JP2999317B2 - 反射型カラー液晶表示装置 - Google Patents
反射型カラー液晶表示装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反射型カラー液晶表示
装置に関し、特に蛍光色素を添加した透明樹脂から成る
蛍光層を反射電極上に形成した反射型カラー液晶表示装
置に関する。
装置に関し、特に蛍光色素を添加した透明樹脂から成る
蛍光層を反射電極上に形成した反射型カラー液晶表示装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、ワードプロセッサ、ラップトップ
型パーソナルコンピュータなどのＯＡ機器やポケットテ
レビなどへの液晶表示装置の応用が急速に進展してい
る。特に、周囲光を利用して新たにバックライトを用い
ない反射型液晶表示装置は消費電力が少なく、薄型・軽
量化の可能性があるということから注目されてきてい
る。
型パーソナルコンピュータなどのＯＡ機器やポケットテ
レビなどへの液晶表示装置の応用が急速に進展してい
る。特に、周囲光を利用して新たにバックライトを用い
ない反射型液晶表示装置は消費電力が少なく、薄型・軽
量化の可能性があるということから注目されてきてい
る。
【０００３】従来から反射型液晶表示装置には、ツイス
テッドネマティック（ＴＮ）方式およびスーパーツイス
テッドネマティック（ＳＴＮ）方式が採用されている
が、これらの方式では偏光板を使用することによって偏
光板で入射光の約半分がカットされ、これが有効に表示
に寄与しないことになり、表示が暗くなるという問題が
ある。
テッドネマティック（ＴＮ）方式およびスーパーツイス
テッドネマティック（ＳＴＮ）方式が採用されている
が、これらの方式では偏光板を使用することによって偏
光板で入射光の約半分がカットされ、これが有効に表示
に寄与しないことになり、表示が暗くなるという問題が
ある。
【０００４】このような問題に対して偏光板を用いるこ
となく入射光のすべてを有効に利用しようとする表示モ
ードが提案されている。このようなモードの例として相
転移型ゲストホスト・モードがある（D.L.White and G.
N.Taylor:J.Appl.Phys.,45.P.4718,1974)。このモード
では電界によるコレステリック・ネマティック相転移現
象が利用されている。
となく入射光のすべてを有効に利用しようとする表示モ
ードが提案されている。このようなモードの例として相
転移型ゲストホスト・モードがある（D.L.White and G.
N.Taylor:J.Appl.Phys.,45.P.4718,1974)。このモード
では電界によるコレステリック・ネマティック相転移現
象が利用されている。
【０００５】さらにこの方式にマイクロカラーフィルタ
を組合わせた反射型マルチカラーフィルタ液晶表示装置
もある（T.Ucida et al:Japan Display,P.312,1986)。
これは図５に示すように、一方基板９はガラス基板８と
透明電極１９とカラーフィルタ１２とから成り、ＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）が形成される他方基板１０はガラ
ス基板１と第１絶縁層３と凹凸を有する第２絶縁層１７
と反射電極１８とから成る。また両基板９，１０間には
液晶１５が封入されている。
を組合わせた反射型マルチカラーフィルタ液晶表示装置
もある（T.Ucida et al:Japan Display,P.312,1986)。
これは図５に示すように、一方基板９はガラス基板８と
透明電極１９とカラーフィルタ１２とから成り、ＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）が形成される他方基板１０はガラ
ス基板１と第１絶縁層３と凹凸を有する第２絶縁層１７
と反射電極１８とから成る。また両基板９，１０間には
液晶１５が封入されている。
【０００６】この方式では、カラーフィルタ１２と反射
電極１８とを別々の基板（図５ではカラーフィルタ１２
を一方基板９、反射電極１８をＴＦＴ側基板１０）に設
け、反射電極１８に凹凸を形成することによって、カラ
ーフィルタ１２での散乱を減少させ垂直方向への光の強
度を増加し、表示面をより明るくするというものであ
る。
電極１８とを別々の基板（図５ではカラーフィルタ１２
