JPH05299951A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05299951A JPH05299951A JP4130113A JP13011392A JPH05299951A JP H05299951 A JPH05299951 A JP H05299951A JP 4130113 A JP4130113 A JP 4130113A JP 13011392 A JP13011392 A JP 13011392A JP H05299951 A JPH05299951 A JP H05299951A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- inductance
- capacitor
- transistor
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波パワートランジスタの出力側整合回路
を構成するインダクタンスのバラツキをなくして、整合
性を安定に保って出力パワーの歩留りを良くする。 【構成】 トランジスタチップ１をマウントするための
電極３とパワー出力導出用の電極７との各一部に、等価
インダクタンス８，９を構成するパターンを直接形成す
る。これ等電極３，７とコンデンサ４とを互いに直接接
続し、バラツキの要因となるワイヤをなくす。 【効果】 接続用のワイヤをなくしたので、ワイヤの長
さや、高さのバラツキによる整合インダクタンスのバラ
ツキがなくなる。これにより、出力パワーの安定性が良
好となり、製造歩留りが向上する。
を構成するインダクタンスのバラツキをなくして、整合
性を安定に保って出力パワーの歩留りを良くする。 【構成】 トランジスタチップ１をマウントするための
電極３とパワー出力導出用の電極７との各一部に、等価
インダクタンス８，９を構成するパターンを直接形成す
る。これ等電極３，７とコンデンサ４とを互いに直接接
続し、バラツキの要因となるワイヤをなくす。 【効果】 接続用のワイヤをなくしたので、ワイヤの長
さや、高さのバラツキによる整合インダクタンスのバラ
ツキがなくなる。これにより、出力パワーの安定性が良
好となり、製造歩留りが向上する。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は半導体装置に関し、特に高周波パ
ワートランジスタのコレクタ出力側内部整合回路の構造
に関するものである。
ワートランジスタのコレクタ出力側内部整合回路の構造
に関するものである。
【０００２】
【従来技術】高周波用のパワートランジスタの出力側内
部整合回路は図１（Ａ）に示す等価回路により構成され
るのが一般的である。この等価回路を実現するために、
従来では図２（Ａ），（Ｂ）に示す構造が採用されてい
る。図２（Ａ）はその平面図であり、（Ｂ）はその側面
図であり、図１（Ａ）と同等部分は同一符号により示し
ている。
部整合回路は図１（Ａ）に示す等価回路により構成され
るのが一般的である。この等価回路を実現するために、
従来では図２（Ａ），（Ｂ）に示す構造が採用されてい
る。図２（Ａ）はその平面図であり、（Ｂ）はその側面
図であり、図１（Ａ）と同等部分は同一符号により示し
ている。
【０００３】先ず、等価回路について図１（Ａ）を参照
して説明する。高周波パワートランジスタ１のコレクタ
出力３はインダクタンス８を介してコンデンサ４の一電
極１１へ接続されると共に、同じくインダクタンス８を
介して他のインダクタンス９へ接続され、このインダク
タンス９を介してパワー出力が導出されている。コンデ
ンサ４の他電極１０は接地されている。
して説明する。高周波パワートランジスタ１のコレクタ
出力３はインダクタンス８を介してコンデンサ４の一電
極１１へ接続されると共に、同じくインダクタンス８を
介して他のインダクタンス９へ接続され、このインダク
タンス９を介してパワー出力が導出されている。コンデ
ンサ４の他電極１０は接地されている。
【０００４】この等価回路を実現する構造について図２
（Ａ），（Ｂ）を参照して説明する。高周波パワートラ
ンジスタはトランジスタチップ１の裏面のコレクタ部が
パッケージ電極３上にマウントされて取付けられてい
る。コンデンサ４はこの電極３とは独立した別の電極６
上にマウントされており、更に、これ等電極３，６とは
別の独立した電極７が設けられて、この電極７が出力導
出用電極として用いられる。
（Ａ），（Ｂ）を参照して説明する。高周波パワートラ
ンジスタはトランジスタチップ１の裏面のコレクタ部が
パッケージ電極３上にマウントされて取付けられてい
る。コンデンサ４はこの電極３とは独立した別の電極６
上にマウントされており、更に、これ等電極３，６とは
別の独立した電極７が設けられて、この電極７が出力導
出用電極として用いられる。
【０００５】インダクタンス８，９はＡu 線ワイヤから
なり、インダクタンス８は電気３とコンデンサ４の上部
電極１１との間のワイヤにより形成される。インダクタ
ンス９は電極３と電極７との間のワイヤにより形成され
る。尚、２，５はマウント用ハンダを示しており、１０
はコンデンサ４の下部電極を示す。
なり、インダクタンス８は電気３とコンデンサ４の上部
電極１１との間のワイヤにより形成される。インダクタ
ンス９は電極３と電極７との間のワイヤにより形成され
る。尚、２，５はマウント用ハンダを示しており、１０
はコンデンサ４の下部電極を示す。
【０００６】この様な従来の出力側内部整合回路構造で
は、Ａu ワイヤをインダクタンスとして使用しているの
で、その長さ及び高さが製造時にばらつくことになり、
よってインダクタンス８，９の各値がばらつき、整合さ
れるインダクタンスに良否のばらつきを生じることにな
る。そのため、出力されるパワーがこの整合の良否によ
って大きく影響を受け、製造時の歩留りを低下させると
いう欠点がある。
は、Ａu ワイヤをインダクタンスとして使用しているの
で、その長さ及び高さが製造時にばらつくことになり、
よってインダクタンス８，９の各値がばらつき、整合さ
れるインダクタンスに良否のばらつきを生じることにな
る。そのため、出力されるパワーがこの整合の良否によ
って大きく影響を受け、製造時の歩留りを低下させると
いう欠点がある。
【０００７】
【発明の目的】そこで、本発明はかかる従来技術の欠点
