DE19860084A1 - Verfahren zum Strukturieren eines Substrats - Google Patents

Verfahren zum Strukturieren eines Substrats

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Abstract

Es wird ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats (20) vorgeschlagen, bei dem nach dem Ätzen des Substrats (20) Ätzrückstände (30) von der Oberfläche des Substrats (20) durch einen Gasstrom (50) entfernt werden. Die Reinigung erfolgt im wesentlichen durch eine Impulsübertragung vom Gasstrom (50) auf die Ätzrückstände (30), die dadurch vom Substrat (20) entfernt werden. Besonders gute Reinigungsergebnisse werden mit einem Gasstrom (50) erreicht, der erstarrte Gaspartikel (45) aufweist. Das Verfahren eignet sich insbesondere zum Strukturieren von Metallschichten (20).

Description

Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der Halbleitertechnologie und betrifft ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats.
Zur Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen, bei­ spielsweise Halbleiterspeicher, muß eine Vielzahl von unter­ schiedlichen Materialien, die z. B. in Form von Schichten auf einem Grundsubstrat aufgebracht sind, strukturiert werden. Dazu werden die zu strukturierenden Schichten mit einer ge­ eigneten Ätzmaske bedeckt und anschließend einem Ätzmedium ausgesetzt. Dieses führt durch physikalischen und/oder chemi­ schen Abtrag zu einem Entfernen der zu strukturierenden Schicht von den nicht durch die Ätzmaske bedeckten Bereiche des Grundsubstrats. Beim Ätzen kann es jedoch durch den An­ griff des Ätzmediums auch zu einem teilweisen Entfernen der Ätzmaske kommen, in dessen Folge die Schicht nicht mehr maß­ haltig geätzt wird. Dies äußert sich beispielsweise in ge­ neigten Ätzflanken der zu strukturierenden Schicht. Derartig geneigte Ätzflanken verhindern jedoch die gewünschte maßhal­ tige Strukturierung.
Besondere Schwierigkeiten bereitet das Ätzen von Metall- und Metalloxidschichten. So erhält man beispielsweise beim Ätzen von Platin mit einem Ätzverfahren mit hoher physikalischer Komponente relativ steile Ätzflanken, jedoch bilden sich da­ bei gleichzeitig Materialablagerungen an der Ätzmaske aus, die nur äußerst schwer entfernbar sind. Daher wird neben der physikalischen Komponente dem Ätzverfahren zusätzlich eine reaktive chemische Komponente zugeordnet, um diese Material­ ablagerungen während des Ätzens zu unterdrücken bzw. abzutra­ gen. Derartige Ätzverfahren werden beispielsweise in den Fachartikeln Yoo et al. "Control of Etch Slope during Etching of Pt in Ar/Cl2/O2 Plasmas", Japanese Journal of Applied Phy­ sics Vol. 35, 1996, Seiten 2501 bis 2504 und Park et al. "Platinium Etching in an Inductively Coupled Plasma" 26th Essderc 1996, Seiten 631 bis 634 beschrieben. In beiden Fach­ artikeln wird Platin in einem Argonplasma anisotrop geätzt, wobei dem Argonplasma Chlorionen als chemische Komponente zur Reduzierung der Materialablagerungen beigesetzt sind. Ungün­ stigerweise entstehen jedoch bei Verwendung dieser Verfahren unerwünscht stark geneigte Platinätzflanken.
Das Ätzen von Platin in einem reinen Argonplasma wird in bei­ den Fachartikeln trotz der dabei entstehenden relativ steilen Ätzflanken vermieden, da die sich beim Ätzen ausbildenden Ma­ terialablagerungen schwer entfernbar sind. Da die Material­ ablagerungen aus dem gleichen Material wie die zu strukturie­ rende Schicht bestehen, führt z. B. ein naßchemisches Entfer­ nen der Materialablagerungen auch zu einem unerwünschten An­ greifen der Schicht.
Es ist auch möglich, Platin bei stark erhöhten Temperaturen zu ätzen, da das Platin bei hohen Temperaturen mit den Ätzga­ sen flüchtige Verbindungen bildet. Voraussetzung hierfür ist jedoch die Verwendung von sogenannten Hartmasken aus relativ temperaturstabilen Maskenmaterialien. Der nachfolgend erfor­ derliche Abtrag der Hartmasken führt jedoch gleichzeitig zu einem Abtrag freigelegten Grundsubstrats und damit zu einer unerwünschten Erhöhung der Topologie der zu prozessierenden Struktur.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Struk­ turieren eines Substrats anzugeben, bei dem möglichst steile Ätzflanken entstehen sowie eine Vorrichtung zur Durchführung eines derartigen Verfahrens zu benennen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats mit folgenden Schritten:
  • - ein Substrat wird bereitgestellt;
  • - auf das Substrat wird eine Ätzmaske aufgebracht;
  • - das Substrat wird mittels eines Ätzverfahrens unter Verwen­ dung der Ätzmaske geätzt;
  • - ein aus zumindest einer Düse strömender Gasstrom wird zum Entfernen der Ätzrückstände und gegebenenfalls der Ätzmaske auf das Substrat gerichtet, wobei der Gasstrom die Ätzrück­ stände und gegebenenfalls die Ätzmaske weitestgehend vom Substrat entfernt.
