JPH05343820A - マルチチップモジュール用回路基板 - Google Patents
マルチチップモジュール用回路基板Info
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- JPH05343820A JPH05343820A JP4144125A JP14412592A JPH05343820A JP H05343820 A JPH05343820 A JP H05343820A JP 4144125 A JP4144125 A JP 4144125A JP 14412592 A JP14412592 A JP 14412592A JP H05343820 A JPH05343820 A JP H05343820A
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- wiring
- wiring pattern
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
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- H05K1/0298—Multilayer circuits
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- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 比較的簡易な手段で、もしくは煩雑な操作な
どを要せずに、配線の特性インピーダンスが容易に増加
され、常に高速で安定した電気信号の伝搬特性を呈する
マルチチップモジュール用回線基板の提供を目的とす
る。 【構成】 配線パターン層４と、前記配線パターン層４
の主面側に絶縁層3a，3bを介し一体的に配設されたメッ
シュグランドパターンとを具備して成り、前記メッシュ
グランドパターン6a，6bのメッシュ開口部形状を、隣接
する配線パターン層４の配線4aの方向に平行な２辺を有
する六角形とするか、あるいは前記メッシュグランドパ
ターン7a，7bのメッシュピッチを、隣接する配線パター
ン層４の配線4aの方向に平行するメッシュピッチを配線
4aの方向に直交するメッシュピッチよりも小さく選択・
設定したことを特徴とする。
どを要せずに、配線の特性インピーダンスが容易に増加
され、常に高速で安定した電気信号の伝搬特性を呈する
マルチチップモジュール用回線基板の提供を目的とす
る。 【構成】 配線パターン層４と、前記配線パターン層４
の主面側に絶縁層3a，3bを介し一体的に配設されたメッ
シュグランドパターンとを具備して成り、前記メッシュ
グランドパターン6a，6bのメッシュ開口部形状を、隣接
する配線パターン層４の配線4aの方向に平行な２辺を有
する六角形とするか、あるいは前記メッシュグランドパ
ターン7a，7bのメッシュピッチを、隣接する配線パター
ン層４の配線4aの方向に平行するメッシュピッチを配線
4aの方向に直交するメッシュピッチよりも小さく選択・
設定したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマルチチップモジュール
用回路基板に係り、特に高速動作型のモジュールの構成
に好適するマルチチップモジュール用回路基板に関す
る。
用回路基板に係り、特に高速動作型のモジュールの構成
に好適するマルチチップモジュール用回路基板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】高速動作が可能な半導体素子などを搭載
・実装して成るマルチチップモジュールは、たとえばコ
ンピュータなど各種の電子機器類に使用されつつとあ
る。そして、この種のマルチチップモジュールの構成に
は、一般に図６に断面的に示す構造の回路基板が使用さ
れている。すなわち、厚膜多層配線基板１と、この厚膜
多層配線基板１面上に一体的に配置された金属層からな
るグランド層2aと、このグランド層2a面上に一体的に配
置された絶縁層3aと、この絶縁層3a面上に一体的に配置
・形成された金属層（膜）から成る配線パターン層４
と、この配線パターン層４面上に一体的に配置された絶
縁層3bと、この絶縁層3b面上に一体的に配置された金属
層からなるグランド層2bとで、マルチチップモジュール
用回路基板を構成（形成）している。なお、前記配線パ
ターン層４は、一般的に絶縁体層を介して互いに直交す
る形で所要の配線が形成され、かつ所定の交点で、介挿
させてある絶縁体層にヴィアホール接続を設けて所要の
信号配線回路を形成する構成と成っている。ところで、
このような回路基板を、高速動作するマルチチップモジ
ュールの構成に用いる場合は、高速でかつ安定した電気
信号伝搬特性を確保するため、前記配線パターン層４を
形成する各配線の特性インピーダンスとじっそうする半
導体チップの入力インピーダンスを整合させることが重
要である。
・実装して成るマルチチップモジュールは、たとえばコ
ンピュータなど各種の電子機器類に使用されつつとあ
