JP3359780B2 - 配線装置 - Google Patents

配線装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置、特にM
MIC(マイクロ波用混成集積回路)等に用いられる配
線装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体装置、特にMMIC等
に用いられる配線装置には、配線容量を低減する目的で
空気を層間絶縁物としたエアブリッジ配線が用いられて
いる。図2は、従来の基本的なエアブリッジ配線の製造
工程を示す断面図である。図において、1は基板、2は
下層配線である下部配線、3はSiN保護膜、4は下層
レジスト、5はメッキ給電層、6は上層レジスト、7は
上層配線であるエアブリッジ配線をそれぞれ示す。従来
の基本的なエアブリッジ配線の製造工程を図について説
明する。まず、基板1に下部配線2を形成する(図2
a)。次に、表面保護膜、例えばSiN保護膜3を形成
し(図2−b)、不要な部分をエッチングにより除去す
る(図2−c)。この上に、下層レジストパターン4を
形成し(図2−d)、スパッタによりTi/Auメッキ
給電層5を形成する(図2−e)。次に上層レジストパ
ターン6を形成し、エアブリッジ配線7となるAuの電
解メッキを行う(図2−f)。上層レジストパターン6
を除去し、メッキ給電層5の不要部分をイオンミリング
で除去する(図2−g)。下層レジスト4を除去し、エ
アブリッジ配線7が形成される(図2−h)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の配線装置のエア
ブリッジ配線は前記のように構成されており、配線容量
を低減するために空気を層間絶縁物としているため、機
械的強度の点で問題があった。例えば、エアブリッジ配
線形成後の製造工程でエアブリッジ配線表面に力がかか
った場合に、エアブリッジ配線がつぶれる等の問題があ
った。また、エアブリッジ配線の接続距離が100μm
以上になると、エアブリッジ配線の自重によりエアブリ
ッジ配線が下方向にたわむという問題もあった。エアブ
リッジ配線がつぶれた場合、下部配線と接触し、例えば
IC等の配線装置の動作不良を起こす等、信頼性に問題
があった。
【0004】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、エアブリッジ配線がつぶれた
場合にも下層配線とのショートが起こりにくい配線装置
を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる配線装
置は、基板上に形成された複数個の電極を互いに接続
し、交差部分およびその近傍が空間によって隔てられた
下層配線および上層配線を備え、下層配線は、上層配線
との交差部分のみが下層配線の他の部分よりも薄く形成
されていると共に、交差部分及び他の部分が基板上の同
一平面上に形成されているものである。
【0006】
【作用】この発明における配線装置は、下層配線、上
層配線との交差部分のみが下層配線の他の部分よりも薄
く形成されていると共に、交差部分及び他の部分が基板
上の同一平面上に形成されており、上層配線と下層配線
との間隔が従来より大きいため、上層配線がたわんだり
つぶされたりした場合にも下層配線に接触しにくく、シ
ョートが起こりにくい。
【0007】
【実施例】実施例1. 以下、この発明の一実施例を図について説明する。図1
−aはこの発明の一実施例である配線装置のエアブリッ
ジ配線を示す平面図、図1−bはa−a’線断面図、図
1−cはb−b’線断面図である。図において、8は下
層配線である下部配線2よりもさらに下にある下層配線
を示す。なお、図示していないが、通常基板表面および
下層配線表面にはSiN等の保護膜が形成されている。
図1に示すように、基板1上に形成された例えば厚み2
μmの下部配線2は、例えば厚み3μmのエアブリッジ
配線7との交差部分のみ下部配線2よりもさらに下層に
形成されている例えば厚み0.3μmの下層配線8より
形成されており、エアブリッジ配線7直下以外の領域に
形成されている下部配線2よりも一段低く構成されてい
る。下層配線8の例としては、ソース、ドレイン電極、
ゲート電極、あるいはMIM下地電極等がある。本実施
例によれば、エアブリッジ配線7と、その直下の下層配
線8との間隔を従来と比べて大きくしたので、エアブリ
ッジ配線7がつぶれた場合にも下層配線8に接触しにく
く、ショートを防止する効果がある。また、本実施例に
おけるエアブリッジ配線7は、従来の製造工程より工程
数を増やすことなく、マスクの変更のみで製造できる利
点がある。
【0008】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、基板
上に形成された複数個の電極を互いに接続し、交差部分
およびその近傍が空間によって隔てられた下層配線およ
び上層配線を備え、下層配線は、上層配線との交差部分
のみが下層配線の他の部分よりも薄く形成されていると
共に、交差部分及び他の部分が基板上の同一平面上に形
成され、エアブリッジ配線と下層配線との間隔が従来よ
りも大きくなるよう構成したので、エアブリッジ配線が
たわんだりつぶされたりした場合にも下層配線に接触し
にくく、ショートが起こりにくい、信頼性の高い配線装
置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 aはこの発明の一実施例である配線装置のエ
アブリッジ配線を示す平面図、b、cは断面模式図であ
る。
【図2】 従来の配線装置のエアブリッジ配線を示す断
面模式図である。
【符号の説明】
1 基板、2 下部配線、3 SiN保護膜、4 下層
レジスト、5 メッキ給電層、6 上層レジスト、7
エアブリッジ配線、8 下層配線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/768

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に形成された複数個の電極を互い
    に接続し、交差部分およびその近傍が空間によって隔て
    られた下層配線および上層配線を備え、上記下層配線
    は、上記上層配線との交差部分のみが上記下層配線の他
    の部分よりも薄く形成されていると共に、上記交差部分
    及び上記他の部分が上記基板上の同一平面上に形成され
    ていることを特徴とする配線装置。
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