JPH05190818A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH05190818A JPH05190818A JP4002612A JP261292A JPH05190818A JP H05190818 A JPH05190818 A JP H05190818A JP 4002612 A JP4002612 A JP 4002612A JP 261292 A JP261292 A JP 261292A JP H05190818 A JPH05190818 A JP H05190818A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 感度が高く、加工むらが少なく、しかもスミ
ア特性の良好な固体撮像装置を得んとするものである。 【構成】 第１ポリシリコン層２，第２ポリシリコン層
３，ＳｉＯ2絶縁膜１３，ＳｉＮ膜１４を形成した後、
装置周辺においては８０００Åの第２アルミニウム下層
膜６Ａを形成し、このアルミニウム下層膜６Ａをパター
ニングした後、全面に第２アルミニウム上層膜６Ｂを２
０００Åの膜厚に形成する。次に、リソグラフィー技術
でレジスト７をパターニングし、ウェットエッチングを
施して、第２アルミニウム上層膜６Ｂのみを除去するこ
とにより、画素部を開口している。このため、画素間部
は遮光膜に覆われるが、この第２アルミニウム上層膜６
Ｂは薄いため、レンズ側から入射する有効な入射光を蹴
ることがなく、感度が向上する。また、加工性がよいた
め、アンダーカットが生ぜず、スミア特性が向上する。
ア特性の良好な固体撮像装置を得んとするものである。 【構成】 第１ポリシリコン層２，第２ポリシリコン層
３，ＳｉＯ2絶縁膜１３，ＳｉＮ膜１４を形成した後、
装置周辺においては８０００Åの第２アルミニウム下層
膜６Ａを形成し、このアルミニウム下層膜６Ａをパター
ニングした後、全面に第２アルミニウム上層膜６Ｂを２
０００Åの膜厚に形成する。次に、リソグラフィー技術
でレジスト７をパターニングし、ウェットエッチングを
施して、第２アルミニウム上層膜６Ｂのみを除去するこ
とにより、画素部を開口している。このため、画素間部
は遮光膜に覆われるが、この第２アルミニウム上層膜６
Ｂは薄いため、レンズ側から入射する有効な入射光を蹴
ることがなく、感度が向上する。また、加工性がよいた
め、アンダーカットが生ぜず、スミア特性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、固体撮像装置に関
し、更に詳しくは、加工性が良く、しかも光学特性を向
上したＣＣＤイメージャの構造に係わる。
し、更に詳しくは、加工性が良く、しかも光学特性を向
上したＣＣＤイメージャの構造に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の固体撮像装置としては、
二層のアルミニウム電極構造で、二層目のアルミニウム
電極層を画素間遮光として用いている。図４は、受光素
子としてｐｎ接合のフォトダイオードを有し、垂直走査
回路としてＣＣＤを用いたインターライン方式の固体撮
像装置のイメージャ部の平面図である。同図中、１は画
素を構成するｐｎ接合のフォトダイオード、２はＣＣＤ
に垂直転送を行なわせる一層目のポリシリコン層でなる
転送電極、３は転送電極２と同様にＣＣＤに垂直転送を
行なわせる二層目のポリシリコン層でなる転送電極、４
はポリシリコン配線、５は垂直転送部のシャント配線を
成す第１アルミニウム層、６は水平転送方向にストライ
プ状に画素間を遮光するように配設され、且つ装置の周
辺においては周辺配線として形成される第２アルミニウ
ム層を示している。なお、第２アルミニウム層６は、周
辺のパスライン部の配線ともなるため、膜厚が厚く設定
されている。
二層のアルミニウム電極構造で、二層目のアルミニウム
電極層を画素間遮光として用いている。図４は、受光素
子としてｐｎ接合のフォトダイオードを有し、垂直走査
回路としてＣＣＤを用いたインターライン方式の固体撮
像装置のイメージャ部の平面図である。同図中、１は画
素を構成するｐｎ接合のフォトダイオード、２はＣＣＤ
に垂直転送を行なわせる一層目のポリシリコン層でなる
転送電極、３は転送電極２と同様にＣＣＤに垂直転送を
行なわせる二層目のポリシリコン層でなる転送電極、４
はポリシリコン配線、５は垂直転送部のシャント配線を
成す第１アルミニウム層、６は水平転送方向にストライ
