JP2001201742A - 反射型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

反射型液晶表示装置及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 反射電極の凹凸構造のベースとなる凸部の剥
れを防止する。 【解決手段】 本発明の反射型液晶表示装置は、ガラス
基板５８１，５８２と、ガラス基板５８１上に設けられ
た透明電極６０と、ガラス基板５８２上に設けられると
ともに表面に凹凸構造５０が形成された絶縁膜４４と、
絶縁膜４４上に設けられた反射電極５１と、透明電極６
０側と反射電極５１側とで挟み込まれた液晶層６１とを
備えたものである。絶縁膜４４は、周囲を凸部４７によ
って囲まれて孤立した多数の凹部４６が不規則に配置さ
れた第一の絶縁層４５と、絶縁層４５の全体を覆う第二
の絶縁層４９とを備えている。凸部４７は全体が網状に
繋がっているため、部分的に下地との密着力が弱まって
も、その部分は周囲の凸部４７によって支持される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部から液晶層を
透過してきた光を再び外部へ反射する反射板を有する反
射型液晶表示装置、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】反射型液晶表示装置は、透過型液晶表示
装置よりも低消費電力化、薄型化、軽量化が達成できる
ため、主に携帯端末用として利用されている。その理由
は、外部から入射した光を装置内部の反射板で反射させ
ることにより表示光源として利用できるので、バックラ
イトが不要になるからである。
【０００３】現在の反射型液晶表示装置の基本構造は、
ＴＮ（ツイステッドネマテッィク）方式、一枚偏光板方
式、ＳＴＮ（スーパーツイステッドネマテッィク）方
式、ＧＨ（ゲストホスト）方式、ＰＤＬＣ（高分子分
散）方式、コレステリック方式等を用いた液晶と、これ
を駆動するためのスイッチング素子と、液晶セル内部又
は外部に設けた反射板とから構成されている。これらの
一般的な反射型液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）又は金属／絶縁膜／金属構造ダイオード（ＭＩ
Ｍ）をスイッチング素子として用いて高精細及び高画質
を実現できるアクティブマトリクス駆動方式が採用さ
れ、これに反射板が付随した構造となっている。
【０００４】図１９は、従来の一枚偏光板方式の反射型
液晶表示装置を示す断面図である。以下、この図面に基
づき説明する。
【０００５】対向側基板１は、偏光板２、位相差板３、
ガラス基板４、カラーフィルタ５、透明電極６等から構
成されている。下部側基板７は、ガラス基板８、ガラス
基板８上に形成されたスイッチング素子である逆スタガ
ー構造の薄膜トランジスタ９、凹凸構造のベースとなる
第一の絶縁層からなる凸形状１０、その上に形成された
第二の絶縁層であるポリイミド膜１１、薄膜トランジス
タ９のソース電極１２に接続されるとともに反射板兼画
素電極として機能する反射電極１３等から構成されてい
る。対向側基板１と下部側基板７との間に、液晶層１４
が位置する。
【０００６】光源は反射光１６を利用する。反射光１６
は、外部からの入射光１５が、偏光板２、位相差板３、
ガラス基板４、カラーフィルタ５、透明電極６、液晶層
１４を通過し、反射電極１３で反射されるものである。
【０００７】この反射型液晶表示装置の表示性能には、
液晶透過状態のときに明るくかつ白い表示を呈すること
が要求される。この表示性能の実現には、様々な方位か
らの入射光１５を効率的に前方へ出射させる必要があ
る。それゆえ、ポリイミド膜１１に凹凸構造を形成する
ことで、その上に位置する反射電極１３に散乱機能を持
たせることができる。したがって、反射電極１３の凹凸
構造の制御が、反射型液晶表示装置の表示性能を決める
のに重要となる。
【０００８】図２０及び図２１は、従来の反射型液晶表
示装置における反射電極の製造方法を示す断面図であ
る。以下、この図面に基づき説明する。
【０００９】薄膜トランジスタ製造工程では、まずガラ
ス基板２０上にゲート電極２１を形成する（図２０
［ａ］）。続いて、ゲート絶縁膜２２、半導体層２３、
ドーピング層２４を成膜する（図２０［ｂ］）。続い
て、半導体層２３及びドーピング層２４のアイランド２
５を形成し（図２０［ｃ］）、ソース電極２６、ドレイ
ン電極２７を形成する（図２０［ｄ］）。その後、反射
電極の製造工程に移る。
【００１０】反射電極の製造工程では、まず感光性を有
する有機系絶縁膜２８を形成する（図２０［ｅ］）。続
いて、フォトリソグラフィを施すことにより反射電極形
成領域に凸部２９を形成し（図２０［ｆ］）、加熱によ
り凸部２９をメルトさせて滑らかな凸形状３０に変換す
る（図２１［ｇ］）。続いて、この上部を有機系絶縁膜
３１で覆うことにより、より滑らかな凹凸面３２を形成
する（図２１［ｈ］）。続いて、薄膜トランジスタのソ
ース電極に反射電極を電気的に接続するためのコンタク
ト部３３を形成し（図２１［ｉ］）、その後に反射電極
３４を形成する（図２１［ｊ］）。この反射電極の製造
方法は、例えば特公昭６１−６３９０号公報、又はプロ
シーディングス・オブ・エスアイディー（Tohru koizum
i and Tatsuo Uchida, Proceedings of the SID, Vol.2
9,157,1988）に開示されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図２２は、図２０
［ｆ］の工程における凸部２９のパターンを示す平面図
である。以下、この図面に基づき説明する。
【００１２】凸部２９は、一つ一つがどれとも接してい
ない、すなわち孤立している。凸部２９の大きさは、直
径が１〜２０μｍ程度、高さが０．５〜５μｍ程度と、
極めて微細である。そのため、その後のプロセスである
基板洗浄工程中又は熱プロセス若しくは成膜プロセス中
に、下地と凸部２９との密着性が劣化し、凸部２９が剥
れてしまうという問題があった。
【００１３】したがって、所望の凹凸構造を反射電極領
域に形成できなくなるので、反射電極の所望の光学特性
が得られなくなる。すなわち、このような反射電極を用
いた反射型液晶表示装置は、表示が暗くなったり、輝度
むらが生じたりする。
【００１４】また、凸部の剥れを防止するには、凸部下
に密着性を改善するためのカップリング材を塗布するこ
とが考えられる。しかし、凸部下には薄膜トランジス
タ、配線等が配置されているので、これらにカップリン
グ材が悪影響を及ぼすことにより、スイッチング素子特
性の信頼性低下を引き起こす。したがって、カップリン
グ材を使用することは難しい。
【００１５】
【発明の目的】本発明の目的は、反射電極の凹凸構造の
ベースとなる凸部の剥れを防止することにより、所望の
