JPH03123019A - フォトレジスト膜形成方法 - Google Patents
フォトレジスト膜形成方法Info
- Publication number
- JPH03123019A JPH03123019A JP26143889A JP26143889A JPH03123019A JP H03123019 A JPH03123019 A JP H03123019A JP 26143889 A JP26143889 A JP 26143889A JP 26143889 A JP26143889 A JP 26143889A JP H03123019 A JPH03123019 A JP H03123019A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- photoresist film
- photoresist
- hmds
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路製造に用いるフォトレジスト
膜の形成方法に関する。
膜の形成方法に関する。
従来、この種のフォトレジスト膜形成方法は、第３図に
示すようにフォトレジストと半導体基板（以下、ウェハ
ーとよぶ）との間の耐ウエツトエツチング性を向上させ
る目的で、ウェハーに対して前処理なしで、枚葉式もし
くはバッチ式にてＨＭＤＳ処理を行い、第３図（Ａ）、
次いでフォトレジストを滴下し、ウェハーを回転させ、
フォトレジスト膜を形成していた（第３図（Ｂ））。
示すようにフォトレジストと半導体基板（以下、ウェハ
ーとよぶ）との間の耐ウエツトエツチング性を向上させ
る目的で、ウェハーに対して前処理なしで、枚葉式もし
くはバッチ式にてＨＭＤＳ処理を行い、第３図（Ａ）、
次いでフォトレジストを滴下し、ウェハーを回転させ、
フォトレジスト膜を形成していた（第３図（Ｂ））。
上述した従来のフォトレジスト膜形成方法は、ウェハー
に前処理なしで、ＨＭＤＳ処理を行い、そのウェハーに
フォトレジストを滴下し、フォトレジスト膜を形成する
方法となっているため、ウェハー上に付着した水分、有
機物等の異物は除去されることなく、そのウェハーに対
してＨＭＤＳ処理が行われる。ＨＭＤＳの成分は非常に
活性であるため、ウェハー上に付着した水分、有機物等
の異物と反応し、ウェハー上にＨＭＤＳの成分が過剰に
付着することになる。ウェハー上に過剰に付着したＨＭ
ＤＳの成分は、そのウェハーに対するフォトレジストの
接触角を大きくし、フォトレジスト膜とウェハーとの機
械的な密着性を大幅に低下させる効果がある。そのため
、通常のノボラック系ポジ型フォトレジストを用いて、
フォトレジスト膜を形成した基板を露光した場合、フォ
トレジスト膜内部から発生する窒素ガスにより、機械的
密着性の弱い部分のフォトレジストパタンの一部がウェ
ハーから欠落するという欠点がある。特に、微細パター
ン形成に対しては、このようなパターンの欠落は致命的
である。
に前処理なしで、ＨＭＤＳ処理を行い、そのウェハーに
フォトレジストを滴下し、フォトレジスト膜を形成する
方法となっているため、ウェハー上に付着した水分、有
機物等の異物は除去されることなく、そのウェハーに対
してＨＭＤＳ処理が行われる。ＨＭＤＳの成分は非常に
活性であるため、ウェハー上に付着した水分、有機物等
の異物と反応し、ウェハー上にＨＭＤＳの成分が過剰に
付着することになる。ウェハー上に過剰に付着したＨＭ
ＤＳの成分は、そのウェハーに対するフォトレジストの
接触角を大きくし、フォトレジスト膜とウェハーとの機
械的な密着性を大幅に低下させる効果がある。そのため
、通常のノボラック系ポジ型フォトレジストを用いて、
フォトレジスト膜を形成した基板を露光した場合、フォ
トレジスト膜内部から発生する窒素ガスにより、機械的
密着性の弱い部分のフォトレジストパタンの一部がウェ
ハーから欠落するという欠点がある。特に、微細パター
ン形成に対しては、このようなパターンの欠落は致命的
である。
本発明のフォトレジスト膜形成方法は、フォトレジスト
を半導体基板上に回転塗布するフォトレジスト膜形成方
法において、半導体基板にＵＶ光（遠紫外光）を照射す
る工程と、次に、フォトレジストと半導体基板の密着性
を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン
）処理を行なう工程と、次に半導体基板上にフォトレジ
ストを滴下する工程とを含むことを特徴とする。
を半導体基板上に回転塗布するフォトレジスト膜形成方
法において、半導体基板にＵＶ光（遠紫外光）を照射す
る工程と、次に、フォトレジストと半導体基板の密着性
を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン
）処理を行なう工程と、次に半導体基板上にフォトレジ
ストを滴下する工程とを含むことを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明の一実施例のフォトレ
ジスト膜形成方法の工程順断面図である。第１図（Ａ）
に示すように、ウェハー１０１上にある水分、有機物等
の異物１１１をＵＶ光１２１を照射することによって除
去する。次に、第１図（Ｂ）に示すように、ＨＭＤＳ処
理を行なう。ウェハ１０２上には単分子層に近いＨＭＤ
Ｓの成分１１２が残る。次に、第１図（Ｃ）に示すよう
に単分子層に近いＨＭＤＳの成分１１３がウェハー１０
３上に残っているウェハー上に、フォトレジストを滴下
しウェハーを回転させフォトレジスト膜１２３を形成す
る。
ジスト膜形成方法の工程順断面図である。第１図（Ａ）
に示すように、ウェハー１０１上にある水分、有機物等
の異物１１１をＵＶ光１２１を照射することによって除
去する。次に、第１図（Ｂ）に示すように、ＨＭＤＳ処
理を行なう。ウェハ１０２上には単分子層に近いＨＭＤ
Ｓの成分１１２が残る。次に、第１図（Ｃ）に示すよう
に単分子層に近いＨＭＤＳの成分１１３がウェハー１０
３上に残っているウェハー上に、フォトレジストを滴下
しウェハーを回転させフォトレジスト膜１２３を形成す
る。
上記方法により、ウェハーに対するフォトレジストの接