を一方基板９、反射電極１８をＴＦＴ側基板１０）に設
け、反射電極１８に凹凸を形成することによって、カラ
ーフィルタ１２での散乱を減少させ垂直方向への光の強
度を増加し、表示面をより明るくするというものであ
る。
【０００７】またＴＦＴ１１は、ゲート電極２、第１絶
縁層３、非晶質シリコンから成る半導体層４、その上に
２分割して形成されるリンをドープしたシリコンから成
るコンタクト電極５、さらにその上に積層されたソース
電極６およびドレイン電極７から構成され、スイッチン
グ素子の機能を有する。
縁層３、非晶質シリコンから成る半導体層４、その上に
２分割して形成されるリンをドープしたシリコンから成
るコンタクト電極５、さらにその上に積層されたソース
電極６およびドレイン電極７から構成され、スイッチン
グ素子の機能を有する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
図５に示される構造では、バックライトを用いない反射
型カラー液晶表示装置としてはまだ表示が暗く、さらに
明るくするための手段として反射板の材料や反射板の表
面形状の改良、カラーフィルタと反射板との相互位置関
係の改善、ガラス基板表面での反射を少なくするための
ガラス基板表面に反射防止膜を形成するなどされてきた
が、これらによってもまだ十分ではない。
図５に示される構造では、バックライトを用いない反射
型カラー液晶表示装置としてはまだ表示が暗く、さらに
明るくするための手段として反射板の材料や反射板の表
面形状の改良、カラーフィルタと反射板との相互位置関
係の改善、ガラス基板表面での反射を少なくするための
ガラス基板表面に反射防止膜を形成するなどされてきた
が、これらによってもまだ十分ではない。
【０００９】本発明の目的は、上述の問題を解決し、表
示面の明るい反射型カラー液晶表示装置を提供すること
である。
示面の明るい反射型カラー液晶表示装置を提供すること
である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、液晶層を介在
して対向配置される一対の透明基板のうち、一方の基板
の液晶層側に、他方の基板側からの入射光を反射する反
射電極が形成された反射型カラー液晶表示装置におい
て、透明な樹脂中に蛍光色素が添加された透明な蛍光層
を前記反射電極上に形成し、前記蛍光色素は紫外域の光
を吸収し、可視域の蛍光を発することを特徴とする反射
型カラー液晶表示装置である。
して対向配置される一対の透明基板のうち、一方の基板
の液晶層側に、他方の基板側からの入射光を反射する反
射電極が形成された反射型カラー液晶表示装置におい
て、透明な樹脂中に蛍光色素が添加された透明な蛍光層
を前記反射電極上に形成し、前記蛍光色素は紫外域の光
を吸収し、可視域の蛍光を発することを特徴とする反射
型カラー液晶表示装置である。
【００１１】
【００１２】また本発明は、前記液晶表示装置がその各
々の絵素に薄膜トランジスタなどの非線形素子が付加さ
れたアクティブマトリックス型であることを特徴とす
る。
々の絵素に薄膜トランジスタなどの非線形素子が付加さ
れたアクティブマトリックス型であることを特徴とす
る。
【００１３】また本発明は、前記一方の基板上の前記反
射電極上に、前記蛍光層が形成され、それに対向する前
記他方の基板上に赤、緑、青から成るモザイクカラーフ
ィルタが形成されることを特徴とする。
射電極上に、前記蛍光層が形成され、それに対向する前
記他方の基板上に赤、緑、青から成るモザイクカラーフ
ィルタが形成されることを特徴とする。
【００１４】また本発明は、前記非線形素子は、薄膜ト
ランジスタであり、前記一方基板上で、ドレイン電極を
含む前記非線形素子上およびその非線形素子が形成され
ていない残余の領域上にわたる全面に絶縁層が形成さ
れ、この絶縁層に設けられるスルーホールを介して絵素
電極である反射電極とドレイン電極とが接続されること
を特徴とする。
ランジスタであり、前記一方基板上で、ドレイン電極を
含む前記非線形素子上およびその非線形素子が形成され
ていない残余の領域上にわたる全面に絶縁層が形成さ
れ、この絶縁層に設けられるスルーホールを介して絵素
電極である反射電極とドレイン電極とが接続されること
を特徴とする。
【００１５】
【作用】本発明に従えば、反射型カラー液晶表示装置に
おいて、反射電極上に蛍光層を形成することによって、
これまで表示に寄与しなかった紫外域の光を可視域の蛍