Mit Hilfe der Erfindung ist es möglich, Ätzrückstände sowie die ggf. auf dem Substrat verbliebene Ätzmaske durch einen gerichteten Gasstrom weitestgehend rückstandsfrei zu entfer­ nen. Dabei wird der Umstand ausgenutzt, daß durch den auf die Ätzrückstände gerichteten Gasstrom diese durch die Wucht des Gasstroms vom Substrat entfernt werden. Insbesondere bei ei­ ner ausreichend hohen Strömungsgeschwindigkeit des Gasstroms lassen sich auch festhaftende Ätzrückstände entfernen. Der Gasstrom wird bevorzugt durch eine Düse geformt, durch die das komprimierte Gas hindurch tritt und dabei einen relativ scharf gebündelten und mit hoher Strömungsgeschwindigkeit versehenen Gasstrom bildet.
Günstig ist es weiterhin, daß der Gasstrom kälter als das Substrat ist. Dies führt dazu, daß durch den gekühlten Gasstrom mechanische Spannungen im Substrat erzeugt werden, die zu einem Abplatzen der Ätzrückstände und der Ätzmaske bzw. der Ätzmaskenreste führen. Dadurch wird die Reinigungs­ wirkung des Gasstroms infolge einer Impulsübertragung von den Gasmolekülen auf die Ätzrückstände unterstützt.
Die Reinigungswirkung des Gasstroms wird weiterhin auch vor­ teilhaft dadurch erhöht, daß der Gasstrom bevorzugt zumindest kondensierte und/oder erstarrte Gaspartikel enthält. Die durch kondensiertes und/oder erstarrtes Gas gebildeten Gas­ partikel, z. B. Eiskristalle, schlagen beim Auftreten auf Ätzrückstände diese vom Substrat fort. Die Gaspartikel soll­ ten zur Vermeidung von Schäden am strukturierten Substrat klein genug sein, um ein Abtragen des Substrats durch die Gaspartikel weitestgehend auszuschließen. Die Größe der Gas­ partikel hängt unter anderem vom Durchmesser der Düsenöffnung ab und kann dadurch relativ einfach angepaßt werden.
Bisher wurden derartige Gaspartikel zum Entfernen von auf ei­ ner Oberfläche liegenden Schmutzpartikeln verwendet. Dazu wurde CO2-Gas durch eine Düse gepreßt, wobei sich das Gas da­ bei abkühlt und zumindest teilweise erstarrt. Die dabei ge­ bildeten Gaspartikel (Trockeneis, Schnee) treffen auf die Oberfläche und entfernen die Schmutzpartikel. Geeignete Dü­ senformen und Düsengrößen zum Expandieren eines Gases unter Bildung von erstarrten Gaspartikeln geeigneter Größe sind beispielsweise in der US-Patentschrift 4,806,171 beschrieben.
Durch Versuche konnte jedoch überraschenderweise festgestellt werden, daß derartige Gasströme auch zum Entfernen von fest anhaftenden Ätzrückständen geeignet sind. Diese bestehen häu­ fig aus einem amorphen oder polykristallinen Gemisch aus Sub­ stratrückständen- und Ätzmaskenbestandteilen, die mechanisch fest mit dem zu strukturiendem Substrat verbunden sind. Die Substratrückstände, d. h. Materialablagerungen, schlagen sich zumindest teilweise während des Ätzprozesses an den Seiten­ flanken der Ätzmaske und auf der Oberseite der Ätzmaske nie­ der und bilden dort zusammen mit teilweise aufgelockerten und oberflächennahen Ätzmaskenschichten eine mehrkomponentige festhaftende Schicht. Daher kann auch von aufgewachsenen Ma­ terialablagerungen gesprochen werden. Diese sind chemisch oh­ ne Angriff des Substrats nur schwer zu entfernen, da ein che­ mischer Abtrag der Materialablagerungen gleichzeitig das Sub­ strat angreifen würde.
