JPH05313989A - Memory card device - Google Patents
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- JPH05313989A JPH05313989A JP11601792A JP11601792A JPH05313989A JP H05313989 A JPH05313989 A JP H05313989A JP 11601792 A JP11601792 A JP 11601792A JP 11601792 A JP11601792 A JP 11601792A JP H05313989 A JPH05313989 A JP H05313989A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体メモリとして
ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・アン
ド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）を使
用したメモリカード装置に係り、特に撮影した被写体の
光学像をデジタル画像データに変換して半導体メモリに
記録する電子スチルカメラ装置等に使用して好適するも
のに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory card device using an EEPROM (Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory) as a semiconductor memory, and more particularly to a digital image of an optical image of a photographed subject. The present invention relates to a device suitable for use in an electronic still camera device or the like that converts data and records it in a semiconductor memory.
【０００２】[0002]
【従来の技術】周知のように、撮影した被写体の光学像
を固体撮像素子を用いて電気的な画像信号に変換し、こ
の画像信号をデジタル画像データに変換して半導体メモ
リに記録する電子スチルカメラ装置が開発されている。
そして、この種の電子スチルカメラ装置にあっては、半
導体メモリをカード状のケースに内蔵してなるメモリカ
ードを、カメラ本体に着脱自在となるように構成するこ
とによって、通常のカメラにおけるフィルムと等価な取
り扱いができるようになされている。2. Description of the Related Art As is well known, an electronic still which converts an optical image of a photographed object into an electric image signal by using a solid-state image pickup device, converts the image signal into digital image data, and records the digital image data in a semiconductor memory. Camera devices have been developed.
In this type of electronic still camera device, a memory card in which a semiconductor memory is built in a card-shaped case is configured to be detachable from the camera body so that it can be used as a film in a normal camera. Equivalent handling can be done.
【０００３】ここで、電子スチルカメラ装置のメモリカ
ードは、現在、標準化が進められていて、内蔵される半
導体メモリとしては、複数枚のデジタル画像データを記
録するために大記憶容量のものが要求され、例えばＳＲ
ＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ），
マスクＲＯＭ及び電気的にデータの書き込みや消去が可
能なＥＥＰＲＯＭ等が考えられており、ＳＲＡＭを用い
たメモリカードは既に商品化されている。The memory card of the electronic still camera device is currently being standardized, and the built-in semiconductor memory is required to have a large storage capacity for recording a plurality of digital image data. For example, SR
AM (Static Random Access Memory),
A mask ROM and an EEPROM capable of electrically writing and erasing data have been considered, and a memory card using an SRAM has already been commercialized.
【０００４】ところで、ＳＲＡＭを用いたメモリカード
は、どのようなフォーマットのデータ構成にも対応する
ことができるとともに、データの書き込みスピード及び
読み出しスピードも速いという利点がある反面、書き込
んだデータを保持するためのバックアップ電池をメモリ
カード内に収容する必要があるため、電池収容スペース
を設置する分だけ記憶容量が削減されるとともに、ＳＲ
ＡＭ自体のコストが高く経済的な不利を招くという問題
を持っている。By the way, the memory card using the SRAM has an advantage that it can correspond to a data structure of any format and has a high data writing speed and a high data reading speed, but holds the written data. Since it is necessary to store a backup battery in the memory card for this purpose, the storage capacity is reduced by the amount of the battery storage space and SR
There is a problem that the cost of AM itself is high and causes an economic disadvantage.
【０００５】そこで、現在では、ＳＲＡＭの持つ問題点
を解消するために、メモリカードに用いられる半導体メ
モリとしてＥＥＰＲＯＭが注目されている。このＥＥＰ
ＲＯＭは、磁気ディスクに代わる記録媒体として注目を
浴びているもので、データ保持のためのバックアップ電
池が不要であるとともに、チップ自体のコストを安くす
ることができる等、ＳＲＡＭの持たない特有な利点を有
することから、メモリカード用として使用するための開
発が盛んに行なわれている。Therefore, in order to solve the problems of the SRAM, the EEPROM is now attracting attention as a semiconductor memory used for a memory card. This EEP
The ROM has been attracting attention as a recording medium that replaces the magnetic disk, and it does not require a backup battery for holding data and can reduce the cost of the chip itself, which is a unique advantage that SRAM does not have. Therefore, development for use as a memory card has been actively carried out.
