JPH05339720A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH05339720A JPH05339720A JP15192292A JP15192292A JPH05339720A JP H05339720 A JPH05339720 A JP H05339720A JP 15192292 A JP15192292 A JP 15192292A JP 15192292 A JP15192292 A JP 15192292A JP H05339720 A JPH05339720 A JP H05339720A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多元素から構成される合金薄膜を形成する場
合に、一台で、合金などの薄膜の膜組成を精度良く制御
できる薄膜形成装置を得る。 【構成】 蒸気発生部９において、蒸着物質として合金
などの薄膜を構成する第１の元素5aと第２の元素5bをそ
れぞれ第１と第２のるつぼ3a，3bに収納し、第１と第２
のるつぼ3a，3bを第１と第２加熱用フィラメント6a，6b
でそれぞれ独立に加熱し、第１の直流電源18a と第４の
直流電源18b で、第１のるつぼ3aと第２のるつぼ3bの温
度を独立に制御するように構成する。 【効果】 蒸気発生部で、独立に温度制御可能な複数個
のるつぼから合金薄膜を構成する元素をそれぞれ独立に
蒸発させるので、１台の薄膜形成装置で膜組成を精度よ
くできる効果がある。
合に、一台で、合金などの薄膜の膜組成を精度良く制御
できる薄膜形成装置を得る。 【構成】 蒸気発生部９において、蒸着物質として合金
などの薄膜を構成する第１の元素5aと第２の元素5bをそ
れぞれ第１と第２のるつぼ3a，3bに収納し、第１と第２
のるつぼ3a，3bを第１と第２加熱用フィラメント6a，6b
でそれぞれ独立に加熱し、第１の直流電源18a と第４の
直流電源18b で、第１のるつぼ3aと第２のるつぼ3bの温
度を独立に制御するように構成する。 【効果】 蒸気発生部で、独立に温度制御可能な複数個
のるつぼから合金薄膜を構成する元素をそれぞれ独立に
蒸発させるので、１台の薄膜形成装置で膜組成を精度よ
くできる効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、薄膜形成装置、特
に、クラスタイオンビーム蒸着法（ＩＣＢ法）により高
品質の薄膜を蒸着形成する薄膜形成装置に関するもので
ある。
に、クラスタイオンビーム蒸着法（ＩＣＢ法）により高
品質の薄膜を蒸着形成する薄膜形成装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図２は例えば特公昭54−9592号公報に示
された従来の薄膜形成装置を示す概略構成図であり、図
において、１は所定の真空度に保持された真空槽、２は
真空槽１を真空にする真空排気系、３は真空槽１内の下
方に設けられた密閉型のるつぼ、４はこのるつぼ３の上
方に設けられた少なくとも１個以上のノズル、５はるつ
ぼ３内に充填された蒸着物質、６はるつぼ３を加熱する
加熱用フィラメント、７はこの加熱用フィラメント６の
熱を遮断する熱シールド板、８はるつぼ３のノズル４か
ら蒸着物質５の蒸気を噴出させて形成したクラスタ（塊
状原子集団）、９はるつぼ３と加熱用フィラメント６と
熱シールド板７とにより構成された蒸気発生部である。
された従来の薄膜形成装置を示す概略構成図であり、図
において、１は所定の真空度に保持された真空槽、２は
真空槽１を真空にする真空排気系、３は真空槽１内の下
方に設けられた密閉型のるつぼ、４はこのるつぼ３の上
方に設けられた少なくとも１個以上のノズル、５はるつ
ぼ３内に充填された蒸着物質、６はるつぼ３を加熱する
加熱用フィラメント、７はこの加熱用フィラメント６の
熱を遮断する熱シールド板、８はるつぼ３のノズル４か
ら蒸着物質５の蒸気を噴出させて形成したクラスタ（塊
状原子集団）、９はるつぼ３と加熱用フィラメント６と
熱シールド板７とにより構成された蒸気発生部である。
【０００３】10は電子ビームを放出する電子ビーム放出
フィラメント、11はこの電子ビーム放出フィラメント10
