JPS6143595A - 光学的記録用媒体 - Google Patents
光学的記録用媒体Info
- Publication number
- JPS6143595A JPS6143595A JP59166243A JP16624384A JPS6143595A JP S6143595 A JPS6143595 A JP S6143595A JP 59166243 A JP59166243 A JP 59166243A JP 16624384 A JP16624384 A JP 16624384A JP S6143595 A JPS6143595 A JP S6143595A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pyridine
- discharge
- substrate
- film
- recording medium
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/251—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials dispersed in an organic matrix
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はレーザビームを照射して局部的に加熱し、その
加熱部に穴もしくは凸部を形成することによって記録す
る光学記録用媒体に関するものである。
加熱部に穴もしくは凸部を形成することによって記録す
る光学記録用媒体に関するものである。
(従来の技術)
基板上に形成された薄膜にレーザビームを照射して、ビ
ットを形成するようにした光学的記録用媒体として、従
来より’re を使用することが知られている。Te
は低融点、低熱伝導度を有する為に、上記方法による記
録において高い感度を示す。しかし、Teは酸化され易
く、酸化されると透明になシ記録が出来なくなるという
問題がある。
ットを形成するようにした光学的記録用媒体として、従
来より’re を使用することが知られている。Te
は低融点、低熱伝導度を有する為に、上記方法による記
録において高い感度を示す。しかし、Teは酸化され易
く、酸化されると透明になシ記録が出来なくなるという
問題がある。
上記問題点を改良したものとして、Te f合金化した
もの、Teの低酸化物、 Te を有機膜中に分散さ
せたもの等がある。(たとえば、特開昭タ3−3110
グ号公報、特開昭!♂−j’133♂号公報、特開昭!
7−9♂39グ号公報)。
もの、Teの低酸化物、 Te を有機膜中に分散さ
せたもの等がある。(たとえば、特開昭タ3−3110
グ号公報、特開昭!♂−j’133♂号公報、特開昭!
7−9♂39グ号公報)。
(発明の目的)
我々は、鋭意検討した結果、ピリジン類放電重合膜中に
Teを分散させることにより、Teの高感度を保ちつつ
、上述したTeの経時不安定性の問題を解決できること
を見出し、本発明に到達したものである。
Teを分散させることにより、Teの高感度を保ちつつ
、上述したTeの経時不安定性の問題を解決できること
を見出し、本発明に到達したものである。
すなわち、本発明の要旨は、基板と、この基板上に被着
されたTeを含むピリジン類放電重合膜とからなること
を特徴とする光学的記録用媒体にある。
されたTeを含むピリジン類放電重合膜とからなること
を特徴とする光学的記録用媒体にある。
(問題点を解決するための手段)
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明に係る記録用媒体は、たとえばピリジン類の七ツ
マーガスを導入した真空容器中でグロー放電を行なうと
ともに、Teを蒸発させて、基板上に非晶質Teが分散
したピリジン類の放電重合膜を形成させることによシ得
られる。
マーガスを導入した真空容器中でグロー放電を行なうと
ともに、Teを蒸発させて、基板上に非晶質Teが分散
したピリジン類の放電重合膜を形成させることによシ得
られる。
ピリジン類としては、ピリジンもしくはキノリンならび
にこれらをたとえばメチル基−CH3等のアルキル基、
フェニル基等のアリール基で置換した化合物が挙げられ
る。
にこれらをたとえばメチル基−CH3等のアルキル基、
フェニル基等のアリール基で置換した化合物が挙げられ
る。
また、Teの原料としてはTe1 、又はToを含む化
合物、たとえばPbTs、MoTe2.Teo□が用い
られ、さらにBi、Se 等を含む[ヒ合物を他成分
として目的に応じ加えることもできる。
合物、たとえばPbTs、MoTe2.Teo□が用い
られ、さらにBi、Se 等を含む[ヒ合物を他成分
として目的に応じ加えることもできる。
基板としては、ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボネー
トa脂等のプラスチック′、又はアルミニウム等の金属
が挙げられ、その厚みは一般に/〜/、j 1llli
程度から選ばれる。
トa脂等のプラスチック′、又はアルミニウム等の金属
が挙げられ、その厚みは一般に/〜/、j 1llli
程度から選ばれる。
グロー放電に際しては、高周波法又は直流法の常法によ
ることができ、ラジカル及びイオン種を生成させること
によシ、ピリジン類の放電重合膜が形成さnる。基板温
度は、室温ないし基板の軟化点未満に保持される。
ることができ、ラジカル及びイオン種を生成させること
によシ、ピリジン類の放電重合膜が形成さnる。基板温
度は、室温ないし基板の軟化点未満に保持される。
Te1 を含むピリジン類放電重合膜の厚みは、通常!
