JPH0530195B2 - - Google Patents
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- JPH0530195B2 JPH0530195B2 JP59264129A JP26412984A JPH0530195B2 JP H0530195 B2 JPH0530195 B2 JP H0530195B2 JP 59264129 A JP59264129 A JP 59264129A JP 26412984 A JP26412984 A JP 26412984A JP H0530195 B2 JPH0530195 B2 JP H0530195B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光記載媒体、特に光による記録、およ
び消去可能なカルコゲナイド系酸化物からなる光
記録媒体の製造方法に関するものであり、長期間
にわたつて光記録特性が保持される安定性に優れ
た光記録媒体の製造方法に関する。
び消去可能なカルコゲナイド系酸化物からなる光
記録媒体の製造方法に関するものであり、長期間
にわたつて光記録特性が保持される安定性に優れ
た光記録媒体の製造方法に関する。
光記録媒体には、レーザー光の熱エネルギーに
よつて小孔あるいは泡を形成する方式のもの及び
膜の光学的特性を変化する方式のものが知られて
いる。前者は記録の際に、記録膜層に凹凸の形状
変化を生ずるため、記録膜や基板が経時的に変
質、腐蝕を受けやすく、通常二枚の記録媒体をエ
アサンドイツチ構造にして使用されていた。しか
し後者はこの必要はなく、単に二枚の記録媒体を
接着させて使用できるため製造工程を大巾に簡略
化できる利点があつた。後者に使用される材料の
うち、感度の高いもの、即ち一定の入射光強度に
対して光学的特性の変化の大きい材料としてカル
コゲナイド系低酸化物、特にテルル酸化物TeOx
が知られており、Ｘは０＜Ｘ＜2.0のものが用い
られる。
よつて小孔あるいは泡を形成する方式のもの及び
膜の光学的特性を変化する方式のものが知られて
いる。前者は記録の際に、記録膜層に凹凸の形状
変化を生ずるため、記録膜や基板が経時的に変
質、腐蝕を受けやすく、通常二枚の記録媒体をエ
アサンドイツチ構造にして使用されていた。しか
し後者はこの必要はなく、単に二枚の記録媒体を
接着させて使用できるため製造工程を大巾に簡略
化できる利点があつた。後者に使用される材料の
うち、感度の高いもの、即ち一定の入射光強度に
対して光学的特性の変化の大きい材料としてカル
コゲナイド系低酸化物、特にテルル酸化物TeOx
が知られており、Ｘは０＜Ｘ＜2.0のものが用い
られる。
テルル酸化物薄膜の製造法としては、TeO2の
粉末をＷまたはMoのボート型ヒーターにのせ、
ヒーターを通電加熱してTeO2を一部還元しなが
ら真空蒸着する方法、TeO2粉末と各種の還元金
属の混合物を石英るつぼに入れ、これを真空中で
加熱蒸着する方法、TeO2と金属Teとをそれぞれ
に別の蒸発源として用い、同時に蒸着する方法等
が知られている。
粉末をＷまたはMoのボート型ヒーターにのせ、
ヒーターを通電加熱してTeO2を一部還元しなが
ら真空蒸着する方法、TeO2粉末と各種の還元金
属の混合物を石英るつぼに入れ、これを真空中で
加熱蒸着する方法、TeO2と金属Teとをそれぞれ
に別の蒸発源として用い、同時に蒸着する方法等
が知られている。
しかし、これらの方法のうち、前の２者は簡便
な方法ではあるが、蒸着中にボートあるいは還元
金属の還元力が変化するため、蒸着された膜の膜
厚方向の組成の不規則な変化が生じ易いという欠
点がある。
な方法ではあるが、蒸着中にボートあるいは還元
金属の還元力が変化するため、蒸着された膜の膜
厚方向の組成の不規則な変化が生じ易いという欠
点がある。
２つの蒸発源を用いる方法は組成が膜厚方向で
変化せず、均一な膜を得ることができる。この方
法によつて製作されたTeOxのＸが１未満の膜
は、黒化開始温度が低く、また感度が高いという
利点を有する。しかるに該膜は黒化開始温度以下
の比較的高温下に放置された場合、及び高湿度下
に放置された場合の透過率の変化が著るしい。こ
のため、主として膜の安定性の点から、感度は劣
るもののＸが１以上の範囲のTeOx膜が一般的に
使用されている。又、基板材料としてアクリル
板、ポリカーボネート板等のプラスチツクス材料
を用いる場合、これらは気体透過率が比較的大き
いため、経時的に水蒸気や酸素等が侵入し、カル
コゲナイド系低酸化物を酸化し感度を低下させる
という問題があつた。