凹凸構造を有する反射電極を形成でき、これにより高輝
度及び高品位表示性能を達成した反射型液晶表示装置及
びその製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る反射型液晶
表示装置は、透明な第一の基板と、この第一の基板上に
設けられた透明電極と、第二の基板と、この第二の基板
上に設けられるとともに表面に凹凸構造が形成された絶
縁膜と、この絶縁膜上に前記凹凸構造を反映させた形状
で設けられた反射電極と、前記第一の基板の前記透明電
極側と前記第二の基板の前記反射電極側とで挟み込まれ
た液晶層とを備えたものである。そして、前記絶縁膜
は、周囲を凸部によって囲まれて孤立した多数の凹部が
不規則に配置された第一の絶縁層と、この第一の絶縁層
の全体を覆う第二の絶縁層とを備えている。ここで、凹
部とは、実質的に膜厚の無い部分であり、開口部、貫通
孔等と言い換えることができる。
【００１７】従来技術における第一の絶縁層の凸部は、
一つ一つがどれとも接していない、すなわち孤立してい
た。そのため、全体の凸部のうちの一部分において下地
との密着力が弱まると、その部分は簡単に剥れやすい。
これに対し、本願発明における第一の絶縁層の凸部は、
全体が網状に繋がっている。そのため、全体の凸部のう
ちの一部分において下地との密着力が弱まっても、その
部分は周囲の凸部によって支持される。したがって、凸
部の剥れが防止される。
【００１８】換言すると、本発明における第一の絶縁層
の凸部は、孤立した凹パターンが不規則に配置されたも
のである。従来技術における第一の絶縁層の凸部は、柱
状の孤立した凸パターンが不規則に配置されたものであ
るため、その後の製造プロセス中に剥れやすかった。こ
れに対し、本発明では、孤立した凹パターンが不規則に
配置されることで、凸部と下地膜との接触面積を増加さ
せることができるので、凸部はその後の製造プロセスに
おいても剥れにくい。
【００１９】また、前記凸部は、線状の凸パターンが不
規則に配置されたものとしてもよい。この場合において
も、凸部は、線状の凸パターンが不規則に配置されてい
ることから、従来の柱状の凸パターンよりも下地膜との
接触面積が増加するので、密着性が改善される。
【００２０】また、前記凹凸構造は、１画素単位又は２
以上の画素単位の不規則な凹凸形状が反射電極全領域で
繰り返し形成されたものでもよい。これにより、反射特
性の干渉現象を抑制することができるため、この反射電
極を用いて作成した反射型液晶表示装置は、光源による
波長依存性もなく、色特性の劣化もない、明るく高品位
な表示性能が得られる。
【００２１】また、前記凸部は、これを溶融させること
で、滑らかな断面形状に変換してもよい。その後この凸
部を覆うように第二の絶縁層を形成して凹凸構造を得、
この凹凸構造上に形成した反射電極は、良好な反射光学
特性を示し、更にこの反射電極を液晶セル内部に有する
反射型液晶表示装置は明るい表示を実現できる。
【００２２】また、前記第一又は第二の絶縁層が、スイ
ッチング素子の保護膜を兼ねることで、スイッチング素
子の外部からの汚染を防ぐことができるため、安定した
スイッチング動作を実現できる。
【００２３】また、前記第一及び第二の絶縁層のいずれ
か一方又は両方が、配線（ドレイン配線及びゲート配線
のいずれか一方又は両方）を覆うことで、配線と反射電
極とで発生する寄生容量を小さくすることができ、これ
により反射型液晶表示装置のクロストーク等の発生を抑
制することができる。
【００２４】また、前記第一の及び第二の絶縁層のいず
れか一方又は両方が光吸収性を有することで、隣接する
反射電極間から入射した光を、前記光吸収体で吸収する
ことができる。これにより、スイッチング素子への光照
射を防げるため、良好なスイッチング素子特性を得るこ
とができ、その結果、高コントラストかつ高輝度表示特
性を有する反射型液晶表示装置を実現できる。
【００２５】また、前記第一及び第二の絶縁層のいずれ
か一方又両方に、その上の反射電極とその下のスイッチ
ング素子とを電気的に接続するためのコンタクトホール
を形成してもよい。この場合は、画素の最上部に反射電
極を設けることができるため、反射電極の面積を大きく
することで高開口率化を達成でき、それゆえ、明るい表
示性能を有する反射型液晶表示装置を実現できる。
【００２６】また、感光性を有する有機系材料又は無機
系材料を前記凸部に用いることで、凸部を形成するため
のパターンニング工程を短縮できる。更に、感光性を有
する有機系材料又は無機系材料を前記第二の絶縁層に用
いることで、コンタクトパターンを形成するためのパタ
ーンニング工程を短縮でき、これによりプロセスの簡略
化が図れるので、反射型液晶表示装置の低コスト化が実
現できる。
【００２７】更に、前記凹凸構造を形成する方法におい
て、前記第一の絶縁層を形成する工程と、前記第一の絶
縁層上にレジストパターンを形成するフォトリソ工程
と、前記第一の絶縁層にエッチングを行う工程と、前記
第一の絶縁層上に残ったレジスト膜を剥離する工程と、
エッチング後の前記第一の絶縁層を熱処理によりメルト
させることにより前記凹凸構造を滑らかにする工程と、
メルト後の前記第一の絶縁層上に前記第二の絶縁層を形
成する工程とを備えたものとしてもよい。これにより、
滑らかで連続した凹凸構造を製造することができるの
で、凸部の膜剥れのない、均一な凹凸面を有する反射電
極を実現できる。
【００２８】また、前記凹凸構造を形成する方法におい
て、感光性能を有する有機系絶縁材料又は無機系絶縁材
料を用いて前記第一の絶縁層を形成する工程と、前記第
一の絶縁層に凹凸パターンを形成するための露光工程
と、前記第一の絶縁層にエッチング現像を行う現像工程
と、エッチング現像後の前記第一の絶縁層を熱処理によ
りメルトさせることにより前記凹凸構造を滑らかにする
メルト工程と、メルト後の前記第一の絶縁層上に前記第
二の絶縁層を形成する工程とを備えたものとしてもよ
い。これにより、滑らかで連続した凹凸構造を製造する
ことができるので、凸部の膜剥れのない、均一な凹凸面
を有する反射電極を実現できる。
【００２９】また、透明性電極を備えた絶縁性基板と、
凹凸構造を有する絶縁膜上に形成された反射板を備えた
絶縁性基板とで、液晶層を挟み込んだ構造よりなる反射
型液晶表示装置において、前記第１の絶縁膜に形成され
る凹凸段差部は、該絶縁膜として感光性能を有する有機
系絶縁膜又は無機系絶縁膜を形成する工程と、凹凸パタ
ーンを形成するための露光工程と、エッチングを行う現
像工程と、その後、前記凹凸段差部を熱処理によりメル
トさせるメルト工程と、さらにその上部に第２の絶縁膜
を形成する工程により、滑らかで、且つ連続した凹凸構
造が製造されることで、凹凸段差部のパターンニングに
おいて、レジストプロセスにおけるレジスト塗布、剥
離、エッチング工程を省くことができるため、プロセス
の簡略化がはかれ、反射型液晶表示装置の低コスト化が
実現できる。
【００３０】また、前記コンタクトホールを形成する方