プ状に画素間を遮光するように配設され、且つ装置の周
辺においては周辺配線として形成される第２アルミニウ
ム層を示している。なお、第２アルミニウム層６は、周
辺のパスライン部の配線ともなるため、膜厚が厚く設定
されている。
【０００３】図５（Ａ）は、第２アルミニウム層６をパ
ターニングするときの図５のＡ−Ａ断面に相当するイメ
ージャ部の断面図であり、図５（Ｂ）は同様に第２アル
ミニウム層６をパターニングするときの、装置周辺の、
第１アルミニウム層５と第２アルミニウム層６が交差す
るパスライン部の断面図である。図５（Ａ）に示すよう
に、イメージャ部での第２アルミニウム層６のパターニ
ングは、レジストマスク７をパターニングして画素部上
の第２アルミニウム層６をウェットエッチングする。同
時に図５（Ｂ）に示すように装置周辺のパスライン部に
おいても、第２アルミニウム層６上にレジストマスク７
を形成し、ウェットエッチングを施してパターニングし
ている。
ターニングするときの図５のＡ−Ａ断面に相当するイメ
ージャ部の断面図であり、図５（Ｂ）は同様に第２アル
ミニウム層６をパターニングするときの、装置周辺の、
第１アルミニウム層５と第２アルミニウム層６が交差す
るパスライン部の断面図である。図５（Ａ）に示すよう
に、イメージャ部での第２アルミニウム層６のパターニ
ングは、レジストマスク７をパターニングして画素部上
の第２アルミニウム層６をウェットエッチングする。同
時に図５（Ｂ）に示すように装置周辺のパスライン部に
おいても、第２アルミニウム層６上にレジストマスク７
を形成し、ウェットエッチングを施してパターニングし
ている。
【０００４】なお、図５（Ａ）及び（Ｂ）中８はシリコ
ン基板であり、ｐウエル９が形成され、表面近くにはｎ
+拡散領域１０が形成されている。また、１１は第１ポ
リシリコン層，１２は第２ポリシリコン層，１３はＳｉ
Ｏ2絶縁膜，１４はプラズマＣＶＤ法にて形成されたＳ
ｉＮ膜を示している。
ン基板であり、ｐウエル９が形成され、表面近くにはｎ
+拡散領域１０が形成されている。また、１１は第１ポ
リシリコン層，１２は第２ポリシリコン層，１３はＳｉ
Ｏ2絶縁膜，１４はプラズマＣＶＤ法にて形成されたＳ
ｉＮ膜を示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の固体
撮像装置においては、第２アルミニウム層６の下に絶縁
性の高いプラズマＳｉＮ膜１４を形成しているため、第
２アルミニウム層６のパターニングは、ドライエッチン
グでは選択比がとれずウェットエッチングによってい
る。しかしながら、ウェットエッチングをした場合、第
２アルミニウム層６の断面は、図６に示すように、アン
ダーカットされてオーバーハング形状となるため、アル
ミニウム層６が下まで覆われた形状とならず、遮光性が
低下してスミア特性が悪くなる問題がある。また、サイ
ドエッチが多いため、加工性の不安定さを生じている。
また、図６に示したように、オンチップレンズ１５を形
成した後の光の入射においては、二層目のアルミニウム
層６が厚いため、レンズ端を通過した光が蹴られてしま
い、感度低下を招いている。特に、実際のカメラのレン
ズをつけた場合、ＣＣＤイメージエリアの端にゆく程斜
め入射光が増えアルミニウム層６（二層目）で蹴られる
成分が増加し、感度低下を起す、即ち感度シェーディン
グを起こし易い構造となっている。また、アルミニウム
は、結晶化により、表面が凹凸になっているため、画素
毎に蹴られる光の量が異なるため、感度ムラが多いとい
う問題点を有している。
撮像装置においては、第２アルミニウム層６の下に絶縁
性の高いプラズマＳｉＮ膜１４を形成しているため、第
２アルミニウム層６のパターニングは、ドライエッチン
グでは選択比がとれずウェットエッチングによってい
る。しかしながら、ウェットエッチングをした場合、第
２アルミニウム層６の断面は、図６に示すように、アン
ダーカットされてオーバーハング形状となるため、アル
ミニウム層６が下まで覆われた形状とならず、遮光性が
低下してスミア特性が悪くなる問題がある。また、サイ
ドエッチが多いため、加工性の不安定さを生じている。
また、図６に示したように、オンチップレンズ１５を形
成した後の光の入射においては、二層目のアルミニウム
層６が厚いため、レンズ端を通過した光が蹴られてしま
い、感度低下を招いている。特に、実際のカメラのレン
ズをつけた場合、ＣＣＤイメージエリアの端にゆく程斜
め入射光が増えアルミニウム層６（二層目）で蹴られる
成分が増加し、感度低下を起す、即ち感度シェーディン