【０００６】ここで、図４は、ＳＲＡＭを用いたメモリ
カード（ＳＲＡＭカード）とＥＥＰＲＯＭを用いたメモ
リカード（ＥＥＰＲＯＭカード）との長短を比較して示
している。まず、比較項目１，２のバックアップ電池及
びコストについては、既に前述したように、ＳＲＡＭカ
ードはバックアップ電池が必要でありコストも高いとい
う問題があるのに対し、ＥＥＰＲＯＭカードはバックア
ップ電池が不要でコストも低くすることができるという
利点を有している。Here, FIG. 4 shows a comparison between the length of a memory card using SRAM (SRAM card) and the length of a memory card using EEPROM (EEPROM card). First, regarding the backup battery and the cost of the comparison items 1 and 2, the SRAM card needs the backup battery and the cost is high as described above, while the EEPROM card does not need the backup battery and the cost is high. Also has the advantage that it can be lowered.
【０００７】次に、比較項目３，４の書き込みスピード
及び読み出しスピードについては、アドレスで任意に指
定したバイトまたはビットに対して、データの書き込み
及び読み出しを行なう、ＳＲＡＭとＥＥＰＲＯＭとに共
通のランダムアクセスモードと、複数の連続するバイト
（数百バイト）でなるページを指定することにより、ペ
ージ単位で一括してデータの書き込み及び読み出しを行
なう、ＥＥＰＲＯＭに特有のページモードとに分けて考
えられる。Regarding the write speed and read speed of comparison items 3 and 4, random access common to SRAM and EEPROM is performed for writing and reading data to or from a byte or bit arbitrarily designated by an address. A mode and a page mode peculiar to the EEPROM, in which data is written and read collectively in page units by designating a page made up of a plurality of consecutive bytes (several hundred bytes), can be considered.
【０００８】そして、ランダムアクセスモードにおい
て、ＳＲＡＭは書き込みスピード及び読み出しスピード
が共に速く、ＥＥＰＲＯＭは書き込みスピード及び読み
出しスピードが共に遅くなっている。また、ＥＥＰＲＯ
Ｍは、ページモードにおいて、１ページ分の大量のデー
タを一斉に書き込み及び読み出しすることから、ランダ
ムアクセスモードに比してデータの書き込みスピード及
び読み出しスピードは速くなっている。In the random access mode, the SRAM has both a high writing speed and a high reading speed, and the EEPROM has a low writing speed and a low reading speed. Also, EEPRO
In the page mode, the M simultaneously writes and reads a large amount of data for one page, so the data writing speed and the data reading speed are faster than in the random access mode.
【０００９】さらに、比較項目５のイレース（消去）モ
ードは、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭ
には存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭ
は、既にデータの書き込まれている領域に新たにデータ
を書き込む場合、先に書き込まれているデータを一旦イ
レースしないと新たなデータを書き込むことができない
ため、データの書き込みを行なうに際して、このイレー
スモードが実行されるようになっている。そして、この
イレースモードには、ＥＥＰＲＯＭに記録された全ての
データを一括して消去する一括イレースと、複数の連続
するページでなるブロックを指定することにより、ブロ
ック単位でデータを消去するブロックイレースとがあ
る。Further, the erase (erase) mode of the comparison item 5 is a mode peculiar to the EEPROM, which is the SRAM.
Is a mode that does not exist in. That is, the EEPROM
When writing new data to the area where data has already been written, new data cannot be written unless the previously written data is erased. Therefore, when writing data, this erase mode Is to be executed. In this erase mode, there are a batch erase that erases all the data recorded in the EEPROM at once, and a block erase that erases data in block units by designating a block composed of a plurality of continuous pages. There is.
【００１０】また、比較項目６の書き込みベリファイ
も、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭには
存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭは、
データ書き込みを行なう場合、通常１回の書き込み動作
では完全な書き込みが行なわれない。このため、ＥＥＰ
ＲＯＭに対して１回の書き込み動作を行なう毎にＥＥＰ
ＲＯＭの書き込み内容を読み出し、正確に書き込まれて
いるか否かをチェックする必要があり、これが書き込み
ベリファイである。Further, the write verify of the comparison item 6 is also a mode peculiar to the EEPROM and is not present in the SRAM. That is, the EEPROM is
When writing data, complete writing is not normally performed in one writing operation. Therefore, EEP
EEP every time one write operation is performed to ROM
It is necessary to read the written contents of the ROM and check whether or not they are correctly written, and this is the write verify.
