JPH0555129A - Resist coating method - Google Patents
Resist coating methodInfo
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- JPH0555129A JPH0555129A JP21126591A JP21126591A JPH0555129A JP H0555129 A JPH0555129 A JP H0555129A JP 21126591 A JP21126591 A JP 21126591A JP 21126591 A JP21126591 A JP 21126591A JP H0555129 A JPH0555129 A JP H0555129A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、基板用レジスト塗布装
置において、基板中心部にのみレジストを塗布し、基板
周辺部にはレジストを塗布しないレジスト塗布方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist coating apparatus for a substrate, in which a resist is coated only on the central portion of the substrate and not on the peripheral portion of the substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、角形基板用レジスト塗布装置とし
ては、スピン塗布方法が一般に用いられている。このス
ピン塗布方法は基板を真空または機械的に保持した後に
基板にレジストを滴下し、基板を回転させることにより
遠心力を利用してレジストを塗布する方法である。2. Description of the Related Art Conventionally, a spin coating method has been generally used as a resist coating apparatus for a rectangular substrate. This spin coating method is a method of dropping a resist on the substrate after holding the substrate in a vacuum or mechanically and rotating the substrate to apply the resist by utilizing centrifugal force.
【０００３】また、基板周辺部にのみレジストを塗布し
ない方法として半導体製造工程において、例えば図３に
示す装置による除去方法が用いられている。すなわち、
レジストが全面に塗布されチャック1 で保持されている
シリコンウェハ2 を回転させながらノズル3 からシリコ
ンウェハ2 の周辺部に溶剤をかけ、シリコンウェハ2の
周辺部からレジストを除去する方法である。なお、4,4
はシリコンウェハ2 から除去されたレジストを排出する
排気口である。Further, as a method of not applying a resist only to the peripheral portion of the substrate, a removing method using an apparatus shown in FIG. 3 is used in a semiconductor manufacturing process. That is,
This is a method of applying a solvent from the nozzle 3 to the peripheral portion of the silicon wafer 2 while rotating the silicon wafer 2 coated with the resist and held by the chuck 1 to remove the resist from the peripheral portion of the silicon wafer 2. In addition, 4,4
Is an exhaust port for discharging the resist removed from the silicon wafer 2.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】図４に示す角形基板5
は、例えば液晶ディスプレイデバイスに用いられる基板
であって、露光は破線領域5aで行なわれ、周辺部5bにレ
ジストは不要である。この周辺部5bのレジストは製造工
程におけるゴミの原因となり、製品歩留りに悪影響を及
ぼすため、基板5 の周辺部5bのレジストを除去する必要
がある。[Problems to be Solved by the Invention] Square substrate 5 shown in FIG.
Is a substrate used for a liquid crystal display device, for example, the exposure is performed in the broken line region 5a, and the resist is unnecessary in the peripheral portion 5b. Since the resist on the peripheral portion 5b causes dust in the manufacturing process and adversely affects the product yield, it is necessary to remove the resist on the peripheral portion 5b of the substrate 5.
【０００５】しかしながら、上記したシリコンウェハ2
の周辺部のレジストを除去する方法は、シリコンウェハ
2 のような円形基板を対象とするものであって、図５に
示すような角形基板5 を対象としていない。However, the above-mentioned silicon wafer 2
The method of removing the resist on the periphery of the silicon wafer
The target is a circular substrate such as 2 and not the rectangular substrate 5 as shown in FIG.
【０００６】したがって、上記円形基板に用いられるレ
ジスト除去方法を用いることができないという問題があ
り、角形基板用のレジスト除去方法が必要である。Therefore, there is a problem that the resist removing method used for the circular substrate cannot be used, and a resist removing method for a rectangular substrate is required.