を解消すべくなされたものであって、その目的とすると
ころは、等価インダクタンスの値の製造時におけるばら
つきをなくして、歩留り向上を図るようにした半導体装
置を提供することである。
を解消すべくなされたものであって、その目的とすると
ころは、等価インダクタンスの値の製造時におけるばら
つきをなくして、歩留り向上を図るようにした半導体装
置を提供することである。
【０００８】
【発明の構成】本発明による半導体装置は、トランジス
タチップと、このチップの裏面のコレクタ部がマウント
されかつ等価インダクタンスを構成するパターン部が一
部に形成された第１の電極と、一対の電極を有しその一
方の電極が前記等価インダクタンスを有する第１の電極
に直接接続されたコンデンサと、前記一方の電極に直接
接続され等価インダクタンスを構成するパターン部が一
部に形成された第２の電極とを含むことを特徴とする。
タチップと、このチップの裏面のコレクタ部がマウント
されかつ等価インダクタンスを構成するパターン部が一
部に形成された第１の電極と、一対の電極を有しその一
方の電極が前記等価インダクタンスを有する第１の電極
に直接接続されたコンデンサと、前記一方の電極に直接
接続され等価インダクタンスを構成するパターン部が一
部に形成された第２の電極とを含むことを特徴とする。
【０００９】
【実施例】以下に、図面を用いて本発明の実施例につい
て詳述する。
て詳述する。
【００１０】図１は本発明の実施例を示す図であり、
（Ａ）は等価回路図、（Ｂ）は平面図、（Ｃ）は側面図
を夫々示す。尚、図２と同等部分は同一符号により示し
ている。 トランジスタチップ１の裏面のコレクタ部は
電極３上にハンダ２によりマウントされており、この電
極３には直接等価インダクタンス８を形成するパターン
部が設けられている。このパターン部は図示する如く、
電極３に複数の矩形状孔部を並設して設け、これ等孔部
の間に残る細い電極部材の部分を等価インダクタンス８
として利用するようになっている。
（Ａ）は等価回路図、（Ｂ）は平面図、（Ｃ）は側面図
を夫々示す。尚、図２と同等部分は同一符号により示し
ている。 トランジスタチップ１の裏面のコレクタ部は
電極３上にハンダ２によりマウントされており、この電
極３には直接等価インダクタンス８を形成するパターン
部が設けられている。このパターン部は図示する如く、
電極３に複数の矩形状孔部を並設して設け、これ等孔部
の間に残る細い電極部材の部分を等価インダクタンス８
として利用するようになっている。
【００１１】コンデンサ４の一対の電極のうち上部電極
１１はコンデンサ４の上面の他に両側面、更には裏面の
一部にまで延伸して被着された構造となっている。下部
電極１０はコンデンサ裏面において上部電極１１の裏面
部に達した部分とは離間して設けられており、この下部
電極１０がハンダ５により電極６上にマウントして取付
けられている。
１１はコンデンサ４の上面の他に両側面、更には裏面の
一部にまで延伸して被着された構造となっている。下部
電極１０はコンデンサ裏面において上部電極１１の裏面
部に達した部分とは離間して設けられており、この下部
電極１０がハンダ５により電極６上にマウントして取付
けられている。
【００１２】この上部電極１１と等価インダクタンス８
を有する電極３とが接続されるが、この場合電極１１は
直接電極３の先端部（トランジスタチップ１がマウント
されている他端部と対向する先端部であり、この他端部
と先端部との間にインダクタンス８が存在する様な構造
とされる）に直接ハンダ５を介して接続される。そのた
めに、コンデンサ４の上部電極１１を側面及び裏面の一
部へ延伸して被着形成しており、この裏面の一部に被着
されている電極部分が電極３の先端部にマウントされ
る。
を有する電極３とが接続されるが、この場合電極１１は
直接電極３の先端部（トランジスタチップ１がマウント
されている他端部と対向する先端部であり、この他端部
と先端部との間にインダクタンス８が存在する様な構造
とされる）に直接ハンダ５を介して接続される。そのた
めに、コンデンサ４の上部電極１１を側面及び裏面の一
部へ延伸して被着形成しており、この裏面の一部に被着
されている電極部分が電極３の先端部にマウントされ
る。
【００１３】電極７にも、電極３と同様に等価インダク
タンス９が形成されており、電極３の等価インダクタン
ス８の形成パターンと同様なパターンが設けられてい
る。この電極７の先端部とコンデンサ４の上部電極１１
とがハンダ５により直接接続されるが、この接続も、先
に説明した電極３との接続と同様な方法によって行われ
ている。
タンス９が形成されており、電極３の等価インダクタン
ス８の形成パターンと同様なパターンが設けられてい
る。この電極７の先端部とコンデンサ４の上部電極１１
とがハンダ５により直接接続されるが、この接続も、先
に説明した電極３との接続と同様な方法によって行われ
ている。
【００１４】そして、電極７の他端部（コンデンサ４に
接続されている先端部とは等価インダクタンス９を挟ん
で対向する部分）からパワー出力が導出されるようにな
っている。
接続されている先端部とは等価インダクタンス９を挟ん
で対向する部分）からパワー出力が導出されるようにな
っている。
【００１５】等価インダクタンス８，９を電極３，７の
一部にパターンとして予め形成する構造としているため
に、設計どうりのインダクタンス値が全て均一に得られ
ることになり、製造時のばらつきがなくなるのである。
一部にパターンとして予め形成する構造としているため
に、設計どうりのインダクタンス値が全て均一に得られ
ることになり、製造時のばらつきがなくなるのである。
【００１６】
【発明の効果】叙上の如く、本発明によれば、電極部内
にインダクタンスを得るためのパターンを予め形成し、
電極をインダクタンスとして共用動作させるようにした
ので、Ａu ワイヤ線を用いる必要がなくなって、出力整
合状態が一定で安定となり、出力パワーの製造歩留りが
向上するという効果がある。
にインダクタンスを得るためのパターンを予め形成し、
電極をインダクタンスとして共用動作させるようにした
ので、Ａu ワイヤ線を用いる必要がなくなって、出力整
合状態が一定で安定となり、出力パワーの製造歩留りが
向上するという効果がある。
【図１】本発明の実施例を示す図であり、（Ａ）はその
等価回路図、（Ｂ）はその平面図、（Ｃ）はその側面図
である。
