ表面の極性基が吸着
する。このため、ウェハ表面にエチルセロソルブアセテ
ートの膜が薄く形成され、レジストの濡れ性。
面に疎水性基がある場合は、第２図Ａに示すような状態
であり、親水性がある場合は、第２図Ｂに示すような状
態である。これら疎水性、親水性基を有するシリコンウ
ェハ（基板）に対し、エチルセロソルブアセテート４を
処理すると、第２図Ｃに示すように、エチルセロソルブ
アセテート４側の分子の枝とウェハ表面の極性基が吸着
する。このため、ウェハ表面にエチルセロソルブアセテ
ートの膜が薄く形成され、レジストの濡れ性。
密着性が向上する。
なお、このような表面処理後には、ベーキングは行なわ
ない。
ない。
次に、第１図Ｂに示すように、レジスト吐出ノズル５よ
りレジスト６を吐出させることにより、ウェハ上でハジ
キ現象の生じない、均一性を有するレジスト膜を形成す
ることが可能となる。
りレジスト６を吐出させることにより、ウェハ上でハジ
キ現象の生じない、均一性を有するレジスト膜を形成す
ることが可能となる。
なお、レジストとしては、例えば、アルカリ可溶性のフ
ェノール樹脂に感光剤としてナフトキノンシアシトを用
いたポジ型レジストの他各種のレジスト材料が適用され
得る。
ェノール樹脂に感光剤としてナフトキノンシアシトを用
いたポジ型レジストの他各種のレジスト材料が適用され
得る。
また、上記した実施例は、有機溶媒としてエチルセロソ
ルブアセテートを適用したが、他の有機溶媒を適用して
勿論よい。
ルブアセテートを適用したが、他の有機溶媒を適用して
勿論よい。
また、上記実施例においては、有機溶媒をスピンコーテ
ィングしたが、有機溶媒を蒸気にして吹き付ける手段、
又は有機溶媒をミスト状にして吹き付ける等の手段を用
いても、同様の作用を得ることが可能である。
ィングしたが、有機溶媒を蒸気にして吹き付ける手段、
又は有機溶媒をミスト状にして吹き付ける等の手段を用
いても、同様の作用を得ることが可能である。
さらに、レジストを形成する下地としては、シリコンウ
ェハに直接レジストを配す場合の他、各種の材料を適用
することが可能である。
ェハに直接レジストを配す場合の他、各種の材料を適用
することが可能である。
本発明に係るレジストのコーティング方法にあっては、
この他、各種の設計変更が可能である。
この他、各種の設計変更が可能である。
［発明の効果コ
以上の説明から明らかなように、本発明に係るレジスト
のコーティング方法よれば、レジストを形成しようとす
る下地材の表面のレジストに対する濡れ性、密着性を良
好にし、コーティングされるレジストのハジキ現象がな
く、均一なコーテイング膜が形成出来る効果がある。
のコーティング方法よれば、レジストを形成しようとす
る下地材の表面のレジストに対する濡れ性、密着性を良
好にし、コーティングされるレジストのハジキ現象がな
く、均一なコーテイング膜が形成出来る効果がある。
このため、ＬＳＩパターンの信頼性を向上させる効果が
ある。
ある。
第１図Ａ及び第１図Ｂは本発明に係るレジストのコーテ
ィング方法の実施例の工程を示す側面図、第２図Ａは基
板表面が疎水性の場合の説明図、第２図Ｂは基板表面が
親水性の場合の説明図、第２図ＣはＥＣＡ処理後の表面
状態を示す説明図である。 ｌ・・・シリコンウェハ、２・・・スピンナ、３・・・
有機溶媒吐出ノズル、４・・・ＥＣＡ（エチルセロソル
ブアセテート）、５・・・レジスト吐出ノズル、６・・
・レジスト。 基本に表面が正常、氷・１１基の場合の古か月図第２図
Ａ 史 ａナイフυ の 工、不Ｉ を示Ｔイ貝ＩＪ 面
図基、抜表面が゛親木Ｊ１生蟇の爆音の甑明図第２図Ｂ （突 スキ？ イダリ ） 第１図Ｂ ＥＣＡ処理種の麦市伏糎と示す説明図 第２図Ｃ
ィング方法の実施例の工程を示す側面図、第２図Ａは基
板表面が疎水性の場合の説明図、第２図Ｂは基板表面が
親水性の場合の説明図、第２図ＣはＥＣＡ処理後の表面
状態を示す説明図である。 ｌ・・・シリコンウェハ、２・・・スピンナ、３・・・
有機溶媒吐出ノズル、４・・・ＥＣＡ（エチルセロソル
ブアセテート）、５・・・レジスト吐出ノズル、６・・
・レジスト。 基本に表面が正常、氷・１１基の場合の古か月図第２図
Ａ 史 ａナイフυ の 工、不Ｉ を示Ｔイ貝ＩＪ 面
図基、抜表面が゛親木Ｊ１生蟇の爆音の甑明図第２図Ｂ （突 スキ？ イダリ ） 第１図Ｂ ＥＣＡ処理種の麦市伏糎と示す説明図 第２図Ｃ
Claims (1)
- （１）レジストを半導体基板上にコーティングする方法
において、 有機溶媒のスピンコーティング又は有機溶媒蒸気、又は
有機溶媒のミストによる有機溶媒処理を前記半導体基板
表面に施した後、レジストをコーティングすることを特
徴とするレジストのコーティング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21186489A JPH0376109A (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | レジストのコーティング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21186489A JPH0376109A (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | レジストのコーティング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0376109A true JPH0376109A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=16612875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21186489A Pending JPH0376109A (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | レジストのコーティング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0376109A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2277892A (en) * | 1993-05-13 | 1994-11-16 | Fujitsu Ltd | Apparatus for spin coating semiconductor wafers using solvent discharge prior to coating soln discharge |
| JP2007187593A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Hitachi Ltd | 配管検査装置及び配管検査方法 |
| US7615431B2 (en) | 2005-01-25 | 2009-11-10 | Fujitsu Microelectronics Limited | Manufacturing method of semiconductor device |
| EP2869352A1 (en) * | 2013-10-31 | 2015-05-06 | PVG Solutions Inc. | Solar cell fabrication method comprising spin-coating a substrate with a dopant composition |
-
1989
- 1989-08-17 JP JP21186489A patent/JPH0376109A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2277892A (en) * | 1993-05-13 | 1994-11-16 | Fujitsu Ltd | Apparatus for spin coating semiconductor wafers using solvent discharge prior to coating soln discharge |
| GB2277892B (en) * | 1993-05-13 | 1997-08-20 | Fujitsu Ltd | Method and apparatus for spin coating and a method for manufacturing a semiconductor device |
| US7615431B2 (en) | 2005-01-25 | 2009-11-10 | Fujitsu Microelectronics Limited | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2007187593A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Hitachi Ltd | 配管検査装置及び配管検査方法 |
| EP2869352A1 (en) * | 2013-10-31 | 2015-05-06 | PVG Solutions Inc. | Solar cell fabrication method comprising spin-coating a substrate with a dopant composition |
| US9269581B2 (en) | 2013-10-31 | 2016-02-23 | Pvg Solutions Inc. | Method of producing solar cell |
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