法において、感光性能を有する有機系絶縁材料又は無機
系絶縁材料を用いて前記第二の絶縁層を形成する工程
と、前記コンタクトホールを前記第二の絶縁層に形成す
るためのパターンを形成する露光工程と、前記第二の絶
縁層に対してエッチング現像を行うことにより前記コン
タクトホールを形成する現像工程とを備えたものとして
もよい。これにより、コンタクトパターンのパターンニ
ングにおいて、レジストプロセスにおけるレジスト塗
布、剥離、エッチング工程を省くことができるため、プ
ロセスの簡略化が図れるので、反射型液晶表示装置の低
コスト化が実現できる。
【００３１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る反射型液晶
表示装置の第一実施形態を示す断面図である。以下、こ
の図面に基づき説明する。
【００３２】本実施形態の反射型液晶表示装置は、透明
な第一の基板としてのガラス基板５８１と、ガラス基板
５８１上に設けられた透明電極６０と、第二の基板とし
てのガラス基板５８２と、ガラス基板５８２上に設けら
れるとともに表面に凹凸構造５０が形成された絶縁膜４
４と、絶縁膜４４上に凹凸構造５０を反映させた形状で
設けられた反射電極５１と、ガラス基板５８１の透明電
極６０側とガラス基板５８２の反射電極５１側とで挟み
込まれた液晶層６１とを備えたものである。そして、絶
縁膜４４は、周囲を凸部４７によって囲まれて孤立した
多数の凹部４６が不規則に配置された第一の絶縁層４５
と、絶縁層４５の全体を覆う第二の絶縁層４９とを備え
ている。
【００３３】凸部４７は、全体が網状に繋がっている。
そのため、全体の凸部４７のうちの一部分において下地
との密着力が弱まっても、その部分は周囲の凸部４７に
よって支持される。したがって、凸部４７の剥れが防止
される。
【００３４】本実施形態では、互いに対向する下部側基
板７と対向側基板１との間に、液晶層６１が設けられて
いる。下部側基板７は、ガラス基板５８２上に形成され
たスイッチング素子としての逆スタガー構造の薄膜トラ
ンジスタ４０と、表面に凹凸構造５０を有する絶縁膜４
４と、絶縁膜４４上を覆うように形成された高反射効率
金属からなる反射電極５１とを有する。
【００３５】薄膜トランジスタ４０は、金属層４１、絶
縁層４２、半導体層４３等を成膜し、これらの膜に対し
てフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程を施す
ことにより形成された、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半
導体膜、ソース電極、ドレイン電極より構成されてい
る。また、薄膜トランジスタ４０上に、有機系絶縁膜又
は無機系絶縁膜を材料に用いた第一の絶縁層４５が位置
している。絶縁層４５には、孤立した凹部４６及び連続
した凸部４７が形成されている。凹部４６及び凸部４７
は不規則に配置されている。第二の絶縁層４９は、凹部
４６及び凸部４７上を覆うことにより、その表面に凹凸
構造５０が形成されている。凹凸構造５０上に反射率の
高い金属を形成することで、高反射効率を有する反射電
極５１が形成されている。
【００３６】反射電極５１表面は凹凸構造５０が反映さ
れ、反射電極５１表面の凹凸傾斜角度の構成が反射光の
光学特性を決定することとなる。それゆえ、凹凸構造５
０の傾斜角度は所望の反射光学特性が得られるように設
計される。なお、このとき、凹凸構造５０は、凸ピッ
チ、凹ピッチ、凸高さ、凹深さのいずれかについて、異
なる２種以上の値で構成されていればよい。
【００３７】反射電極５１は、絶縁膜４４に形成された
コンタクトホール５２を介して、薄膜トランジスタ４０
のソース電極５３と電気的に接続されているので、画素
電極としての機能も有している。
【００３８】次に、本実施形態の反射型液晶表示装置の
動作について説明する。
【００３９】白状態では、対向側基板１の外側から入射
した入射光５５が、偏光板５６、位相差板５７、ガラス
基板５８１、カラーフィルタ５９、透明電極６０、液晶
層６１を通過して、反射電極５１の凹凸面６２の形状を
反映した指向性に従って反射され、再び液晶層６１、透
明電極６０、カラーフィルタ５９、ガラス基板５８１、
位相差板５７、偏光板５６を通過して、外側へ表示光６
３として戻される。一方、黒状態では、対向側基板１の
外側から入射した入射光５５が、白状態のときと同じよ
うに反射電極５１で反射されるものの、偏光板５６で遮
断されることにより外側に出射されない。これにより光
のＯＮ／ＯＦＦ動作が可能となる。
【００４０】次に、本実施形態の反射型液晶表示装置の
変形例について説明する。
【００４１】絶縁層４５，４９の両方又はいずれか一方
に、その上の反射電極５１とその下の薄膜トランジスタ
４０とを電気的に接続するためのコンタクトホール５２
を形成することで、画素の最上部に反射電極５１を設け
ることができる。そのため、反射電極５１の面積を大き
くすることで高開口率化が達成でき、それゆえ、明るい
表示性能を実現できる。
【００４２】また、凸部４７は、感光性を有する有機系
材料又は無機系材料を用いてもよい。これにより、凸部
４７を形成するためのパターンニング工程を短縮でき
る。具体的には、感光性樹脂の形成、露光、現像エッチ
ングの工程で凸部４７の形成が完了するので、従来のレ
ジストプロセスを用いた場合に比べ、レジスト塗布、膜
エッチング、レジスト剥離の工程を省略できる。
【００４３】更に、絶縁層４９は、感光性を有する有機
系材料又は無機系材料としてもよい。これにより、コン
タクトパターンを形成するためのパターンニング工程に
おいても、従来のレジストプロセスに比べて短縮化でき
ることから、プロセスの簡略化が図れる。
【００４４】このような感光性樹脂膜としては、東京応
化工業株式会社製の商品名「ＯＦＰＲ８００」、日本合
成ゴム株式会社製の商品名「ＰＣ３３９」等のアクリル
系樹脂等がある。また、感光性絶縁材料は、これに限定
されず、その他の有機系樹脂、又は無機系樹脂でもよ
い。
【００４５】図２は本実施形態の反射型液晶表示装置に
おける一画素分の第一の絶縁層を示す平面図であり、図
２［１］が第一例、図２［２］が第二例である。以下、
この図面に基づき説明する。
【００４６】図２［１］の第一例では、周囲を凸部４７
１によって囲まれて孤立した多数の凹部４６１が、不規
則に配置されている。凹部４６１は、四角状に窪んでい
る。図２［２］の第二例では、周囲を凸部４７２によっ
て囲まれて孤立した多数の凹部４６２が、不規則に配置
されている。凹部４６２は、不規則に配置された多数の
線状の凸部４７２によって囲まれた部分からなる。
【００４７】本実施形態では、凸部４７１，４７２と下
地との接触面積を大きくできることから、下地膜との密
着性を向上できるので、膜剥れのない良好な凸部４７
１，４７２を実現できる。
【００４８】図３は、本発明に係る反射型液晶表示装置