等価回路図、（Ｂ）はその平面図、（Ｃ）はその側面図
である。
【図２】従来の半導体装置を示す図であり、（Ａ）はそ
の平面図、（Ｂ）はその側面図である。
の平面図、（Ｂ）はその側面図である。
１ トランジスタチップ ２，５ ハンダ ３，６，７ 電極 ４ コンデンサ ８，９ インダクタンス １０ コンデンサの下部電極 １１ コンデンサの上部電極
Claims (3)
- 【請求項１】 トランジスタチップと、このチップの裏
面のコレクタ部がマウントされかつ等価インダクタンス
を構成するパターン部が一部に形成された第１の電極
と、一対の電極を有しその一方の電極が前記等価インダ
クタンスを有する第１の電極に直接接続されたコンデン
サと、前記一方の電極に直接接続され等価インダクタン
スを構成するパターン部が一部に形成された第２の電極
とを含むことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記第１及び第２の電極の一部に夫々形
成された等価インダクタンスは、各電極の幅を小とした
パターン部からなることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置。 - 【請求項３】 前記トランジスタは高周波用パワートラ
ンジスタであり、前記等価インダクタンス及び前記コン
デンサにより前記トランジスタの出力側内部整合回路を
構成していることを特徴とする請求項１または２記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4130113A JPH05299951A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4130113A JPH05299951A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299951A true JPH05299951A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=15026266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4130113A Pending JPH05299951A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299951A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100841119B1 (ko) * | 2005-07-26 | 2008-06-24 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 반도체 전력 디바이스 및 광대역 고주파 (ｒｆ) 신호증폭기 |
-
1992
- 1992-04-23 JP JP4130113A patent/JPH05299951A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100841119B1 (ko) * | 2005-07-26 | 2008-06-24 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 반도체 전력 디바이스 및 광대역 고주파 (ｒｆ) 신호증폭기 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0425036A (ja) | マイクロ波半導体装置 | |
| JP2003163310A (ja) | 高周波半導体装置 | |
| JPS5972757A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2728322B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05299951A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63202948A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPS63197346A (ja) | 高周波半導体装置 | |
| JPH0697203A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04296103A (ja) | 高周波半導体混成集積回路装置 | |
| JPH05211279A (ja) | 混成集積回路 | |
| JPS6010081Y2 (ja) | マイクロ波集積回路 | |
| JPH06260857A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0214558A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS5814607Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3316556B2 (ja) | 圧電共振子 | |
| JPH04237179A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2751956B2 (ja) | 半導体装置に用いるリードフレーム | |
| JPS6142149A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2541336B2 (ja) | 集積回路装置の接続方法 | |
| JPH053229A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63203001A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06260563A (ja) | トランジスタ用パッケージ | |
| JPS60157240A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5861652A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01286383A (ja) | 混成集積回路装置 |