変化せず、均一な膜を得ることができる。この方
法によつて製作されたTeOxのＸが１未満の膜
は、黒化開始温度が低く、また感度が高いという
利点を有する。しかるに該膜は黒化開始温度以下
の比較的高温下に放置された場合、及び高湿度下
に放置された場合の透過率の変化が著るしい。こ
のため、主として膜の安定性の点から、感度は劣
るもののＸが１以上の範囲のTeOx膜が一般的に
使用されている。又、基板材料としてアクリル
板、ポリカーボネート板等のプラスチツクス材料
を用いる場合、これらは気体透過率が比較的大き
いため、経時的に水蒸気や酸素等が侵入し、カル
コゲナイド系低酸化物を酸化し感度を低下させる
という問題があつた。
このような、カルコゲナイド系記録媒体の長期
にわたる安定性向上に関してはすでに多くの技術
が開示されており、例えば耐蝕性の良い金属中に
分散させるもの（特開昭58−164037）、有機物質
でコーテイングするもの（特開昭52−21892、特
開昭58−125248、特開昭58−203643）、無機物質
でコーテイングするもの（特開昭58−199449）、
表面を強制的に酸化するもの（特開昭56−3442、
特開昭58−94144、特開昭58−189850、特開昭59
−2245）等を例示することができるが、操作が繁
雑になつたり、かならずしも効果が十分ではない
場合が多かつた。
にわたる安定性向上に関してはすでに多くの技術
が開示されており、例えば耐蝕性の良い金属中に
分散させるもの（特開昭58−164037）、有機物質
でコーテイングするもの（特開昭52−21892、特
開昭58−125248、特開昭58−203643）、無機物質
でコーテイングするもの（特開昭58−199449）、
表面を強制的に酸化するもの（特開昭56−3442、
特開昭58−94144、特開昭58−189850、特開昭59
−2245）等を例示することができるが、操作が繁
雑になつたり、かならずしも効果が十分ではない
場合が多かつた。
本発明は長期にわたる安定性が向上した光記録
媒体の製造方法を提供することを目的とする。
媒体の製造方法を提供することを目的とする。
かかる本発明の目的は高周波電力によつてプラ
ズマ化された酸素ガス又は酸素ガスと不活性ガス
の混合ガス中を通過する金属テルル蒸気によつ
て、(a)二酸化テルル層（TeO2）、(b)式TeOx（０
＜Ｘ＜２）で示されるテルル低酸化物又はテルル
と上記テルル低酸化物との混合物（以下、これら
をテルル低酸化物と総称する。）からなる層及び
(c)二酸化テルル（TeO2）層を積層する光記録媒
体の製造方法によつて達成された。本発明によれ
ば特に感度の高い領域にあるテルル低酸化物から
なる記録層であつても、安定性に優れた光記録媒
体が提供される。
ズマ化された酸素ガス又は酸素ガスと不活性ガス
の混合ガス中を通過する金属テルル蒸気によつ
て、(a)二酸化テルル層（TeO2）、(b)式TeOx（０
＜Ｘ＜２）で示されるテルル低酸化物又はテルル
と上記テルル低酸化物との混合物（以下、これら
をテルル低酸化物と総称する。）からなる層及び
(c)二酸化テルル（TeO2）層を積層する光記録媒
体の製造方法によつて達成された。本発明によれ
ば特に感度の高い領域にあるテルル低酸化物から
なる記録層であつても、安定性に優れた光記録媒
体が提供される。
以下図面を参照して詳細に説明する。
この発明においては、酸素ガス又は酸素ガスと
不活性ガスとの混合ガス（以下総称して単にガス
ということがある。）雰囲気中で金属テルルがイ
オンプレーテイング法によつて基板上に蒸着され
る。
不活性ガスとの混合ガス（以下総称して単にガス
ということがある。）雰囲気中で金属テルルがイ
オンプレーテイング法によつて基板上に蒸着され
る。
すなわち、第２図にその概念図を示すように、
製造装置は真空槽３内に設けられた金属テルル１
をのせた加熱ボート２、これに対向して基板７を
保持する基板保持具８及びこの間に配設された高
周波励起コイル４からなる。
製造装置は真空槽３内に設けられた金属テルル１
をのせた加熱ボート２、これに対向して基板７を
保持する基板保持具８及びこの間に配設された高
周波励起コイル４からなる。
真空槽３内はまず酸素ガス又は酸素ガスと不活
性ガスとの混合ガスで充填される。この際、安定
なテルル低酸化物質膜を得るためには真空槽内を
まず１×10-5Torr程度以上の高真空とした後、
高純度酸素ガス又は酸素ガスと不活性ガスとの混
合ガスを導入し、槽内の真空度を１×10-4〜９×
10-3Torr、好ましくは２×10-4〜５×10-3Torr
に保つのがよい。なお、不活性ガスとしてアルゴ