る。そして、この種のマルチチップモジュールの構成に
は、一般に図６に断面的に示す構造の回路基板が使用さ
れている。すなわち、厚膜多層配線基板１と、この厚膜
多層配線基板１面上に一体的に配置された金属層からな
るグランド層2aと、このグランド層2a面上に一体的に配
置された絶縁層3aと、この絶縁層3a面上に一体的に配置
・形成された金属層（膜）から成る配線パターン層４
と、この配線パターン層４面上に一体的に配置された絶
縁層3bと、この絶縁層3b面上に一体的に配置された金属
層からなるグランド層2bとで、マルチチップモジュール
用回路基板を構成（形成）している。なお、前記配線パ
ターン層４は、一般的に絶縁体層を介して互いに直交す
る形で所要の配線が形成され、かつ所定の交点で、介挿
させてある絶縁体層にヴィアホール接続を設けて所要の
信号配線回路を形成する構成と成っている。ところで、
このような回路基板を、高速動作するマルチチップモジ
ュールの構成に用いる場合は、高速でかつ安定した電気
信号伝搬特性を確保するため、前記配線パターン層４を
形成する各配線の特性インピーダンスとじっそうする半
導体チップの入力インピーダンスを整合させることが重
要である。
【０００３】こうした要請に対応して、前記グランド層
2a，2bに方形の開口部を設けたメッシュ構成とすること
により、絶縁層3a，3bの膜厚を厚くせずに、配線パター
ン層４を成す配線4aの特性インピーダンスを制御する手
段が試みられ、また多くの注目を寄せられている。たと
えば図７(a) に透視・平面的に、また図７(b) に断面的
（図７(a) の A-A′線）に示すごとく、配線4aの特性イ
ンピーダンス75Ωを目標に、各グランド層2a，2bの厚さ
を 6μm 程度，メッシュグランドの開口率51.4％、配線
4aの厚さを 6μm 程度，配線4aの幅25μm 程度、絶縁層
3aの膜厚を46μm 程度，絶縁層3bの膜厚を20μm 程度と
それぞれ設定した構成のマルチチップモジュール用回路
基板において、配線4a3 の配線方向 lに対する各断面の
特性インピーダンス値を計算したところ、図８に曲線ａ
で示すごとくであった。ここで、メッシュグランドはメ
ッシュピッチ 300μm の方形を成し、かつ隣接する配線
4aの方向に対して、斜交する形で配置されている。な
お、この特性計算では図７(a) の B-B′線を l＝0 とし
た。
2a，2bに方形の開口部を設けたメッシュ構成とすること
により、絶縁層3a，3bの膜厚を厚くせずに、配線パター
ン層４を成す配線4aの特性インピーダンスを制御する手
段が試みられ、また多くの注目を寄せられている。たと
えば図７(a) に透視・平面的に、また図７(b) に断面的
（図７(a) の A-A′線）に示すごとく、配線4aの特性イ
ンピーダンス75Ωを目標に、各グランド層2a，2bの厚さ
を 6μm 程度，メッシュグランドの開口率51.4％、配線
4aの厚さを 6μm 程度，配線4aの幅25μm 程度、絶縁層
3aの膜厚を46μm 程度，絶縁層3bの膜厚を20μm 程度と
それぞれ設定した構成のマルチチップモジュール用回路
基板において、配線4a3 の配線方向 lに対する各断面の
特性インピーダンス値を計算したところ、図８に曲線ａ
で示すごとくであった。ここで、メッシュグランドはメ
ッシュピッチ 300μm の方形を成し、かつ隣接する配線
4aの方向に対して、斜交する形で配置されている。な
お、この特性計算では図７(a) の B-B′線を l＝0 とし
た。
【０００４】このように、グランド層2a，2bとして、メ
ッシュピッチが比較的粗いメッシュを用いることによ
り、配線4aの特性インピーダンス（平均値）の選択幅を
広げ、本回路基板上に実装する半導体素子（チップ）の
入出力インピーダンスが比較的高い場合でも、確実なイ
ンピーダンス整合が可能となる。
ッシュピッチが比較的粗いメッシュを用いることによ
り、配線4aの特性インピーダンス（平均値）の選択幅を
広げ、本回路基板上に実装する半導体素子（チップ）の
入出力インピーダンスが比較的高い場合でも、確実なイ
ンピーダンス整合が可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記メ
ッシュピッチが 300μm と比較的粗の方形メッシュを、
グランド層2a′，2b′として構成されたマルチチップモ
ジュール用回路基板は、回路基板にたとえば接続用のス
ルホールを形設した場合、図９に要部を平面的に示すご
とく、そのスルホール５の形設により方形メッシュグラ
ンド層2a′，2b′の一部がいわゆる島抜きとなって、所
要のグランド電位を呈し得なくなり配線4aの特性インピ
ーダンスが大幅に変動してしまい、初期の目的・作用を
達成し得ない場合がしばしば起こる。
ッシュピッチが 300μm と比較的粗の方形メッシュを、
グランド層2a′，2b′として構成されたマルチチップモ
ジュール用回路基板は、回路基板にたとえば接続用のス
ルホールを形設した場合、図９に要部を平面的に示すご
とく、そのスルホール５の形設により方形メッシュグラ
ンド層2a′，2b′の一部がいわゆる島抜きとなって、所