グを起こし易い構造となっている。また、アルミニウム
は、結晶化により、表面が凹凸になっているため、画素
毎に蹴られる光の量が異なるため、感度ムラが多いとい
う問題点を有している。
【０００６】本発明は、このような従来の問題点に着目
して創案されたものであって、入射光が効率よく画素部
に到達して感度が高く、しかも、遮光膜の加工性の高い
固体撮像装置を得んとするものである。
して創案されたものであって、入射光が効率よく画素部
に到達して感度が高く、しかも、遮光膜の加工性の高い
固体撮像装置を得んとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、一層
目のアルミニウム膜が転送電極の垂直転送レジスタ部の
シャント配線及び上記垂直転送レジスタ部の遮光膜に用
いられ、二層目のアルミニウム膜が少なくとも垂直方向
画素間分離領域上の転送電極の遮光膜に用いられる固体
撮像装置において、上記二層目のアルミニウム膜が上記
転送電極の遮光膜部では薄い膜厚で、その他の領域では
厚い膜厚であることを、その解決手段としている。
目のアルミニウム膜が転送電極の垂直転送レジスタ部の
シャント配線及び上記垂直転送レジスタ部の遮光膜に用
いられ、二層目のアルミニウム膜が少なくとも垂直方向
画素間分離領域上の転送電極の遮光膜に用いられる固体
撮像装置において、上記二層目のアルミニウム膜が上記
転送電極の遮光膜部では薄い膜厚で、その他の領域では
厚い膜厚であることを、その解決手段としている。
【０００８】
【作用】二層目のアルミニウム膜が転送電極の遮光膜部
では、薄い膜厚に形成されているため、入射光が蹴られ
ることがなく、また、ウェットエッチングによる線幅の
バラツキが小さくなると共に、アンダーカットによるオ
ーバーハング形状が生じないため、スミア特性を悪化さ
せることが防止される。
では、薄い膜厚に形成されているため、入射光が蹴られ
ることがなく、また、ウェットエッチングによる線幅の
バラツキが小さくなると共に、アンダーカットによるオ
ーバーハング形状が生じないため、スミア特性を悪化さ
せることが防止される。
【０００９】
【実施例】以下、本発明に係る固体撮像装置の詳細を図
面に示す実施例に基づいて説明する。なお、従来と同様
の部分には、同一の符号を付して説明する。
面に示す実施例に基づいて説明する。なお、従来と同様
の部分には、同一の符号を付して説明する。
【００１０】本実施例は、二層のアルミニウム層を有す
る構造で、二層目のアルミニウム層を画素間の遮光膜と
しても用いる構成に本発明を適用したものであり、その
平面図は図４に示すものと同様である。
る構造で、二層目のアルミニウム層を画素間の遮光膜と
しても用いる構成に本発明を適用したものであり、その
平面図は図４に示すものと同様である。
【００１１】先ず、図１（Ａ）は、イメージャ部の断面
図であり、図４のＡ−Ａ断面に相当する部分の加工工程
の途中の状態を示したものである。同図中、８はシリコ
ン基板であり、この基板８にｐウエル９及びｎ+拡散領
域１０が形成されている。また、シリコン基板８の表面
には、ゲート絶縁膜を介して、転送電極である第１ポリ
シリコン層１１及び第２ポリシリコン層１２が形成され
ている。１３は、第１ポリシリコン層１１と第２ポリシ
リコン層１２との間に介在されると共に両ポリシリコン
層１１，１２の表面及びシリコン基板１８の表面を覆う
ＳｉＯ2絶縁膜である。このＳｉＯ2絶縁膜１３の表面に
は、プラズマＣＶＤ法にて形成されたＳｉＮ膜１４が形
成されている。このとき、装置周辺のパスライン部の断
面は、図１（Ｂ）に示す通りであり、シリコン基板８上
に形成されたＳｉＯ2絶縁膜１３が形成され、このＳｉ
Ｏ2絶縁膜１３の上に第１アルミニウム層５がパターニ
ングして形成され、その上にＳｉＮ膜１４が形成されて
いる。そして、ＳｉＮ膜１４の上には、膜厚が８０００
Å程度の比較的厚い第２アルミニウム下層膜６Ａがパタ
ーニングされている。
図であり、図４のＡ−Ａ断面に相当する部分の加工工程
の途中の状態を示したものである。同図中、８はシリコ
ン基板であり、この基板８にｐウエル９及びｎ+拡散領
域１０が形成されている。また、シリコン基板８の表面
には、ゲート絶縁膜を介して、転送電極である第１ポリ
シリコン層１１及び第２ポリシリコン層１２が形成され
ている。１３は、第１ポリシリコン層１１と第２ポリシ
リコン層１２との間に介在されると共に両ポリシリコン
層１１，１２の表面及びシリコン基板１８の表面を覆う