ンガス、ヘリウムガス、窒素ガス等を例示するこ
とが可能である。
性ガスとの混合ガスで充填される。この際、安定
なテルル低酸化物質膜を得るためには真空槽内を
まず１×10-5Torr程度以上の高真空とした後、
高純度酸素ガス又は酸素ガスと不活性ガスとの混
合ガスを導入し、槽内の真空度を１×10-4〜９×
10-3Torr、好ましくは２×10-4〜５×10-3Torr
に保つのがよい。なお、不活性ガスとしてアルゴ
ンガス、ヘリウムガス、窒素ガス等を例示するこ
とが可能である。
この状態でスパイラルコイル状の高周波励起コ
イル４に50〜500ワツトの電圧を印加し、高周波
電界をつくり、ガスを励起してプラズマを生成さ
せる。生成されるプラズマは、コイル形状、大き
さ、電界の強さ及び真空度によつて制御される
が、その制御は容易であり、高精度の制御が可能
である。
イル４に50〜500ワツトの電圧を印加し、高周波
電界をつくり、ガスを励起してプラズマを生成さ
せる。生成されるプラズマは、コイル形状、大き
さ、電界の強さ及び真空度によつて制御される
が、その制御は容易であり、高精度の制御が可能
である。
プラズマ生成後、加熱ボート２に通電し、金属
テルル１を加熱・融解して蒸発させる。加熱温度
及び真空槽３内の圧力によつてテルルの蒸気圧が
定まり、さらにボート開口部面積によつてテルル
の蒸発量が規定される。そして、プラズマ内を通
過したテルルの蒸発粒子は、第１図中に模式的に
示したように、プラズマ内の酸素イオンやラジカ
ルの衝撃によりその一部が酸化され、酸化されな
かつた蒸発粒子と共に基板面上に沈着する。第１
図中５，５′は酸化したテルルの蒸発粒子を、６，
６′は酸化されなかつた蒸発粒子を示す。ここで、
基板としてはガラス又はアクリル板、ポリカーボ
ネート板をはじめとする各種プラスチツクを使用
することができる。
テルル１を加熱・融解して蒸発させる。加熱温度
及び真空槽３内の圧力によつてテルルの蒸気圧が
定まり、さらにボート開口部面積によつてテルル
の蒸発量が規定される。そして、プラズマ内を通
過したテルルの蒸発粒子は、第１図中に模式的に
示したように、プラズマ内の酸素イオンやラジカ
ルの衝撃によりその一部が酸化され、酸化されな
かつた蒸発粒子と共に基板面上に沈着する。第１
図中５，５′は酸化したテルルの蒸発粒子を、６，
６′は酸化されなかつた蒸発粒子を示す。ここで、
基板としてはガラス又はアクリル板、ポリカーボ
ネート板をはじめとする各種プラスチツクを使用
することができる。
テルル酸化物の組成（Ｘの値）はスパイラルコ
イル状の高周波励起コイル４に印加する電力の大
きさ、酸素ガスの分圧Po、金属テルルの蒸発速
度又はこれら両者を変化させることにより自由に
制御できる。例えば、ガス分圧Poを大きくした
り、印加電力を大きくしたり、金属テルルの蒸発
速度を小さくすることによつてＸを大きくするこ
とができる。しかして、本発明では、例えば、ま
ず高周波電力、ガス分圧、金属テルルの蒸発速度
を選択して基板上にTeO2層を形成し、次いで直
ちに同一蒸着装置、同一蒸発源を用いて、高周波
電力、ガス分圧、金属テルルの蒸発速度の少なく
ともいずれかひとつの以上の条件を変えることに
よつてテルル又はテルル低酸化物からなる層を形
成し、次に再度初めの条件にもどすことによつて
二酸化テルル層を連続して形成する（第１図）。
従つて本発明の光記録媒体の製造方法は簡易であ
り、安価に光記録媒体を製造しうるだけでなく、
テルル低酸化物からなる層とTeO2層の界面に異
物が入りこむこともなく、膜相互間の密着性も良
く強固な膜を形成しうる。二酸化テルルは耐蝕性
に優れているため長期間にわたる安定化に優れた
効果を発揮する。二酸化テルル層の厚さは特に厚
くする必要はなく、10〜1000Å程度の厚さであれ
ば上該目的を十分満たすことが可能であり、この
範囲で使用される。本発明では必要に応じて、二
酸化テルル層の上に透明性の良い高分子膜、無機
質膜等を設けて、さらに安定性を向上させること
も可能である。また本発明では、必要に応じてテ
ルル低酸化物層には上記の効果を損わない範囲で
他の物質、例えば増感剤や安定剤を含有せしめる
ことができる。
イル状の高周波励起コイル４に印加する電力の大
きさ、酸素ガスの分圧Po、金属テルルの蒸発速
度又はこれら両者を変化させることにより自由に
制御できる。例えば、ガス分圧Poを大きくした
り、印加電力を大きくしたり、金属テルルの蒸発
速度を小さくすることによつてＸを大きくするこ
とができる。しかして、本発明では、例えば、ま
ず高周波電力、ガス分圧、金属テルルの蒸発速度
