JPH0518271B2 - - Google Patents
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- JPH0518271B2 JPH0518271B2 JP58159674A JP15967483A JPH0518271B2 JP H0518271 B2 JPH0518271 B2 JP H0518271B2 JP 58159674 A JP58159674 A JP 58159674A JP 15967483 A JP15967483 A JP 15967483A JP H0518271 B2 JPH0518271 B2 JP H0518271B2
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Description
[発明の技術分野]
本発明は可撓性基板上に光起電力発生要素とし
て非晶質シリコン薄膜を設けた太陽電池に関する
ものであり、さらに詳しくは可撓性基板として炭
素繊維の布状物を使用した非晶質シリコン薄膜太
陽電池に関するものである。 [従来技術] 非晶質シリコン薄膜をガラス板などの非可撓性
基板に設けたもの、また可撓性基板としてポリイ
ミド等の樹脂薄膜を使用する太陽電池が知られて
いる。 非晶質シリコン太陽電池を製造するに際して可
撓性フイルム基板を用いる特徴は、基板上に必要
な非晶質シリコン層を連続的に設けることがで
き、製造コストおよび製造の容易性の面で非可撓
性基板に比し極めて優位に立てる点にある。さら
に可撓性基板上に形成させた非晶質シリコン太陽
電池は従来の非可撓性基板上に形成させた太陽電
池と違いフイルム状であるので、製品形状にある
程度任意性を持たせることができ、その応用が広
がることが期待されるものである。 しかるにかかる非晶質シリコンを可撓性基板上
に形成させる場合、非晶質シリコン薄膜形成温度
として少なくとも250℃〜350℃の高温が必要とな
り、高分子フイルムを用いる場合には、耐熱性の
優れたポリイミドフイルムしか適用できない。し
かし、ポリイミドフイルムは、このような高温時
における初期ヤング率があまり大きくなく非晶質
シリコン薄膜時の熱応力に耐えるに十分な膜の強
さをもつていないという問題点がある。すなわ
ち、十分な膜の強さをもつていない基板の場合に
は、非晶質シリコン薄膜を基板上に設ける際、非
晶質シリコン薄膜と基板、両方の熱膨張係数の差
異に基づく熱応力が基板の機械的強度を越え基板
がカールしてしまうことになる不都合が派生す
る。 このカールの程度が大きくなると太陽電池とし
ての効率が大幅に低下してしまうという重大な欠
陥を招来させることが確認されている。さらに従
来のポリイミドフイルムは、表面が平滑すぎるた
め一旦表面で反射した光は再び利用されることな
く太陽電池外へ放出され高い光電変換効率を得る
ことが難しい状態にあつたし、可撓性基板とはい
えまだまだ満足なフレキシビリテイを具備するも
のではなかつた。 したがつて、可撓性基板を用いて非晶質シリコ
ン太陽電池を実現するには少なくとも250℃以上
の耐熱性に加え、かかる高温時において製膜時の
熱応力に耐えることのできる膜の強さおよび入射
光の表面における多重反射を可能にし、それによ
つて光吸収率を向上せしめる適宜な表面粗さをも
つた、しかもフレキシビリテイに富む基板を供し
なければならない。 [発明の概要] 本発明の目的の1つは、250℃〜350℃といつた
高温下における製膜時にカール発生のない可撓性
基板を提供することにある。 他の目的として光電変換効率に大きな影響を及
ぼす適宜な粗面を有するフレキシビリテイに富め
る可撓性基板を提供することにある。基板の表面
粗さと太陽電池の変換効率の関連性について、変