【００１１】具体的には、ＥＥＰＲＯＭに書き込むべき
データをバッファメモリに記録しておき、バッファメモ
リからＥＥＰＲＯＭにデータを転送して書き込んだ後、
ＥＥＰＲＯＭの書き込み内容を読み出し、バッファメモ
リの内容と比較して一致しているか否かを判別してい
る。そして、書き込みベリファイの結果、不一致（エラ
ー）と判定された場合には、再度バッファメモリの内容
をＥＥＰＲＯＭに書き込む動作を繰り返すようにしてい
る。Specifically, the data to be written in the EEPROM is recorded in the buffer memory, the data is transferred from the buffer memory to the EEPROM and written, and then,
The contents written in the EEPROM are read out and compared with the contents in the buffer memory to determine whether they match. Then, when it is determined as a result of the write verify that there is a mismatch (error), the operation of writing the contents of the buffer memory to the EEPROM again is repeated.
【００１２】以上の比較結果から明らかなように、ＥＥ
ＰＲＯＭには、バックアップ電池が不要でありコストが
安く、しかもページ単位のデータ書き込み及び読み出し
が可能である等の、ＳＲＡＭに見られない特有な利点が
備えられている反面、ランダムアクセスモードにおける
データの書き込みスピード及び読み出しスピードが遅い
とともに、イレースモードや書き込みベリファイ等のよ
うなＳＲＡＭにはないモードを必要とするという不都合
もある。As is clear from the above comparison results, EE
The PROM does not require a backup battery, is low in cost, and is capable of writing and reading data in page units. It has unique advantages not found in SRAM, but on the other hand, it does not store data in the random access mode. There is also a disadvantage that the writing speed and the reading speed are slow and that a mode such as an erase mode and a write verify which is not in the SRAM is required.
【００１３】そこで、メモリカードに使用する半導体メ
モリとして、現在使用されているＳＲＡＭに代えてＥＥ
ＰＲＯＭを使用することを考えた場合、データの書き込
みスピード及び読み出しスピードの問題や、イレースモ
ード及び書き込みベリファイ等を必要とするという問題
を解消し、ＳＲＡＭを内蔵したメモリカードと等価な取
り扱い方ができるように、つまりＳＲＡＭカードライク
に使用できるように細部に渡って種々の改良を施すこと
が、肝要なこととなっている。Therefore, as the semiconductor memory used for the memory card, the EE is used instead of the currently used SRAM.
Considering the use of PROM, the problems of data write speed and read speed, the problem of needing erase mode and write verify, etc. can be solved, and it can be handled in the same manner as a memory card with built-in SRAM. As described above, that is, it is important to make various improvements in detail so that it can be used in an SRAM card-like manner.
【００１４】この場合、特に問題となることは、ＥＥＰ
ＲＯＭは、データの消去がブロック単位で行なわれ、デ
ータの書き込みがページ単位で行なわれる、つまり、消
去データ単位が書き込みデータ単位の数倍あるため、Ｅ
ＥＰＲＯＭに既に記録されているデータを新たなデータ
に書き替える場合に、書き込みデータ単位でデータを書
き替えることが困難になるということである。In this case, the EEP is particularly problematic.
In the ROM, data is erased in block units and data is written in page units, that is, the erase data unit is several times as large as the write data unit.
This means that when rewriting the data already recorded in the EPROM with new data, it becomes difficult to rewrite the data in write data units.
【００１５】例えば１ページ分のデータを書き替える動
作は、従来では、図５に示すフローチャートのように行
なわれる。まず、開始されると（ステップＳ１）、ステ
ップＳ２でブロック単位の消去が行なわれ、次に、ステ
ップＳ３で１ページ分のデータ書き込みが行なわれる。
その後、ステップＳ４で、所定回のベリファイの後、正
しくデータが書き込まれたか否かが判別され、正しく書
き込まれていれば（ＹＥＳ）終了（ステップＳ５）さ
れ、正しく書き込まれていなければ（ＮＯ）、ステップ
Ｓ６でそのページを書き込み不良ページと判断して、デ
ータを他の空きページに書き込んで救済する不良救済処
理が行なわれる。For example, the operation of rewriting data for one page is conventionally performed as shown in the flowchart of FIG. First, when it is started (step S1), block-based erasing is performed in step S2, and then data writing for one page is performed in step S3.