から電子を引き出し、加速する電子ビーム引き出し電
極、12は電子ビーム放出フィラメント10の熱を遮断する
熱シールド板、13は電子ビーム放出フィラメント10，電
子ビーム引き出し電極11及び熱シールド板12により構成
されたイオン化装置である。14はこのイオン化装置によ
ってイオン化されたイオン化クラスタ、15はこのイオン
化クラスタ14を電界で後述の基板に向って加速する加速
装置としての加速電極、16は蒸着物質５の薄膜が形成さ
れる基板である。17は加熱用フィラメント６を加熱する
第１の交流電源、18はるつぼ３の電位を加熱用フィラメ
ント６に対して正にバイアスする第１の直流電源、19は
電子ビーム放出フィラメント10を加熱する第２の交流電
源、20は電子ビーム放出フィラメント10を電子ビーム引
き出し電極11に対して負にバイアスする第２の直流電
源、21は電子ビーム引き出し電極11及びるつぼ３を加速
電極15に対して正にバイアスする第３の直流電源、22は
第１の交流電源17，第１の直流電源18，第２の交流電源
19，第２の直流電源20及び第３の直流電源21からなる電
源装置である。
フィラメント、11はこの電子ビーム放出フィラメント10
から電子を引き出し、加速する電子ビーム引き出し電
極、12は電子ビーム放出フィラメント10の熱を遮断する
熱シールド板、13は電子ビーム放出フィラメント10，電
子ビーム引き出し電極11及び熱シールド板12により構成
されたイオン化装置である。14はこのイオン化装置によ
ってイオン化されたイオン化クラスタ、15はこのイオン
化クラスタ14を電界で後述の基板に向って加速する加速
装置としての加速電極、16は蒸着物質５の薄膜が形成さ
れる基板である。17は加熱用フィラメント６を加熱する
第１の交流電源、18はるつぼ３の電位を加熱用フィラメ
ント６に対して正にバイアスする第１の直流電源、19は
電子ビーム放出フィラメント10を加熱する第２の交流電
源、20は電子ビーム放出フィラメント10を電子ビーム引
き出し電極11に対して負にバイアスする第２の直流電
源、21は電子ビーム引き出し電極11及びるつぼ３を加速
電極15に対して正にバイアスする第３の直流電源、22は
第１の交流電源17，第１の直流電源18，第２の交流電源
19，第２の直流電源20及び第３の直流電源21からなる電
源装置である。
【０００４】以上のように構成され、真空槽１を１×10
-6Torr程度の真空度に真空排気系２で排気する。加熱用
フィラメント６から放出される電子を第１の直流電源18
で印加される電界によって加速し、この加速された電子
をるつぼ３に衝突させて、るつぼ３の加熱を行う。この
加熱によって、るつぼ３内の蒸着物質５を蒸発させ、ノ
ズル４から真空槽１の中に噴射させる。この蒸着物質５
の蒸気は、ノズル４を通過すると、断熱膨張により過冷
却状態になり、クラスタ８と呼ばれる塊状原子集団にな
る。第２の直流電源20は、電子ビーム引き出し電極11に
対して第２の交流電源19で加熱された電子ビーム放出フ
ィラメント10を負の電位にバイアスし、電子ビーム放出
フィラメント10から放出された熱電子を電子ビーム引き
出し電極11内部に引き出す。クラスタ８は、電子ビーム
放出フィラメント10から放出される電子ビームの衝突に
よってそのエネルギで一部がイオン化されることにより
イオン化クラスタ14となる。第３の直流電源21は、アー
ス電位にある加速電極15に対して電子ビーム引き出し電
極11及びるつぼ３を正にバイアスし、電子ビーム引き出
し電極11との間に形成される電界レンズによって、正電
荷のイオン化クラスタ14を加速する。このイオン化クラ
スタ14が、イオン化されていない中性のクラスタ８と蒸
気物質５の蒸気とともに基板16の表面に衝突して薄膜を
形成する。上述のように構成されているので多元素から
構成される合金薄膜を形成する場合、複数の薄膜形成装
置を一つの真空槽の中に設置する必要がある。
-6Torr程度の真空度に真空排気系２で排気する。加熱用
フィラメント６から放出される電子を第１の直流電源18
で印加される電界によって加速し、この加速された電子
をるつぼ３に衝突させて、るつぼ３の加熱を行う。この
加熱によって、るつぼ３内の蒸着物質５を蒸発させ、ノ
ズル４から真空槽１の中に噴射させる。この蒸着物質５