要のグランド電位を呈し得なくなり配線4aの特性インピ
ーダンスが大幅に変動してしまい、初期の目的・作用を
達成し得ない場合がしばしば起こる。
【０００６】前記メッシュピッチが比較的粗の方形メッ
シュを、グランド層2a′，2b′とした構成での問題に対
し、メッシュピッチをたとえば 150μm と狭小化するこ
とも考えられる。このような観点から、前記図７(a),
(b) で図示の構成において、メッシュピッチを 150μm
とした以外は、同様に構成したマルチチップモジュール
用回路基板について、前記と同様に、配線4a3 の配線方
向 lに対する各断面の特性インピーダンス値を計算した
ところ、図８に曲線ｂで示すごとく、配線4a3 の特性イ
ンピーダンス値が低減する傾向が認められる。
シュを、グランド層2a′，2b′とした構成での問題に対
し、メッシュピッチをたとえば 150μm と狭小化するこ
とも考えられる。このような観点から、前記図７(a),
(b) で図示の構成において、メッシュピッチを 150μm
とした以外は、同様に構成したマルチチップモジュール
用回路基板について、前記と同様に、配線4a3 の配線方
向 lに対する各断面の特性インピーダンス値を計算した
ところ、図８に曲線ｂで示すごとく、配線4a3 の特性イ
ンピーダンス値が低減する傾向が認められる。
【０００７】すなわち、無損失線路における特性インピ
ーダンスは、
ーダンスは、
【０００８】
（式中，Ｌ＝インダクタンス、Ｃ＝容量で表され、前記
メッシュピッチ 150μm のメッシュグランド層2a′，2
b′を配置した構成の場合の方が、メッシュピッチ 300
μm のメッシュグランド層2a′，2b′を配置した構成の
場合に比べて、配線4a3 に対して近接した構造を採るこ
とになる。したがって、配線4a3 に対する容量Ｃが増加
し、特性インピーダンスＺの低減となり、所要の特性イ
ンピーダンスの付与・保持を達成することが困難であ
る。この構成において、特性インピーダンスを向上させ
る手段として、前記メッシュグランド層2a′，2b′の開
口率の向上、換言するとメッシュ線幅（太さ）を小さく
設定することも考えられるが、メッシュの製造・加工、
あるいはマルチチップモジュール用回路基板の製造など
が煩雑になり、生産性ないし経済性などの点で実用的で
ない。また、前記マルチチップモジュール用回路基板の
構成において、絶縁層3a，3bの厚さを比較的厚くして、
特性インピーダンスを増加させることも考えられるが、
製造プロセスや電気的特性などの点から実用的といえな
い。本発明は上記事情に対処してなされたもので、比較
的簡易な手段で、もしくは煩雑な操作などを要せずに、
配線の特性インピーダンスが容易に増加され、特性イン
ピーダンス設定範囲を拡げ、常に高速で安定した電気信
号の伝搬特性を呈するマルチチップモジュール用回路基
板の提供を目的とする。
メッシュピッチ 150μm のメッシュグランド層2a′，2
b′を配置した構成の場合の方が、メッシュピッチ 300
μm のメッシュグランド層2a′，2b′を配置した構成の
場合に比べて、配線4a3 に対して近接した構造を採るこ
とになる。したがって、配線4a3 に対する容量Ｃが増加
し、特性インピーダンスＺの低減となり、所要の特性イ
ンピーダンスの付与・保持を達成することが困難であ
る。この構成において、特性インピーダンスを向上させ
る手段として、前記メッシュグランド層2a′，2b′の開
口率の向上、換言するとメッシュ線幅（太さ）を小さく
設定することも考えられるが、メッシュの製造・加工、
あるいはマルチチップモジュール用回路基板の製造など
が煩雑になり、生産性ないし経済性などの点で実用的で
ない。また、前記マルチチップモジュール用回路基板の
構成において、絶縁層3a，3bの厚さを比較的厚くして、
特性インピーダンスを増加させることも考えられるが、
製造プロセスや電気的特性などの点から実用的といえな
い。本発明は上記事情に対処してなされたもので、比較
的簡易な手段で、もしくは煩雑な操作などを要せずに、
配線の特性インピーダンスが容易に増加され、特性イン
ピーダンス設定範囲を拡げ、常に高速で安定した電気信
号の伝搬特性を呈するマルチチップモジュール用回路基
板の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係るマルチチッ
プモジュール用回路基板は、配線パターン層と、前記配
線パターン層の主面側に絶縁層を介し一体的に配設され
たメッシュグランドパターンとを具備して成り、前記メ
ッシュグランドパターンのメッシュ開口部形状を、隣接
する配線パターン層の配線の方向に平行な２辺を有する
六角形とするか、あるいは前記メッシュグランドパター
ンのメッシュピッチを、隣接する配線パターン層の配線
の方向に平行するメッシュピッチを配線の方向に直交す
るメッシュピッチよりも小さく選択・設定したことを特
徴とする。
プモジュール用回路基板は、配線パターン層と、前記配
線パターン層の主面側に絶縁層を介し一体的に配設され
たメッシュグランドパターンとを具備して成り、前記メ
ッシュグランドパターンのメッシュ開口部形状を、隣接