After that, in step S4, it is determined whether or not the data is correctly written after the predetermined number of verifications. If the data is correctly written (YES), the process ends (step S5), and if the data is not correctly written (NO). In step S6, the page is determined to be a defective page, and a defective relief process is performed to write the data to another empty page for relief.
【００１６】しかしながら、上記のような従来のデータ
書き替え動作では、図６（ａ）に示すように、１ブロッ
クが２ページで構成され、３ブロックの各ページにそれ
ぞれデータＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆが記録されている状
態で、データＡをデータＺに書き替えようとした場合、
同図（ｂ）に示すようにデータＡの記録領域を含む１ブ
ロックが全て消去された後、データＡの記録領域にデー
タＺが書き込まれるので、同図（ｃ）に示すように無関
係のデータＢまでもが消去されてしまうという問題が生
じる。However, in the conventional data rewriting operation as described above, as shown in FIG. 6A, one block is composed of two pages, and the data A, B, C, and When attempting to rewrite data A into data Z while D, E, and F are recorded,
As shown in FIG. 3B, since one block including the data A recording area is completely erased, the data Z is written in the data A recording area, so that irrelevant data as shown in FIG. There is a problem that even B is erased.
【００１７】[0017]
【発明が解決しようとする課題】以上のように、ＥＥＰ
ＲＯＭを内蔵した従来のメモリカードでは、消去データ
単位と書き込みデータ単位とが異なるため、書き込みデ
ータ単位で自由にデータを書き替えることが困難になる
という問題を有している。DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention
A conventional memory card having a built-in ROM has a problem that it is difficult to freely rewrite data in write data units because the erase data unit and the write data unit are different.
【００１８】そこで、この発明は上記事情を考慮してな
されたもので、消去データ単位と書き込みデータ単位と
が異なっていても、書き込みデータ単位で自由にデータ
を書き替えることが可能である極めて良好なメモリカー
ド装置を提供することを目的とする。Therefore, the present invention has been made in consideration of the above circumstances, and it is extremely preferable that the data can be freely rewritten in the write data unit even if the erase data unit and the write data unit are different. It is an object of the present invention to provide a simple memory card device.
【００１９】[0019]
【課題を解決するための手段】この発明に係るメモリカ
ード装置は、消去データ単位が書き込みデータ単位より
も大きく、データ書き替え時に、データ書き込み領域を
消去してからデータ書き込みを行なう半導体メモリを内
蔵したものを対象としている。そして、データ書き替え
が要求された状態で、半導体メモリの記録領域中から消
去データ単位に相当する空き記録領域を検索し、書き込
むべき第１のデータと、書き替えられる第２のデータの
記録領域を含む消去データ単位の記録領域に存在する書
き替えない第３のデータとを、空き記憶領域に書き込み
データ単位で書き込むように構成したものである。A memory card device according to the present invention has a built-in semiconductor memory in which an erase data unit is larger than a write data unit and, when data is rewritten, a data write area is erased and then data is written. It is intended for those who have done. Then, in the state where the data rewriting is requested, a free recording area corresponding to the erase data unit is searched from the recording area of the semiconductor memory, and the recording area of the first data to be written and the second data to be rewritten The non-rewritable third data existing in the recording area of the erasing data unit including the data is written in the free storage area in the writing data unit.
【００２０】[0020]
【作用】上記のような構成によれば、データ書き替えが
要求された状態で、半導体メモリの記録領域中から消去
データ単位に相当する空き記録領域を検索し、書き込む
べき第１のデータと、書き替えられる第２のデータの記
録領域を含む消去データ単位の記録領域に存在する書き
替えない第３のデータとを、該空き記憶領域に書き込み
データ単位で書き込むようにしたので、消去データ単位
と書き込みデータ単位とが異なっていても、書き替えな
い第３のデータが不要に消去されることなく、書き込み
データ単位で自由にデータを書き替えることができる。According to the above configuration, in a state where data rewriting is requested, a free recording area corresponding to an erase data unit is searched from the recording area of the semiconductor memory, and the first data to be written, Since the non-rewritable third data existing in the erase data unit recording area including the rewritable second data recording area is written in the empty storage area in the write data unit, Even if the write data unit is different, the data can be freely rewritten in the write data unit without unnecessary erasure of the third data that is not rewritten.