の蒸気は、ノズル４を通過すると、断熱膨張により過冷
却状態になり、クラスタ８と呼ばれる塊状原子集団にな
る。第２の直流電源20は、電子ビーム引き出し電極11に
対して第２の交流電源19で加熱された電子ビーム放出フ
ィラメント10を負の電位にバイアスし、電子ビーム放出
フィラメント10から放出された熱電子を電子ビーム引き
出し電極11内部に引き出す。クラスタ８は、電子ビーム
放出フィラメント10から放出される電子ビームの衝突に
よってそのエネルギで一部がイオン化されることにより
イオン化クラスタ14となる。第３の直流電源21は、アー
ス電位にある加速電極15に対して電子ビーム引き出し電
極11及びるつぼ３を正にバイアスし、電子ビーム引き出
し電極11との間に形成される電界レンズによって、正電
荷のイオン化クラスタ14を加速する。このイオン化クラ
スタ14が、イオン化されていない中性のクラスタ８と蒸
気物質５の蒸気とともに基板16の表面に衝突して薄膜を
形成する。上述のように構成されているので多元素から
構成される合金薄膜を形成する場合、複数の薄膜形成装
置を一つの真空槽の中に設置する必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜形成装置
は、上述のように構成されているので多元素から構成さ
れる薄膜、例えば合金などの薄膜を形成する場合、複数
の薄膜形成装置を必要としたり、あるいは、蒸着物質と
して多元素から構成される合金材料を用い、一つのるつ
ぼから蒸着を行うと各元素の温度に対する蒸気圧が異な
るため、膜組成の制御が困難になるなどの問題点があっ
た。
は、上述のように構成されているので多元素から構成さ
れる薄膜、例えば合金などの薄膜を形成する場合、複数
の薄膜形成装置を必要としたり、あるいは、蒸着物質と
して多元素から構成される合金材料を用い、一つのるつ
ぼから蒸着を行うと各元素の温度に対する蒸気圧が異な
るため、膜組成の制御が困難になるなどの問題点があっ
た。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、一台の薄膜形成装置で、多元素
から構成される合金などの薄膜の膜組成を精度良く制御
できる薄膜形成装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、一台の薄膜形成装置で、多元素
から構成される合金などの薄膜の膜組成を精度良く制御
できる薄膜形成装置を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る薄膜形成
装置は、蒸気発生部に、独立に温度制御可能な複数個の
るつぼを備えたものである。
装置は、蒸気発生部に、独立に温度制御可能な複数個の
るつぼを備えたものである。
【０００８】
【作用】この発明における薄膜形成装置は、多元素から
構成される合金などの薄膜を形成する場合、蒸気発生部
で、独立に温度制御可能な複数個のるつぼから合金など
の薄膜を構成する元素をそれぞれ独立に蒸発させるの
で、必要とされる合金などの薄膜の組成に対応して各元
素の蒸着速度を調整することができる。
構成される合金などの薄膜を形成する場合、蒸気発生部
で、独立に温度制御可能な複数個のるつぼから合金など
の薄膜を構成する元素をそれぞれ独立に蒸発させるの
で、必要とされる合金などの薄膜の組成に対応して各元
素の蒸着速度を調整することができる。
【０００９】
実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図において、１，２，10〜13，15，19〜21は前記
従来例と同一または相当品である。3a，3bは第１，第２
のるつぼ、4a，4bはそれぞれ第１，第２のるつぼ3a，3b
の上方に設けられた第１と第２のノズル、5a，5bは蒸着
物質としての第１と第２の元素、6a，6bはそれぞれ第
１，第２のるつぼ3a，3bを加熱する第１と第２の加熱用
フィラメント、7a，7bはそれぞれこの加熱用フィラメン
ト6a，6bの熱を遮断する第１と第２の熱シールド板、8
a，8bは第１と第２の元素のクラスタ、９は第１と第２
のるつぼ3a，3bと第１と第２の加熱用フィラメント6a，
6b、第１と第２の熱シールド板7a，7bとより構成された