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、基板の周辺部のレジストを除去できるレジスト塗布
方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a resist coating method capable of removing the resist on the peripheral portion of the substrate.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、基板にその周辺部を除きレジストをスピ
ン塗布するレジスト塗布装置において、レジストのスピ
ン塗布処理に先だって上記基板の周辺部に臨界表面張力
を低下させる表面処理剤による表面処理を行ない、上記
基板の周辺部にレジストを塗布しないようにしたことを
特徴とする。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a resist coating apparatus for spin coating a resist on a substrate except the peripheral portion thereof. The surface treatment with a surface treatment agent that lowers the critical surface tension is performed to prevent the resist from being applied to the peripheral portion of the substrate.
【０００９】また、本発明は、基板の材質はシリコン系
セラミックスであり、かつ表面処理剤の材質はヘキサメ
チルジシラザンであることを特徴とする。Further, the present invention is characterized in that the material of the substrate is silicon ceramics and the material of the surface treatment agent is hexamethyldisilazane.
【００１０】[0010]
【作用】本発明は上記のように構成したので、基板の周
辺部を臨界表面張力を低下させる表面処理剤により表面
処理を行なうことにより、ぬれ性の悪い表面が形成され
て基板の周辺部表面はレジストをはじくようになり、基
板の周辺部にはレジストが塗布されない。Since the present invention is configured as described above, the peripheral portion of the substrate is subjected to a surface treatment with a surface treating agent that lowers the critical surface tension to form a surface with poor wettability. Repels the resist, and the resist is not applied to the peripheral portion of the substrate.
【００１１】また、本発明は、基板の材質をシリコン系
セラミックス、表面処理剤の材質をヘキサメチルジシラ
ザンとすることにより、ぬれ性と密着性がバランスした
条件でＨＭＤＳ処理が行なわれる。Further, in the present invention, the substrate is made of silicon ceramics and the surface treatment agent is made of hexamethyldisilazane, so that the HMDS treatment is performed under the condition that the wettability and the adhesiveness are well balanced.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１３】角形基板にレジストをスピン塗布方法によ
り塗布する場合、レジストは遠心力により基板周辺へと
のびて行き、基板端縁から排出される。レジストの排出
は、基板とレジストの表面張力に関係している。すなわ
ち、基板のぬれ性に関係しており、基板のぬれ性は接触
角法によって評価される。When the resist is applied to the rectangular substrate by the spin coating method, the resist extends to the periphery of the substrate by centrifugal force and is discharged from the edge of the substrate. The discharge of the resist is related to the surface tension of the substrate and the resist. That is, it relates to the wettability of the substrate, and the wettability of the substrate is evaluated by the contact angle method.
【００１４】図１(a) 、図１(b) に基板のぬれ性とレジ
ストの関係を示す。図１(a) は、基板5 のぬれ性が良い
場合、すなわち、接触角が小さい場合、基板5 にレジス
ト6が密着し、基板5 にレジスト6 が塗布される状態を
示している。基板5 の材質としては、シリコンナイトラ
イド（ＳｉＮｘ）やシリコンオキサイド（ＳｉＯｘ）な
どのシリコン系セラミックスが適用される。また、図１
(b) は、基板5のぬれ性が悪い場合、すなわち、接触角
が大きいい場合、レジスト6 が基板5 にはじかれる状態
を示している。レジスト6 がはじかれる状態ではレジス
ト6 は排出され、基板5 には塗布されない。1A and 1B show the relationship between the wettability of the substrate and the resist. FIG. 1A shows a state in which the resist 6 is adhered to the substrate 5 and the resist 6 is applied to the substrate 5 when the substrate 5 has good wettability, that is, when the contact angle is small. As a material of the substrate 5, silicon-based ceramics such as silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx) are applied. Also, FIG.
(b) shows a state where the resist 6 is repelled by the substrate 5 when the substrate 5 has poor wettability, that is, when the contact angle is large. When the resist 6 is repelled, the resist 6 is discharged and is not applied to the substrate 5.