【００２１】[0021]
【実施例】以下、この発明を電子スチルカメラ装置に適
用した場合の一実施例について図面を参照して詳細に説
明する。図１において、１１はメモリカード本体で、そ
の一端部に設置されたコネクタ１２を介して、図示しな
い電子スチルカメラ本体に接続されるようになされてい
る。このコネクタ１２には、電子スチルカメラ本体側か
ら、メモリカード本体１１に書き込むべきデータや、そ
の書き込み場所を示すアドレスデータ等が供給される。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to an electronic still camera device will be described in detail below with reference to the drawings. In FIG. 1, 11 is a memory card main body, which is connected to an electronic still camera main body (not shown) via a connector 12 installed at one end thereof. The connector 12 is supplied with data to be written in the memory card body 11 and address data indicating the writing location from the electronic still camera body side.
【００２２】そして、このコネクタ１２に供給されたデ
ータは、バスライン１３を介してデータ入出力制御回路
１４に取り込まれる。このデータ入出力制御回路１４
は、バスライン１５を介してデータの高速書き込み及び
高速読み出しが可能なバッファメモリ１６に接続されて
おり、取り込んだデータを一旦バッファメモリ１６に記
録する。その後、データ入出力制御回路１４は、バッフ
ァメモリ１６に記録したデータを読み取り、バスライン
１７を介して複数（図示の場合は４つ）のＥＥＰＲＯＭ
１８の書き込みサイクルに対応したタイミングで出力
し、ＥＥＰＲＯＭ１８に記録する。The data supplied to the connector 12 is taken into the data input / output control circuit 14 via the bus line 13. This data input / output control circuit 14
Is connected to a buffer memory 16 capable of high-speed writing and high-speed reading of data via a bus line 15, and the taken-in data is temporarily recorded in the buffer memory 16. Thereafter, the data input / output control circuit 14 reads the data recorded in the buffer memory 16, and a plurality of (four in the illustrated case) EEPROMs are read via the bus line 17.
It is output at a timing corresponding to the write cycle of 18 and is recorded in the EEPROM 18.
【００２３】この場合、データ入出力制御回路１４は、
ＥＥＰＲＯＭ１８に例えばページ単位でデータが書き込
まれる毎に、ＥＥＰＲＯＭ１８から書き込んだページ単
位のデータを読み出し、バッファメモリ１６に記録され
ているデータと一致しているか否かを判別する書き込み
ベリファイを実行する。そして、データ入出力制御回路
１４は、ＥＥＰＲＯＭ１８から読み出したデータと、バ
ッファメモリ１６に記録されたデータとが一致していな
い場合、再度、バッファメモリ１６からＥＥＰＲＯＭ１
８にデータを転送して書き込みを行なわせ、この動作が
所定回数繰り返される間に、ＥＥＰＲＯＭ１８から読み
出したデータとバッファメモリ１６に記録されたデータ
とが完全に一致したとき、データの書き込みが完了され
る。In this case, the data input / output control circuit 14 is
Every time data is written in the EEPROM 18, for example, in page units, the written page data is read from the EEPROM 18, and write verify is performed to determine whether or not the data matches the data recorded in the buffer memory 16. Then, when the data read from the EEPROM 18 and the data recorded in the buffer memory 16 do not match, the data input / output control circuit 14 causes the buffer memory 16 to read the EEPROM 1 again.
When the data read from the EEPROM 18 and the data recorded in the buffer memory 16 are completely matched while this operation is repeated a predetermined number of times, the data writing is completed. It
【００２４】次に、ＥＥＰＲＯＭ１８から、データをメ
モリカード本体１１の外部に読み出す場合には、電子ス
チルカメラ本体側からコネクタ１２を介して読み出すべ
きデータを指定するアドレスがデータ入出力制御回路１
４に供給される。すると、データ入出力制御回路１４
は、入力されたアドレスに基づいてＥＥＰＲＯＭ１８か
らデータを読み出し、一旦バッファメモリ１６に記録す
る。その後、データ入出力制御回路１４は、バッファメ
モリ１６に記録したデータを読み出しコネクタ１２を介
して外部に導出し、ここにデータの読み出しが行なわれ
る。Next, when the data is read from the EEPROM 18 to the outside of the memory card main body 11, the address designating the data to be read from the electronic still camera main body side via the connector 12 is the data input / output control circuit 1.