換効率を向上せしめるには、太陽電池表面の太陽
光の反射防止をすること、すなわち太陽光の反射
率を小さくすることが重要である。 しかし、あまりに表面を粗面化することにより
非晶質シリコン薄膜中の細孔の生成および起電力
要素の短絡を多数誘起させることで、太陽電池と
しての特性そのものが悪くなつてしまえば、太陽
電池本来の目的から逸脱してしまうので好ましく
ない。したがつて反射の防止と電池特性維持等の
兼ね合いから基板について適宜な表面粗さを必要
とするのである。 本発明者等は、非晶質シリコン薄膜を光起電力
要素とする薄膜太陽電池において非晶質シリコン
薄膜を基板上に形成させる際に熱応力に十分耐え
ることができる、つまりカール発生のない、かつ
適宜な表面粗さを有する基板を選択して電池特性
を向上せしめるべく鋭意努力した結果、目付が10
〜2000g/m2である炭素繊維の布状物を太陽電池
用基板として使用することで本発明の目的を有利
に達成することを得、本発明に到達した。 前述したごとく本発明は可撓性基板上に光起電
力要素として非晶質シリコン薄膜を設けた太陽電
池において、優れたフレキシビリテイを有しかつ
適度の粗面を有するように目付が10〜2000g/cm2
である可撓性炭素繊維布状物を基板として用いる
ことを特徴とするものである。 [発明の実施例] 本発明に係る非晶質シリコン薄膜を有する太陽
電池とは、シリコン系の非晶質薄膜を用いてシヨ
ツトキー型、pin型、またはタンデム型の素子構
造を形成した太陽電池である。なお、シリコン系
の非晶質薄膜としては、Si、Si−Ge、Si−C、
Si−N等の単体または化合物からなる水素化アモ
ルフアス膜を、またはフツ素化アモルフアス膜が
含まれる。 また本発明において使用する炭素繊維布状物と
しては、布帛形状に成形加工できるものであれば
炭素繊維の種類において特に制限を設けるもので
はない。たとえばピツチ繊維もしくはアクリル繊
維をプレカーサーとしてこれを焼成して作製した
炭素繊維またはこの炭素繊維をさらに高温焼成し
黒鉛化した炭素繊維等が使用できる。本発明に用
いる炭素繊維布状物とは、織布、ニツト、不織布
を含むものであり目付としては10〜2000g/m2の
範囲のものから選択使用できる。布状物としての
構成、粗織、外観を左右する因子としては糸の選
択および織布、ニツト方式の選択があるが目的と
する布帛構造から糸の太さ、断面形状、モノある
いはマルチフイラメントの選択を行ない、適宜な
布状物形式手段を採用して非晶質太陽電池として
の基板に形成する炭素繊維布状物の好適例として
アクリル繊維プレカーサーを焼成して作製した炭
素繊維布状物について説明する。該炭素繊維は通
常の有機繊維(たとえばポリエステル、アクリル
繊維等)より布状物を作製する手段を採用して不
織布、編織布等の布状物に成形加工できる。この
ように成形加工したものはその表面が入射光の多
重反射を可能にし、それによつて光吸収率を高め
得る適当な粗面構造を呈してなるものである。 上述のごとく作成した基板の強度、剛性、耐熱
性に関して、特に剛性、耐熱性については炭素繊
維であるがゆえに従来のポリイミドフイルムに比
し、極めて優れた特性を示す。耐熱性は400℃程
度に加熱しても全く問題なく、良質の非晶質シリ
コン薄膜を作製するには極めて有利といえる。強
度、剛性についても耐熱性と同様、炭素繊維であ
るため、布状物に成形したものについては腰があ
り、非晶質シリコン薄膜時の熱応力に十分耐え得
るものである。 可撓性炭素繊維布状物を用いて太陽電池を作製
するには該布状物(基板)上に直接非晶質薄膜を
形成させればよい。本発明の場合は基板そのもの
が良好な導電性を有するため裏面電極の作製の必
要がない。非晶質シリコン薄膜を形成させるには
グロー放電法、スパツタリング法、イオンプレー