光に変えて有効に利用し、さらにＴＦＴなどのアクティ
ブ素子と組合わせることによって、明るく表示コントラ
ストの優れた反射型カラー液晶表示素子を得ることがで
きる。
おいて、反射電極上に蛍光層を形成することによって、
これまで表示に寄与しなかった紫外域の光を可視域の蛍
光に変えて有効に利用し、さらにＴＦＴなどのアクティ
ブ素子と組合わせることによって、明るく表示コントラ
ストの優れた反射型カラー液晶表示素子を得ることがで
きる。
【００１６】
【実施例】以下実施例でもって、本発明に係る反射型カ
ラー液晶表示装置をより具体的に説明する。
ラー液晶表示装置をより具体的に説明する。
【００１７】実施例１ 図１は本発明の一実施例である反射型カラー液晶表位装
置３０の断面図であり、図２は図１に示されるＴＦＴ側
基板２６の反射電極４３の一部と蛍光層４４を除去した
平面図である。本実施例では、ＴＦＴ側基板２６の１つ
１つの絵素にＴＦＴなどのアクティブマトリックス素子
が付加されており、それに対向する対向側基板２７との
間に液晶４９が封入されている。ガラスなどから成る絶
縁性の基板３１上に、クロム、タンタル等から成る複数
のゲートバス配線３２が互いに平行に設けられ、ゲート
バス配線３２からはゲート電極３３が分岐している。ゲ
ートバス配線３２は走査線として機能している。
置３０の断面図であり、図２は図１に示されるＴＦＴ側
基板２６の反射電極４３の一部と蛍光層４４を除去した
平面図である。本実施例では、ＴＦＴ側基板２６の１つ
１つの絵素にＴＦＴなどのアクティブマトリックス素子
が付加されており、それに対向する対向側基板２７との
間に液晶４９が封入されている。ガラスなどから成る絶
縁性の基板３１上に、クロム、タンタル等から成る複数
のゲートバス配線３２が互いに平行に設けられ、ゲート
バス配線３２からはゲート電極３３が分岐している。ゲ
ートバス配線３２は走査線として機能している。
【００１８】ゲート電極３を覆って基板３１上の全面
に、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏx）等から成るゲート絶縁膜３４が形成されている。
ゲート電極３３の上方のゲートバス絶縁膜３４上には、
非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）から成る半導体層３５が形
成されている。半導体層３５の上方にはエッチストッパ
（ＥＳ）層４２を挟んでリンをドープした非晶質シリコ
ンから成るコンタクト電極４１が形成されている。一方
のコンタクト電極４１上にはチタン、モリブデン、アル
ミニウム等から成るソース電極３６が重畳形成され、他
方のコンタクト電極４１上には、ソース電極３６と同様
にチタン、モリブデン、アルミニウム等から成るドレイ
ン電極３７が重畳形成されている。
に、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏx）等から成るゲート絶縁膜３４が形成されている。
ゲート電極３３の上方のゲートバス絶縁膜３４上には、
非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）から成る半導体層３５が形
成されている。半導体層３５の上方にはエッチストッパ
（ＥＳ）層４２を挟んでリンをドープした非晶質シリコ
ンから成るコンタクト電極４１が形成されている。一方
のコンタクト電極４１上にはチタン、モリブデン、アル
ミニウム等から成るソース電極３６が重畳形成され、他
方のコンタクト電極４１上には、ソース電極３６と同様
にチタン、モリブデン、アルミニウム等から成るドレイ
ン電極３７が重畳形成されている。
【００１９】図２に示すようにソース電極３６には、ゲ
ートバス配線３２に前述のゲート絶縁膜３４を挟んで交
差するソースバス配線３９が接続されている。ソースバ
ス配線３９は、信号線として機能している。ソースバス
配線３９も、ソース電極３６と同様の金属で形成されて
いる。ゲート電極３３、ゲート絶縁膜３４、半導体層３
５、ＥＳ層４２、ソース電極３６およびドレイン電極３
７はＴＦＴ４０を構成し、該ＴＦＴ４０は、スイッチン
グ素子の機能を有する。
ートバス配線３２に前述のゲート絶縁膜３４を挟んで交
差するソースバス配線３９が接続されている。ソースバ
ス配線３９は、信号線として機能している。ソースバス
配線３９も、ソース電極３６と同様の金属で形成されて
いる。ゲート電極３３、ゲート絶縁膜３４、半導体層３