を選択して基板上にTeO2層を形成し、次いで直
ちに同一蒸着装置、同一蒸発源を用いて、高周波
電力、ガス分圧、金属テルルの蒸発速度の少なく
ともいずれかひとつの以上の条件を変えることに
よつてテルル又はテルル低酸化物からなる層を形
成し、次に再度初めの条件にもどすことによつて
二酸化テルル層を連続して形成する（第１図）。
従つて本発明の光記録媒体の製造方法は簡易であ
り、安価に光記録媒体を製造しうるだけでなく、
テルル低酸化物からなる層とTeO2層の界面に異
物が入りこむこともなく、膜相互間の密着性も良
く強固な膜を形成しうる。二酸化テルルは耐蝕性
に優れているため長期間にわたる安定化に優れた
効果を発揮する。二酸化テルル層の厚さは特に厚
くする必要はなく、10〜1000Å程度の厚さであれ
ば上該目的を十分満たすことが可能であり、この
範囲で使用される。本発明では必要に応じて、二
酸化テルル層の上に透明性の良い高分子膜、無機
質膜等を設けて、さらに安定性を向上させること
も可能である。また本発明では、必要に応じてテ
ルル低酸化物層には上記の効果を損わない範囲で
他の物質、例えば増感剤や安定剤を含有せしめる
ことができる。
次に実施例をもつて本発明を詳細に説明する。
第２図に示した装置により、初期圧力Ｐが１×
10-5Torrとなるまで排気し、酸素ガスを４×
10-4Torrまで導入する。これに周波数13.56MHz、
400ワツトの高周波電力を印加してプラズマを発
生させる。そして純度99.99％の金属テルルを450
〜500℃に保つて融解、蒸発させ、約４Å／secの
蒸着速度でガラス製基板上及びPMMA製基板上
に沈着させた。このとき形成された薄膜の厚さは
0.01μｍ、膜組成はオージエ電子分光法によりＸ
＝2.0であつた。次に高周波電力を200ワツト、蒸
着速度を約10Å／secに変えて成膜した。形成さ
れた薄膜の厚さは0.1μｍ、膜組成はＸ＝0.7であ
つた。次に再度最初の成膜条件にもどしてTeO2
膜を形成し、基板／TeO2.0／TeO0.7／TeO2.0か
らなる記録媒体を得た（実施例）。
10-5Torrとなるまで排気し、酸素ガスを４×
10-4Torrまで導入する。これに周波数13.56MHz、
400ワツトの高周波電力を印加してプラズマを発
生させる。そして純度99.99％の金属テルルを450
〜500℃に保つて融解、蒸発させ、約４Å／secの
蒸着速度でガラス製基板上及びPMMA製基板上
に沈着させた。このとき形成された薄膜の厚さは
0.01μｍ、膜組成はオージエ電子分光法によりＸ
＝2.0であつた。次に高周波電力を200ワツト、蒸
着速度を約10Å／secに変えて成膜した。形成さ
れた薄膜の厚さは0.1μｍ、膜組成はＸ＝0.7であ
つた。次に再度最初の成膜条件にもどしてTeO2
膜を形成し、基板／TeO2.0／TeO0.7／TeO2.0か
らなる記録媒体を得た（実施例）。
又、対比のためにTeO2膜を形成しないもの
（これを比較例Ａとする。）および金属テルルと二
酸化テルルを別々の蒸発源とする装置を用いて、
まず二酸化テルルの蒸発源のみ加熱し二酸化テル
ルを溶融蒸発させて基板上に二酸化テルル層を形
成し次いで金属テルルと二酸化テルルを同時に蒸
発させＸ＝0.7なる膜厚0.1μｍのテルル低酸化物
からなる薄膜を真空蒸着法により形成した。次に
二酸化テルルの蒸発源のみ加熱し該テルル低酸化
物層の上に二酸化テルル層を形成し、基板／
TeO2.0／TeO0.7／TeO2.0からなる記録媒体を得
た（これを比較例Ｂ）とする。
（これを比較例Ａとする。）および金属テルルと二
酸化テルルを別々の蒸発源とする装置を用いて、
まず二酸化テルルの蒸発源のみ加熱し二酸化テル
ルを溶融蒸発させて基板上に二酸化テルル層を形
成し次いで金属テルルと二酸化テルルを同時に蒸
発させＸ＝0.7なる膜厚0.1μｍのテルル低酸化物
からなる薄膜を真空蒸着法により形成した。次に
二酸化テルルの蒸発源のみ加熱し該テルル低酸化
物層の上に二酸化テルル層を形成し、基板／
TeO2.0／TeO0.7／TeO2.0からなる記録媒体を得
た（これを比較例Ｂ）とする。
これら三種類の記録媒体に対して波長830nｍ
の半導体レーザーで記録と再生を行なつた。レー
ザパワー7mW、ビーム径1.8μｍで記録を行ない、
1mWのパワーで再生を行なつたが、特性に差は
なかつた。次に温度40℃、相対湿度90％の恒温恒
湿槽に入れ、30日経過後では、比較例Ａ、Ｂでは
正常な記録を行なうのにレーザ出力20〜50mWを
要し、明らかに特性の劣化を示した。しかし本発
明に基づく実施例では成膜直後と何ら変化はな
く、安定性向上に有効であることを示している。