テイング法等公知の手段が採用できる。たとえば
グロー放電法の場合は0.1〜10Torrに維持された
真空層内でロールアツプされた可撓性基板から該
基板を引き出し200〜350℃に加熱した基板ホルダ
に密着させる。 この基板ホルダを一方の電極とし、これと対向
する電極との間にたとえば13.56MHzの高周波電
力を供給する。真空層内にはシランガス
(SiH4)、ジボランガス(B2H6)、ホスフインガ
ス(PH6)、水素ガス(H2)を導入してグロー放
電を起こし、所定の薄膜になるまで原料ガスを供
給し、光起電力の要素である非晶質シリコン薄膜
を形成させる。さらに詳しくはi型シリコン薄膜
を作製するにはシランガス(SiH4)と水素ガス
(H2)を供給して製膜を行ない、またp型シリコ
ン薄膜を作製するにはシランガス(SiH4)、水素
ガス(H2)、ジボランガス(B2H6)を供給して
製膜を行なう。n型シリコン薄膜の場合はシラン
ガス(SiH4)、水素ガス(H2)、ホスフインガス
(PH6)を供給して製膜する。 次いでp、i、n層を積層させた可撓性基板を
真空層内に装着し、たとえばシヨツトキー接合セ
ルの場合はシヨツトキー障壁金属として白金、
金、パラジウム等をスパツタ法、真空蒸着法、イ
オンプレーテイング法等で100Å程度の薄膜で堆
積させる。またヘテロフエイス接合セルの場合は
酸化インジウム、酸化錫、酸化錫−酸化インジウ
ム膜を200〜5000Å程度の薄膜になるようにスパ
ツタ法、真空蒸着法、イオンプレーテイング法等
で堆積させ、表面電極を形成させる。次いで収集
電極をシヨツトキー障壁金属、ヘテロフエイス電
極表面上に設けて非晶質シリコン太陽電池デバイ
スとする。このように本発明に係る非晶質シリコ
ン薄膜太陽電池は、可撓性炭素繊維布状物基板上
に多層の非晶質シリコン膜を設け、その上にシヨ
ツトキー障壁金属またはヘテロフエイス電極を設
け、さらにその上に収集電極を設けた基本構造を
もつている。 以下実施例を挙げ、本発明を説明するが本発明
はかかる実施例によつて何ら限定されるものでは
ない。 実施例 1 アクリル繊維を焼成炭化して作製した炭素繊維
を不織布状に成形し、厚さ3mm、目付400g/m2
の可撓性を有する炭素繊維不織布を得た。 この不織布を10-2Torrの真空下で150℃、2時
間の乾燥を行なつた。非晶質シリコン薄膜は容量
結合方式の高周波(13.56MHz)グロー放電装置
を用いて、該基板をグロー放電装置のアノード側
の電極上に緊張下で装着し8×10-6Torrに排気
しながら300℃に該基板を加熱する。その後窒素
ガス(N2)を500c.c./min導入し、1.0Torrの窒
素ガス(N2)雰囲気で200Wの高周波電力を印加
し基板のイオンボンバードを20分行ない、基板を
クリーニングする、次に水素ガス(H2)で希釈
した10%のシランガス(SiH4)と水素ガス(H2)
で0.1%に希釈したホスフインガス(PH8)をグ
ロー放電装置内に導入し、0.6Torrのガス雰囲気
で100Wの高周波電力を印加し200Åのn型の非晶
質シリコン薄膜を設ける。次いで水素ガス(H2)
とシランガス(SiH4)で前記と同様にしてn型
の薄膜層上にi型の非晶質薄膜を3000Åの厚みで
形成させる。次いで水素ガス(H2)で10%のシ
ランガス(SiH4)と水素ガス(H2)で0.1%に希
釈したジボランガス(B2H6)をグロー放電装置
内に導入し、i型の薄膜層上にp型の非晶質層膜
を300Åの厚みで形成させる。このようにして得
られたpin型薄膜をスパツタ装置に装着し酸化錫
−酸化インジウム薄膜を1000Å堆積させ、ヘテロ
フエイス層とした。最後にこのヘテロフエイス層
上に収集電極としてパラジウムを1000Å<i型に