する配線パターン層の配線の方向に平行な２辺を有する
六角形とするか、あるいは前記メッシュグランドパター
ンのメッシュピッチを、隣接する配線パターン層の配線
の方向に平行するメッシュピッチを配線の方向に直交す
るメッシュピッチよりも小さく選択・設定したことを特
徴とする。
【００１０】
【作用】本発明に係るマルチチップモジュール用回路基
板においては、具備するメッシュグランドの構成および
配置につき、メッシュの開口部形状を、隣接する配線パ
ターン層の配線の方向に平行な２辺を有する六角形とす
るか、あるいはメッシュピッチを、隣接する配線パター
ン層の配線の方向に平行するメッシュピッチを配線の方
向に直交するメッシュピッチよりも小さく選択・設定し
た構成としている。そして、この構成に伴いメッシュグ
ランドパターンが、高速で安定した電気信号の伝搬特性
上要求される特性インピーダンスの設定範囲を広くする
ことを可能とし、この回路基板上に実装する半導体素子
の入出力インピーダンスとのインピーダンス値の整合を
確実にする。
板においては、具備するメッシュグランドの構成および
配置につき、メッシュの開口部形状を、隣接する配線パ
ターン層の配線の方向に平行な２辺を有する六角形とす
るか、あるいはメッシュピッチを、隣接する配線パター
ン層の配線の方向に平行するメッシュピッチを配線の方
向に直交するメッシュピッチよりも小さく選択・設定し
た構成としている。そして、この構成に伴いメッシュグ
ランドパターンが、高速で安定した電気信号の伝搬特性
上要求される特性インピーダンスの設定範囲を広くする
ことを可能とし、この回路基板上に実装する半導体素子
の入出力インピーダンスとのインピーダンス値の整合を
確実にする。
【００１１】
【実施例】以下図１〜図５を参照して本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【００１２】実施例１ 図１(a) ，(b) はマルチチップモジュール用回路基板の
要部構成例を、透視・平面的に（図１(a) ）、また図１
(a) の A-A′線に沿って断面的（図１(b) ）ににそれぞ
れ示したものである。そして、図１(a) ，(b) におい
て、１は厚膜多層配線基板１、6aは前記厚膜多層配線基
板１面上に一体的に配置されたメッシュの開口部形状が
六角形を成すメッシュグランド層、3aは前記メッシュグ
ランド層6a面上に一体的に配置された絶縁層3a、４は前
記絶縁層3a面上に一体的に配置・形成された金属層
（膜）から成る配線パターン層、3bは前記配線パターン
層４面上に一体的に配置された絶縁層、6bは前記絶縁層
3b面上に一体的に配置されたメッシュの開口部形状が六
角形を成すメッシュグランド層である。ここで、前記配
線パターン層４は、一般的に絶縁体層を介して互いに直
交する形で所要の配線4aが形成され、かつ所定の交点
で、介挿させてある絶縁体層にヴィアホール接続を設け
て所要の信号配線を形成する構成と成っている。また、
前記メッシュの開口部形状が六角形を成すメッシュグラ
ンド層6a，6bは、前期配線パターン４層に対し、隣接す
る配線パターン層４の配線の方向、つまり絶縁体層を介
して互いに直交に平行するように配置されている各配線
4aの配線が延長する方向に、前記六角形に開口したメッ
シュの２辺が平行する形態を採って配置されている。
要部構成例を、透視・平面的に（図１(a) ）、また図１
(a) の A-A′線に沿って断面的（図１(b) ）ににそれぞ
れ示したものである。そして、図１(a) ，(b) におい
て、１は厚膜多層配線基板１、6aは前記厚膜多層配線基
板１面上に一体的に配置されたメッシュの開口部形状が
六角形を成すメッシュグランド層、3aは前記メッシュグ
ランド層6a面上に一体的に配置された絶縁層3a、４は前
記絶縁層3a面上に一体的に配置・形成された金属層
（膜）から成る配線パターン層、3bは前記配線パターン
層４面上に一体的に配置された絶縁層、6bは前記絶縁層
3b面上に一体的に配置されたメッシュの開口部形状が六
角形を成すメッシュグランド層である。ここで、前記配
線パターン層４は、一般的に絶縁体層を介して互いに直
交する形で所要の配線4aが形成され、かつ所定の交点
で、介挿させてある絶縁体層にヴィアホール接続を設け
て所要の信号配線を形成する構成と成っている。また、
前記メッシュの開口部形状が六角形を成すメッシュグラ
ンド層6a，6bは、前期配線パターン４層に対し、隣接す
る配線パターン層４の配線の方向、つまり絶縁体層を介
して互いに直交に平行するように配置されている各配線
4aの配線が延長する方向に、前記六角形に開口したメッ
シュの２辺が平行する形態を採って配置されている。
【００１３】上記構成において、配線4aの特性インピー
ダンス75Ωを目標に、各メッシュグランド層6a，6bの厚
さを 6μm 程度，メッシュグランドの開口率58.2％、配
線4aの厚さを 6μm 程度，配線4aの幅25μm 程度、配線
4aのピッチ75μm 程度、絶縁層3aの膜厚を46μm 程度，
絶縁層3bの膜厚を20μm 程度とそれぞれ設定した構成の