OA〜/μ程度、好ましくは200〜にθOOA程度で
ある。
OA〜/μ程度、好ましくは200〜にθOOA程度で
ある。
このようにして’reを蒸着さもると、ピリジン類の放
電重合膜がToの活性化点をふさぎ、経時安定性を増す
ことができる。ここで上記方法によって得られた膜に熱
処理を施し、結晶化したTeが分散したどりジン類の放
電重合膜とすることもできる。
電重合膜がToの活性化点をふさぎ、経時安定性を増す
ことができる。ここで上記方法によって得られた膜に熱
処理を施し、結晶化したTeが分散したどりジン類の放
電重合膜とすることもできる。
以下、図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。
第一図は本発明に係る光学記録用媒体の製造のための装
置の一例であシ、図中(3)は反応容器、(4)i−1
:ピリジン類ガス導入口、(5)は基板、(6)は高周
波コイル、(7)は’re蒸着用抵抗加熱器、(8)は
膜厚モニター、(9)はシャッター、α0)は排気口で
ある。ピリジン類の放電重合膜の作製は、反応容器(3
)を10”−fi TOrr台まで排気した後、ピリジ
ン頚ガスを導入口(4)よシ導入し、反応容器(3)の
内祝を1x10−5〜jX#7−3Torrとなるよう
にする。ガス導入後、高周波コイル(6)に高周波を印
加し放電を起こさせる。これと同時に蒸着用抵抗加熱器
(7)からTeを蒸発させ、基板(5)上[Teを含む
ピリジン類放電重合膜が得られる。Teの蒸発量は膜厚
モニター(8)で監視する。Teの含有量はTe の
蒸着速度、あるいは重合条件を変えることによるピリジ
ン類放電重合膜の成膜速度の三者のうちいずれかを変え
ることによシ制御できる。得られた膜が半導体レーザの
波長で十分な吸収を示すように、’re含有量は!θV
OI%以上であるのが好ましい。
置の一例であシ、図中(3)は反応容器、(4)i−1
:ピリジン類ガス導入口、(5)は基板、(6)は高周
波コイル、(7)は’re蒸着用抵抗加熱器、(8)は
膜厚モニター、(9)はシャッター、α0)は排気口で
ある。ピリジン類の放電重合膜の作製は、反応容器(3
)を10”−fi TOrr台まで排気した後、ピリジ
ン頚ガスを導入口(4)よシ導入し、反応容器(3)の
内祝を1x10−5〜jX#7−3Torrとなるよう
にする。ガス導入後、高周波コイル(6)に高周波を印
加し放電を起こさせる。これと同時に蒸着用抵抗加熱器
(7)からTeを蒸発させ、基板(5)上[Teを含む
ピリジン類放電重合膜が得られる。Teの蒸発量は膜厚
モニター(8)で監視する。Teの含有量はTe の
蒸着速度、あるいは重合条件を変えることによるピリジ
ン類放電重合膜の成膜速度の三者のうちいずれかを変え
ることによシ制御できる。得られた膜が半導体レーザの
波長で十分な吸収を示すように、’re含有量は!θV
OI%以上であるのが好ましい。
第1図は上記のようにして得られる本発明による光記録
媒体の構成である。図中(1)はポリメチルメタアクリ
レート(PMMA)基板、(2)は’re含有ピリジン
類放電重合膜である。
媒体の構成である。図中(1)はポリメチルメタアクリ
レート(PMMA)基板、(2)は’re含有ピリジン
類放電重合膜である。
本発明に係る記録用媒体は、上記のように基板上に上記
放電重合膜を形成させてなるが、第7図における基板(
1)と重合膜(2)の間に、記録感度の向上、基板表面
の改質、孔形状の向上等のために、たとえばジアゾ系有
機染料(蒸着)、Te を含まないピリジン類放電重合
膜等を下引層として設けることもでき、さらには、記録
媒体の保護のために重合膜2上にたとえば無定形5in
2. MgF2膜等を保護膜として設けることもできる
。
放電重合膜を形成させてなるが、第7図における基板(
1)と重合膜(2)の間に、記録感度の向上、基板表面
の改質、孔形状の向上等のために、たとえばジアゾ系有
機染料(蒸着)、Te を含まないピリジン類放電重合
膜等を下引層として設けることもでき、さらには、記録
媒体の保護のために重合膜2上にたとえば無定形5in
2. MgF2膜等を保護膜として設けることもできる
。
本発明に係る光学的記録用媒体は、光デイスク記録媒体
として有用であり、レーザービームを照射して加熱する