５、ＥＳ層４２、ソース電極３６およびドレイン電極３
７はＴＦＴ４０を構成し、該ＴＦＴ４０は、スイッチン
グ素子の機能を有する。
【００２０】アルミニウム、銀などから成る反射電極４
３は、１つ１つの絵素に相当する領域３８上に形成され
絵素電極を兼ね、さらにその表面は、ゲートバス配線３
２、ソースバス配線３９およびＥＳ層４２上も含めて、
蛍光色素が添加された透明樹脂から成る蛍光層４４で覆
われる。
３は、１つ１つの絵素に相当する領域３８上に形成され
絵素電極を兼ね、さらにその表面は、ゲートバス配線３
２、ソースバス配線３９およびＥＳ層４２上も含めて、
蛍光色素が添加された透明樹脂から成る蛍光層４４で覆
われる。
【００２１】液晶４９を挟んで対向する対向側基板２７
は、ガラスなどから成る透明基板４５、その表面のほぼ
全面に形成されるインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）か
ら成る透明な対向電極４７、さらにその表面に形成され
るカラーフィルタ４６から構成される。
は、ガラスなどから成る透明基板４５、その表面のほぼ
全面に形成されるインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）か
ら成る透明な対向電極４７、さらにその表面に形成され
るカラーフィルタ４６から構成される。
【００２２】入射光２０は対向側基板２７から入射し
て、ガラス基板４５、対向電極４７、カラーフィルタ４
６、液晶４９を通過して、ＴＦＴ側基板２６に到達す
る。ここでは、先ず蛍光層４４によって、紫外光の一部
が吸収される。蛍光層４４で吸収されなかった光は反射
電極４３で反射され、さらに蛍光層４４で紫外光の一部
が吸収される。入射時と反射時に蛍光層４４で吸収され
た紫外光は可視光に変換されて、反射光２１とともに、
液晶４９、カラーフィルタ４６、対向電極４７、ガラス
基板４５を通過して表示面に出射する。
て、ガラス基板４５、対向電極４７、カラーフィルタ４
６、液晶４９を通過して、ＴＦＴ側基板２６に到達す
る。ここでは、先ず蛍光層４４によって、紫外光の一部
が吸収される。蛍光層４４で吸収されなかった光は反射
電極４３で反射され、さらに蛍光層４４で紫外光の一部
が吸収される。入射時と反射時に蛍光層４４で吸収され
た紫外光は可視光に変換されて、反射光２１とともに、
液晶４９、カラーフィルタ４６、対向電極４７、ガラス
基板４５を通過して表示面に出射する。
【００２３】蛍光色素としてはチオフラビン、ブリリア
ントスルホフラビン、ブリリアントイエロー、フルオロ
ールグリーンゴールド、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ
ＣＰ、フルオレッセイン、エオシンなどを単独であるい
はこれらを数種類組合わせて用いる。
ントスルホフラビン、ブリリアントイエロー、フルオロ
ールグリーンゴールド、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ
ＣＰ、フルオレッセイン、エオシンなどを単独であるい
はこれらを数種類組合わせて用いる。
【００２４】次に本実施例の反射型カラー液晶表示装置
の製造方法について簡単に説明する。ＴＦＴ側基板２６
上に従来技術で用いている方法で、ソース電極３６とド
レイン電極３７までを形成する。その上に領域３８上に
反射電極４３を形成する。反射電極４３は絵素電極を兼
用しているので、反射電極４３には高反射率のアルミニ
ウムや銀が用いられる。本実施例ではアルミニウムを用
いた。反射電極４３の上には、ゲートバス配線３２、ソ
ースバス配線３９およびＥＳ層４２上も含めて蛍光層４
４を形成する。蛍光層に用いる蛍光色素として本実施例
では「ＰＣホワイト３Ｐ」（日本化薬（株）製）を０．
１〜１重量％、熱硬化性樹脂「ＯＣＭＸ−２」（日本化
薬（株）製）に溶解させ、反射電極４３上にスピンナを
用いて膜厚２〜３μｍに塗布した後、１７０℃で２時間
焼成した。
の製造方法について簡単に説明する。ＴＦＴ側基板２６
上に従来技術で用いている方法で、ソース電極３６とド
レイン電極３７までを形成する。その上に領域３８上に
反射電極４３を形成する。反射電極４３は絵素電極を兼
用しているので、反射電極４３には高反射率のアルミニ
ウムや銀が用いられる。本実施例ではアルミニウムを用
いた。反射電極４３の上には、ゲートバス配線３２、ソ