マルチチップモジュール用回路基板において、配線4a3
の配線の方向に対する各断面の特性インピーダンス値を
計算したところ、図８に曲線ｃで示すごとくであった。
ここで、メッシュグランド層6a，6bは、配線4aの配線の
方向に平行なメッシュピッチ 225μm ，配線4aの配線の
方向に直交なメッシュピッチ 150μm ，配線4aの配線方
向に平行な辺の長さ37.5μm の六角形開口を成してい
る。なお、この特性計算では図１(a) の B-B′線を l＝
0 とした。
ダンス75Ωを目標に、各メッシュグランド層6a，6bの厚
さを 6μm 程度，メッシュグランドの開口率58.2％、配
線4aの厚さを 6μm 程度，配線4aの幅25μm 程度、配線
4aのピッチ75μm 程度、絶縁層3aの膜厚を46μm 程度，
絶縁層3bの膜厚を20μm 程度とそれぞれ設定した構成の
マルチチップモジュール用回路基板において、配線4a3
の配線の方向に対する各断面の特性インピーダンス値を
計算したところ、図８に曲線ｃで示すごとくであった。
ここで、メッシュグランド層6a，6bは、配線4aの配線の
方向に平行なメッシュピッチ 225μm ，配線4aの配線の
方向に直交なメッシュピッチ 150μm ，配線4aの配線方
向に平行な辺の長さ37.5μm の六角形開口を成してい
る。なお、この特性計算では図１(a) の B-B′線を l＝
0 とした。
【００１４】前記配線4a3 の配線の方向に対する断面の
特性インピーダンス値（図８に曲線ｃ）は71.3Ωであ
り、前記例示の図９の構成の配線4a3 の配線の方向に対
する断面の特性インピーダンス値（図８に曲線ｂ）の6
9.7Ωに比べて増加していた。つまり、この構成におい
ては、図１(a) の A-A′線領域が特性インピーダンスの
最大部分を成しているが、六角形に開口しているメッシ
ュグランド層6a，6bの平行辺が隣接することによって、
特性インピーダンス値最大部分の領域が拡張されてい
る。
特性インピーダンス値（図８に曲線ｃ）は71.3Ωであ
り、前記例示の図９の構成の配線4a3 の配線の方向に対
する断面の特性インピーダンス値（図８に曲線ｂ）の6
9.7Ωに比べて増加していた。つまり、この構成におい
ては、図１(a) の A-A′線領域が特性インピーダンスの
最大部分を成しているが、六角形に開口しているメッシ
ュグランド層6a，6bの平行辺が隣接することによって、
特性インピーダンス値最大部分の領域が拡張されてい
る。
【００１５】この実施例では、メッシュグランド層6a，
6bのメッシュ開口部の配線4aに平行する辺の長さを37.5
μm としているが、この値をいろいろ変化させた場合
（配線4aの配線方向のメシュピッチを変化させた場
合）、その配線4aの特性インピーダンスをそれぞれ測定
したところ、図２に示すごとくであり、配線4aの配線
（進行）の方向のグランドメッシュピッチ xμm と、メ
ッシュ開口部の配線4aに平行な辺の長さ dμm との間に
は次のような関係がある。
6bのメッシュ開口部の配線4aに平行する辺の長さを37.5
μm としているが、この値をいろいろ変化させた場合
（配線4aの配線方向のメシュピッチを変化させた場
合）、その配線4aの特性インピーダンスをそれぞれ測定
したところ、図２に示すごとくであり、配線4aの配線
（進行）の方向のグランドメッシュピッチ xμm と、メ
ッシュ開口部の配線4aに平行な辺の長さ dμm との間に
は次のような関係がある。
【００１６】x＝ 2× d＋ 150 因みに、図２において x＝ 150μm の点が、図９に図示
したの従来例（ 150μmピッチのメッシュグランド）の
場合に相当し、また x＝ 225μm の点が、前記図１(a)
に図示した d＝37.5μm の場合に相当する値である。
したの従来例（ 150μmピッチのメッシュグランド）の
場合に相当し、また x＝ 225μm の点が、前記図１(a)
に図示した d＝37.5μm の場合に相当する値である。
【００１７】このようにメッシュ開口部の形状を２辺が
配線4aの進行方向と平行である六角形とすることによ
り、配線4aに直交する側のメッシュグランド層6a，6bの
ピッチを 150μm 程度とし、メッシュグランドのピッチ
を小さくしたまま、メッシュ（グランド）線幅を細くし
たり、絶縁膜3a，3bを厚くするなどプロセス的な困難も
なく、特性インピーダンスを増加させることができる。
また、配線パターン層４が互いに直行する２種類の層
（ｘ線層とｙ線層）で構成されている場合は、各配線層
に近い（隣接する）メッシュグランド層6a，6bの方が、
配線容量に対する影響も大きいので、各配線層に近い側
の（隣接する）グランドメッシュグランド層6a，6bを、
その開口部がその配線4aと平行な辺を持つ六角形である
メッシュ形状とすればよい。
配線4aの進行方向と平行である六角形とすることによ
り、配線4aに直交する側のメッシュグランド層6a，6bの
ピッチを 150μm 程度とし、メッシュグランドのピッチ
を小さくしたまま、メッシュ（グランド）線幅を細くし
たり、絶縁膜3a，3bを厚くするなどプロセス的な困難も