ＳｉＯ2絶縁膜である。このＳｉＯ2絶縁膜１３の表面に
は、プラズマＣＶＤ法にて形成されたＳｉＮ膜１４が形
成されている。このとき、装置周辺のパスライン部の断
面は、図１（Ｂ）に示す通りであり、シリコン基板８上
に形成されたＳｉＯ2絶縁膜１３が形成され、このＳｉ
Ｏ2絶縁膜１３の上に第１アルミニウム層５がパターニ
ングして形成され、その上にＳｉＮ膜１４が形成されて
いる。そして、ＳｉＮ膜１４の上には、膜厚が８０００
Å程度の比較的厚い第２アルミニウム下層膜６Ａがパタ
ーニングされている。
【００１２】次に、イメージャ部においては、図２
（Ａ）に示すように、ＳｉＮ膜１４上に膜厚が２０００
Å程度の比較的薄い第２アルミニウム層膜６Ｂがスパッ
タ法で堆積されている。
（Ａ）に示すように、ＳｉＮ膜１４上に膜厚が２０００
Å程度の比較的薄い第２アルミニウム層膜６Ｂがスパッ
タ法で堆積されている。
【００１３】この第２アルミニウム上層膜６Ｂは、装置
周辺のパスライン部にも同時に堆積され、図２（Ｂ）に
示すように、ＳｉＮ膜１４及び第２アルミニウム下層膜
６Ａの上にも堆積されている。そして、イメージャ部に
おいては、図２（Ａ）に示すように、転送電極部上方に
レジスト７をパターニングし、また、パスライン部にお
いては、図２（Ｂ）に示すように、レジスト７をパター
ニングし、このレジストマスク７をマスクとしてウェッ
トエッチングすることにより、第２アルミニウム上層膜
６Ｂのパターニングを行なう。このとき、第２アルミニ
ウム上層膜６Ｂは薄いため、サイドエッチが少なく、画
素開口部の加工が安定して行なわれる。また、装置周辺
部では、図３（Ｂ）に示すように、第２アルミニウム下
層膜６Ａと第２アルミニウム上層膜６Ｂとで所望膜厚１
μｍ程度の一体的なアルミ配線が形成できる。
周辺のパスライン部にも同時に堆積され、図２（Ｂ）に
示すように、ＳｉＮ膜１４及び第２アルミニウム下層膜
６Ａの上にも堆積されている。そして、イメージャ部に
おいては、図２（Ａ）に示すように、転送電極部上方に
レジスト７をパターニングし、また、パスライン部にお
いては、図２（Ｂ）に示すように、レジスト７をパター
ニングし、このレジストマスク７をマスクとしてウェッ
トエッチングすることにより、第２アルミニウム上層膜
６Ｂのパターニングを行なう。このとき、第２アルミニ
ウム上層膜６Ｂは薄いため、サイドエッチが少なく、画
素開口部の加工が安定して行なわれる。また、装置周辺
部では、図３（Ｂ）に示すように、第２アルミニウム下
層膜６Ａと第２アルミニウム上層膜６Ｂとで所望膜厚１
μｍ程度の一体的なアルミ配線が形成できる。
【００１４】図３（Ａ）は、イメージャ部上にオンチッ
プマイクロレンズ１５を形成した状態を示す断面図であ
り、画素への光入射の状態を示している。第２アルミニ
ウム上層膜６Ｂでなる遮光膜が薄いため、レンズによっ
て曲げられた光が第２アルミニウム上層膜６Ｂによって
蹴られることなく有効に画素（センサ部）上に入射され
る。
プマイクロレンズ１５を形成した状態を示す断面図であ
り、画素への光入射の状態を示している。第２アルミニ
ウム上層膜６Ｂでなる遮光膜が薄いため、レンズによっ
て曲げられた光が第２アルミニウム上層膜６Ｂによって
蹴られることなく有効に画素（センサ部）上に入射され
る。
【００１５】このように、画素間の遮光アルミ層は、遮
光特性が失われない限り薄い膜厚のほうが望ましく、周
辺の配線となる二層目のアルミニウム層と同時に形成す
ると膜厚は薄くできない。
光特性が失われない限り薄い膜厚のほうが望ましく、周
辺の配線となる二層目のアルミニウム層と同時に形成す
ると膜厚は薄くできない。
【００１６】上記したように、周辺配線として必要な膜
厚の二層目のアルミニウム層を第２アルミニウム下層膜
６Ａと第２アルミニウム上層膜６Ｂとに膜厚分割して形
成することで、配線部と遮光部を独立に膜厚を設定でき
るため、画素部開口、レンズ曲率、高さに応じた最適の
アルミ膜厚が設定できる。
厚の二層目のアルミニウム層を第２アルミニウム下層膜
６Ａと第２アルミニウム上層膜６Ｂとに膜厚分割して形
成することで、配線部と遮光部を独立に膜厚を設定でき
るため、画素部開口、レンズ曲率、高さに応じた最適の
アルミ膜厚が設定できる。
【００１７】以上、実施例について説明したが、本発明
は、これに限定されるものではなく、構成の要旨に付随
する各種の設計変更が可能である。
は、これに限定されるものではなく、構成の要旨に付随
する各種の設計変更が可能である。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る固体撮像装置においては、画素間の遮光膜となる
二層目のアルミニウム膜を薄く形成できるため、ウェッ
トエッチングによる線幅ばらつきを小さく抑えることが
でき、画素間に感度むらが生じるのを防止する効果があ
る。また、オンチップマイクロレンズを形成した後で
も、有効な入射光が遮光膜で蹴られることがなく画素部
に有効に入るため、感度が向上し、感度シェーディング
を少なくする効果がある。
に係る固体撮像装置においては、画素間の遮光膜となる
二層目のアルミニウム膜を薄く形成できるため、ウェッ
トエッチングによる線幅ばらつきを小さく抑えることが
でき、画素間に感度むらが生じるのを防止する効果があ
る。また、オンチップマイクロレンズを形成した後で
も、有効な入射光が遮光膜で蹴られることがなく画素部
に有効に入るため、感度が向上し、感度シェーディング
を少なくする効果がある。
【００１９】また、画素間遮光に用いられる二層目のア
ルミニウム層の膜厚を周辺配線を形成するアルミニウム
層と独立して設定できるため、素子毎に最適膜厚を設定
できる効果がある。
ルミニウム層の膜厚を周辺配線を形成するアルミニウム
層と独立して設定できるため、素子毎に最適膜厚を設定
できる効果がある。
【００２０】さらに、画素間遮光に用いられる二層目の
アルミニウム層の加工性が良いため、オーバーハング形
状とならず、十分に画素間部を覆うことができスミア特
性を向上させる効果がある。
アルミニウム層の加工性が良いため、オーバーハング形
状とならず、十分に画素間部を覆うことができスミア特
性を向上させる効果がある。
【図１】本発明の実施例の断面図。
【図２】本発明の実施例の断面図。
【図３】本発明の実施例の断面図。
【図４】固体撮像装置の平面図。
【図５】従来例の断面図。
【図６】従来例の断面図。
１…画素部、２…第１ポリシリコン層、３…第２ポリシ
リコン層、５…第１アルミニウム層、６Ａ…第２アルミ
ニウム下層膜、６Ｂ…第２アルミニウム上層膜。
リコン層、５…第１アルミニウム層、６Ａ…第２アルミ
ニウム下層膜、６Ｂ…第２アルミニウム上層膜。
Claims (1)
- 【請求項１】 一層目のアルミニウム膜が転送電極の垂
直転送レジスタ部のシャント配線及び上記垂直転送レジ
スタ部の遮光膜に用いられ、二層目のアルミニウム膜が
少なくとも垂直方向画素間分離領域上の転送電極の遮光
膜に用いられる固体撮像装置において、 上記二層目のアルミニウム膜が上記転送電極の遮光膜部
では薄い膜厚で、その他の領域では厚い膜厚であること
を特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4002612A JPH05190818A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4002612A JPH05190818A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190818A true JPH05190818A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11534223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4002612A Pending JPH05190818A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190818A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10431617B2 (en) | 2017-02-28 | 2019-10-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and apparatus |
-
1992
- 1992-01-10 JP JP4002612A patent/JPH05190818A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10431617B2 (en) | 2017-02-28 | 2019-10-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and apparatus |
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