堆積させ、可撓性炭素繊維不織布基板上にpinヘ
テロフエイス型太陽電池デバイスを得た。 実施例 2 実施例1と同様の炭素繊維を平織り織布に成形
し、目付200g/m2の可撓性を有する炭素繊維織
布を得た。pinヘテロフエイス型太陽電池デバイ
スは実施例1と同様な条件で作製した。 上述のごとく得られた2種の太陽電池デバイス
の初期特性をAM=1に調整したオリエル社製ソ
ーラシユミレータで測定した。その結果を第1表
に示す。 なお、比較例としてポリイミドフイルムを選
び、このフイルム上に実施例1と同様の方法pin
型の太陽電池デバイスを形成させたものを採用し
た。その結果も第1表に併記する。初期特性測定
に際しては、太陽電池デバイス形成工程を通して
一度もサンプルの緊張状態を解かずに行なつた。
て非晶質シリコン薄膜を設けた太陽電池に関する
ものであり、さらに詳しくは可撓性基板として炭
素繊維の布状物を使用した非晶質シリコン薄膜太
陽電池に関するものである。 [従来技術] 非晶質シリコン薄膜をガラス板などの非可撓性
基板に設けたもの、また可撓性基板としてポリイ
ミド等の樹脂薄膜を使用する太陽電池が知られて
いる。 非晶質シリコン太陽電池を製造するに際して可
撓性フイルム基板を用いる特徴は、基板上に必要
な非晶質シリコン層を連続的に設けることがで
き、製造コストおよび製造の容易性の面で非可撓
性基板に比し極めて優位に立てる点にある。さら
に可撓性基板上に形成させた非晶質シリコン太陽
電池は従来の非可撓性基板上に形成させた太陽電
池と違いフイルム状であるので、製品形状にある
程度任意性を持たせることができ、その応用が広
がることが期待されるものである。 しかるにかかる非晶質シリコンを可撓性基板上
に形成させる場合、非晶質シリコン薄膜形成温度
として少なくとも250℃〜350℃の高温が必要とな
り、高分子フイルムを用いる場合には、耐熱性の
優れたポリイミドフイルムしか適用できない。し
かし、ポリイミドフイルムは、このような高温時
における初期ヤング率があまり大きくなく非晶質
シリコン薄膜時の熱応力に耐えるに十分な膜の強
さをもつていないという問題点がある。すなわ
ち、十分な膜の強さをもつていない基板の場合に
は、非晶質シリコン薄膜を基板上に設ける際、非
晶質シリコン薄膜と基板、両方の熱膨張係数の差
異に基づく熱応力が基板の機械的強度を越え基板
がカールしてしまうことになる不都合が派生す
る。 このカールの程度が大きくなると太陽電池とし
ての効率が大幅に低下してしまうという重大な欠
陥を招来させることが確認されている。さらに従
来のポリイミドフイルムは、表面が平滑すぎるた
め一旦表面で反射した光は再び利用されることな
く太陽電池外へ放出され高い光電変換効率を得る
ことが難しい状態にあつたし、可撓性基板とはい
えまだまだ満足なフレキシビリテイを具備するも
のではなかつた。 したがつて、可撓性基板を用いて非晶質シリコ
ン太陽電池を実現するには少なくとも250℃以上
の耐熱性に加え、かかる高温時において製膜時の
熱応力に耐えることのできる膜の強さおよび入射
光の表面における多重反射を可能にし、それによ
つて光吸収率を向上せしめる適宜な表面粗さをも
つた、しかもフレキシビリテイに富む基板を供し
なければならない。 [発明の概要] 本発明の目的の1つは、250℃〜350℃といつた
高温下における製膜時にカール発生のない可撓性
基板を提供することにある。 他の目的として光電変換効率に大きな影響を及
ぼす適宜な粗面を有するフレキシビリテイに富め
る可撓性基板を提供することにある。基板の表面
粗さと太陽電池の変換効率の関連性について、変
換効率を向上せしめるには、太陽電池表面の太陽
光の反射防止をすること、すなわち太陽光の反射
率を小さくすることが重要である。 しかし、あまりに表面を粗面化することにより