の第二実施形態を示す説明図である。以下、この図面に
基づき説明する。
【００４９】本実施形態における凹凸パターンは、反射
型液晶表示装置の１画素単位以上の範囲で不規則であれ
ばよく、例えばＲＧＢ又はＲＧＧＢ等の３画素単位又は
４画素単位の領域で不規則でもよい。更に、それ以上の
画素数の領域で不規則な凹凸パターン６５とし、これを
繰り返して、パネル表示部全面に位置する反射板領域へ
凹凸を構成してもよい。この場合、反射板パネル全面を
完全な不規則パターンで形成した場合と同様の明るい反
射板を得ることができる。
【００５０】図３［ａ］は、１画素単位で全面表示領域
に不規則配置パターンを繰り返した例である。図３
［ｂ］は、２画素以上の単位で全面表示領域に不規則配
置パターンを繰り返した例である。図３［ｂ］の方が、
不規則配置パターンを効率良く繰り返すことができるの
で、より望ましい。なお、本実施形態では孤立凹パター
ンについて実施したが、これに限定されない。例えば、
前述した線状パターン等においても同様の効果が実現で
きる。
【００５１】図４［１］は、本発明に係る反射型液晶表
示装置の第三実施形態を示す断面図である。以下、この
図面に基づき説明する。
【００５２】本実施形態では、凸部形成後に熱処理を施
して、凹凸形状を変化させることで、滑らかな凸部６６
としたものである。これにより、反射電極表面に形成さ
れる凹凸形状が、より滑らかとなることで、反射光学特
性が良好となる。なお、滑らかで連続した凸部を形成す
る方法は、本実施形態で述べた熱処理に限られるもので
はなく、例えば凸部の材料に対して溶融性又は膨潤性を
呈する溶液に、凸部を曝すようにしてもよい。
【００５３】図４［２］は、本発明に係る反射型液晶表
示装置の第四実施形態を示す断面図である。以下、この
図面に基づき説明する。
【００５４】薄膜トランジスタ４０、配線６７、ソース
電極５３、ドレイン電極５４等を覆うように、絶縁層４
５，４９が形成されている。薄膜トランジスタ４０とコ
ンタクトホール５２を介して電気的に接続された反射電
極５１が、絶縁層４９を介して層間分離された構造とな
っている。絶縁層４５，４９は、保護膜としての機能を
備えている。また、絶縁層４５，４９は、薄膜トランジ
スタ４０に直接、接することで、薄膜トランジスタ４０
のパッシベーション膜として使用されている。なお、絶
縁層４５，４９と薄膜トランジスタ４０との間に、従来
から薄膜トランジスタの保護膜として用いられている、
シリコン窒化膜（ＳｉＮ）又はシリコン酸化膜（Ｓｉ
Ｏ）を挿入してもよい。
【００５５】図５は、本発明に係る反射型液晶表示装置
の第五実施形態を示す断面図である。以下、この図面に
基づき説明する。
【００５６】図５［ａ］に示す従来構造では、反射電極
５１と配線６７との間の間隔が小さいため、両者の間で
発生する寄生容量が大きい。これに対して、図５［ｂ］
に示す本実施形態の場合、絶縁層４５，４９のいずれか
一方又は両方が、配線６７（ドレイン配線及びゲート配
線のいずれか一方又はその両方）上を覆うように配置さ
れている。すなわち、反射電極５１と配線６７との間に
位置する絶縁膜に、絶縁層４５，４９を使えることか
ら、１〜５μｍ程度の厚さにできる。これにより、反射
電極５１と配線６７との間で発生する寄生容量を小さく
することができるので、反射型液晶表示装置のクロスト
ーク等の発生を抑制できる。
【００５７】更に、図５［ｃ］に示すように、配線６７
と反射電極５１とをオーバラップさせることにより、１
画素当たりの反射電極５１の面積をより大きくできるの
で、、明るい表示性能を実現できる。なお、絶縁層４
５，４９は、ゲート配線又はドレイン配線上に配置され
ることに限定されず、例えば薄膜トランジスタ又はその
電極上に配置されてもよい。
【００５８】図６は、本発明に係る反射型液晶表示装置
の第六実施形態を示す断面図である。以下、この図面に
基づき説明する。
【００５９】第二の絶縁層８１は、絶縁性能を有するも
のであれば有機系樹脂又は無機系樹脂でもよく、さらに
透明性、着色性、光吸収性を有していてもよい。特に、
絶縁層８１が光吸収性を有する場合、隣接する反射電極
５１間から入射する光８０を完全に絶縁層８１で吸収で
きる。これにより、薄膜トランジスタ４０への光入射を
防ぐことができることにより、薄膜トランジスタ４０特
性の光オフリークを防止できるため、良好なスイッチン
グ特性を有する反射型液晶表示装置を実現できる。
【００６０】このときの光吸収性を有する絶縁層８１
は、凹凸構造を形成する絶縁膜に用いればよく、光が薄
膜トランジスタ４０へ照射されることを防ぐように配置
されていれば同様な効果が得られることから、図示の位
置に特に限定されるものではない。
【００６１】ただし、反射電極５１下に形成される滑ら
かな凹凸膜に感光性の光吸収層を用いれば、プロセスの
簡略化が図れる。これらの材料として、東京応化工業株
式会社製の商品名「ブラックレジスト」、「ＣＦＰ
Ｒ」、「ＢＫ−７４８Ｓ」、「ＢＫ−４３０Ｓ」等を使
用すれば、良好な光吸収層の形成、及び良好な凹凸構造
の形成ができる。また、その他のブラック樹脂材料とし
ても同様の効果が得られる。さらに、光吸収層として
は、光吸収性、光反射性の膜でもよく、金属材料、又は
光を透過しない絶縁物若しくは無機化合膜でもよい。
【００６２】図７及び図８は、本発明に係る反射型液晶
表示装置の製造方法の第一実施形態を示す断面図であ
る。以下、これらの図面に基づき説明する。
【００６３】これらの図は、スイッチング素子基板側の
製造工程を示している。なお、本実施形態では、スイッ
チング素子として逆スタガー構造の薄膜トランジスタを
使用している。
【００６４】本実施形態におけるＴＦＴ基板の製造工程
は、［ａ］電極材の形成、［ｂ］ゲート電極９０の形
成、［ｃ］ゲート絶縁膜９１、半導体層９２、ドーピン
グ層９３の形成、［ｄ］アイランド９４の形成、［ｅ］
電極材の形成、［ｆ］ソース電極９５、ドレイン電極９
６の形成、［ｇ］第一の絶縁層９７の形成、［ｈ］凸部
９８の形成、［ｉ］表面形状変換プロセス処理、［ｊ］
第二の絶縁層９９の形成、［ｋ］コンタクトホール１０
０の形成、［ｌ］反射電極１０１の形成からなる。
【００６５】更に、工程［ｈ］は、絶縁層９７上への
（１）レジスト形成、（２）凹凸用レジストパターン形
成、（３）凸部９８形成、（４）レジスト剥離、の各工
程処理からなる。このときの凸部９８の段差は、工程
［ｇ］における絶縁層９７の膜厚で制御できる。それゆ
え、凹凸段差は、所望とする反射板光学特性に必要な高
さにより決定すればよく、０．４〜５μｍの範囲であれ
ば良好な反射光学特性が得られる。
【００６６】また、工程［ｉ］の表面形状変換プロセス
処理では、１５０〜３００℃程度の熱処理を行うこと
で、パターン形成後の凸部９８表面をメルトさせ、滑ら
かな形状に変換させる。なお、表面形状変換プロセス処
理では熱処理に限定されず、その他の処理、例えば、薬
品による溶融処理等を用いてもよい。