触角は一定になり、フォトレジスト膜とウェハーとの間
の耐ウエツトエツチング性を損なうことなく、機械的な
密着性を大幅に向上させたフォトレジスト膜を形成する
ことができる。
触角は一定になり、フォトレジスト膜とウェハーとの間
の耐ウエツトエツチング性を損なうことなく、機械的な
密着性を大幅に向上させたフォトレジスト膜を形成する
ことができる。
このため、通常のノボラック系ポジ型フォトレジストを
用いて、フォトレジスト膜を形成した基板を露光した場
合、フォトレジスト膜内部から発生する窒素ガスにより
、機械的密着性の弱い部分のフォトレジストパターンの
一部がウェハーから欠落するのを防止することができる
。
用いて、フォトレジスト膜を形成した基板を露光した場
合、フォトレジスト膜内部から発生する窒素ガスにより
、機械的密着性の弱い部分のフォトレジストパターンの
一部がウェハーから欠落するのを防止することができる
。
第２図（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明の他の実施例のフォト
レジスト膜形成方法の工程順断面図である。
レジスト膜形成方法の工程順断面図である。
第２図（Ａ）に示すように、ウェハー２０１をスピンモ
ータ２３１にて回転させながら、ウェハ２０１上の水分
、有機物等の異物２１１をＵＶ光２２１を照射すること
によって除去する。次に、第２図（Ｂ）に示すように、
ＨＭＤＳ処理を行なう。
ータ２３１にて回転させながら、ウェハ２０１上の水分
、有機物等の異物２１１をＵＶ光２２１を照射すること
によって除去する。次に、第２図（Ｂ）に示すように、
ＨＭＤＳ処理を行なう。
ウェハー２０２上には単分子層に近いＨＭＤＳの成分２
１２が残る。次に、第２図（Ｃ）に示すように単分子層
に近いＨＭＤＳの成分２１３がウェハー２０３上に残っ
ているウェハー上に、フォトレジストを滴下しウェハー
を回転させフォトレジスト膜２２３を形成する。
１２が残る。次に、第２図（Ｃ）に示すように単分子層
に近いＨＭＤＳの成分２１３がウェハー２０３上に残っ
ているウェハー上に、フォトレジストを滴下しウェハー
を回転させフォトレジスト膜２２３を形成する。
上記方法では、ウェハー２０１を回転させているため、
ウェハー面内でより均一にＵＶ光２２１を照射すること
がてきる。
ウェハー面内でより均一にＵＶ光２２１を照射すること
がてきる。
以上説明したように本発明は、ＨＭＤＳ処理を行う前に
ウェハーにＵＶ光を照射することによって、ウェハー上
に付着した水分、有機物等の異物を除去し、その後ＨＭ
ＤＳ処理を行うため、ウェハーにＨＭＤＳの成分が過剰
に付着することはなくなり、単分子層に近いＨＭＤＳの
成分がウェハー上に残る。その結果、ウェハーに対する
フォトレジストの接触角を一定にし、フォトレジスト膜
とウェハーとの間の耐ウエツトエツチング性を損なうこ
となく、機械的な密着性を大幅に向上させたフォトレジ
スト膜を形成することができる。
ウェハーにＵＶ光を照射することによって、ウェハー上
に付着した水分、有機物等の異物を除去し、その後ＨＭ
ＤＳ処理を行うため、ウェハーにＨＭＤＳの成分が過剰
に付着することはなくなり、単分子層に近いＨＭＤＳの
成分がウェハー上に残る。その結果、ウェハーに対する
フォトレジストの接触角を一定にし、フォトレジスト膜
とウェハーとの間の耐ウエツトエツチング性を損なうこ
となく、機械的な密着性を大幅に向上させたフォトレジ
スト膜を形成することができる。
このため、通常のノボラック系ポジ型フォトレジストを
用いて、フォトレジスト膜を形成した基板を露光した場
合、フォトレジスト膜内部から発生する窒素ガスにより
、機械的密着性の弱い部分のフォトレジストパターンの
一部がウニ／％−から欠落するのを防止することができ
、ウェノ１−全面にわたって微細パターンを再現性良く
形成することができる。
用いて、フォトレジスト膜を形成した基板を露光した場
合、フォトレジスト膜内部から発生する窒素ガスにより
、機械的密着性の弱い部分のフォトレジストパターンの
一部がウニ／％−から欠落するのを防止することができ
、ウェノ１−全面にわたって微細パターンを再現性良く
形成することができる。
６
第１図（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明の一実施例の工程順断
面図、第２図（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明の他の実施例の
フォトレジスト膜形成方法の工程順断面図、第３図（Ａ
）乃至（Ｂ）は従来のフォトレジスト膜形成方法の工程
順断面図である。 １０１．１０２，１０３，２０１，２０２゜２０３．３
０１，３０２・・・・・・ウェハー、１１１゜２１１．
３１１，３２１・・・・・異物、１２１，２２１ＵＶ光
、１１２，１１３，２１２，２１３゜３１２．３１３・
・・・・・ＨＭＤＳの成分、１２３゜２２３．３２３・
・・・・・フォトレジスト膜、２３１スピンモータ。
面図、第２図（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明の他の実施例の
フォトレジスト膜形成方法の工程順断面図、第３図（Ａ
）乃至（Ｂ）は従来のフォトレジスト膜形成方法の工程
順断面図である。 １０１．１０２，１０３，２０１，２０２゜２０３．３
０１，３０２・・・・・・ウェハー、１１１゜２１１．
３１１，３２１・・・・・異物、１２１，２２１ＵＶ光
、１１２，１１３，２１２，２１３゜３１２．３１３・
・・・・・ＨＭＤＳの成分、１２３゜２２３．３２３・
・・・・・フォトレジスト膜、２３１スピンモータ。
Claims (1)
- フォトレジストを半導体基板上に回転塗布するフォトレ
ジスト膜形成方法において、半導体基板にＵＶ光（遠紫
外光）を照射する工程と、次に、フォトレジストと半導
体基板の密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメ
チルジシラザン）処理を行なう工程と、次に半導体基板
上にフォトレジストを滴下する工程とを含むことを特徴