ことによシ、穴をあけ、もしくは凸部を形成させ、又は
相変態を利用して記録を行なうことができる。
として有用であり、レーザービームを照射して加熱する
ことによシ、穴をあけ、もしくは凸部を形成させ、又は
相変態を利用して記録を行なうことができる。
(発明の効果)
本発明に係る記録用媒体は、Teの感度特注を従来と同
等以上に保持しつつ、経時安定性を向上しうる。
等以上に保持しつつ、経時安定性を向上しうる。
(実施例)
以下、実施例によシ本発明を更に詳しく説明するが、本
発明が実施例のみに限定されるものでないことは勿論の
ことである。
発明が実施例のみに限定されるものでないことは勿論の
ことである。
実施例/
真空容器をJ X 10= Torr まで排気した
後、ピリジンモノマーガスをs x 10−4 T O
r r 導入L/ 1コイル状の電極に/ 3.66
MHzの高周波電圧を印加して放電を行なうとともにT
eをモリブデンボートから蒸発させ、基板上に’re含
有ピリジン放電重合膜を形成させる。基板としてポリメ
チルメタアクリレート(PMMA)を用い、ピリジンモ
ノマーガス流量j8ccms放電電力100W、Te蒸
着速度約4t00A/−で7分間放電を行なうと、基板
上に膜厚的9t!OAのTeを含有したピリジン放電重
合膜が形成された。
後、ピリジンモノマーガスをs x 10−4 T O
r r 導入L/ 1コイル状の電極に/ 3.66
MHzの高周波電圧を印加して放電を行なうとともにT
eをモリブデンボートから蒸発させ、基板上に’re含
有ピリジン放電重合膜を形成させる。基板としてポリメ
チルメタアクリレート(PMMA)を用い、ピリジンモ
ノマーガス流量j8ccms放電電力100W、Te蒸
着速度約4t00A/−で7分間放電を行なうと、基板
上に膜厚的9t!OAのTeを含有したピリジン放電重
合膜が形成された。
PMMA基板上に成膜したものに、波長♂°3θnmの
半導体レーザにより記録したところ、Te単独膜に比べ
て2〜3倍の感度を示した。
半導体レーザにより記録したところ、Te単独膜に比べ
て2〜3倍の感度を示した。
また安定性の面では、60°Cgo%RH中に保存し反
射率低下を測定したところ、’re単独膜では/週間で
初期値の73%に低下するが、上記方法により得られた
膜では反射率低下はみもれなかった。
射率低下を測定したところ、’re単独膜では/週間で
初期値の73%に低下するが、上記方法により得られた
膜では反射率低下はみもれなかった。
実施例コ
真空容器を3×10−’ TOrr まで排気した後、
ピリジンモノマーガスを6×1O−5Torr導入し、
電極に高周波電圧を印加して放電を行なうとともに’r
eを蒸発させ、基板上にTθ含有ピリジン放電重合膜を
形成させる。基板としてPMMAr、r 用い、ピリジ
ンモノマーガス流量/ sccms放電電力/θ0W、
Te蒸着速度約1000^/−で/、6分放電を行なう
と基板上に膜厚的/!00^のTeを含有したピリジン
放電重合膜が形成された。pMMA基板上に成膜したも
のに半導体レーザによシ記録したところ、Te単独膜に
比べて2倍の感度を示した。この膜では凸部による記録
が行なえた。また、安定性の面では、乙0°C1l0%
RH中に2週間保存した後でも反射率の低下はみもれな
かった。
ピリジンモノマーガスを6×1O−5Torr導入し、
電極に高周波電圧を印加して放電を行なうとともに’r
eを蒸発させ、基板上にTθ含有ピリジン放電重合膜を
形成させる。基板としてPMMAr、r 用い、ピリジ
ンモノマーガス流量/ sccms放電電力/θ0W、
Te蒸着速度約1000^/−で/、6分放電を行なう
と基板上に膜厚的/!00^のTeを含有したピリジン
放電重合膜が形成された。pMMA基板上に成膜したも
のに半導体レーザによシ記録したところ、Te単独膜に
比べて2倍の感度を示した。この膜では凸部による記録
が行なえた。また、安定性の面では、乙0°C1l0%
RH中に2週間保存した後でも反射率の低下はみもれな
かった。
実施例3
真空容器を3×1O−6Torr iで排気した後、キ
ノリンモノマーガスを!×10−” Torr 導入
し、電極に高周波電圧を印加して放電を行なうとともに
Teを蒸発させ、基板上にTo含有キノリン放電重合膜