【００６７】また、反射電極１０１としては、高効率金
属であるＡｌ材を用いたが、銀材、又は銀合金を用いれ
ば、更に高い反射効率が得られるため、明るい反射性能
が実現できる。なお、スイッチング素子としては、順ス
タガー構造薄膜トランジスタ又はＭＩＭダイオード等を
用いてもよい。また、逆スタガー構造薄膜トランジスタ
においても本実施形態で示した構造に限定されるもので
はなく、これ以外の構造を有したものでもよい。また、
スイッチング素子を有する下部側基板と対向側基板にガ
ラス基板を使用したが、これに限定されず、これ以外の
基板、例えばプラスチック基板、セラミクス基板、半導
体基板等でもよい。
【００６８】次に、本発明に係る反射型液晶表示装置の
製造方法の第二実施形態を説明する。
【００６９】本実施形態では、第一及び第二の絶縁層に
感光性能を有している材料を用いたことによりレジスト
プロセスが不要になる点を除き、図７及び図８の第一実
施形態と同一である。
【００７０】本実施の形態において、第一の絶縁層９７
に感光性樹脂を用いることで、凸部９８の形成を行うに
あたり、感光性樹脂を直接、露光、現像によりパターン
加工ができることから、レジスト塗布、剥離工程を簡略
化できる。更に、第二の絶縁層９９に感光性樹脂を用い
ることで、コンタクトホール１００の形成を行うにあた
り、同様にパターン形成工程の簡略化できる。それゆ
え、図７及び図８の第一実施形態に示した製造工程数よ
りも大幅な短縮化ができ、その結果、反射型液晶表示装
置を低コストで提供することができる。
【００７１】
【実施例】（実施例１）図９及び図１０は、本発明に係
る反射型液晶表示装置の実施例１を示す断面図である。
以下、これらの図面に基づき説明する。
【００７２】本実施例では、スイッチング素子として順
スタガー構造の薄膜トランジスタを採用した。本実施例
の反射型液晶表示装置製造は、以下の工程に従って製造
される。 ［ａ］ガラス基板上にＣｒをスパッタリング法により５
０ｎｍ形成。 ［ｂ］ソース電極２００、ドレイン電極２０１の形成
（１ＰＲ）。ＰＲとは、フォトレジストの略である。 ［ｃ］ドーピング層２０２を１００ｎｍ、半導体層２０
３を１００ｎｍ、絶縁膜２０４を５０ｎｍ、プラズマＣ
ＶＤにより成膜。 ［ｄ］アイランド２０５形成（２ＰＲ）。 ［ｅ］ゲート絶縁膜２０４を３５０ｎｍプラズマＣＶＤ
により成膜。 ［ｆ］Ｃｒ２０６をスパッタリング法により５０ｎｍ形
成。 ［ｇ］ゲート電極２０７の形成。 ［ｈ］第１の有機絶縁膜２０８（３μｍ）の形成。 ［ｉ］凸部２０９のパターン形成（３ＰＲ）。 ［ｊ］第２の有機絶縁膜２１０（１μｍ）の形成。 ［ｋ］コンタクトホール２１１の形成（４ＰＲ）。 ［ｌ］アルミニウムをスパッタリング法により３００ｎ
ｍ形成。 ［ｍ］反射画素電極板２１２の形成（５ＰＲ）。
【００７３】なお、工程［ｃ］において、本実施例で使
用したゲート絶縁膜にはシリコン窒化膜、半導体層には
アモルファスシリコン膜、ドーピング層にはｎ型化アモ
ルファスシリコン膜を使用した。これらのプラズマＣＶ
Ｄ条件は、以下に示すように設定した。シリコン酸化膜
の場合、反応ガスにシランと酸素ガスを用い、ガス流量
比（シラン／酸素）０．１〜０．５程度、成膜温度２０
０〜３００℃、圧力１３３Ｐａ、プラズマパワー２００
Ｗとした。シリコン窒化膜の場合、反応ガスにシランと
アンモニアガスを用い、ガス流量比（シラン／アンモニ
ア）０．１〜０．８、成膜温度２５０℃、圧力１３３Ｐ
ａ、プラズマパワー２００Ｗとした。アモルファスシリ
コン膜の場合、反応ガスにシランと水素ガスを用い、ガ
ス流量比（シラン／水素）０．２５〜２、成膜温度２０
０〜２５０℃、圧力１３３Ｐａ、プラズマパワー５０Ｗ
とした。ｎ型化アモルファスシリコン膜の場合、反応ガ
スにシランとホスフィンを用い、ガス流量比（シラン／
フォスフィン）１〜２、成膜温度２００〜２５０℃、圧
力１３３Ｐａ、プラズマパワー５０Ｗとした。
【００７４】また、工程［ｄ］のアイランド形成では、
シリコン窒化膜及びアモルファスシリコン層には、ドラ
イエッチングを採用した。工程［ｇ］のゲート電極の形
成の際、Ｃｒ層のエッチングには、過塩化水素酸と硝酸
第２セリウムアンモニウムの混合水溶液を用いた。ま
た、シリコン窒化膜のエッチングには、エッチングガス
に四塩化フッ素と酸素ガスを用い、反応圧力０．６６５
〜３９．９Ｐａ、プラズマパワー１００〜３００Ｗとし
た。また、アモルファスシリコン層のエッチングには、
塩素と水素ガスを用い、反応圧力０．６６５〜３９．９
Ｐａ、プラズマパワー５０〜２００Ｗとした。また、フ
ォトリソ工程では、全て通常のレジストプロセスを用い
た。
【００７５】本実施例においては、ソース電極及びドレ
イン電極にＣｒ、ゲート電極にＣｒ金属を用いたが、各
電極材料はこれらに限定されない。これ以外の電極材と
して、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴ
Ｏ、ＺｎＯ、ＳｎＯ等の単層膜、又はこれらの電極の組
み合わせによる積層膜を採用してもよい。
【００７６】本実施例では、反射板下部に形成される凹
凸は、工程［ｉ］［ｊ］で作り込まれる。このときの形
成方法を示す。
【００７７】工程［ｈ］で形成した第一の有機絶縁膜２
０８上に、レジスト膜２μｍを形成し、露光及び現像プ
ロセスにより、連続した線状のパターンが不規則に配置
されたレジストパターンを形成する。続いて、有機絶縁
膜２０８をエッチング処理し、レジスト剥離することに
より凸部２０９を形成できる。図１１に、パネル表示領
域のパターン、及びその拡大図を示す。図１１におい
て、符号２１５は連続した線状の凸部、符号２１６は孤
立した凹部である。
【００７８】工程［ｈ］の有機系絶縁膜２０８には、本
実施例の場合、ポリイミド膜（日産化学工業株式会社製
の商品名「ＲＮ−８１２」）を使用した。塗布条件は、
スピン回転数１２００ｒｐｍ、仮焼成温度９０℃かつ仮
焼成時間１０分間とし、本焼成温度２５０℃かつ本焼成
時間１時間とした。一方、このパターン形成に使用した
前記レジストの場合、スピン回転数１０００ｒｐｍ、仮
焼成温度９０℃かつ仮焼成５分間、その後、露光、現像
によりパターン形成後、ポストベーク９０℃かつ３０分
間処理した。該レジストパターンをマスク層として行っ
た該ポリイミド膜のドライエッチング条件は、エッチン
グガスに四塩化フッ素と酸素ガスを用い、ガス流量比
（四塩化フッ素／酸素）０．５〜１．５、反応圧力０．
６６５〜３９．９Ｐａ、プラズマパワー１００〜３００
Ｗとした。なお、フォトリソ工程は、全て通常のレジス
トプロセスを用いた。
【００７９】工程［ｋ］のコンタクトホール２１１形成
においては、レジストプロセスを用いて、パターン形成
を行った。なお、このとき、コンタクトホール２１１形
成のために、第２の有機絶縁膜２１０であるポリイミド
膜とゲート絶縁膜２０４であるシリコン窒化膜とを、ド
ライエッチングプロセスによりエッチングした。