4 is supplied. Then, the data input / output control circuit 14
Reads data from the EEPROM 18 based on the input address and temporarily records the data in the buffer memory 16. After that, the data input / output control circuit 14 leads the data recorded in the buffer memory 16 to the outside through the read connector 12, and the data is read there.
【００２５】したがって、上記のような構成によれば、
電子スチルカメラ本体とメモリカード本体１１との間に
おけるデータ転送は、必ずバッファメモリ１６を介して
行なわれるので、電子スチルカメラ本体側から見たメモ
リカード本体１１へのデータの書き込みスピード及び読
み出しスピードを向上させることができる。また、ＥＥ
ＰＲＯＭ１８に特有の書き込みベリファイも、バッファ
メモリ１６を用いてメモリカード本体１１の内部で自動
的に処理されるので、メモリカード本体１１の取り扱い
としては、全くＳＲＡＭカードライクに使用することが
できる。Therefore, according to the above configuration,
Since data transfer between the electronic still camera body and the memory card body 11 is always performed via the buffer memory 16, the speed of writing and reading data to and from the memory card body 11 as seen from the electronic still camera body side can be improved. Can be improved. Also, EE
The write verify unique to the PROM 18 is also automatically processed inside the memory card main body 11 by using the buffer memory 16, so that the memory card main body 11 can be used just like an SRAM card.
【００２６】ここで、図２は、１ページ分のデータを書
き替える動作のフローチャートを示している。まず、開
始されると（ステップＳ７）、データ入出力制御回路１
４は、ステップＳ８で、ＥＥＰＲＯＭ１８内の消去され
た空きブロック（以下置換先ブロックという）を検索
し、ステップＳ９で、その置換先ブロックの１ページに
書き替えるべき新たなデータを書き込む。次に、データ
入出力制御回路１４は、ステップＳ１０で、所定回のベ
リファイの後、正しくデータが書き込まれたか否かを判
別し、正しく書き込まれていなければ（ＮＯ）、そのペ
ージを書き込み不良ページと判断して、ステップＳ８の
処理に戻されて他の置換先ブロックの検索を実行する。Here, FIG. 2 shows a flowchart of the operation of rewriting data for one page. First, when started (step S7), the data input / output control circuit 1
In step S8, the erased empty block (hereinafter referred to as a replacement block) in the EEPROM 18 is searched in step S8, and new data to be rewritten is written in one page of the replacement block in step S9. Next, in step S10, the data input / output control circuit 14 determines whether or not the data is correctly written after the predetermined number of verifications, and if the data is not correctly written (NO), the page is written as a defective page. Then, the process returns to step S8 to search for another replacement block.
【００２７】また、ステップＳ１０で正しく書き込まれ
た（ＹＥＳ）と判断された場合、データ入出力制御回路
１４は、ステップＳ１１で、データ書き替えが要求され
たページを含むブロック（以下置換元ブロックという）
内に、データ書き替えが要求されたページ以外にデータ
の記録されたページがあるか否かを判別し、ある場合
（ＹＥＳ）、ステップＳ１２で、そのページのデータを
読み出してステップＳ９の処理に戻され、読み出したデ
ータを検索した置換先ブロックの他のページに書き込
み、ない場合（ＮＯ）、終了（ステップＳ１３）され
る。If it is determined in step S10 that the data has been correctly written (YES), the data input / output control circuit 14 determines in step S11 the block including the page for which data rewriting is requested (hereinafter referred to as the replacement source block). )
It is determined whether or not there is a page in which data is recorded in addition to the page for which data rewriting is requested, and if there is (YES), in step S12, the data of that page is read and the process of step S9 is performed. The returned data is written into the other page of the retrieved replacement block and the read data is not written (NO), and the process ends (step S13).