ースバス配線３９およびＥＳ層４２上も含めて蛍光層４
４を形成する。蛍光層に用いる蛍光色素として本実施例
では「ＰＣホワイト３Ｐ」（日本化薬（株）製）を０．
１〜１重量％、熱硬化性樹脂「ＯＣＭＸ−２」（日本化
薬（株）製）に溶解させ、反射電極４３上にスピンナを
用いて膜厚２〜３μｍに塗布した後、１７０℃で２時間
焼成した。
【００２５】また対向側基板２７は、ガラス基板４５上
に従来技術で用いられている方法で対向電極４７を形成
した後、１つ１つの絵素領域に対応して、赤、緑、青か
ら成るモザイクカラーフィルタ４６を形成する。カラー
フィルタの形成方法としては、ゼラチン染色法、顔料分
散法、電着法、印刷法または蒸着法が上げられる。本実
施例ではゼラチン染色法を用いた。反射型カラー液晶表
示装置の場合は、明るさの点からカラーフィルタの色を
薄くし、色濃度を下げる必要がある。上記によって製造
したＴＦＴ側基板２６と対向側基板２７との上にポリイ
ミドなどの配向膜（図示せず）を形成し、ラビング処理
した後、これを貼合わせ、液晶４９を注入し、反射型カ
ラー液晶表示装置を完成する。
に従来技術で用いられている方法で対向電極４７を形成
した後、１つ１つの絵素領域に対応して、赤、緑、青か
ら成るモザイクカラーフィルタ４６を形成する。カラー
フィルタの形成方法としては、ゼラチン染色法、顔料分
散法、電着法、印刷法または蒸着法が上げられる。本実
施例ではゼラチン染色法を用いた。反射型カラー液晶表
示装置の場合は、明るさの点からカラーフィルタの色を
薄くし、色濃度を下げる必要がある。上記によって製造
したＴＦＴ側基板２６と対向側基板２７との上にポリイ
ミドなどの配向膜（図示せず）を形成し、ラビング処理
した後、これを貼合わせ、液晶４９を注入し、反射型カ
ラー液晶表示装置を完成する。
【００２６】以上のように本実施例によれば、従来では
表示に寄与しなかった紫外光を可視光に変換して表示光
として利用することができ、バックライトを用いること
なく、明るい表示を実施することができる。
表示に寄与しなかった紫外光を可視光に変換して表示光
として利用することができ、バックライトを用いること
なく、明るい表示を実施することができる。
【００２７】実施例２ 図３は本発明の他の実施例である反射型カラー液晶表示
装置５０の断面図である。
装置５０の断面図である。
【００２８】本実施例ではＴＦＴ側基板５１のガラス基
板５８上に透明な絵素電極５４、その上にカラーフィル
タ５３を形成し、対向側基板５２のガラス基板５９上に
反射電極５５、その上に蛍光層５６を形成する。ＴＦＴ
４０の構成は、実施例１の構成に類似し、対応する部分
には同一の参照符を付す。絵素電極５４の上に、カラー
フィルタ５３を形成するのは、反射電極５５上にカラー
フィルタ５３を形成するとカラーフィルタ表面での散乱
が大きくなるからであり、このためにカラーフィルタと
反射電極とを別々の基板上に設ける必要がある。本実施
例ではＴＦＴのドレイン電極３７に接続された透明な絵
素電極５４上に、赤、緑、青から成るモザイクカラーフ
ィルタ５３を形成する。
板５８上に透明な絵素電極５４、その上にカラーフィル
タ５３を形成し、対向側基板５２のガラス基板５９上に
反射電極５５、その上に蛍光層５６を形成する。ＴＦＴ
４０の構成は、実施例１の構成に類似し、対応する部分
には同一の参照符を付す。絵素電極５４の上に、カラー
フィルタ５３を形成するのは、反射電極５５上にカラー
フィルタ５３を形成するとカラーフィルタ表面での散乱
が大きくなるからであり、このためにカラーフィルタと
反射電極とを別々の基板上に設ける必要がある。本実施
例ではＴＦＴのドレイン電極３７に接続された透明な絵
素電極５４上に、赤、緑、青から成るモザイクカラーフ
ィルタ５３を形成する。
【００２９】一方、対向基板５２のガラス基板５９上に
は、本実施例ではアルミニウムから成る反射電極５５を
形成し、その上に蛍光物質の一種である「ローダミン６
ＧＣＰ」を熱硬化性樹脂の中に均一に分散させ、スピン
ナによって塗布して焼成硬化して蛍光層５６を形成し
た。
は、本実施例ではアルミニウムから成る反射電極５５を
形成し、その上に蛍光物質の一種である「ローダミン６
ＧＣＰ」を熱硬化性樹脂の中に均一に分散させ、スピン
ナによって塗布して焼成硬化して蛍光層５６を形成し
た。
【００３０】入射光２０は、ＴＦＴ側基板５１から入射
して、ガラス基板５８、ゲート絶縁膜３４、絵素電極５