Durch den gekühlten Gasstrom und die kondensierten und/oder erstarrten Gaspartikel werden die Ätzrückstände weitestgehend physikalisch entfernt. Ein chemische Angriff auf das Substrat ist daher ausgeschlossen. Bevorzugt werden gegenüber dem Sub­ strat weitestgehend inerte Gase, beispielsweise Kohlendioxid, Argon und Stickstoff, verwendet. Diese können ggf. vor Aus­ treten aus der Düse geeignet gekühlt werden oder sich erst infolge ihrer Gasexpansion an der Düse abkühlen. Die Gaspar­ tikel können daher entweder bereits im gekühlten Gas enthal­ ten sein oder erst bei der adiabatischen Entspannung an der Düse gebildet werden.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren ist es möglich, das Sub­ strat nahezu ausschließlich mit einem Ätzverfahren mit physi­ kalischer Komponente zu ätzen und dadurch sehr steile Pro­ filflanken (70°-90°) des geätzten Substrats zu erhalten. Die bei diesem Ätzen, z. B. Argonsputtern, entstehenden uner­ wünschten Materialablagerungen auf der Ätzmaske werden jedoch gemäß der Erfindung anschließend weitestgehend rückstandsfrei und einfach durch den Gasstrom entfernt. Optional kann vor dem Entfernen der Ätzrückstände und Materialablagerungen die Ätzmaske zumindest teilweise entfernt werden. Dadurch verlie­ ren die Ätzrückstände zum Teil ihre mechanische Unterstützung durch die Ätzmaske und können leichter durch den Gasstrom entfernt werden. Die Ätzmaske kann beispielsweise durch ein Veraschen des Ätzmaskenmaterials in einem Hochtemperatur­ schritt oder durch naßchemischen Abtrag entfernt werden. Gün­ stig ist weiterhin eine abschließende Reinigung des geätzten Substrats, um noch anhaftende Rückstände zu entfernen. Die abschließende Reinigung erfolgt bevorzugt unter Einwirkung von Ultraschall oder Megaschall.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können Metallschichten, Metalloxidschichten oder Schichtenstapel, die zumindest aus einer Metallschicht und einer Metalloxidschicht bestehen, mit steilen Profilflanken strukturiert werden. Bevorzugt wird dieses Verfahren daher bei der Strukturierung von Metallschichten aus Platin, Ruthenium, Iridium, Osmium, Rhenium, Palladium, Eisen Kobalt und Nickel, von Schichten aus Iridiumoxid, Rutheniumoxid sowie von amorphen bzw. polykristallinen Metalloxidschichten, die zur Herstellung von Halbleiterspeichern verwendet werden, benutzt. Das zu strukturierende Substrat wird daher im allgemeinen eine Schicht auf einem Grundsubstrat und unter Umständen das Grundsubstrat selbst sein.
Der zweite Teil der Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Vorrichtung, wobei
  • - die Vorrichtung mit einer Ätzkammer verunreinigungsdicht verbindbar ist;
  • - ein Substrat von der Ätzkammer zur Vorrichtung einführbar ist; und
  • - die Vorrichtung zumindest eine auf das Substrat richtbare Düse zum Formen zumindest eines gerichteten Gasstroms ent­ hält, der zum Entfernen von Ätzrückständen und gegebenen­ falls einer Ätzmaske von dem Substrat dient.
Gemäß der Erfindung kann in der erfindungsgemäßen Vorrichtung nach dem Ätzen des Substrats dieses durch den Gasstrom gerei­ nigt werden, ohne daß das Substrat beim Transport zur Vor­ richtung schädlichen Umwelteinflüssen ausgesetzt ist. Zu die­ sem Zweck ist die erfindungsgemäße Vorrichtung verunreini­ gungsdicht mit der Ätzkammer verbunden. Dies ist beispiels­ weise durch geeignete abdichtbare Ansatzstutzen möglich, durch die gleichzeitig auch das Substrat von der Ätzkammer zur Vorrichtung überführt werden kann. Durch das verunreini­ gungsfreie Verbinden der Vorrichtung mit der Ätzkammer wird auch ein Verunreinigen der Ätzkammer selbst bei der Entnahme des Substrats vermieden. Günstig ist, die zumindest eine Düse und das Substrat relativ zueinander bewegbar anzuordnen, so daß das gesamte Substrat von dem aus der Düse austretenden Gasstrom überstrichen werden kann. Zum optionalen Vorkühlen des Gasstroms weist die Düse bzw. eine Gaszufuhreinrichtung eine Kühlvorrichtung auf. Durch die Kühlvorrichtung kann das Gas zumindest soweit abgekühlt werden, daß bei einer bevor­ zugt adiabatischen Entspannung des Gases dessen weitere Ab­ kühlung unter Bildung von kondensierten und/oder erstarrten Gaspartikeln möglich ist.