なく、特性インピーダンスを増加させることができる。
また、配線パターン層４が互いに直行する２種類の層
（ｘ線層とｙ線層）で構成されている場合は、各配線層
に近い（隣接する）メッシュグランド層6a，6bの方が、
配線容量に対する影響も大きいので、各配線層に近い側
の（隣接する）グランドメッシュグランド層6a，6bを、
その開口部がその配線4aと平行な辺を持つ六角形である
メッシュ形状とすればよい。
【００１８】実施例２ 図３(a) ，(b) ，(c) はマルチチップモジュール用回路
基板の他の要部構成例を、断面的に（図３(a) ）、図３
(a) 図示の一方の配線パターン層４″を透視・平面的に
（図３(b) ）、図３(a) 図示の他方の配線パターン層
４′を透視・平面的に（図３(c) ）にそれぞれ示したも
のである。そして、図３(a) ，(b) ，(c)において、１
は厚膜多層配線基板１、7a，7bは前記厚膜多層配線基板
１面上に一体的に配置されたメッシュピッチが、隣接す
る一方の配線パターン層４′の配線の方向（進行方向）
に対する斜交方向により異なっているメッシュグランド
層、3aは前記メッシュグランド層7a面上に一体的に配置
された絶縁層3a、４″は前記絶縁層3a面上に一体的に配
置・形成された金属層（膜）から成る他方の配線パター
ン層、3bは前記配線パターン層４″面上に一体的に配置
された絶縁層、7bは前記絶縁層3b面上に一体的に配置さ
れたメッシュピッチが、隣接する配線4aの配線の方向
（進行方向）に対する斜交方向により異なっているメッ
シュグランド層である。ここで、前記配線パターン層
４′，４″は、一般的に絶縁体層3cを介して互いに直交
する形で所要の配線４が形成され（格子状に形成）、か
つ所定の交叉点で、介挿させてある絶縁体層にヴィアホ
ール接続を設けて所要の信号配線回路を形成する構成と
成っている。
基板の他の要部構成例を、断面的に（図３(a) ）、図３
(a) 図示の一方の配線パターン層４″を透視・平面的に
（図３(b) ）、図３(a) 図示の他方の配線パターン層
４′を透視・平面的に（図３(c) ）にそれぞれ示したも
のである。そして、図３(a) ，(b) ，(c)において、１
は厚膜多層配線基板１、7a，7bは前記厚膜多層配線基板
１面上に一体的に配置されたメッシュピッチが、隣接す
る一方の配線パターン層４′の配線の方向（進行方向）
に対する斜交方向により異なっているメッシュグランド
層、3aは前記メッシュグランド層7a面上に一体的に配置
された絶縁層3a、４″は前記絶縁層3a面上に一体的に配
置・形成された金属層（膜）から成る他方の配線パター
ン層、3bは前記配線パターン層４″面上に一体的に配置
された絶縁層、7bは前記絶縁層3b面上に一体的に配置さ
れたメッシュピッチが、隣接する配線4aの配線の方向
（進行方向）に対する斜交方向により異なっているメッ
シュグランド層である。ここで、前記配線パターン層
４′，４″は、一般的に絶縁体層3cを介して互いに直交
する形で所要の配線４が形成され（格子状に形成）、か
つ所定の交叉点で、介挿させてある絶縁体層にヴィアホ
ール接続を設けて所要の信号配線回路を形成する構成と
成っている。
【００１９】上記構成において、配線4aの特性インピー
ダンス75Ωを目標に、各メッシュグランド層7a，7bの厚
さを 6μm 程度，メッシュグランドの開口率51.4％、配
線4aの厚さを 6μm 程度，配線4aの幅25μm 程度、配線
4aのピッチ75μm 程度、絶縁層3aと3cとの合計膜厚を46
μm 程度，絶縁層3bの膜厚を20μm 程度とそれぞれ設定
した構成のマルチチップモジュール用回路基板におい
て、配線4a3 の配線の方向に対する各断面の特性インピ
ーダンス値を計算したところ、図８に曲線ｄで示すごと
くであった。ここで、メッシュピッチが、配線4a′，4
a″の配線の方向（進行方向）に対する斜交方向により
異なっているメッシュグランド層7a，7bは、前記隣接す
る配線パターン層４′，４″を成す配線4a′，4a″の配
線の方向に対し、直交方向のメッシュピッチが 300μm
程度に、平行方向のメッシュピッチが 150μm 程度に選
択・設定されている（メッシュ線幅42.5μm ）。
ダンス75Ωを目標に、各メッシュグランド層7a，7bの厚
さを 6μm 程度，メッシュグランドの開口率51.4％、配
線4aの厚さを 6μm 程度，配線4aの幅25μm 程度、配線
4aのピッチ75μm 程度、絶縁層3aと3cとの合計膜厚を46
μm 程度，絶縁層3bの膜厚を20μm 程度とそれぞれ設定
した構成のマルチチップモジュール用回路基板におい
て、配線4a3 の配線の方向に対する各断面の特性インピ
ーダンス値を計算したところ、図８に曲線ｄで示すごと
くであった。ここで、メッシュピッチが、配線4a′，4
a″の配線の方向（進行方向）に対する斜交方向により
異なっているメッシュグランド層7a，7bは、前記隣接す
る配線パターン層４′，４″を成す配線4a′，4a″の配
線の方向に対し、直交方向のメッシュピッチが 300μm
程度に、平行方向のメッシュピッチが 150μm 程度に選