の半導体レーザーで記録と再生を行なつた。レー
ザパワー7mW、ビーム径1.8μｍで記録を行ない、
1mWのパワーで再生を行なつたが、特性に差は
なかつた。次に温度40℃、相対湿度90％の恒温恒
湿槽に入れ、30日経過後では、比較例Ａ、Ｂでは
正常な記録を行なうのにレーザ出力20〜50mWを
要し、明らかに特性の劣化を示した。しかし本発
明に基づく実施例では成膜直後と何ら変化はな
く、安定性向上に有効であることを示している。
又、膜面に鋭い刃物で１mm方眼の刻み目を100
個つけて、これにセロテープを貼り付けて90゜引
き起こす剥離試験の結果では、実施例と比較例Ａ
では膜面と基板面の剥離は全くなく、実用上十分
な強さの膜が得られたが、比較例Ｂでは完全に剥
離してしまい、単なる真空蒸着法では強固な膜は
形成しえないことを示している。
個つけて、これにセロテープを貼り付けて90゜引
き起こす剥離試験の結果では、実施例と比較例Ａ
では膜面と基板面の剥離は全くなく、実用上十分
な強さの膜が得られたが、比較例Ｂでは完全に剥
離してしまい、単なる真空蒸着法では強固な膜は
形成しえないことを示している。
（発明の効果）
この発明によれば、真空槽内で蒸発したテルル
粒子が、酸素ガスプラズマ内を通過する過程で活
性化され、一部は酸化されて基板上に沈着する。
このため、はく離しにくい、環境による影響を受
け難い丈夫な安定したテルル低酸化物層が形成出
来る。
粒子が、酸素ガスプラズマ内を通過する過程で活
性化され、一部は酸化されて基板上に沈着する。
このため、はく離しにくい、環境による影響を受
け難い丈夫な安定したテルル低酸化物層が形成出
来る。
そして本発明によれば該テルル低酸化物層の表
面及び裏面には安定な二酸化テルル層が形成され
ているので該テルル低酸化物層の安定性は一層向
上される。
面及び裏面には安定な二酸化テルル層が形成され
ているので該テルル低酸化物層の安定性は一層向
上される。
更に本発明に従えばテルル低酸化物層及び二酸
化テルル層が同一の装置内で同一の蒸発源により
形成されるのでその界面に異物が混入せず、従つ
て膜相互間の密着性が極めて優れている。
化テルル層が同一の装置内で同一の蒸発源により
形成されるのでその界面に異物が混入せず、従つ
て膜相互間の密着性が極めて優れている。
従つて、従来安定性を欠き実用化に不適と思わ
れていた高感度領域のテルル低酸化物層を含む記
録媒体が極めて経済的に、しかも高い安定性を備
えたものとして実現出来るという顕著な効果をす
る。
れていた高感度領域のテルル低酸化物層を含む記
録媒体が極めて経済的に、しかも高い安定性を備
えたものとして実現出来るという顕著な効果をす
る。
第１図は本発明に基づく光記録媒体の構成図第
２図は本発明を実施するイオンプレーテイング装
置の模式図を示す。 図中１は金属テルル、２は蒸発ボート、３は真
空槽、４は高周波コイル、７は基板、８は基板保
持具、９はテルル低酸化物層および１０は二酸化
テルル層である。
２図は本発明を実施するイオンプレーテイング装
置の模式図を示す。 図中１は金属テルル、２は蒸発ボート、３は真
空槽、４は高周波コイル、７は基板、８は基板保
持具、９はテルル低酸化物層および１０は二酸化
テルル層である。
Claims (1)
- １ 基板上に、高周波電力によつてプラズマ化さ
れた酸素ガス又は酸素ガスと不活性ガスの混合ガ
スを通過する金属テルル蒸気によつて(a)二酸化テ
ルル（TeO2）層、(b)式TeOx（０＜Ｘ＜２）で示
されるテルル低酸化物又はテルルと上記テルル低
酸化物との混合物からなる層、及び(c)二酸化テル
ル（TeO2）層を形成する光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59264129A JPS61141591A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | カルコゲナイド系酸化物からなる光記録媒体の製造方法 |
| EP85309089A EP0188100B1 (en) | 1984-12-13 | 1985-12-13 | Optical recording medium formed of chalcogen oxide and method for producing same |
| DE8585309089T DE3582149D1 (de) | 1984-12-13 | 1985-12-13 | Aus chalkogenoxid gebildetes optisches aufzeichnungsmedium und verfahren zu dessen herstellung. |