Weiterhin sollte die Vorrichtung evakuierbar sein, damit beim Einschleusen des Substrats in die Vorrichtung aus dieser kei­ ne eventuell vorhandenen Schmutzpartikel in vorgeschaltete Kammern und insbesondere in die Ätzkammer gelangen können. Während der Reinigung sollte darüber hinaus die Vorrichtung ständig abgepumpt werden, um so die lösgelösten Ätzrückstände weitestgehend aus der Vorrichtung zu entfernen.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbei­ spiels beschrieben und schematisch in einer Zeichnung darge­ stellt. Es zeigen:
Fig. 1a bis 1e einzelne Verfahrensschritte des erfin­ dungsgemäßen Verfahrens,
Fig. 2 und 3 auf einem Schichtenstapel verbliebene Ätzrückstände, und
Fig. 4 und 5 eine erfindungsgemäße Vorrichtung.
In Fig. 1 ist ein Grundmaterial 5 dargestellt, auf dessen Oberseite eine Schichtstruktur aus einer Schicht 10, einer Barrierenschicht 15 und einer Platinschicht 20 angeordnet sind. Die Platinschicht 15 und die Barrierenschicht 20 stel­ len hier das zu strukturierende Substrat dar. Die Schicht 10 besteht bevorzugt aus Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid. Die Barrierenschicht 15 besteht ihrerseits aus einer etwa 100 nm dicken Titannitridschicht und einer darunter befindlichen et­ wa 20 nm dicken Titanschicht. Die Platinschicht 20 ist etwa 250 nm dick. Auf die Platinschicht 20 wird nachfolgend eine Ätzmaske 25 aufgebracht. Die Ätzmaske 25 kann aus einem foto­ lithografisch strukturierbaren Material, beispielsweise Pho­ tolack, bestehen und dadurch leicht strukturiert werden. So­ fern ein lichtunempfindliches Maskenmaterial verwendet wird, erfolgt das Strukturieren der Ätzmaske 25 unter Verwendung einer weiteren fotolithografisch strukturierbaren Schicht.
Anschließend werden die Platinschicht 20 und die Barrieren­ schicht 15 geätzt. Dies erfolgt bevorzugt in einem MERIE-Re­ aktor (Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching), wobei die Prozeßkammer zuvor auf einen Druck von etwa 10 mTorr evaku­ iert wurde. Danach wird die Platinschicht 20 in reinem Argon­ plasma etwa 3 Minuten lang bei etwa 50°C geätzt, wobei das verwendete Magnetfeld etwa 0,008 T (80 Gauss) aufweist und die zur Aufrechterhaltung des Plasmas nötige Leistung etwa 750 Watt beträgt. Der Argonätzprozeß ist ein nahezu rein physika­ lischer Ätzvorgang, da das Platin nur durch die beschleunig­ ten Argonionen abgetragen wird. Da die Barrierenschicht 15 im Gegensatz zur Platinschicht 20 unterschiedlich stark durch Argon geätzt wird, dient die Barrierenschicht 15 hier gleich­ zeitig als Ätzstoppschicht, so daß ein eventuell auftretendes räumlich inhomogenes Ätzen der Platinschicht 20 nicht zu ei­ ner ungleichmäßigen Ätztopologie führt.
Nach dem Ätzen der Platinschicht 20 wird die Barrierenschicht 15 in einem reinen Chlorplasma für etwa 20 bis 60 Sekunden geätzt. Da ein Ätzangriff des Chlors auf der Seitenwand 27 der strukturierten Platinschicht 20 nur unwesentlich erfolgt, und die Oberseite der Platinschicht 20 weiterhin durch die Ätzmaske 25 geschützt ist, wird die Platinschicht 20 während der Barrierenätzung nicht weiter abgetragen.
Insbesondere beim Ätzen der Platinschicht 20 bilden sich Ma­ terialablagerungen 30 (Redepositions) an den Seitenwänden der Ätzmaske 25 aus. Diese bestehen überwiegend aus umverteilten Platin. Zum Entfernen dieser Materialrückstände und der Ätz­ maske 25 werden anschließend mehrere Reinigungsschritte durchgeführt. Zunächst wird die Ätzmaske 25 durch Einwirkung eines Sauerstoffplasmas verbrannt, wodurch auf der Platin­ schicht 20 nur nach die Materialablagerungen 30 in Form von steilen Wänden verbleiben. Es ist möglich, daß bei diesem Ve­ raschen die Ätzmaske 25 bis auf einige Rückstände 35 von der Platinschicht entfernt wird. Diese Rückstände 35 können durch eine naßchemische Reinigung in einer karoschen Säure (H2O2+H2SO4) oder durch ein Hydroxylamin, Katechol und Ethy­ lendiamin enthaltendes Reinigungsmedium entfernt werden. Al­ ternativ kann auch die gesamte Ätzmaske 25 naßchemisch ent­ fernt werden.
Eventuell verbliebene Ätzmaskenrückstände und die Material­ ablagerungen 30 werden nachfolgend durch einen Gasstrahl aus Kohlendioxid weitestgehend rückstandsfrei von der Platin­ schicht 20 entfernt. Dazu wird das Kohlendioxid mit etwa 60 bar durch eine Düse 40 gepreßt, so daß es sich nach dem Durchtritt durch die Düse 40 adabatisch entspannen kann. Da­ bei kühlt sich das Kohlendioxid zumindest bis zu seiner Er­ starrungstemperatur ab und es bilden sich CO2-Eispartikel 45. Diese stellen die kondensierten bzw. erstarrten Gaspartikel dar. Bevorzugt wird flüssiges CO2, das unter hohem Druck auf­ bewahrt wird, verwendet, wobei die Düse 40 in einem Abstand von etwa 1 bis 3 cm unter einem Abstrahlwinkel von etwa 45° zur Substratoberfläche gehalten wird. Zur Verhinderung der Kondensation von Wasser und einer möglichen Eisbildung liegt das Substrat auf einem geheizten Substratträger oder wird durch eine Lampenheizung erwärmt. Um ein gleichmäßiges Ent­ fernen der Materialablagerungen 30 zu ermöglichen, wird die Düse rasterartig über das Substrat geführt, wobei dieses da­ bei gleichzeitig um eine senkrecht zu Substratoberfläche ste­ hende Achse gedreht werden kann, damit der Gasstrom 50 die Substratoberfläche aus allen Richtungen überstreicht. Nach etwa 1 bis 5 Minuten sind die Materialablagerungen 30 von der Platinschicht 20 und dem Grundmaterial 5 entfernt.
Zur optionalen Vorkühlung des Gases kann die Düse 40 eine Kühlvorrichtung 48 in Form von Kühlleitungen aufweisen. Ein geeignetes Kühlmittel ist beispielsweise kaltes Stickstoff­ gas.
Die genaue Ausgestaltung der Düsenformen sowie weitere bevor­ zugte Prozeßparameter zur Bildung des CO2-Gasstroms können der US-Patentschrift 4,806,171 aus den Spalten 3 bis 8 ent­ nommen werden, die hiermit als Referenz eingeführt wird.
Ein großer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß das auf die Oberfläche auftreffende CO2-Gas sowie die eventuell auftretende CO2-Verreisung rückstandsfrei durch Heizen des Grundmaterials 5 beseitigt werden kann. Es hat sich gezeigt, daß auch CO2-Gas mit einem Reinheitsgrad von mindestens 99% ohne zusätzliche Verschmutzung der Platin­ schicht 20 verwendet werden kann. Daher ist dieses Verfahren auch besonders kostengünstig.
Durch die Bildung von flüssigem oder superkritischem Kohlen­ dioxid bei der Expansion des Gases oder Aufprall von Gaspar­ tikeln auf die Substratoberfläche ist gleichzeitig auch ein organisches Lösungsmittel vorhanden, so daß dadurch auch or­ ganische Reste, z. B. eine aus einer organischen Substanz be­ stehende Ätzmaske, entfernt werden können.
Die Materialablagerungen 30 befinden sich überwiegend nur an den Seitenflanken der Ätzmaske 25, da durch die Einwirkung der Argonionen während des Ätzens die Materialablagerungen auf der Oberseite der Ätzmaske ständig entfernt werden. Somit bildet sich dort nur eine äußerst dünne Schicht von Material­ ablagerungen aus.
Abschließend kann optional eine naßchemische Reinigung und/oder eine Reinigung mit weichen Bürsten (Scrubber) zum Entfernen von eventuell verbliebenen Partikeln bzw. Resten durchgeführt werden. Dies erfolgt bevorzugt mit einer ver­ dünnten Flußsäure (HF) oder verdünntem Ammoniak (NH3) unter Einwirkung von Ultraschall bzw. Megaschall.
Die Reinigungswirkung des CO2-Gases und der CO2-Gaspartikel beruht auf mehreren sich ergänzenden Komponenten. Die Hauptwirkung wird durch die Impulseinwirkung des Gasstromes und der darin enthaltenen Gaspartikel 45 erzielt. Durch den am Substrat bzw. an der Substratoberfläche vorbeistreichenden Gasstrom wird eine Reibungskraft erzeugt, die zu einem Fort­ tragen der Ätzrückstände führt. Bei sehr festhaftenden und mit dem Substrat verbundenen Ätzrückständen reicht diese Rei­ bungskraft der Gasmoleküle jedoch oftmals nicht mehr aus, weswegen unterstützend die massemäßig deutlich größeren Gas­ partikel hinzutreten. Diese schlagen dabei regelrecht die Ma­ terialablagerungen von der Substratoberfläche ab, die dadurch vom Gasstrom fortgetragen werden können. Der mechanische Ab­ trag wird durch das Abkühlen des Grundmaterials 5 und aller darauf befindlichen Schichten unterstützt, da die Materia­ lien, insbesondere die Lackreste, bei tiefen Temperaturen spröde werden und leichter abplatzen.
Ähnliche Reinigungsergebnisse werden mit Argon oder Stick­ stoff erzielt. Das erfindungsgemäße Verfahren kann auch zum gemeinsamen Strukturieren eines Schichtenstapels 55 verwendet werden, der aus einer Barrierenschicht 15, einer Platin­ schicht 20 sowie einer Metalloxidschicht 60 besteht. Derar­ tige Schichtenstapel 55 werden beispielsweise zur Herstellung von Halbleiterspeichern verwendet. Die Metalloxidschicht 60 besteht bevorzugt aus einem Material der allgemeinen Form ABOx, wobei A für zumindest ein Metall aus der Gruppe Barium, Strontium, Niob, Blei, Zirkon, Lanthan, Wismut, Kalzium und Kalium, B für Titan, Tantal oder Ruthenium und O für Sauer­ stoff steht. X liegt zwischen 2 und 12. Ein Vertreter dieser Stoffklasse ist beispielsweise Strontium-Wismut-Tantalat (SrBi2Ta2O9). Die beim Ätzen dieses Schichtenstapels 55 ent­ stehenden Materialablagerungen 30 können nach dem Veraschen der Ätzmaske auch zueinander leicht geneigt sein. Dies ist in Fig. 2 dargestellt. Die unter dem Schichtenstapel 55 befind­ liche Schicht 10 wirkt beim Ätzen des Schichtenstapels 55 gleichzeitig als Ätzstoppschicht. In Fig. 3 sind die Mate­ rialablagerungen 30 infolge des gemeinsamen Ätzens einer wei­ teren Platinschicht 62 und der Metalloxidschicht 60 darge­ stellt.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren lassen sich Schichten mit sehr steilen Ätzflanken 27 (80°-90°) herstellen. Dies ist insbesondere bei schwer ätzbaren Schichten von Vorteil.
Das Strukturieren des Substrats erfolgt bevorzugt in einer Reinigungskammer 65, die in der Fig. 5 dargestellt ist. Die­ se weist eine Schleuse 70 zum Einführen des Substrats 75 in die Reinigungskammer 65 auf. Weiterhin ist die Reinigungs­ kammer 65 mit einer hier nicht näher dargestellten Vakuum­ pumpe über einen Absaugstutzen 80 verbunden. Das Substrat 75 liegt auf einem beheizbaren Substratträger 85, der über eine Heizung 90 beheizt wird. In der Prozeßkammer 65 sind weiter­ hin bewegbare Düsen 40 angeordnet, die rasterförmig das Sub­ strat 75 überstreichen können.
Die Gase zum Entfernen der Ätzrückstände 30 werden den Düsen 40 über eine Druckleitung 100 zugeführt. Diese, wie auch die Düsen 40, sind von einer Kühleinrichtung 48 zum Vorkühlen des Gases umgeben.
Gemäß Fig. 4 ist die Reinigungskammer 65, die hier die er­ findungsgemäße Vorrichtung darstellt, abgedichtet mit einer Ätzkammer 110 verbunden. Als Zwischenglied zwischen Ätzkammer 110 und Reinigungskammer 65 dient eine Transportstation oder Transferkammer 115, durch die das zu strukturierende Substrat von der Ätzkammer 110 zur Reinigungskammer 65 transportiert werden kann. Zusätzlich ist an der Transportstation 115 noch eine Kammer 120 zum Veraschen der Ätzmaske angeflanscht. Be­ vorzugt ist die Reinigungskammer 65 als sogenanntes Cluster- Tool ausgebildet. Bei einer alternativen seriellen Anordnung sind die Ätzkammer 110, die Transportstation 115, die Kammer 120 zum Veraschen der Ätzmaske und die Reinigungskammer 65 hintereinander angeordnet.
Günstig ist weiterhin der Aufbau eines Druckgradienten zwi­ schen Reinigungskammer 65 und vorgeschalteten Kammern (Trans­ portstation 115, Kammer 120, Ätzkammer 110), so daß zumindest beim Überführen des Substrats in die Reinigungskammer darin enthaltene Verunreinigungen nicht in die vorgeschalteten Kam­ mern gelangen können. Der Druck in der Reinigungskammer soll­ te daher geringer als der Druck in den übrigen Kammern sein. Während der Reinigung werden die gelösten Ätzrückständen ständig abgesaugt, wobei infolge des einströmenden CO2-Gases der Druck in der Reinigungskammer 65 leicht erhöht sein kann.
Bezugszeichenliste
5
Grundmaterial
10
Schicht/Siliziumoxid/Siliziumnitrid
15
Barrierenschicht/Ätzstoppschicht
20
Platinschicht
25
Ätzmaske
27
Ätzflanke/Seitenwand
30
Materialablagerungen/Ätzrückstände
35
Rückstände
40
Düse
45
CO2
-Eispartikel/Gaspartikel
48
Kühlvorrichtung
50
Gasstrom
55
Schichtenstapel
60
Metalloxidschicht
62
weitere Platinschicht
65
Reinigungskammer
70
Schleuse
75
Substrat
80
Absaugstutzen
85
Substratträger
90
Heizung
100
Druckleitung
101
Ätzkammer
102
Transportstation
120
Kammer

Claims (19)

1. Verfahren zum Strukturieren eines Substrats mit folgenden Schritten:
  • - ein Substrat (5, 15, 20, 60) wird bereitgestellt;
  • - auf das Substrat (5, 15, 20, 60) wird eine Ätzmaske (25) aufgebracht;
  • - das Substrat (5, 15, 20, 60) wird mittels eines Ätzverfah­ rens unter Verwendung der Ätzmaske (25) geätzt;
  • - ein aus zumindest einer Düse (40) strömender Gasstrom (50) wird zum Entfernen der Ätzrückstände (30) und gegebenen­ falls der Ätzmaske (25) auf das Substrat (5, 15, 20, 60) gerichtet, wobei der Gasstrom (50) die Ätzrückstände (30) und gegebenenfalls die Ätzmaske (25) weitestgehend vom Sub­ strat (5, 15, 20, 60) entfernt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gasstrom (50) kälter als das Substrat (5, 15, 20, 60) ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Gasstrom (50) zumindest kondensierte und/oder erstarrte Gaspartikel (45) enthält.
4. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Gasstrom (50) infolge einer Gasexpansion an der Düse (40) abgekühlt wird.
5. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Gasstrom (50) vor Austreten aus der Düse (40) abgekühlt wird.
6. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein gegenüber dem Substrat (5, 15, 20, 60) weitestgehend inertes Gas, bevorzugt Kohlendioxid (CO2), Argon (Ar), Stick­ stoff (N2) oder ein Gemisch dieser Gase, verwendet wird.
7. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß durch das Ätzen zumindest auf dem Substrat (5, 15, 20, 60) festhaftende und mechanisch relativ stabile Materialablage­ rungen entstehen, die weitestgehend umverteiltes und abgetra­ genes Substrat (5, 15, 20, 60) enthalten und die Ätzrück­ stände (30) darstellen.
8. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Ätzverfahren eine hohe physikalische Ätzkomponente auf­ weist.
9. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß unterstützend zum Entfernen der Ätzrückstände (30) durch den Gasstrom (50) die Ätzmaske (25) zuvor zumindest teilweise entfernt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Ätzmaske (25) zumindest teilweise durch ein Veraschen des Ätzmaskenmaterials oder durch einen naßchemischen Abtrag ent­ fernt wird.
11. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Entfernen der Ätzrückstände (25) eine abschließende Reinigung durchgeführt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die abschließende Reinigung unter Einwirkung von Ultraschall oder Megaschall erfolgt.
13. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß im Substrat eine Ätzstoppschicht (15) angeordnet ist.
14. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (5, 15, 20, 60) durch eine Schicht gebildet wird, die zumindest eine Metallschicht (20) oder eine Me­ talloxidschicht (60) aufweist.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht ein Schichtenstapel (55) ist, der zumindest eine Metallschicht (20) und eine Metalloxidschicht (60) aufweist.
16. Vorrichtung zum Entfernen von Ätzrückständen auf einem Substrat, wobei
  • - die Vorrichtung mit einer Ätzkammer verunreinigungsdicht verbindbar ist;
  • - ein Substrat (75) von der Ätzkammer zur Vorrichtung ein­ führbar ist und
  • - die Vorrichtung zumindest eine auf das Substrat (75) richt­ bare Düse (40) zum Formen zumindest eines gerichteten Gasstroms (50) enthält, der zum Entfernen von Ätzrückstän­ den (30) und gegebenenfalls einer Ätzmaske (25) von dem Substrat (75) dient.
17. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Düse (40) und das Substrat (75) relativ zueinander beweg­ bar sind.
18. Vorrichtung nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, daß der gerichtete Gasstrom (50) unter Bildung von kondensierten und/oder erstarrten Gaspartikeln (45) an der Düse (40) expan­ dierbar ist.
19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß eine Kühlvorrichtung (48) zum Kühlen des durch die Düse (40) leitbaren Gases vorgesehen ist.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001082368A2 (en) * 2000-04-25 2001-11-01 Tokyo Electron Limited Method of depositing metal film and metal deposition cluster tool including supercritical drying/cleaning module
US6537916B2 (en) 1998-09-28 2003-03-25 Tokyo Electron Limited Removal of CMP residue from semiconductor substrate using supercritical carbon dioxide process
US6736149B2 (en) 1999-11-02 2004-05-18 Supercritical Systems, Inc. Method and apparatus for supercritical processing of multiple workpieces
DE19901002B4 (de) * 1999-01-13 2005-09-22 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Strukturieren einer Schicht
US7767145B2 (en) 2005-03-28 2010-08-03 Toyko Electron Limited High pressure fourier transform infrared cell
US7789971B2 (en) 2005-05-13 2010-09-07 Tokyo Electron Limited Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006038001B3 (de) * 2006-08-14 2008-03-27 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zur Werkstücktrocknung und/oder Trockenhaltung bei der flüssigkeitsstrahlgeführten Bearbeitung eines Werkstücks

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4806171A (en) * 1987-04-22 1989-02-21 The Boc Group, Inc. Apparatus and method for removing minute particles from a substrate
DE4103577A1 (de) * 1990-02-09 1991-08-14 Taiyo Sanso Co Ltd Reinigungsvorrichtung fuer einen gegenstand mit einer zu reinigenden oberflaeche
JPH0521405A (ja) * 1991-07-16 1993-01-29 Nec Corp ドライエツチング後の後処理方法
DE4332897A1 (de) * 1993-09-22 1995-03-23 Manfred Dr Rer Nat Blaschke Vorrichtung und Verfahren zur Entfernung von Dünn- und Dickschichtfilmen und -strukturen

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5298112A (en) * 1987-08-28 1994-03-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for removing composite attached to material by dry etching
JPH043914A (ja) * 1990-04-20 1992-01-08 Nec Corp 結晶成長方法および結晶成長装置
US5366156A (en) * 1993-06-14 1994-11-22 International Business Machines Corporation Nozzle apparatus for producing aerosol
US5378312A (en) * 1993-12-07 1995-01-03 International Business Machines Corporation Process for fabricating a semiconductor structure having sidewalls
US5967156A (en) * 1994-11-07 1999-10-19 Krytek Corporation Processing a surface
US5931721A (en) * 1994-11-07 1999-08-03 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Aerosol surface processing
US5853962A (en) * 1996-10-04 1998-12-29 Eco-Snow Systems, Inc. Photoresist and redeposition removal using carbon dioxide jet spray
US5908510A (en) * 1996-10-16 1999-06-01 International Business Machines Corporation Residue removal by supercritical fluids

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4806171A (en) * 1987-04-22 1989-02-21 The Boc Group, Inc. Apparatus and method for removing minute particles from a substrate
DE4103577A1 (de) * 1990-02-09 1991-08-14 Taiyo Sanso Co Ltd Reinigungsvorrichtung fuer einen gegenstand mit einer zu reinigenden oberflaeche
JPH0521405A (ja) * 1991-07-16 1993-01-29 Nec Corp ドライエツチング後の後処理方法
DE4332897A1 (de) * 1993-09-22 1995-03-23 Manfred Dr Rer Nat Blaschke Vorrichtung und Verfahren zur Entfernung von Dünn- und Dickschichtfilmen und -strukturen

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Heywang, W., Müller, R. (Hrsg.): Halbleiter- Elektronik, Bd. 19: Technologie hochintegrierter Schaltungen, Berlin (u.a.): Springer, 1996, S. 266-267 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6537916B2 (en) 1998-09-28 2003-03-25 Tokyo Electron Limited Removal of CMP residue from semiconductor substrate using supercritical carbon dioxide process
DE19901002B4 (de) * 1999-01-13 2005-09-22 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Strukturieren einer Schicht
US6736149B2 (en) 1999-11-02 2004-05-18 Supercritical Systems, Inc. Method and apparatus for supercritical processing of multiple workpieces
US6748960B1 (en) 1999-11-02 2004-06-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for supercritical processing of multiple workpieces
WO2001082368A2 (en) * 2000-04-25 2001-11-01 Tokyo Electron Limited Method of depositing metal film and metal deposition cluster tool including supercritical drying/cleaning module
WO2001082368A3 (en) * 2000-04-25 2002-05-16 Tokyo Electron Ltd Method of depositing metal film and metal deposition cluster tool including supercritical drying/cleaning module
US7767145B2 (en) 2005-03-28 2010-08-03 Toyko Electron Limited High pressure fourier transform infrared cell
US7789971B2 (en) 2005-05-13 2010-09-07 Tokyo Electron Limited Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide

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