【００８０】また、第１の有機絶縁膜２０８と第２の有
機絶縁膜２１０に同一の有機樹脂材料を用いたが、異な
る材料を用いても同様に凹凸絶縁層を形成できる。第１
の有機絶縁膜と第２の有機絶縁膜に、アクリル樹脂とポ
リイミド樹脂、シリコン窒化膜とアクリル樹脂、シリコ
ン酸化膜とポリイミド樹脂などの、無機系樹脂と有機系
樹脂の組み合わせ、又はその逆の組み合わせを用いても
実現できた。
【００８１】本実施例では、その後、反射効率の高く、
ＴＦＴプロセスとの整合性がよいアルミニウム金属を形
成し、これをパターン形成することで、画素電極兼反射
板としての反射電極２１２を形成した。このときのアル
ミニウムにはウェットエッチング処理を行い、エッチン
グ液には６０℃に加熱したリン酸、酢酸及び硝酸からな
る混合液を使用した。
【００８２】なお、反射電極２１２表面の凹凸最大段差
は１μｍ程度で、凹凸の平面形状はランダムな形状にな
っている。その後、上記ＴＦＴ基板と、透明導電膜のＩ
ＴＯで形成された透明電極を有する対向基板とを、各々
の膜面が対向するようにして重ね合わせた。なお、ＴＦ
Ｔ基板及び対向基板は、配向処理が施され、プラスチッ
ク粒子等のスペーサを介して、パネル周辺部にエポキシ
系の接着剤を塗ることにより張り合わされた。その後液
晶を注入し液晶層とすることで、反射型液晶表示装置を
製造した。
【００８３】反射電極２１２は、凸部２０９の剥れもな
いことから、均一で、光散乱性のよい反射性能を有して
いる。したがって、反射電極２１２を用いた反射型液晶
表示装置の表示性能は、新聞紙よりも明るい白表示を有
するモノクロ反射型パネルを実現することができた。ま
た、対向基板側に、ＲＧＢカラーフィルタを設置した場
合、明るいカラー反射型パネルを実現した。
【００８４】また、本実施例の凹凸の高低差（凸部２０
９の高さ）は、上記に限定されるものではない。該凹凸
の高低差は、広い範囲で変えることができるため、本発
明の凹凸構造を用いることで、反射板性能の指向性を大
きく変えた反射型液晶表示装置を提供できる。
【００８５】また、本実施例では、第１の有機絶縁膜２
０８に形成されるパターンに線状パターンが用いられた
が、これに限定されない。図１２に示す孤立した凹部の
パターンを用いても、同様の表示性能を有する反射型液
晶表示装置が実現できた。
【００８６】（実施例２）図１３及び図１４は、本発明
に係る反射型液晶表示装置の実施例２を示す断面図であ
る。以下、これらの図面に基づき説明する。
【００８７】本実施例におけるスイッチング素子には逆
スタガー構造の薄膜トランジスタを採用した。本実施例
の反射型液晶表示装置製造は、以下の工程に従って製造
される。 ［ａ］ガラス基板２３０の上に、Ｃｒをスパッタリング
法により５０ｎｍ形成。 ［ｂ］ゲート電極２３１の形成（１ＰＲ）。 ［ｃ］ゲート絶縁膜２３２を４００ｎｍ、半導体層２３
３を１００ｎｍ、ドーピング層２３４を１００ｎｍ、プ
ラズマＣＶＤにより成膜。 ［ｄ］アイランド形成２３５（２ＰＲ目） ［ｅ］Ｃｒ、ＩＴＯ層をスパッタリング法によりそれぞ
れ５０ｎｍ形成。 ［ｆ］ソース電極２３６、ドレイン電極２３７の形成
（３ＰＲ目）。 ［ｇ］第１の有機絶縁膜２３８（３μｍ）の形成。 ［ｈ］凸部２３９の形成（４ＰＲ）。 ［ｉ］第２の有機絶縁膜２４０（１μｍ）の形成。 ［ｊ］コンタクトホール２４１の形成（５ＰＲ）。 ［ｋ］アルミニウム２４２をスパッタリング法により３
００ｎｍ形成。 ［ｌ］反射電極２４３の形成（６ＰＲ目）。 ［ｍ］ゲート線端子だし（７ＰＲ目）。
【００８８】本実施例における凸部２３９は、工程
［ｈ］で形成される。このときの形成方法は実施例１と
同一条件とした。本実施例においては、トランジスタ構
造に逆スタガー構造を採用したため、実施例１に対して
工程数が増加している。
【００８９】なお、本実施例における反射電極２４３の
開口率は、８６％で製造した。その後、上記ＴＦＴ基板
と、透明導電膜のＩＴＯで形成された透明電極を有する
対向基板とを、各々の膜面が対向するようにして重ね合
わせた。なお、ＴＦＴ基板と対向基板とにはそれぞれ配
向処理が施され、両基板はプラスチック粒子等のスペー
サを介して、パネル周辺部にエポキシ系の接着剤を塗る
ことにより、張り合わされた。その後、液晶を注入する
ことで、反射型液晶表示装置を製造した。
【００９０】本実施例における反射型液晶表示装置の場
合においても、実施例１の場合と同様にスイッチング素
子にプロセスダメージを与えることがなく、これにより
良好な素子特性を得ることができ、且つ所望の凹凸反射
板構造を得ることができた。その結果、本実施例で製造
されたカラー反射型パネルは、明るい高品位表示を有し
た。
【００９１】（実施例３）図１５及び図１６は、本発明
に係る反射型液晶表示装置の実施例３を示す断面図であ
る。以下、これらの図面に基づき説明する。
【００９２】本実施例の特徴は、反射電極下に位置する
凸部が滑らかな凹凸形状で形成されている点にある。本
実施例の製造方法では、反射電極下に位置する凹凸を滑
らかな形状に変換するプロセスが付加される以外は、実
施例１又は実施例２と全く同一である。つまり、実施例
１における工程［ｉ］又は実施例２における工程［ｈ］
の凹凸パターン形成後に、熱処理工程が加わる。
【００９３】本実施例では、凹凸形成後の熱処理工程と
して、窒素雰囲気中でオーブンにより２６０℃かつ１時
間の処理を行った。これにより、凹凸の傾斜角度は、熱
処理前に６０〜８０度程度であったものが、熱処理後１
０〜４０度程度まで変化した。得られた凹凸形状は、矩
形状からサインカーブ状の滑らかな凸部２５０に変換さ
れた。なお、本実施例における反射型液晶表示装置の場
合、凹凸表面の凹凸傾斜角度の平均値は８度程度となる
ように設定された。また、前記熱処理工程のベーク温度
を変化させることで、凹凸傾斜角度を制御できる。
【００９４】また、最終的に反射電極表面に形成される
凹凸の高低差は、実施例１及び実施例２と同様に１μｍ
に設定した。ただし、凹凸の高低差を更に大きくするこ
とで、得られる反射電極の光学特性は散乱性の非常に強
いものが得られる。この場合、特に大きな画面サイズを
有するものに適用することで、パネル表示特性の明るさ
に対する視野依存性が小さいため、見やすい反射型液晶
表示装置を得ることができる。また、凹凸の高低差を小
さくすることで、反射電極の光学特性は指向性の強いも
のが得られる。この場合、比較的画面サイズの小さい携
帯情報機器用の反射型液晶表示装置に適用することで、
より明るい表示特性を実現できる。このように、使用目
的又はパネル表示面積に応じて、凹凸表面構造を自由に
制御できる。
【００９５】また、本実施例の絶縁膜は、その上に位置
する反射電極と、その下に位置するスイッチング素子と
の間にあることで、スイッチング素子の保護膜として機
能している。
【００９６】（実施例４）本実施例の特徴は、反射電極
下に位置する絶縁層に感光性能を有する有機系絶縁膜を
用いた点である。本実施例における反射型液晶表示装置