を形成させる。基板としてPMMAを用い、キノリンモ
ノマーガス流量tsccm、放電電力100W% Te
蒸着速度J’ 00 A / mtnで73秒間放電
を行なうと、基板上に膜厚的300AのTeを含有した
キノリン放電重合膜が形成される。PMMA基板上に成
膜したものに半導体レーザによシ記録したところ、Te
単独膜に比べて2倍の感度を示した。また、安定性の面
では、60℃、?/%RH中に2週間保存後で、反射率
の初期値からの低下はl0%であった。
ノリンモノマーガスを!×10−” Torr 導入
し、電極に高周波電圧を印加して放電を行なうとともに
Teを蒸発させ、基板上にTo含有キノリン放電重合膜
を形成させる。基板としてPMMAを用い、キノリンモ
ノマーガス流量tsccm、放電電力100W% Te
蒸着速度J’ 00 A / mtnで73秒間放電
を行なうと、基板上に膜厚的300AのTeを含有した
キノリン放電重合膜が形成される。PMMA基板上に成
膜したものに半導体レーザによシ記録したところ、Te
単独膜に比べて2倍の感度を示した。また、安定性の面
では、60℃、?/%RH中に2週間保存後で、反射率
の初期値からの低下はl0%であった。
第1図は、本発明に係る記録用媒体の構成例を示し、第
2図は、本発明に係る記録用媒体の製造のだめの装置の
一例を示す。 図中(1)は基板、(2)は放電重合膜、(3)は反応
容器、(4)はガス導入口、(5)は基板、(6)は高
周波コイル、(7)はTe蒸着用抵抗加熱器をそれぞれ
示す。
2図は、本発明に係る記録用媒体の製造のだめの装置の
一例を示す。 図中(1)は基板、(2)は放電重合膜、(3)は反応
容器、(4)はガス導入口、(5)は基板、(6)は高
周波コイル、(7)はTe蒸着用抵抗加熱器をそれぞれ
示す。
Claims (1)
- (1)基板と、この基板上に被着されたTe(テルル)
を含むピリジン類放電重合膜とからなることを特徴とす
る光学的記録用媒体
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59166243A JPS6143595A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 光学的記録用媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59166243A JPS6143595A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 光学的記録用媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6143595A true JPS6143595A (ja) | 1986-03-03 |
Family
ID=15827762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59166243A Pending JPS6143595A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 光学的記録用媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6143595A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5160179A (en) * | 1989-11-20 | 1992-11-03 | Ckd Corporation | Pipe coupler with split ring chuck |
-
1984
- 1984-08-08 JP JP59166243A patent/JPS6143595A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5160179A (en) * | 1989-11-20 | 1992-11-03 | Ckd Corporation | Pipe coupler with split ring chuck |
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