JPH0526876B2 - - Google Patents
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- JPH0526876B2 JPH0526876B2 JP60087453A JP8745385A JPH0526876B2 JP H0526876 B2 JPH0526876 B2 JP H0526876B2 JP 60087453 A JP60087453 A JP 60087453A JP 8745385 A JP8745385 A JP 8745385A JP H0526876 B2 JPH0526876 B2 JP H0526876B2
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Landscapes
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電解酸化法によるアミニウム塩の製法
に関する。更に詳しくは電解酸化法によるN,
N,N′,N′−テトラキス(p−ジアルキルアミ
ノフエニル)−p−フエニレンジアミン類のアミ
ニウム塩の製造法に関する。
に関する。更に詳しくは電解酸化法によるN,
N,N′,N′−テトラキス(p−ジアルキルアミ
ノフエニル)−p−フエニレンジアミン類のアミ
ニウム塩の製造法に関する。
従来の技術
N,N,N′,N′−テトラキス(p−ジアルキ
ルアミノフエニル)−p−フエニレンジアミン類
のアミニウム塩は赤外領域に強い吸収を示すので
赤外線吸収剤として多用されている。
ルアミノフエニル)−p−フエニレンジアミン類
のアミニウム塩は赤外領域に強い吸収を示すので
赤外線吸収剤として多用されている。
N,N,N′,N′−テトラキス(p−ジアルキ
ルアミノフエニル)−p−フエニレンジアミン類
のアミニウム塩は一般的にはヘキサフロロアンチ
モン酸銀又は過塩素酸を用いて銀の酸化力を利用
する化学的酸化法で製造されている。例えば特公
昭43−25335にはヘキサフロロアンチモン酸銀を
用いるN,N,N′,N′−テトキラス(p−ジア
ルキルアミノフエニル)−p−フエニレンジアミ
ン類の製法の記載がある。
ルアミノフエニル)−p−フエニレンジアミン類
のアミニウム塩は一般的にはヘキサフロロアンチ
モン酸銀又は過塩素酸を用いて銀の酸化力を利用
する化学的酸化法で製造されている。例えば特公
昭43−25335にはヘキサフロロアンチモン酸銀を
用いるN,N,N′,N′−テトキラス(p−ジア
ルキルアミノフエニル)−p−フエニレンジアミ
ン類の製法の記載がある。
なお特公昭46−5810には電解酸化法によるN,
N,N′,N′−テトラフエニル−p−P−フエニ
ル−ベンゾキノンビスイモニウムヘキサフルオロ
アンチモン酸ナトリウムの製法の記載があるが
N,N,N′,N′−テトラキス(p−ジアルキル
アミノフエニル)−p−フエニレンジアミン類の
アミニウム塩の製法に関する記載はない。又同方
法による場合は使用するヘキサフルオロアンチモ
ン酸ナトリウムが還元されて金属状ナトリウムが
陰極に付着して生産効率を下げるという欠点があ
る。
N,N′,N′−テトラフエニル−p−P−フエニ
ル−ベンゾキノンビスイモニウムヘキサフルオロ
アンチモン酸ナトリウムの製法の記載があるが
N,N,N′,N′−テトラキス(p−ジアルキル
アミノフエニル)−p−フエニレンジアミン類の
アミニウム塩の製法に関する記載はない。又同方
法による場合は使用するヘキサフルオロアンチモ
ン酸ナトリウムが還元されて金属状ナトリウムが
陰極に付着して生産効率を下げるという欠点があ
る。
発明が解決しようとする問題点
銀の化合物を使用する前記したような化学的方
法においては高価な銀化合物の使用を必要とする
ので製造コストが必然的に高価になる。又、反応
の結果、生成する金属銀は過等の操作で取り除
くことが必要であり、生産性低下の原因となる。
さらには製品中に微量でも銀が混入すると赤外線
吸収剤としての品質低下を招くので金属銀が製品
中に混入しないように特別な配慮が必要である。
なお金属塩を用いる電解法は陰極への金属析出が
生じ生産効率の低下はさけられない。
法においては高価な銀化合物の使用を必要とする
ので製造コストが必然的に高価になる。又、反応
の結果、生成する金属銀は過等の操作で取り除
くことが必要であり、生産性低下の原因となる。
さらには製品中に微量でも銀が混入すると赤外線
吸収剤としての品質低下を招くので金属銀が製品
中に混入しないように特別な配慮が必要である。
なお金属塩を用いる電解法は陰極への金属析出が
生じ生産効率の低下はさけられない。
問題点を解決する為の手段
N,N,N′,N′−テトラキス(p−ジアルキ
ルアミノ)−p−フエニレンジアミン類のアミニ
ウム塩を製造するにあたつて前記したような欠点
のない製法を見出すべく鋭意研究を重ねた結果本
発明を完成させた。即ち本発明は式(1)で (式(1)中R1〜8はアルキル基を示す) で表わされる化合物を隔膜を有する電解槽を用い
極性有機溶媒中ヘキサフロロアンチモン酸又は過
塩素酸の存在下電解酸化することを特徴とする式
(2) (式(2)R1〜8はアルキル基、AはSbF6、ClO4を示
す。) で表わされるアミニウム塩の製法を提供するもの
である。
ルアミノ)−p−フエニレンジアミン類のアミニ
ウム塩を製造するにあたつて前記したような欠点
のない製法を見出すべく鋭意研究を重ねた結果本
発明を完成させた。即ち本発明は式(1)で (式(1)中R1〜8はアルキル基を示す) で表わされる化合物を隔膜を有する電解槽を用い
極性有機溶媒中ヘキサフロロアンチモン酸又は過
塩素酸の存在下電解酸化することを特徴とする式
(2) (式(2)R1〜8はアルキル基、AはSbF6、ClO4を示
す。) で表わされるアミニウム塩の製法を提供するもの
である。
本発明において原料として用いられる式(1)で示
されるアミン類の具体的な例としては、次のもの
が挙げられる。
されるアミン類の具体的な例としては、次のもの
が挙げられる。
又本発明の方法で使用される極性有機溶剤とし
てはDMFが最も好ましいがメタノール、エタノ
ール、ブタノール、プロパノール、イソプロパノ
ール等のアルコール類、アセトン、メチルイソブ
チルケトン、メチルエチルケトン等のケトン類の
他にメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、
DMSO、ジメチルアセトアミド、N−メチルピ
ロリドン、ピリジン、或はそれらの混合物が使用
出来る。その使用量は反応基質に対して1〜50倍
(重量比)である。又それらの溶媒は少量の水を
含んでいてもよい。電解槽は隔膜で陽極と陰極を
隔離した2室型のものが使用される、隔膜材料と
しては半融ガラス、石綿、素焼板、「ナフイオン」
(イオン交換樹脂膜、Dupont社製)「セレミオン」
(イオン交換樹脂膜、旭ガラス製)等が使用され
る。電極材料は陽極としては、炭素、白金、白金
メツキされたもの(例えばチタンに白金メツキし
たもの)金、「DSE」(酸化ルテニウム系電極、
ペルメレツクス電極株式会社製)等であり、陰極
としては白金、白金メツキしたもの(例えばチタ
ンに白金メツキしたもの)、銀、鉛、銅、鉄、ニ
ツケル、ステンレス鋼等が使用される。
てはDMFが最も好ましいがメタノール、エタノ
ール、ブタノール、プロパノール、イソプロパノ
ール等のアルコール類、アセトン、メチルイソブ
チルケトン、メチルエチルケトン等のケトン類の
他にメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、
DMSO、ジメチルアセトアミド、N−メチルピ
ロリドン、ピリジン、或はそれらの混合物が使用
出来る。その使用量は反応基質に対して1〜50倍
(重量比)である。又それらの溶媒は少量の水を
含んでいてもよい。電解槽は隔膜で陽極と陰極を
隔離した2室型のものが使用される、隔膜材料と
しては半融ガラス、石綿、素焼板、「ナフイオン」
(イオン交換樹脂膜、Dupont社製)「セレミオン」
(イオン交換樹脂膜、旭ガラス製)等が使用され
る。電極材料は陽極としては、炭素、白金、白金
メツキされたもの(例えばチタンに白金メツキし
たもの)金、「DSE」(酸化ルテニウム系電極、
ペルメレツクス電極株式会社製)等であり、陰極
としては白金、白金メツキしたもの(例えばチタ
ンに白金メツキしたもの)、銀、鉛、銅、鉄、ニ
ツケル、ステンレス鋼等が使用される。
電解酸化は任意の電流密度で行われるが好まし
くは5mA/cm2〜100mA/cm2が良い。電解温度
は使用する有機溶剤によつても異なるが0〜50℃
で行うのが好ましい。通常使用する溶媒の沸点よ
り低い温度で行われる。電解酸化に必要とされる
電気量は理論量(1F/mol)で良いが薄層クロマ
トグラフイー等で反応をチエツクし必要に応じて
加減する。電解槽は電解反応中に電解系を均一に
するため適度な液流を与えるための撹拌装置を設
けたものが好ましい。ヘキサフロロアンチモン酸
は、6水和物が入手しやすく好んで使用されるが
水溶液でもかまわない。その使用量は反応基質に
対して1〜30倍モルである。又過塩素酸は取り扱
いの点より低濃度の水溶液として用いられ、その
使用量は反応基質に対して1〜30倍モルである。
くは5mA/cm2〜100mA/cm2が良い。電解温度
は使用する有機溶剤によつても異なるが0〜50℃
で行うのが好ましい。通常使用する溶媒の沸点よ
り低い温度で行われる。電解酸化に必要とされる
電気量は理論量(1F/mol)で良いが薄層クロマ
トグラフイー等で反応をチエツクし必要に応じて
加減する。電解槽は電解反応中に電解系を均一に
するため適度な液流を与えるための撹拌装置を設
けたものが好ましい。ヘキサフロロアンチモン酸
は、6水和物が入手しやすく好んで使用されるが
水溶液でもかまわない。その使用量は反応基質に
対して1〜30倍モルである。又過塩素酸は取り扱
いの点より低濃度の水溶液として用いられ、その
使用量は反応基質に対して1〜30倍モルである。
本発明の方法によつて化学的方法におけるよう
な製品中への銀の混入のおそれのない式(2)で表わ
されるアミニウム塩を効率よく得ることができ
る。
な製品中への銀の混入のおそれのない式(2)で表わ
されるアミニウム塩を効率よく得ることができ
る。
実施例
以下実施例により本発明を更に詳細に説明す
る。
る。
実施例 1
グラスフイルターにより陽極室と陰極室に隔離
されたH型セルの陽極室にDMF45ml、ヘキサフ
ロロアンチモン酸の6水和物4ml(0.0145モル)
N,N,N′,N′−テトラキス(p−ジn−ヘキ
シルアミノフエニル)−p−フエニレンジアミン
2.29g(0.002モル)陰極室にDMF45mlヘキサフ
ロロアンチモン酸の6水和物4mlを加え、次に
1.5×2cmの白金板を陽、陰極両室に設ける。温
度38℃端子間電圧36〜38Vで撹拌下に電流値50m
Aで203クーロンの電気量を流し電解酸化した。
その後炭酸ナトリウム2gを加え2分間撹拌した
後水5mlを滴下し過、水洗、乾燥することによ
つて2.54g(収率92%)の緑色結晶を得た。本品
はヘキサフロロアンチモン酸銀を用いて合成した
標品と赤外吸収波形が完全に一致し(λmax950n
m、アセトン)次の構造を有することが確かめら
れた。
されたH型セルの陽極室にDMF45ml、ヘキサフ
ロロアンチモン酸の6水和物4ml(0.0145モル)
N,N,N′,N′−テトラキス(p−ジn−ヘキ
シルアミノフエニル)−p−フエニレンジアミン
2.29g(0.002モル)陰極室にDMF45mlヘキサフ
ロロアンチモン酸の6水和物4mlを加え、次に
1.5×2cmの白金板を陽、陰極両室に設ける。温
度38℃端子間電圧36〜38Vで撹拌下に電流値50m
Aで203クーロンの電気量を流し電解酸化した。
その後炭酸ナトリウム2gを加え2分間撹拌した
後水5mlを滴下し過、水洗、乾燥することによ
つて2.54g(収率92%)の緑色結晶を得た。本品
はヘキサフロロアンチモン酸銀を用いて合成した
標品と赤外吸収波形が完全に一致し(λmax950n
m、アセトン)次の構造を有することが確かめら
れた。
実施例 2
実施例1でN,N,N′,N′−テトラキス(p
−ジ−n−ヘキシルアミノフエニル)−p−フエ
ニレンジアミンの代わりにN,N,N′,N′−テ
トラキス(p−ジ−n−ブチルアミノフエニル)
−p−フエニレンジアミンを用い、同様に電解酸
化を行下記構造式の緑色結晶を収率89%で得た。
本品はλmax950nm(アセトン中)m.p.125〜133
℃であつた。
−ジ−n−ヘキシルアミノフエニル)−p−フエ
ニレンジアミンの代わりにN,N,N′,N′−テ
トラキス(p−ジ−n−ブチルアミノフエニル)
−p−フエニレンジアミンを用い、同様に電解酸
化を行下記構造式の緑色結晶を収率89%で得た。
本品はλmax950nm(アセトン中)m.p.125〜133
℃であつた。
実施例 3
実施例1と同じ装置を用いて、N,N,N′,
N′−テトラキス(p−ジ−n−ブチルアミノフ
エニル)−p−フエニレンジアミン1.84g(0.002
モル)DMF45ml、60%HClO4(0.024モル)4g
を陽極室に加える。陰極室にはDMF45mlと60%
HClO44gを加え35℃40mAで192クーロンの電
気量を流した。
N′−テトラキス(p−ジ−n−ブチルアミノフ
エニル)−p−フエニレンジアミン1.84g(0.002
モル)DMF45ml、60%HClO4(0.024モル)4g
を陽極室に加える。陰極室にはDMF45mlと60%
HClO44gを加え35℃40mAで192クーロンの電
気量を流した。
その後炭酸ナトリウム2gを加え5分間撹拌し
た後、水5mlを加え過、水洗、乾燥することで
下記構造式の緑色結晶1.80g(収率88.3%)を得
た。本品はλmax950nm(アセトン)m.p.152〜
7℃であつた。
た後、水5mlを加え過、水洗、乾燥することで
下記構造式の緑色結晶1.80g(収率88.3%)を得
た。本品はλmax950nm(アセトン)m.p.152〜
7℃であつた。
実施例 4
実施例1においてN,N,N′,N′−テトラキ
ス(p−ジ−n−ヘキシルアミノフエニル)−p
−フエニレンジアミン2.29gの代わりにN,N,
N′,N′−テトラキス(p−ジ−n−オクチルア
ミノフエニル)−p−フエニレンジアミン2.74g
を用いて実施例1と同様に電解酸化を行い次の化
合物を収率89%(λmax950nm、アセトン)でえ
た。
ス(p−ジ−n−ヘキシルアミノフエニル)−p
−フエニレンジアミン2.29gの代わりにN,N,
N′,N′−テトラキス(p−ジ−n−オクチルア
ミノフエニル)−p−フエニレンジアミン2.74g
を用いて実施例1と同様に電解酸化を行い次の化
合物を収率89%(λmax950nm、アセトン)でえ
た。
実施例 5
実施例1においてN,N,N′,N′−テトラキ
ス(p−ジ−n−ヘキシルアミノフエニル(p−
フエニレンジアミン2.29gの代わりにN,N,
N′,N′−テトラキス(p−ジメチルアミノフエ
ニル)−p−フエニレンジアミン1.17gを用いて