択・設定されている（メッシュ線幅42.5μm ）。
【００２０】図８の曲線ｄから分かるように、この実施
例においては、各配線4a′，4a″について容易に、かつ
確実に所要の平均特性インピーダンスを確保し得た。つ
まり、メッシュピッチを 300μm 程度に選択・設定し、
方形に開口させた（メッシュ線幅60μm ）メッシュグラ
ンド層2a′，2b′を配置した構成のマルチチップモジュ
ール用回路基板の場合（曲線ａ参照）とほぼ同程度にす
ることができた。このことは、高速で安定した電気信号
を伝搬する上で各配線4a′，4a″に要求される特性イン
ピーダンスの付与ないし保持ばかりでなく、前記配線パ
ターン層４′，４″間のヴィアホール接続を行い易くし
たり、さらには配線4a′，4a″密度の向上をも図り得る
ことを意味し、実用上多くの利点をもたらすものといえ
る。
例においては、各配線4a′，4a″について容易に、かつ
確実に所要の平均特性インピーダンスを確保し得た。つ
まり、メッシュピッチを 300μm 程度に選択・設定し、
方形に開口させた（メッシュ線幅60μm ）メッシュグラ
ンド層2a′，2b′を配置した構成のマルチチップモジュ
ール用回路基板の場合（曲線ａ参照）とほぼ同程度にす
ることができた。このことは、高速で安定した電気信号
を伝搬する上で各配線4a′，4a″に要求される特性イン
ピーダンスの付与ないし保持ばかりでなく、前記配線パ
ターン層４′，４″間のヴィアホール接続を行い易くし
たり、さらには配線4a′，4a″密度の向上をも図り得る
ことを意味し、実用上多くの利点をもたらすものといえ
る。
【００２１】なお、上記では配線パターン層４′，４″
を絶縁・離隔・分離した構成例を示したが、たとえば図
４(a) に要部を平面的に、図４(b) に断面的にそれぞれ
示すごとく、配線パターン層４を一層構成とした場合、
もしくは図５に要部を平面的に示すごとく、長方形に開
口させた（メッシュピッチが配線方向に対して狭ピッ
チ）メッシュグランド層7a，7bを配置した構成として
も、前記例示の場合と同様に、各配線が高速で安定した
電気信号を伝搬する上で要求される特性インピーダンス
の設定に対し、幅広く対応することができた。
を絶縁・離隔・分離した構成例を示したが、たとえば図
４(a) に要部を平面的に、図４(b) に断面的にそれぞれ
示すごとく、配線パターン層４を一層構成とした場合、
もしくは図５に要部を平面的に示すごとく、長方形に開
口させた（メッシュピッチが配線方向に対して狭ピッ
チ）メッシュグランド層7a，7bを配置した構成として
も、前記例示の場合と同様に、各配線が高速で安定した
電気信号を伝搬する上で要求される特性インピーダンス
の設定に対し、幅広く対応することができた。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るマル
チチップモジュール用回路基板よれば、メッシュグラン
ドのメッシュピッチを比較的小さく設定しても、プロセ
ス上の困難性もなく配線について、特性インピーダンス
設定範囲の拡大もしくは特性インピーダンスの増加を図
ることができる。つまり、電気信号配線パターンに隣接
・配置するメッシュグランドの開口形状および各配線
（電気信号配線パターンを形成する）に対する位置関係
を、前記のごとく選択・設定することにより、確実にグ
ランドにし、各配線のより確実な特性インピーダンス制
御を実現することができるので、半導体チップを搭載・
実装して、たとえば高速なコンピューター用モジュール
を構成した場合、所要の機能を十分かつ確実に発揮させ
ることが可能となる。
チチップモジュール用回路基板よれば、メッシュグラン
ドのメッシュピッチを比較的小さく設定しても、プロセ
ス上の困難性もなく配線について、特性インピーダンス
設定範囲の拡大もしくは特性インピーダンスの増加を図
ることができる。つまり、電気信号配線パターンに隣接
・配置するメッシュグランドの開口形状および各配線
（電気信号配線パターンを形成する）に対する位置関係
を、前記のごとく選択・設定することにより、確実にグ
ランドにし、各配線のより確実な特性インピーダンス制
御を実現することができるので、半導体チップを搭載・
実装して、たとえば高速なコンピューター用モジュール
を構成した場合、所要の機能を十分かつ確実に発揮させ
ることが可能となる。
【図１】本発明に係るマルチチップモジュール用回路基
板の要部構成例を示すもので、(a) は透視的な平面図、
(b) は断面図。
板の要部構成例を示すもので、(a) は透視的な平面図、
(b) は断面図。
【図２】本発明に係るマルチチップモジュール用回路基
板が具備する六角形に開口したメッシュグランドのピッ
チと特性インピーダンスとの関係を示す曲線図。
板が具備する六角形に開口したメッシュグランドのピッ
チと特性インピーダンスとの関係を示す曲線図。
【図３】本発明に係るマルチチップモジュール用回路基
板の他の要部構成例を示すもので(a) は断面図、(b) は
一方の配線パターン層部の透視的な平面図、(c) は他方
の配線パターン層部の透視的な平面図。
板の他の要部構成例を示すもので(a) は断面図、(b) は