【００１５】そこで、角形基板5 の周辺部5bのぬれ性を
変化させるために、周辺部5bに臨界表面張力を低下させ
る表面処理剤の層として、例えば、ヘキサメチルジシラ
ザン（Hexametyldisilazane 、以下ＨＭＤＳと称す）の
層を形成し接触角を大きくさせる。ＨＭＤＳ処理は、一
般にレジストとの密着性を増強するために用いられてい
るが、それは適量のメチル基（−ＣＨ3 ）が基板表面に
存在するためである。したがって、一般的にはぬれ性と
密着性がバランスした条件でＨＭＤＳ処理が行なわれて
いる。Therefore, in order to change the wettability of the peripheral portion 5b of the rectangular substrate 5, a layer of a surface treatment agent that lowers the critical surface tension in the peripheral portion 5b is used, for example, hexamethyldisilazane (hereinafter referred to as HMDS). Layer) to increase the contact angle. The HMDS treatment is generally used to enhance the adhesion with the resist, because an appropriate amount of methyl group (—CH 3 ) is present on the substrate surface. Therefore, in general, the HMDS treatment is performed under the condition that the wettability and the adhesion are well balanced.
【００１６】本発明は、角形基板5 の周辺部5bに過剰の
ＨＭＤＳ処理、例えば数百分子層のＨＭＤＳ処理を行な
い、図２に示すように、周辺部5bの表面に多量のメチル
基を含むＨＭＤＳ層7 を形成する。このＨＭＤＳ層7 に
おける基板5 の表面に接近している部分には、適量のＨ
ＭＤＳ処理を行なったときと同様に、レジスト6 との密
着性がよいＯ−Ｓｉ−（ＣＨ3 ）3 が存在するが、ＨＭ
ＤＳ層7 の表面付近にはＯ−Ｓｉ−（ＣＨ3 ）3 がほと
んど存在せずＨＭＤＳのみが存在する。したがって、Ｈ
ＭＤＳ処理後の角形基板5 の周辺部5bの表面はぬれ性が
極度に悪化し、レジスト6 をはじく性質を有するように
なる。ＨＭＤＳ層7 の形成後、レジストスピン塗布装置
により、角形基板5 にレジストを塗布する。According to the present invention, the peripheral portion 5b of the rectangular substrate 5 is subjected to excessive HMDS treatment, for example, HMDS treatment of several hundreds of molecular layers, and as shown in FIG. The HMDS layer 7 is formed. In the portion of the HMDS layer 7 close to the surface of the substrate 5, an appropriate amount of H
As in the case of performing the MDS treatment, O-Si- (CH 3 ) 3 having good adhesion to the resist 6 exists, but HM
The vicinity of the surface of the DS layer 7 O-Si- (CH 3) 3 is only HMDS hardly exists there. Therefore, H
The wettability of the surface of the peripheral portion 5b of the rectangular substrate 5 after the MDS treatment is extremely deteriorated and the resist 6 is repelled. After the HMDS layer 7 is formed, the resist is applied to the rectangular substrate 5 by a resist spin coating device.
【００１７】上記ようにＨＭＤＳ層7 の表面がレジスト
6 をはじく性質を有することにより、角形基板5 にレジ
ストをスピン塗布方法により塗布する場合、レジスト6
は角形基板5 の周辺部5aに塗布されない。As described above, the surface of the HMDS layer 7 is a resist.
When the resist is applied to the rectangular substrate 5 by the spin-coating method, it has the property of repelling 6
Is not applied to the peripheral portion 5a of the rectangular substrate 5.
【００１８】なお、上記実施例では、臨界表面張力を低
下させる表面処理剤としてＨＭＤＳを適用したが、これ
に限ることはなく、弗素系表面処理剤であってもよい。
弗素系表面処理剤の場合には、弗素系表面処理剤におけ
る−ＣＦ3 基は、ＨＭＤＳにおける−ＣＨ3 基以上に基
板5 の表面の臨界表面張力を低下させる性質を有してお
り、ＨＭＤＳ処理より効果的にぬれ性の悪い表面を形成
することができる。Although HMDS is used as the surface treatment agent for lowering the critical surface tension in the above embodiment, the present invention is not limited to this, and a fluorine-based surface treatment agent may be used.