４、カラーフィル５３、液晶４９を通過して、対向側基
板５２に到達する。ここでは先ず蛍光層５６によって紫
外線の一部が吸収される。蛍光層５６で吸収されなかっ
た光は反射電極５５で反射され、さらに蛍光層５６で紫
外光の一部が吸収される。入射時と反射時に蛍光層５６
で吸収された紫外光は、可視光に変換されて、液晶４
９、カラーフィルタ５３、絵素電極５４、ゲート絶縁膜
３４、ガラス基板５８を通過して反射光２１に混ざって
表示面に出射する。
して、ガラス基板５８、ゲート絶縁膜３４、絵素電極５
４、カラーフィル５３、液晶４９を通過して、対向側基
板５２に到達する。ここでは先ず蛍光層５６によって紫
外線の一部が吸収される。蛍光層５６で吸収されなかっ
た光は反射電極５５で反射され、さらに蛍光層５６で紫
外光の一部が吸収される。入射時と反射時に蛍光層５６
で吸収された紫外光は、可視光に変換されて、液晶４
９、カラーフィルタ５３、絵素電極５４、ゲート絶縁膜
３４、ガラス基板５８を通過して反射光２１に混ざって
表示面に出射する。
【００３１】実施例３ 図４は本発明のさらに他の実施例である反射型カラー液
晶表示装置６０の断面図である。
晶表示装置６０の断面図である。
【００３２】本実施例では、実施例１と同じくＴＦＴ側
基板６１のガラス基板６８上に反射電極６５、その上に
蛍光層６６を形成し、対向側基板６２のガラス板６９上
に透明な対向電極６４、その上にカラーフィルタ６３を
形成する。ＴＦＴ４０の構成は、実施例１の構成に類似
し、対応する部分には同一の参照符を付す。
基板６１のガラス基板６８上に反射電極６５、その上に
蛍光層６６を形成し、対向側基板６２のガラス板６９上
に透明な対向電極６４、その上にカラーフィルタ６３を
形成する。ＴＦＴ４０の構成は、実施例１の構成に類似
し、対応する部分には同一の参照符を付す。
【００３３】本実施例では、絶縁膜６７でＴＦＴ４０が
形成された上面を全部覆い、こうしてドレイン電極３７
を含むＴＦＴ４０上およびそのＴＦＴ４０が形成されて
いない残余の領域上にわたる全面に絶縁膜６７が形成さ
れる。この絶縁膜６７の膜厚は５０００〜８０００Åで
あり、材質は酸化膜などの無機材料またはポリイミド樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの有機材料がよ
い。特にアクリル樹脂が好ましい。絶縁膜６７の一部に
ドライエッチまたはウェットエッチによってスルーホー
ル７０を穿ち、スルーホール７０によってドレイン電極
３７の一部を露出させる。その後、アルミニウムなどの
反射電極６５の層を全面に形成して、スルーホール部分
によって反射電極６５とドレイン電極３７とを接続し、
反射電極６５を絵素電極としてのパターン化を行う。さ
らに反射電極６５の上に、蛍光色素の一種である「チオ
フラビン」を熱硬化性樹脂中に均一に分散させスピンナ
によって塗布して焼成硬化して、蛍光層６６を形成し
た。
形成された上面を全部覆い、こうしてドレイン電極３７
を含むＴＦＴ４０上およびそのＴＦＴ４０が形成されて
いない残余の領域上にわたる全面に絶縁膜６７が形成さ
れる。この絶縁膜６７の膜厚は５０００〜８０００Åで
あり、材質は酸化膜などの無機材料またはポリイミド樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの有機材料がよ
い。特にアクリル樹脂が好ましい。絶縁膜６７の一部に
ドライエッチまたはウェットエッチによってスルーホー
ル７０を穿ち、スルーホール７０によってドレイン電極
３７の一部を露出させる。その後、アルミニウムなどの
反射電極６５の層を全面に形成して、スルーホール部分
によって反射電極６５とドレイン電極３７とを接続し、
反射電極６５を絵素電極としてのパターン化を行う。さ
らに反射電極６５の上に、蛍光色素の一種である「チオ
フラビン」を熱硬化性樹脂中に均一に分散させスピンナ
によって塗布して焼成硬化して、蛍光層６６を形成し
た。
【００３４】本実施例ではＴＦＴ４０、ソース電極３６
およびドレイン電極３７が形成される面と絵素電極を兼
ねる反射電極６５が形成される面とが絶縁層６７を介し
て別の面にあることによって、絵素電極６５が広くで
き、実施例１に比較してパネル開口率が大きくとれる。
およびドレイン電極３７が形成される面と絵素電極を兼
ねる反射電極６５が形成される面とが絶縁層６７を介し
て別の面にあることによって、絵素電極６５が広くで
き、実施例１に比較してパネル開口率が大きくとれる。