蒸気発生部である。
する。図において、１，２，10〜13，15，19〜21は前記
従来例と同一または相当品である。3a，3bは第１，第２
のるつぼ、4a，4bはそれぞれ第１，第２のるつぼ3a，3b
の上方に設けられた第１と第２のノズル、5a，5bは蒸着
物質としての第１と第２の元素、6a，6bはそれぞれ第
１，第２のるつぼ3a，3bを加熱する第１と第２の加熱用
フィラメント、7a，7bはそれぞれこの加熱用フィラメン
ト6a，6bの熱を遮断する第１と第２の熱シールド板、8
a，8bは第１と第２の元素のクラスタ、９は第１と第２
のるつぼ3a，3bと第１と第２の加熱用フィラメント6a，
6b、第１と第２の熱シールド板7a，7bとより構成された
蒸気発生部である。
【００１０】8a，8bはそれぞれ第１と第２の元素5a，5b
のクラスタ、14a,14b はそれぞれ第１と第２の元素5a，
5bのイオン化クラスタである。17a,17b は第１と第３の
交流電源、18a,18b は第１と第４の直流電源である。こ
こで、第１の加熱用フィラメント6a，第１の熱シールド
板7a，第１の交流電源17a ，第１の直流電源18a で第１
のるつぼ3aの温度制御が可能になるように構成する。ま
た、第２の加熱用フィラメント6b，第２の熱シールド板
7b，第３の交流電源17b ，第４の直流電源18b で第２の
るつぼ3bの温度制御が可能になるように構成する。
のクラスタ、14a,14b はそれぞれ第１と第２の元素5a，
5bのイオン化クラスタである。17a,17b は第１と第３の
交流電源、18a,18b は第１と第４の直流電源である。こ
こで、第１の加熱用フィラメント6a，第１の熱シールド
板7a，第１の交流電源17a ，第１の直流電源18a で第１
のるつぼ3aの温度制御が可能になるように構成する。ま
た、第２の加熱用フィラメント6b，第２の熱シールド板
7b，第３の交流電源17b ，第４の直流電源18b で第２の
るつぼ3bの温度制御が可能になるように構成する。
【００１１】ここで、蒸着物質として合金などの薄膜を
構成する第１の元素5aおよび第２の元素5bとをそれぞれ
第１のるつぼ3a及び第２のるつぼ3bに収納し、独立に温
度制御して第１の元素5aおよび第２の元素5bを蒸気化す
る。ここで、例えば、合金薄膜がアルミニウム・銅合金
薄膜の場合、第１の元素5aはアルミニウム、第２の元素
5bは銅となる。
構成する第１の元素5aおよび第２の元素5bとをそれぞれ
第１のるつぼ3a及び第２のるつぼ3bに収納し、独立に温
度制御して第１の元素5aおよび第２の元素5bを蒸気化す
る。ここで、例えば、合金薄膜がアルミニウム・銅合金
薄膜の場合、第１の元素5aはアルミニウム、第２の元素
5bは銅となる。
【００１２】次に動作について説明する。まず、従来装
置と同様に、真空槽１を１×10-6Torr程度の真空度にな
るまで真空排気系２によって排気する。次に、合金など
の薄膜を構成する第１の元素5a及び第２の元素5bを蒸気
化させる。蒸気圧と温度の関係は各元素で異なるため、
必要とされる合金などの薄膜組成を得るには、各元素を
膜組成に対応した蒸着速度となるようなるつぼ温度に設
定する必要がある。第１の加熱用フィラメント6a及び第
２の加熱用フィラメント6bにそれぞれ独立に通電し、さ
らに第１の直流電源18a と第４の直流電源18b で独立に
電圧を印加し、合金などの薄膜を構成する元素5a及び元
素5bがそれぞれ収納された第１のるつぼ3a及び第２のる
つぼ3bをそれぞれ所定のるつぼ温度になるまで加熱す
る。ここで、第１のるつぼ3a及び第２のるつぼ3bは独立
に温度制御が可能であるので、必要とされる合金などの
薄膜の組成に対応して第１の元素5a及び第２の元素5bの
蒸着速度を調整することが可能である。この加熱によっ
て、蒸気化した第１，第２の元素5a及び5bは膜組成に対
応した蒸気速度でそれぞれ第１と第２のノズル4a，4bか
ら基板16に向って噴出する。
置と同様に、真空槽１を１×10-6Torr程度の真空度にな
るまで真空排気系２によって排気する。次に、合金など
の薄膜を構成する第１の元素5a及び第２の元素5bを蒸気
化させる。蒸気圧と温度の関係は各元素で異なるため、