In the case of a fluorine-based surface treatment agent, the —CF 3 group in the fluorine-based surface treatment agent has a property of lowering the critical surface tension of the surface of the substrate 5 more than the —CH 3 group in HMDS. A surface having poor wettability can be formed more effectively.
【００１９】また、上記実施例では、基板5 の材質とし
てシリコンナイトライドやシリコンオキサイドなどのシ
リコン系セラミックスを適用したが、基板5 の材質とし
て、アルミニウム、モリブデン、モリブデン−タンタル
などを用いてもよい。In the above embodiment, silicon-based ceramics such as silicon nitride and silicon oxide are used as the material of the substrate 5, but aluminum, molybdenum, molybdenum-tantalum, etc. may be used as the material of the substrate 5. ..
【００２０】また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形
可能であることは勿論である。Further, the present invention is not limited to the above embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明のレジスト
塗布方法によれば、基板の周辺部を臨界表面張力を低下
させる表面処理剤により表面処理を行なうことにより、
ぬれ性の悪い表面が形成されてレジストをはじくように
なり、基板の周辺部にレジストを塗布させないことが可
能になるという効果を奏する。As described in detail above, according to the resist coating method of the present invention, the peripheral portion of the substrate is surface-treated with a surface-treating agent which lowers the critical surface tension.
Since the surface having poor wettability is formed and the resist is repelled, it is possible to prevent the resist from being applied to the peripheral portion of the substrate.
【００２２】また、基板の材質をシリコン系セラミック
ス、表面処理剤の材質をヘキサメチルジシラザンとする
ことにより、ぬれ性と密着性がバランスした条件でＨＭ
ＤＳ処理を行なうことができる。By using silicon-based ceramics as the material of the substrate and hexamethyldisilazane as the material of the surface treatment agent, the HM can be used under the condition where the wettability and the adhesion are well balanced.
DS processing can be performed.
【図１】図１(a) は基板にレジストが塗布される状態を
示す図、および図１(b) は、レジストが基板にはじかれ
る状態を示す図である。FIG. 1 (a) is a diagram showing a state where a resist is applied to a substrate, and FIG. 1 (b) is a diagram showing a state where the resist is repelled by the substrate.
【図２】本発明により形成されたＨＭＤＳ層の一例を示
す図である。FIG. 2 is a diagram showing an example of an HMDS layer formed according to the present invention.
【図３】従来のレジストのスピン塗布装置の一例を示す
図である。FIG. 3 is a diagram showing an example of a conventional resist spin coating apparatus.
【図４】角形基板の一例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an example of a rectangular substrate.
5 …角型基板（基板） 5b…周辺部 5… Square-shaped substrate (substrate) 5b… Peripheral area
Claims (2)
ン塗布するレジスト塗布装置において、レジストのスピ
ン塗布処理に先だって上記基板の周辺部に臨界表面張力
を低下させる表面処理剤による表面処理を行ない、上記
基板の周辺部にレジストを塗布しないようにしたことを
特徴とするレジスト塗布方法。1. A resist coating apparatus for spin-coating a resist on a substrate except its peripheral portion, wherein the peripheral portion of the substrate is surface-treated with a surface-treating agent which lowers the critical surface tension prior to the spin coating of the resist. A resist coating method characterized in that the resist is not coated on the peripheral portion of the substrate.
あり、かつ表面処理剤の材質はヘキサメチルジシラザン
であることを特徴とする請求項１記載のレジスト塗布方
法。2. The resist coating method according to claim 1, wherein the material of the substrate is silicon-based ceramics, and the material of the surface treatment agent is hexamethyldisilazane.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21126591A JPH0555129A (en) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | Resist coating method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21126591A JPH0555129A (en) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | Resist coating method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555129A true JPH0555129A (en) | 1993-03-05 |
Family
ID=16603055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21126591A Pending JPH0555129A (en) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | Resist coating method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555129A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017034166A (en) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社東芝 | Substrate processing method |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP21126591A patent/JPH0555129A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017034166A (en) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社東芝 | Substrate processing method |
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