【００３５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、反射電極
上に蛍光色素が添加された透明樹脂から成る蛍光層を形
成し、これによって紫外光を可視光に変換することがで
き、バックライトを用いないでも表示の明るい反射型カ
ラー液晶表示装置を得ることができる。さらに本発明に
よれば、蛍光層は、透明であり、したがって入射光は蛍
光層によって紫外光の一部が吸収されて可視光に変換さ
れるとともに、蛍光層で吸収されなかった光は、その蛍
光層を透過し、反射電極で反射され、その反射光に含ま
れる紫外光の一部が蛍光層で吸収されて可視光に変換さ
れる。こうして蛍光層によって効率よく紫外光が可視光
に変換されることになり、反射電極によってそのまま表
示に利用される可視光とともに、表示面を上述のように
明るくすることができる。薄膜トランジスタなどの非線
形素子が付加されたアクティブマトリックス型で構成さ
れ、特に反射電極上に蛍光層が形成され、モザイクカラ
ーフィルタは反射電極上には形成されず、これによって
カラーフィルタ表面での散乱が大きくなることを防ぐこ
とができ、また、薄膜トランジスタのドレイン電極は、
絶縁層に設けられたスルーホールを介して反射電極に接
続され、したがってこの絶縁層上の反射電極を絵素電極
として記録することができ、パネル開口率を大きくする
ことができ、これによって明るい表示面を得ることがで
きる。
上に蛍光色素が添加された透明樹脂から成る蛍光層を形
成し、これによって紫外光を可視光に変換することがで
き、バックライトを用いないでも表示の明るい反射型カ
ラー液晶表示装置を得ることができる。さらに本発明に
よれば、蛍光層は、透明であり、したがって入射光は蛍
光層によって紫外光の一部が吸収されて可視光に変換さ
れるとともに、蛍光層で吸収されなかった光は、その蛍
光層を透過し、反射電極で反射され、その反射光に含ま
れる紫外光の一部が蛍光層で吸収されて可視光に変換さ
れる。こうして蛍光層によって効率よく紫外光が可視光
に変換されることになり、反射電極によってそのまま表
示に利用される可視光とともに、表示面を上述のように
明るくすることができる。薄膜トランジスタなどの非線
形素子が付加されたアクティブマトリックス型で構成さ
れ、特に反射電極上に蛍光層が形成され、モザイクカラ
ーフィルタは反射電極上には形成されず、これによって
カラーフィルタ表面での散乱が大きくなることを防ぐこ
とができ、また、薄膜トランジスタのドレイン電極は、
絶縁層に設けられたスルーホールを介して反射電極に接
続され、したがってこの絶縁層上の反射電極を絵素電極
として記録することができ、パネル開口率を大きくする
ことができ、これによって明るい表示面を得ることがで
きる。
【図１】本発明の一実施例の断面図である。
【図２】図１に示される一実施例のＴＦＴ側基板２６の
平面図である。
平面図である。
【図３】本発明の他の実施例の断面図である。
【図４】本発明のさらに他の実施例の断面図である。
【図５】従来技術を説明するための断面図である。
２０ 入射光 ２１ 反射光 ３０，５０，６０ 反射型カラー液晶表示装置 ４０ ＴＦＴ（薄膜トランジスタ） ４３，６５ 絵素電極を兼ねる反射電極 ４４，５６，６６ 蛍光層 ４６，５３，６３ カラーフィルタ ４７，６４ 対向電極 ４９ 液晶 ５４ 透明な絵素電極 ５５ 反射電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−75686（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−171928（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−228022（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1335 G09F 9/30
Claims (4)
- 【請求項１】 液晶層を介在して対向配置される一対の
透明基板のうち、一方の基板の液晶層側に、他方の基板
側からの入射光を反射する反射電極が形成された反射型
カラー液晶表示装置において、 透明な樹脂中に蛍光色素が添加された透明な蛍光層を前
記反射電極上に形成し、 前記蛍光色素は紫外域の光を吸収し、可視域の蛍光を発