の製造プロセスは、反射電極下の絶縁層に感光性樹脂
（本実施例では感光性アクリル樹脂）が使用される以外
は、実施例１又は実施例２と全く同一である。すなわ
ち、異なる点は、実施例１では工程［ｈ］［ｊ］、実施
例２では工程［ｇ］［ｉ］において形成される絶縁層
に、感光性膜を使用するところにある。
【００９７】感光性膜の工程を加えるだけで、凹凸形成
工程は、感光性膜の形成工程、感光成膜への直接露光工
程、エッチング現像工程、及び熱処理によるメルト工程
となる。これにより、実施例１、２、３で行われた凹凸
形成工程に比べて、レジスト塗布、レジスト現像、レジ
スト剥離工程の必要性が全くないことから、プロセスの
簡略化ができる。
【００９８】本実施例では、感光性材料として、感光性
アクリル樹脂を使用したが、これに限定されることはな
い。その他の感光性材料、例えば、感光性有機樹脂、感
光性無機膜等でも同様の効果が実現できた。なお、感光
性材料としては、東京応化工業株式会社製の商品名「Ｏ
ＦＰＲ８００」、シプレー社製の商品名「ＬＣ１００、
日本合成ゴム株式会社製の商品名「オプトマーシリー
ズ」、日産化学工業株式会社製の商品名「感光性ポリイ
ミド」等を使用しても同様の凹凸絶縁層が得られた。
【００９９】（実施例５）本実施例では、スイッチング
素子として逆スタガー構造の薄膜トランジスタを採用し
た。本実施例における基本製造プロセスは、第１の絶縁
層と第２の絶縁層とに感光性樹脂膜を用いる点、並びに
凸部及びコンタクトホールの形成の際にレジストプロセ
スが省かれる点以外は、図１５及び図１６と同じであ
る。本実施例の反射型液晶表示装置は、以下の工程に従
って製造される。
【０１００】［ａ］ガラス基板上にＣｒをスパッタリン
グ法により５０ｎｍ形成。 ［ｂ］ゲート電極の形成（１ＰＲ）。 ［ｃ］ゲート絶縁膜を４００ｎｍ、半導体層を１００ｎ
ｍ、ドーピング層を１００ｎｍ、それぞれプラズマＣＶ
Ｄにより成膜。 ［ｄ］アイランド形成（２ＰＲ目）。 ［ｅ］Ｃｒ、ＩＴＯ層をスパッタリング法によりそれぞ
れ５０ｎｍ形成。 ［ｆ］ソース電極、ドレイン電極、凹凸形成用電極の形
成（３ＰＲ目）。 ［ｇ］感光性アクリル樹脂（３μｍ）の形成。 ［ｈ］感光性アクリル樹脂への凹凸パターン露光（４Ｐ
Ｒ）。 ［ｉ］現像エッチング工程による凹凸の形成。 ［ｊ］感光性アクリル樹脂へのコンタクトパターン露光
（５ＰＲ）。 ［ｋ］現像エッチング工程によるコンタクトの形成。 ［ｌ］アルミニウムをスパッタリング法により３００ｎ
ｍ形成。 ［ｍ］反射画素電極板の形成（６ＰＲ目）。 ［ｎ］ゲート線端子だし（７ＰＲ目）。
【０１０１】その後、対向基板を重ね合わせることで反
射型液晶表示装置を製造した。得られた反射型液晶表示
装置は、明るい高品位カラー表示を実現することができ
た。
【０１０２】工程［ｈ］において、その凸部形成に使用
したパターンを図１７に示す。連続した線状パターンを
使用し、ゲート配線及びドレイン配線上を覆うように、
第１の絶縁層と第２の絶縁層とをパターン形成した。こ
れにより、反射電極と配線との間で発生する寄生容量を
小さくできるので、良好なパネル表示性能が得られた。
また、図１８に示す孤立した凹パターンを使用した場合
にも、同様の表示性能を有する反射型液晶表示装置が得
られた。なお、図１７及び図１８において、符号２１５
は連続した線状の凸部、符号２１６は孤立した凹部、符
号２６０は配線上の線状の凸部、符号２６１はゲート配
線上の線状の凸部、符号２６２はドレイン配線上の線状
の凸部である。
【０１０３】なお、全図面において、同一部分には同一
符号を付すことにより重複説明を省略した。
【０１０４】
【発明の効果】本発明に係る反射型液晶表示装置及びそ
の製造方法によれば、反射電極下の絶縁膜の凸部全体が
網状に繋がっていることにより、全体の凸部のうちの一
部分で下地との密着力が弱まっても、その一部分が周囲
の凸部によって支持されるので、凸部の剥れを防止でき
る。
【０１０５】換言すると、第一の絶縁層に形成される凸
部は、孤立した凹部又は連続した線状の平面パターンで
構成されていることから、凸部と下地との接触面積を大
きくできるので、下地膜との密着性を向上できる。した
がって、膜剥れのない良好な凸部を実現できる。また、
この凸部の上に形成された反射電極を用いて製造される
反射型液晶表示装置は、均一で所望の反射光学特性を有
する高品位表示を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る反射型液晶表示装置の第一実施形
態を示す断面図である。
【図２】本実施形態の反射型液晶表示装置における一画
素分の第一の絶縁層を示す平面図であり、図２［１］が
第一例、図２［２］が第二例である。
【図３】本発明に係る反射型液晶表示装置の第二実施形
態を示す説明図であり、図３［ａ］が第一例、図３
［ｂ］が第二例である。
【図４】本発明に係る反射型液晶表示装置の第三及び第
四実施形態を示す断面図であり、図４［１］は第三実施
形態、図４［２］は第四実施形態である。
【図５】本発明に係る反射型液晶表示装置の第五実施形
態を示す断面図であり、図５［ａ］は比較例、図５
［ｂ］は第一例、図５［ｃ］は第二例である。
【図６】本発明に係る反射型液晶表示装置の第六実施形
態を示す断面図である。
【図７】本発明に係る反射型液晶表示装置の製造方法の
第一実施形態を示す断面図であり、図７［ａ］〜図７
［ｇ］の順に工程が進行する。
【図８】本発明に係る反射型液晶表示装置の製造方法の
第一実施形態を示す断面図であり、図８［ｈ］〜図８
［ｌ］の順に工程が進行する。
【図９】本発明に係る反射型液晶表示装置の実施例１を
示す断面図であり、図９［ａ］〜図９［ｈ］の順に工程
が進行する。
【図１０】本発明に係る反射型液晶表示装置の実施例１
を示す断面図であり、図１０［ｉ］〜図１０［ｍ］の順
に工程が進行する。
【図１１】実施例１における凸部のパターンの第一例を
示す平面図である。
【図１２】実施例１における凸部のパターンの第二例を
示す平面図である。
【図１３】本発明に係る反射型液晶表示装置の実施例２
を示す断面図であり、図１３［ａ］〜図１３［ｇ］の順
に工程が進行する。
【図１４】本発明に係る反射型液晶表示装置の実施例２
を示す断面図であり、図１４［ｈ］〜図１４［ｌ］の順
に工程が進行する。
【図１５】本発明に係る反射型液晶表示装置の実施例３
を示す断面図であり、図１５［ａ］〜図１５［ｇ］の順
に工程が進行する。
【図１６】本発明に係る反射型液晶表示装置の実施例２
を示す断面図であり、図１６［ｈ］〜図１６［ｌ］の順
に工程が進行する。
【図１７】実施例５における凸部のパターンの第一例を
示す平面図である。
【図１８】実施例５における凸部のパターンの第二例を
示す平面図である。
【図１９】従来の反射型液晶表示装置を示す断面図であ
る。
【図２０】従来の反射型液晶表示装置の製造方法を示す
断面図であり、図２０［ａ］〜図２０［ｆ］の順に工程
が進行する。