【００２８】具体的に言えば、図３（ａ）に示すよう
に、１ブロックが２ページで構成され、３ブロックの各
ページにそれぞれデータＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆが記録
されている状態で、データＡをデータＺに書き替えよう
とした場合、データ入出力制御回路１４は、ＥＥＰＲＯ
Ｍ１８内の置換先ブロックを検索し、同図（ｂ）に示す
ように、その置換先ブロックの１ページに書き替えるべ
き新たなデータＺを書き込む。その後、データ入出力制
御回路１４は、データＺが正しく書き込まれたことを判
断した状態で、置換元ブロック内にデータ書き替えが要
求されたページ以外にデータの記録されたページがある
か否かを判別し、この場合データＢの記録されたページ
があるので、そのページからデータＢを読み出して、置
換先ブロックの他のページに書き込む。そして、データ
入出力制御回路１４は、電子スチルカメラ本体側から置
換元ブロックのアドレスつまりデータＡ，Ｂの記録され
ていたブロックのアドレスが指定された場合、置換先の
ブロックの対応するアドレスを指定するように、例えば
内部レジスタ等に記録を残し、ここに、データＡからデ
ータＺへの書き替えが完了される。Specifically, as shown in FIG. 3A, one block consists of two pages, and data A, B, C, D, E, and F are recorded on each page of the three blocks. When it is attempted to rewrite the data A into the data Z while the data is input, the data input / output control circuit 14 causes the EEPRO
The replacement block in M18 is searched, and new data Z to be rewritten is written in one page of the replacement block as shown in FIG. After that, the data input / output control circuit 14 determines whether or not there is a page in which data is recorded in the replacement source block other than the page for which data rewriting is requested, in a state where it is determined that the data Z has been correctly written. In this case, since there is a page in which the data B is recorded, the data B is read from that page and written in another page of the replacement destination block. Then, when the address of the replacement source block, that is, the address of the block in which the data A and B are recorded, is specified from the electronic still camera body side, the data input / output control circuit 14 specifies the corresponding address of the replacement destination block. Thus, for example, the recording is left in the internal register or the like, and the rewriting from the data A to the data Z is completed here.
【００２９】したがって、上記実施例のような構成によ
れば、データ書き込み可能な置換先ブロックを検索し、
その１ページに新データＺを書き込んだ後、置換元ブロ
ックのデータＢを置換先ブロックの他のページに書き込
むとともに、外部から見た場合、置換元ブロックのアド
レスが置換先のブロックのアドレスに対応するようにし
たので、従来のように置換元ブロックのデータＢが不要
に消去されることなく、データＡを新データＺに書き替
えることができる。Therefore, according to the configuration of the above embodiment, the data writable replacement block is searched,
After writing the new data Z to that page, the data B of the replacement source block is written to another page of the replacement destination block, and when viewed from the outside, the address of the replacement source block corresponds to the address of the replacement destination block. Since this is done, the data A of the replacement source block can be rewritten to the new data Z without being unnecessarily erased as in the conventional case.
【００３０】また、上記実施例では、置換元ブロックの
データＡ，Ｂを残したままにしたが、この置換元ブロッ
クは、ブロック単位の消去を行なうことにより、次のデ
ータの書き込みに供させることができる。さらに、置換
元ブロックをブロック単位で消去した後、置換先ブロッ
クのデータＺ，Ｂを置換元ブロックに移し変えるように
すれば、ＥＥＰＲＯＭ１８のメモリマップ上もデータＡ
をデータＺに書き替えた形態となり、置換元ブロックの
アドレスと置換先のブロックのアドレスとを対応させる
必要もなくなって便利である。また、予め所定量の空き
ブロックを置換先ブロックとしてＥＥＰＲＯＭ１８内に
設定しておくこともできる。なお、この発明は上記実施
例に限定されるものではなく、この外その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変形して実施することができる。Further, in the above embodiment, the data A and B of the replacement source block are left as they are, but the replacement source block is used for writing the next data by erasing in block units. You can Furthermore, after the replacement source block is erased in block units, if the data Z and B of the replacement destination block are moved to the replacement source block, the data A is also displayed on the memory map of the EEPROM 18.
Is replaced with the data Z, which is convenient because there is no need to associate the address of the replacement source block with the address of the replacement destination block. It is also possible to set a predetermined amount of empty blocks in the EEPROM 18 as replacement blocks in advance. The present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be variously modified and implemented without departing from the scope of the invention.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
消去データ単位と書き込みデータ単位とが異なっていて
も、書き込みデータ単位で自由にデータを書き替えるこ
とが可能である極めて良好なメモリカード装置を提供す
ることができる。As described in detail above, according to the present invention,
Even if the erase data unit and the write data unit are different, it is possible to provide a very good memory card device in which the data can be freely rewritten in the write data unit.