| US07/082,909 US4786538A (en) | 1984-12-13 | 1987-08-10 | Optical recording medium formed of chalcogenide oxide and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59264129A JPS61141591A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | カルコゲナイド系酸化物からなる光記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61141591A JPS61141591A (ja) | 1986-06-28 |
| JPH0530195B2 true JPH0530195B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17398868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59264129A Granted JPS61141591A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | カルコゲナイド系酸化物からなる光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61141591A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8133655B2 (en) | 2006-10-02 | 2012-03-13 | Panasonic Corporation | Optical information recording medium, method and apparatus for recording and reproducing for the same |
| JP4836910B2 (ja) * | 2006-10-02 | 2011-12-14 | パナソニック株式会社 | 光学的情報記録媒体とその記録再生方法及び記録再生装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5894144A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-04 | Fujitsu Ltd | 記録媒体 |
| JPS58189850A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記録媒体およびその製造方法 |
| JPS58203094A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記録用媒体 |
| JPS592245A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録デイスクの製造方法 |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP59264129A patent/JPS61141591A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5894144A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-04 | Fujitsu Ltd | 記録媒体 |
| JPS58189850A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記録媒体およびその製造方法 |
| JPS58203094A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記録用媒体 |
| JPS592245A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録デイスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61141591A (ja) | 1986-06-28 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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