一方の配線パターン層部の透視的な平面図、(c) は他方
の配線パターン層部の透視的な平面図。
【図４】本発明に係るマルチチップモジュール用回路基
板のさらに他の要部構成例を示すもので(a) は透視的な
平面図、(b) は断面図。
板のさらに他の要部構成例を示すもので(a) は透視的な
平面図、(b) は断面図。
【図５】本発明に係るマルチチップモジュール用回路基
板の別の要部構成例を示す透視的な平面図。
板の別の要部構成例を示す透視的な平面図。
【図６】従来のマルチチップモジュール用回路基板の要
部構成を示す断面図。
部構成を示す断面図。
【図７】従来のメッシュグランドを備えたマルチチップ
モジュール用回路基板の要部構成を示すもので、(a) は
透視的な平面図、(b) は断面図。
モジュール用回路基板の要部構成を示すもので、(a) は
透視的な平面図、(b) は断面図。
【図８】従来および本発明に係るマルチチップモジュー
ル用回路基板における配線（進行）方向に対する配線の
各断面における特性インピーダンス例を比較して示す曲
線図。
ル用回路基板における配線（進行）方向に対する配線の
各断面における特性インピーダンス例を比較して示す曲
線図。
【図９】従来のメッシュグランドを備えたマルチチップ
モジュール用回路基板の他の要部構成を示す透視的な平
面図。
モジュール用回路基板の他の要部構成を示す透視的な平
面図。
１…厚膜多層配線基板 2a，2b…グランド層 2
a′，2b′…方形に開口したメッシュグランド 3a，3
b，3c…絶縁層（膜） ４，４′，４″…配線パター
ン層 4a…配線 ５…スルホール 6a，6b…六角
形に開口したメッシュグランド層 7a，7b…相互のメ
ッシュピッチが異なっているメッシュグランド層
a′，2b′…方形に開口したメッシュグランド 3a，3
b，3c…絶縁層（膜） ４，４′，４″…配線パター
ン層 4a…配線 ５…スルホール 6a，6b…六角
形に開口したメッシュグランド層 7a，7b…相互のメ
ッシュピッチが異なっているメッシュグランド層
Claims (2)
- 【請求項１】 配線パターン層と、前記配線パターン層
の主面側に絶縁層を介し一体的に配設されたメッシュグ
ランドパターンとを具備し、 前記メッシュグランドパターンのメッシュ開口部形状
を、隣接する配線パターン層の配線の方向に平行な２辺
を有する六角形としたことを特徴とするマルチチップモ
ジュール用回路基板。 - 【請求項２】 配線パターン層と、前記配線パターン層
の主面側に絶縁層を介し一体的に配設されたメッシュグ
ランドパターンとを具備し、 前記メッシュグランドパターンのメッシュピッチを、隣
接する配線パターン層の配線の方向に平行するメッシュ
ピッチを配線の方向に直交するメッシュピッチよりも小
さく選択・設定したことを特徴とするマルチチップモジ
ュール用回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4144125A JPH05343820A (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | マルチチップモジュール用回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4144125A JPH05343820A (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | マルチチップモジュール用回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343820A true JPH05343820A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15354784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4144125A Withdrawn JPH05343820A (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | マルチチップモジュール用回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05343820A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7619489B2 (en) | 1999-09-20 | 2009-11-17 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit |
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-
1992
- 1992-06-04 JP JP4144125A patent/JPH05343820A/ja not_active Withdrawn
Cited By (28)
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |