JPS58117887A - パラ置換ベンジルアルコ−ルの製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、パラ置換ベンジルアルコールの１１４法に関
する。更に詳しくは本発明は、一般式％式％（２） 〔式中Ｒ１は水酸基又は低級アルコキ７基金示す。〕 で表わされるパラｍ換ベンジルアルコールの新規な製造
法に関する。

上記一般式（２）で表わされるバラ置換ベンジルアルコ
ールは、医薬、農薬、工業系品の製造原料として有用な
パラｒＩｊｔ換ベンズアルデヒドを合成する丸めの中間
体として有用な化合物である。

従来一般式（２）で表わさｎるパラ置換ベンジルアルコ
ールの製造法としては、例えばパフ置換トルエンを光照
射下に側鎖の臭素化を行ない、次いで水と反応させるこ
とにより製造されている。しかしながら、この方法に従
えば、光反応装置を用いなければ反応が進行せず、それ
故装置上の間−が多く、また得られるバラ置換べ／ジル
アルコールの中に多−の不純物が含まれている等の欠点
を有している。

本発明者らは一般式（２）で表わされるパラ置換ベンジ
ルアルコールを工業的に有利に製造する方法全開発すべ
く鋭意病９１ｅを重ねた結果、ついに本発明を完成する
に至った。

即ち本発ｃ社、一般式 ％式％（ 〔式中Ｒ１は水酸基又は低級アルコキシ基を、Ｒ２は水
素原子又は低級アルキル基音それぞれ示す。〕 で表わされる安息香酸誘導体を１解還元して一般式 ％式％（） 〔式中Ｒ１は前記に同じ。〕 で表わされるパラ置換ベンジルアルコール’ｔ４にとを
特徴とするパラ置換ベンジルアルコールの製造法に係る
。

本発明の方法によれば、簡便な操作且つ緩和な反応条件
下で目的とするパラ置換ベンジルアルコールを高収率、
高純度で製造し得る。

本発明の電解還元は、通常中央に隔Ｍを設けた陽極室及
び陰極室よりなるｔ解槽中にて行なわれる。隔膜として
は、カチオン交換膜の曲アスベスト、セラミック等も使
用可能であるが、カチオン交換膜が好適である。また陽
極室は通常硫酸溶液及び陽極より構成されており、陰極
室は通常一般式（１）で表わされる安息香酸誘導体、有
機溶媒、電解質及び陰極より構成さｎている。

陽極室における硫酸溶液の濃度としては特に制限さｎず
広い範囲内から適宜選択できるが、通常１〜２０優、好
ましくｉｄ５〜１０１の硫酸水溶液又はアルコール溶液
を使用するのがよい。１１１％極としては硫酸ｍ液によ
り溶解さｎないものである限り公知のものをいずｎも使
用でき、例えば鉛、鉛合金、亜鉛、亜鉛合金、カドミウ
ム等を挙げることができる。こ几らのうちでも鉛や白金
全使用するのが好ましい。

＃に４室における有機溶媒としては例えばメタノール、
エタノール、グロパノール等の低級脂肪族アルコール、
アセトニトリル等の二ｌ・リル類、テトラヒドロフラン
、ジオキサン等の環状エーテル等を挙けることができる
。Ｊ９ｉかる有機溶媒の使用数としては特に制限さ几ず
広範囲からＡ宜選択使用できるが、通常原料１ヒ合物１
モル当り館（１！溶媒を０．２〜ｔｏｉ程度、好ましく
は０．４〜６皿用いるのがよい。また１！解實として（
ま通常の第４級アンモニ９ム塩をいずｎも使用でき、具
体的ＫＦｉテトラメチルアンモニウムトシレート、テト
ラメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモ
ニウムブロマイド、テトラエチルアンモニウムトシレー
ト、テトラエチルアンモニウムクロライド、テトラエチ
ルアンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウム
トシレート、テトラブチルアンモニウムクロライド４！
を例示できる。これらのうちでテトラメチルアンモニウ
ムトシレート、テトラメチルアンモニウムクロライド及
びテトラメチルアンモニウムブロマイドが好適である。

斯かる電解質の使用緻としては特に限度がなく広い範囲
内から適宜選択されるが、通常原料化合物１モル当り電
解質をｌθ〜８００ｐ程度、好ましくは１６〜１５０ｙ
使用するのがよい。また陰極としては鉛、岨給等が好適
である。

本発明の１解還元において、′電解方法としては定電圧
法及び定ｆｉ１５＊法のいずｎでも可能であるが、定電
流法によるのが好ましい。定電流法を採用する場合、電
流密度としては通常１〜１００ｍＡ／−程度、好ましく
は８０〜６０ｒｎＡ／−である。電解反応に必要な通電
歇としては、−ｄｉ電解槽形状、電極の種類、基質績度
、基質反応性等により一定しないが、通常約５〜６モル
／Ｆ程度の眠気量を通電すればよい。該電解還元は通常
θ〜６０℃、好ましく＃′ｉｔＯ〜８５℃にて行なわれ
る。

以下に実施例を挙げる。

実施例１ パラ−ヒドロキシ安息香酸１．Ｏｙ及びテトラメチルア
ンモニウムトシレート０．７５Ｆｔメタノール２０ｍ１
Ｋ溶解し、この溶液を隔膜〔セレイオンＣＭＶ、旭硝子
製〕で隔てられた電解槽の鴎＆室に入れ、１０チ硫酸水
溶液２０ｍを陽極室に入れる。陰極として亜鉛、陽極と
して鉛を用いて２０℃にて定電流電解（５０ｍＡ／＝ｊ
　）を行ない、６Ｆ１モル通電し反応を行なつ九。反応
終了後、陰極液のメタノールを留去し、水５１Ｉｊを加
え、１０＊の酢酸エチルで６回抽出を行ない、抽出液を
無水硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去した後、
残渣をシリカゲルカラムで分離・精製するとパラヒドロ
キシベンジルアルコールが８１７キ４らＡ、パラヒドロ
キシ安息香酸ｓｏｑが回収される。

得られた化合物のＮＭＲデーター〔溶媒ＣＤＣｌ。

＋（ＣＤ、）、８０）を以下に示す。

σ（ｐｐｍ）−ｔ１２（ｔ　、ｔＨ） ４．４６（ｄ、２Ｈ） ６．９８（ｏｎ、４Ｈ） ８．６７（ｉ、１）Ｉ） 実施例２ バラヒドロキシ安息香酸の代りｒＣパラヒドロキ７安息
香酸メチル１．０１を用いて実施例１と同様な操作を行
ない、パラヒドロキシベンジルアルコール７６７ｑを得
る。またパラヒドロキシ安息香酸メチル４６ｓＰｔ−回
収する。

得られた化合物のＮＭＲデーターは実施例１のそれと一
致した。

実施例８ バラヒドロキシ安息香酸の代りにアニス酸１．Ｏｆを用
いて実施例１と同様の処理を１０℃の温度で行ない、ア
ニスアルコール８４０１９を得る。また未反応のアニス
酸６０キを得る。

得られた化合物のＮＭＲデーター（溶媒ＣＤＣＩ。

を以下に示す。

σ（Ｐｇ）ｍ）−２，１６（ｔ、ＩＨ）８．７５（ｓ、
８Ｈ） ４．５１（ｄ、２Ｈ） ７．００（ｍ、４Ｈ） 実施例４ バラヒドロキシ安息香酸の代りに、アニス酸メチル１０
Ｐを用いて実施例１と同様な操作を８６℃の温度で行な
い、アニスアルコール７９８岬を得る。また未反応のア
ニス酸メチル２５１９を回収する。

得られ走化合物のＮＭＲデーターは実施例８の値と一致
し九。

実施例６ 陰極として亜鉛の代りに鉛を用いて実施例１と同様な操
作を行ない、パラヒドロキシベンジルアルコール７８７
キを得る。

と一致した。

実施例６ テトラメチルアンモニウムトシレートの代りにテトラメ
チルアンモニウムクロライド０．４０Ｆを用いて実施例
１と同様な操作を行ない、パラヒドロキシベンジルアル
コール７５７１９を得る。またバラヒドロキシ安息香酸
９２１９を回収する。

得られた化合物のＮＭＲデーターは実施例１の値と一致
した。

実施例７ テトラメチルアンモニウムトシレートの代りにテトラメ
チルアンモニウムブロマイド０．４６りを用いて実施例
１と同様な操作を行ない、バラヒドロキシベンジルアル
コール７６４ｑを得る。またバラヒドロキシ安息香酸７
６ｑを回収する。

得られ良化合物のＮＭＲデーターは実施例１の値と一致
した。

実施例８ １１ＩＩＩ極の鉛の代りに白金、硫酸水溶液の代りに硫
酸メタノール溶液を用いて、実施例１と同様な操作ヲ行
ない、パラヒドロキシベンジルアルコール７９６ｑを得
る。またバラヒドロキシ安息香ｍ％６１１１１を回収す
る。

得られた化合物のＮＭＲデーターは実施例１の値と一致
した。

（以　上） ４３

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■　一般式 ％式％（１） 〔式中Ｒ１は水酸基又は低級アルコ午シ基を、Ｒ１は水
   素原子又は低級アルキル基をそｎぞれ示す。〕 で表わされる安息香醗酵導体を電解還元して一般式 ％式％（２） 〔式中ＲＩＦｉ前記に同じ。〕 で表わされるパラ置換ベンジルアルコールヲ得ることを
   特徴とするパラ置換ベンジルアルコールの製造法。 ■　陰極室が一般式（１）で表わされる安息香酸−導体
   、有機溶媒、電解質及び陰極より構成され且つ陽極室が
   硫８１ｄ液及び＊ｍより構成される隔膜式電解槽を用い
   て電解還元を行なう特許請求の範囲第１項記載の方法。 ■　陽極として鉛又は白金を、陰極として亜鉛又は鉛を
   用いる特許請求の範囲第１項又は第２項１載の方法。 ■　隔膜がカチオン交換膜である特許請求の範囲第１項
   乃至第８項のいずれかに記載の方法。 ■　電解質がテトラメチルアンモニウム）シＬ／−ト、
   テトラメチルアンモニウムクロライド又はテトラメチル
   アンモニウムブロマイドである特許請求の範囲第１項乃
   至第４項のいずれかに記載の方法。