することを特徴とする反射型カラー液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記液晶表示装置がその各々の絵素に薄
膜トランジスタなどの非線形素子が付加されたアクティ
ブマトリックス型であることを特徴とする請求項１記載
の反射型カラー液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記一方の基板上の前記反射電極上に、
前記蛍光層が形成され、それに対向する前記他方の基板
上に赤、緑、青から成るモザイクカラーフィルタが形成
されることを特徴とする請求項２記載の反射型カラー液
晶表示装置。 - 【請求項４】 前記非線形素子は、薄膜トランジスタで
あり、 前記一方基板上で、ドレイン電極を含む前記非線形素子
上およびその非線形素子が形成されていない残余の領域
上にわたる全面に絶縁層が形成され、 この絶縁層に設けられるスルーホールを介して絵素電極
である反射電極とドレイン電極とが接続されることを特
徴とする請求項３記載の反射型カラー液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3343581A JP2999317B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 反射型カラー液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3343581A JP2999317B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 反射型カラー液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05173122A JPH05173122A (ja) | 1993-07-13 |
| JP2999317B2 true JP2999317B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=18362635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3343581A Expired - Lifetime JP2999317B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 反射型カラー液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2999317B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW436658B (en) | 1996-05-24 | 2001-05-28 | Seiko Epson Corp | A reflection-type color LCD device, the driving method of the same and an electronic machine |
| KR100508032B1 (ko) * | 1997-12-19 | 2005-11-09 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| JP3589100B2 (ja) | 1999-07-22 | 2004-11-17 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 蛍光変換フィルター及び蛍光変換フィルターを具備した有機発光素子 |
| JP4494110B2 (ja) * | 2003-07-29 | 2010-06-30 | シャープ株式会社 | カラー表示装置 |
| CN109343277A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-02-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示装置 |
-
1991
- 1991-12-25 JP JP3343581A patent/JP2999317B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05173122A (ja) | 1993-07-13 |
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