【図１】この発明に係るメモリカード装置の一実施例を
示すブロック構成図。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a memory card device according to the present invention.
【図２】同実施例の動作を説明するために示すフローチ
ャート。FIG. 2 is a flowchart shown to explain the operation of the embodiment.
【図３】同実施例の動作を具体的に説明するために示す
図。FIG. 3 is a diagram specifically shown for explaining the operation of the embodiment.
【図４】ＳＲＡＭカードとＥＥＰＲＯＭカードとの長短
を比較して示す図。FIG. 4 is a diagram showing the lengths of an SRAM card and an EEPROM card in comparison.
【図５】従来のデータ書き替え動作を説明するために示
すフローチャート。FIG. 5 is a flowchart shown to explain a conventional data rewriting operation.
【図６】従来のデータ書き替え動作の問題点を説明する
ために示す図。FIG. 6 is a diagram shown for explaining a problem of a conventional data rewriting operation.
１１…メモリカード本体、１２…コネクタ、１３…バス
ライン、１４…データ入出力制御回路、１５…バスライ
ン、１６…バッファメモリ、１７…バスライン、１８…
ＥＥＰＲＯＭ。11 ... Memory card main body, 12 ... Connector, 13 ... Bus line, 14 ... Data input / output control circuit, 15 ... Bus line, 16 ... Buffer memory, 17 ... Bus line, 18 ...
EEPROM.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｃ 16/06 (72)発明者 吉岡 心平 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝映像メディア技術研究所内 (72)発明者 小西 和夫 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝映像メディア技術研究所内 (72)発明者 佐藤 聡明 東京都港区新橋３丁目３番９号 東芝エ ー・ブイ・イー株式会社内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Internal reference number FI Technical display location G11C 16/06 (72) Inventor Shinpei Yoshioka 8 Shinsita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Stock company Toshiba Corporation Video Media Technology Laboratory (72) Inventor Kazuo Konishi 8 Shinsita-cho, Isogo-ku, Yokohama, Kanagawa Prefecture Stock Company Toshiba Media Media Technology Laboratory (72) Inventor Satoshi Sato 3-3-9 Shimbashi, Minato-ku, Tokyo Toshiba Abu E Co., Ltd.
Claims (1)
りも大きく、データ書き替え時に、データ書き込み領域
を消去してからデータ書き込みを行なう半導体メモリを
内蔵したメモリカード装置において、前記データ書き替
えが要求された状態で、前記半導体メモリの記録領域中
から前記消去データ単位に相当する空き記録領域を検索
し、書き込むべき第１のデータと、書き替えられる第２
のデータの記録領域を含む前記消去データ単位の記録領
域に存在する書き替えない第３のデータとを、前記空き
記憶領域に書き込みデータ単位で書き込むように構成し
てなることを特徴とするメモリカード装置。1. An erase data unit is larger than a write data unit, and when rewriting data, in a memory card device having a built-in semiconductor memory that erases a data writing area and then writes data, the data rewriting is required. In this state, a free recording area corresponding to the erase data unit is searched from the recording area of the semiconductor memory, and the first data to be written and the second data to be rewritten
And a third data which is not rewritten and exists in the recording area of the erasing data unit including the recording area of the data of (1) to the free storage area in the unit of write data. apparatus.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11601792A JPH05313989A (en) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | Memory card device |
| EP98123766A EP0907142B1 (en) | 1992-04-02 | 1993-04-02 | Memory card apparatus |
| KR1019930005571A KR970001201B1 (en) | 1992-04-02 | 1993-04-02 | Memory card device |
| DE69334149T DE69334149T2 (en) | 1992-04-02 | 1993-04-02 | memory card |
| EP93105535A EP0563997A1 (en) | 1992-04-02 | 1993-04-02 | Memory card apparatus |
| US08/704,354 US5745912A (en) | 1992-04-02 | 1996-08-28 | Memory card apparatus including a link table for managing the correspondency between the recorded contents in the memory card and that in the link table |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11601792A JPH05313989A (en) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | Memory card device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05313989A true JPH05313989A (en) | 1993-11-26 |
Family
ID=14676744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11601792A Pending JPH05313989A (en) | 1992-04-02 | 1992-05-08 | Memory card device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05313989A (en) |
Cited By (2)
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1992
- 1992-05-08 JP JP11601792A patent/JPH05313989A/en active Pending
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