とするフォトレジスト膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26143889A JPH03123019A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | フォトレジスト膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26143889A JPH03123019A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | フォトレジスト膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03123019A true JPH03123019A (ja) | 1991-05-24 |
Family
ID=17361893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26143889A Pending JPH03123019A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | フォトレジスト膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03123019A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990088109A (ko) * | 1998-05-08 | 1999-12-27 | 스미토모세이미쯔고교가부시키가이샤 | 웨트에칭방법및장치 |
| WO2000054316A1 (de) * | 1999-03-12 | 2000-09-14 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur herstellung von polymerstrukturen auf einem substrat mittels eines ätzprozesses |
-
1989
- 1989-10-05 JP JP26143889A patent/JPH03123019A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990088109A (ko) * | 1998-05-08 | 1999-12-27 | 스미토모세이미쯔고교가부시키가이샤 | 웨트에칭방법및장치 |
| WO2000054316A1 (de) * | 1999-03-12 | 2000-09-14 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur herstellung von polymerstrukturen auf einem substrat mittels eines ätzprozesses |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20020098709A1 (en) | Method for removing photoresist layer on wafer edge | |
| US6331489B2 (en) | Semiconductor device production method | |
| JPH03123019A (ja) | フォトレジスト膜形成方法 | |
| JPH02295107A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6492094B1 (en) | Lithography for fast processing of large areas utilizing electron beam exposure | |
| US7368229B2 (en) | Composite layer method for minimizing PED effect | |
| JPS6137774B2 (ja) | ||
| JP3392231B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH04206626A (ja) | 周辺レジスト除去方法 | |
| JP2580681B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0172794B1 (ko) | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 | |
| JPH11204414A (ja) | パターン形成法 | |
| JP2002025935A (ja) | 導体部材形成方法、パターン形成方法 | |
| JPS58132927A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| KR0158559B1 (ko) | 스핀코팅을 이용한 칩 부착방법 | |
| JPS60115224A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPS63234530A (ja) | レジスト周辺除去装置 | |
| JPH0212811A (ja) | ウエハ周辺露光方法 | |
| JPH03246928A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6386434A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH08107053A (ja) | 成膜除去方法 | |
| JPH09288359A (ja) | レジスト材の除去方法 | |
| JPH01137634A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02262150A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS6054775B2 (ja) | ドライ現像方法 |