実施例1と同様に電解酸化を行い次の化合物を収
率88.5%(λmax950nmアセトン)で得た。
ス(p−ジ−n−ヘキシルアミノフエニル(p−
フエニレンジアミン2.29gの代わりにN,N,
N′,N′−テトラキス(p−ジメチルアミノフエ
ニル)−p−フエニレンジアミン1.17gを用いて
実施例1と同様に電解酸化を行い次の化合物を収
率88.5%(λmax950nmアセトン)で得た。
「発明の効果」
本発明の方法によつて銀の混入のないN,N,
N′,N′−テトラキス(p−ジアルキルアミノ)−
p−フエニレンジアミンのアミニウム塩を効率よ
く製造することが出来る。
N′,N′−テトラキス(p−ジアルキルアミノ)−
p−フエニレンジアミンのアミニウム塩を効率よ
く製造することが出来る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 式(1) (式(1)中R1〜8はアルキル基を示す) で表わされる化合物を隔膜を有する電解槽を用い
極性有機溶媒中、ヘキサフロロアンチモン酸又は
過塩素酸の存在下電解酸化することを特徴とする
式(2) 2 式 (式(2)中AはSbF6 -又はClO4 -を示す。R1〜8は式
(1)と同じ意味を表わす) で表わされるアミニウム塩の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60087453A JPS61246391A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | N,N,N′,N′−テトラキス(p−ジアルキルアミノ)p−フエニレンジアミンのアミニウム塩の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60087453A JPS61246391A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | N,N,N′,N′−テトラキス(p−ジアルキルアミノ)p−フエニレンジアミンのアミニウム塩の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61246391A JPS61246391A (ja) | 1986-11-01 |
JPH0526876B2 true JPH0526876B2 (ja) | 1993-04-19 |
Family
ID=13915276
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60087453A Granted JPS61246391A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | N,N,N′,N′−テトラキス(p−ジアルキルアミノ)p−フエニレンジアミンのアミニウム塩の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61246391A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06956B2 (ja) * | 1987-05-22 | 1994-01-05 | 帝国化学産業株式会社 | N,N,N’,N’―テトラキス(p―ジアルキルアミノフェニル)―p―フェニレンジアミンアミニウム塩の製造方法 |
US5436011A (en) * | 1993-04-16 | 1995-07-25 | Bristol-Myers Squibb Company | Solid pharmaceutical dosage form and a method for reducing abrasion |
US7473802B2 (en) | 2005-09-05 | 2009-01-06 | Fujifilm Corporation | Method of producing near-infrared absorbing dye compound |
JP2007070476A (ja) | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Fujifilm Corp | 近赤外線吸収色素化合物の製造方法 |
CN112117050B (zh) * | 2019-06-20 | 2021-10-29 | 广西纵览线缆集团有限公司 | 光纤复合低电压电缆 |
CN114141430B (zh) * | 2019-06-20 | 2024-07-19 | 广西纵览线缆集团有限公司 | 低收缩率复合电缆的制造工艺 |
-
1985
- 1985-04-25 JP JP60087453A patent/JPS61246391A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61246391A (ja) | 1986-11-01 |
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