必要とされる合金などの薄膜組成を得るには、各元素を
膜組成に対応した蒸着速度となるようなるつぼ温度に設
定する必要がある。第１の加熱用フィラメント6a及び第
２の加熱用フィラメント6bにそれぞれ独立に通電し、さ
らに第１の直流電源18a と第４の直流電源18b で独立に
電圧を印加し、合金などの薄膜を構成する元素5a及び元
素5bがそれぞれ収納された第１のるつぼ3a及び第２のる
つぼ3bをそれぞれ所定のるつぼ温度になるまで加熱す
る。ここで、第１のるつぼ3a及び第２のるつぼ3bは独立
に温度制御が可能であるので、必要とされる合金などの
薄膜の組成に対応して第１の元素5a及び第２の元素5bの
蒸着速度を調整することが可能である。この加熱によっ
て、蒸気化した第１，第２の元素5a及び5bは膜組成に対
応した蒸気速度でそれぞれ第１と第２のノズル4a，4bか
ら基板16に向って噴出する。
【００１３】以下、従来の薄膜形成装置と同様に、第
１，第２の元素5a，5bはそれぞれ第１と第２の元素のク
ラスタ8a，8bになり、電子ビーム放出フィラメント10か
ら放出される電子ビームにより、それぞれ第１と第２の
元素のイオン化クラスタ14a,14b となり、加速電極15で
加速され、基板16の表面に衝突して、必要とされる合金
組成の薄膜が形成される。以上より、多元素から構成さ
れる合金などの薄膜を形成する場合、一台の薄膜形成装
置で、必要とされる合金などの薄膜の組成に対応した各
元素の蒸着速度を調整することができる。また、以上の
実施例では、独立に温度制御可能な２個のるつぼの場合
について説明したが、独立に温度制御可能な３個以上の
るつぼでもよい。
１，第２の元素5a，5bはそれぞれ第１と第２の元素のク
ラスタ8a，8bになり、電子ビーム放出フィラメント10か
ら放出される電子ビームにより、それぞれ第１と第２の
元素のイオン化クラスタ14a,14b となり、加速電極15で
加速され、基板16の表面に衝突して、必要とされる合金
組成の薄膜が形成される。以上より、多元素から構成さ
れる合金などの薄膜を形成する場合、一台の薄膜形成装
置で、必要とされる合金などの薄膜の組成に対応した各
元素の蒸着速度を調整することができる。また、以上の
実施例では、独立に温度制御可能な２個のるつぼの場合
について説明したが、独立に温度制御可能な３個以上の
るつぼでもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、蒸気
発生部で、独立に温度制御の可能な複数個のるつぼから
合金などの薄膜を構成する元素をそれぞれ独立に蒸発さ
せるように構成したので、必要とされる合金などの薄膜
の組成に対応して各元素の蒸着速度を調整することが出
来、多元素から構成される合金などの薄膜の膜組成を精
度良くできる効果がある。
発生部で、独立に温度制御の可能な複数個のるつぼから
合金などの薄膜を構成する元素をそれぞれ独立に蒸発さ
せるように構成したので、必要とされる合金などの薄膜
の組成に対応して各元素の蒸着速度を調整することが出
来、多元素から構成される合金などの薄膜の膜組成を精
度良くできる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による薄膜形成装置の概略
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】従来の薄膜形成装置の概略を示す断面図であ
る。
る。
１ 真空槽 3a 第１のるつぼ 3b 第２のるつぼ 4a 第１のノズル 4b 第２のノズル 5a 第１の元素 5b 第２の元素 6a 第１の加熱用フィラメント 6b 第２の加熱用フィラメント 8a 第１の元素のクラスタ 8b 第２の元素のクラスタ ９ 蒸気発生部 13 イオン化装置 16 基板 14a 第１の元素のイオン化クラスタ 14b 第２の元素のイオン化クラスタ 15 加速電極 17a 第１の交流電源 17b 第３の交流電源 18a 第１の直流電源 18b 第４の直流電源
Claims (1)
- 【請求項１】 真空槽、この真空槽内に配置された薄膜
を被着すべき基板、この基板に向けて蒸着物質の蒸気を
噴出させ蒸着物質のクラスタを発生させるるつぼとこの
るつぼを加熱する加熱用フィラメントとで構成される蒸