【図２１】従来の反射型液晶表示装置の製造方法を示す
断面図であり、図２１［ｇ］〜図２１［ｊ］の順に工程
が進行する。
【図２２】従来の反射型液晶表示装置における凸部のパ
ターンを示す平面図である。
【符号の説明】
４４ 絶縁膜 ４５ 絶縁層 ４６ 凹部 ４７ 凸部 ４９ 第二の絶縁層 ５０ 凹凸構造 ５１ 反射電極 ５８１ ガラス基板（第一の基板） ５８２ ガラス基板（第二の基板） ６０ 透明電極 ６１ 液晶層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 照晃 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 吉川 周憲 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H091 FA16Y FB04 FB06 LA16 LA30 2H092 GA19 HA02 JA26 JA46 JB08 JB51 JB56 JB57 KB04 KB13 KB24 MA15 MA17 NA01 NA18 5G435 AA00 AA09 BB12 BB16 EE33 FF03 FF14 HH02 HH12 HH14 KK05

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明な第一の基板と、この第一の基板上
    に設けられた透明電極と、第二の基板と、この第二の基
    板上に設けられるとともに表面に凹凸構造が形成された
    絶縁膜と、この絶縁膜上に前記凹凸構造を反映させた形
    状で設けられた反射電極と、前記第一の基板の前記透明
    電極側と前記第二の基板の前記反射電極側とで挟み込ま
    れた液晶層とを備えた反射型液晶表示装置において、 前記絶縁膜は、周囲を凸部によって囲まれて孤立した多
    数の凹部が不規則に配置された第一の絶縁層と、この第
    一の絶縁層の全体を覆う第二の絶縁層とを備えた、 ことを特徴とする反射型液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 前記凹部は、不規則に配置された多数の
    線状の凸部によって囲まれた部分からなる、 請求項１記載の反射型液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 前記凹凸構造は１画素単位又は２以上の
    画素単位の不規則な凹凸形状の繰り返しからなる、 請求項１又は２記載の反射型液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 前記凹部及び前記凸部は、溶融により形
    成された滑らかな断面形状を有する、 請求項１，２又は３記載の反射型液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 前記第二の基板上に液晶駆動用のスイッ
    チング素子が設けられ、前記絶縁膜が前記スイッチング
    素子の保護膜を兼ねた、 請求項１，２，３又は４記載の反射型液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 前記第一及び第二の絶縁層のいずれか一
    方又は両方が、前記スイッチング素子のドレイン配線及
    びゲート配線のいずれか一方又は両方を覆った、 請求項５記載の反射型液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 前記第一及び第二の絶縁層のいずれか一
    方又は両方が光吸収性を有する、 請求項１，２，３，４，５又は６記載の反射型液晶表示
    装置。
  8. 【請求項８】 前記第二の基板上に液晶駆動用のスイッ
    チング素子が設けられ、このスイッチング素子と前記反
    射電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールが
    前記絶縁膜に形成されている、 請求項１，２，３，４，５，６又は７記載の反射型液晶
    表示装置。
  9. 【請求項９】 前記第一の絶縁層は感光性能を有する有
    機樹脂又は無機樹脂からなる、 請求項１，２，３，４，５，６，７又は８記載の反射型
    液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】 前記第二の絶縁層は感光性能を有する
    有機樹脂又は無機樹脂からなる、 請求項１，２，３，４，５，６，７，８又は９記載の反
    射型液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１，２，３，４，５，６，７，
    ８，９又は１０記載の反射型液晶表示装置における前記
    凹凸構造を形成する方法であって、 前記第一の絶縁層を形成する工程と、前記第一の絶縁層
    上にレジストパターンを形成するフォトリソ工程と、前
    記第一の絶縁層にエッチングを行う工程と、前記第一の
    絶縁層上に残ったレジスト膜を剥離する工程と、エッチ
    ング後の前記第一の絶縁層を熱処理によりメルトさせる
    ことにより前記凹凸構造を滑らかにする工程と、メルト
    後の前記第一の絶縁層上に前記第二の絶縁層を形成する
    工程とを備えた、 反射型液晶表示装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１，２，３，４，５，６，７，
    ８，９又は１０記載の反射型液晶表示装置における前記
    凹凸構造を形成する方法であって、 感光性能を有する有機系絶縁材料又は無機系絶縁材料を
    用いて前記第一の絶縁層を形成する工程と、前記第一の
    絶縁層に凹凸パターンを形成するための露光工程と、前
    記第一の絶縁層にエッチング現像を行う現像工程と、エ
    ッチング現像後の前記第一の絶縁層を熱処理によりメル
    トさせることにより前記凹凸構造を滑らかにするメルト
    工程と、メルト後の前記第一の絶縁層上に前記第二の絶
    縁層を形成する工程とを備えた、 反射型液晶表示装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 請求項８記載の反射型液晶表示装置に
    おける前記コンタクトホールを形成する方法であって、 感光性能を有する有機系絶縁材料又は無機系絶縁材料を
    用いて前記第二の絶縁層を形成する工程と、前記コンタ
    クトホールを前記第二の絶縁層に形成するためのパター
    ンを形成する露光工程と、前記第二の絶縁層に対してエ
    ッチング現像を行うことにより前記コンタクトホールを
    形成する現像工程とを備えた、 反射型液晶表示装置の製造方法。
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