気発生部、この蒸気発生部と前記基板との間に配置さ
れ、前記クラスタの一部をイオン化するためのイオン化
装置及びこのイオン化装置と前記基板との間に配置さ
れ、前記イオン化装置によってイオン化されたクラスタ
を前記基板の方向に加速させる加速装置を備えた薄膜形
成装置において、前記蒸気発生部に独立に温度制御が可
能な複数個のるつぼを備えたことを特徴とする薄膜形成
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15192292A JPH05339720A (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15192292A JPH05339720A (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05339720A true JPH05339720A (ja) | 1993-12-21 |
Family
ID=15529136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15192292A Pending JPH05339720A (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05339720A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010156015A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Kanazawa Inst Of Technology | スパッタリング装置 |
| JP2012517120A (ja) * | 2009-02-04 | 2012-07-26 | ティーイーエル エピオン インコーポレイテッド | 多重のノズルのガスクラスターイオンビームのシステム及び方法 |
| WO2013140863A1 (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-26 | 株式会社アツミテック | 多元系のナノ粒子膜形成装置及びこれを用いたナノ粒子膜形成方法 |
-
1992
- 1992-06-11 JP JP15192292A patent/JPH05339720A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010156015A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Kanazawa Inst Of Technology | スパッタリング装置 |
| JP2012517120A (ja) * | 2009-02-04 | 2012-07-26 | ティーイーエル エピオン インコーポレイテッド | 多重のノズルのガスクラスターイオンビームのシステム及び方法 |
| WO2013140863A1 (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-26 | 株式会社アツミテック | 多元系のナノ粒子膜形成装置及びこれを用いたナノ粒子膜形成方法 |
| JP2013194312A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Atsumi Tec:Kk | 多元系のナノ粒子膜形成装置及びこれを用いたナノ粒子膜形成方法 |
| CN104204281A (zh) * | 2012-03-22 | 2014-12-10 | 株式会社渥美精机 | 多元系的纳米粒子膜形成装置及使用该装置的纳米粒子膜形成方法 |
| EP2829634A4 (en) * | 2012-03-22 | 2015-10-28 | Atsumitec Kk | APPARATUS FOR FORMING COMPLEX NANOPARTICLE FILM AND METHOD FOR FORMING NANOPARTICLE FILM USING THE SAME |
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