非晶質シリコン薄膜中の細孔の生成および起電力
要素の短絡を多数誘起させることで、太陽電池と
しての特性そのものが悪くなつてしまえば、太陽
電池本来の目的から逸脱してしまうので好ましく
ない。したがつて反射の防止と電池特性維持等の
兼ね合いから基板について適宜な表面粗さを必要
とするのである。 本発明者等は、非晶質シリコン薄膜を光起電力
要素とする薄膜太陽電池において非晶質シリコン
薄膜を基板上に形成させる際に熱応力に十分耐え
ることができる、つまりカール発生のない、かつ
適宜な表面粗さを有する基板を選択して電池特性
を向上せしめるべく鋭意努力した結果、目付が10
〜2000g/m2である炭素繊維の布状物を太陽電池
用基板として使用することで本発明の目的を有利
に達成することを得、本発明に到達した。 前述したごとく本発明は可撓性基板上に光起電
力要素として非晶質シリコン薄膜を設けた太陽電
池において、優れたフレキシビリテイを有しかつ
適度の粗面を有するように目付が10〜2000g/cm2
である可撓性炭素繊維布状物を基板として用いる
ことを特徴とするものである。 [発明の実施例] 本発明に係る非晶質シリコン薄膜を有する太陽
電池とは、シリコン系の非晶質薄膜を用いてシヨ
ツトキー型、pin型、またはタンデム型の素子構
造を形成した太陽電池である。なお、シリコン系
の非晶質薄膜としては、Si、Si−Ge、Si−C、
Si−N等の単体または化合物からなる水素化アモ
ルフアス膜を、またはフツ素化アモルフアス膜が
含まれる。 また本発明において使用する炭素繊維布状物と
しては、布帛形状に成形加工できるものであれば
炭素繊維の種類において特に制限を設けるもので
はない。たとえばピツチ繊維もしくはアクリル繊
維をプレカーサーとしてこれを焼成して作製した
炭素繊維またはこの炭素繊維をさらに高温焼成し
黒鉛化した炭素繊維等が使用できる。本発明に用
いる炭素繊維布状物とは、織布、ニツト、不織布
を含むものであり目付としては10〜2000g/m2の
範囲のものから選択使用できる。布状物としての
構成、粗織、外観を左右する因子としては糸の選
択および織布、ニツト方式の選択があるが目的と
する布帛構造から糸の太さ、断面形状、モノある
いはマルチフイラメントの選択を行ない、適宜な
布状物形式手段を採用して非晶質太陽電池として
の基板に形成する炭素繊維布状物の好適例として
アクリル繊維プレカーサーを焼成して作製した炭
素繊維布状物について説明する。該炭素繊維は通
常の有機繊維(たとえばポリエステル、アクリル
繊維等)より布状物を作製する手段を採用して不
織布、編織布等の布状物に成形加工できる。この
ように成形加工したものはその表面が入射光の多
重反射を可能にし、それによつて光吸収率を高め
得る適当な粗面構造を呈してなるものである。 上述のごとく作成した基板の強度、剛性、耐熱
性に関して、特に剛性、耐熱性については炭素繊
維であるがゆえに従来のポリイミドフイルムに比
し、極めて優れた特性を示す。耐熱性は400℃程
度に加熱しても全く問題なく、良質の非晶質シリ
コン薄膜を作製するには極めて有利といえる。強
度、剛性についても耐熱性と同様、炭素繊維であ
るため、布状物に成形したものについては腰があ
り、非晶質シリコン薄膜時の熱応力に十分耐え得
るものである。 可撓性炭素繊維布状物を用いて太陽電池を作製
するには該布状物(基板)上に直接非晶質薄膜を
形成させればよい。本発明の場合は基板そのもの
が良好な導電性を有するため裏面電極の作製の必
要がない。非晶質シリコン薄膜を形成させるには
グロー放電法、スパツタリング法、イオンプレー
テイング法等公知の手段が採用できる。たとえば
グロー放電法の場合は0.1〜10Torrに維持された
真空層内でロールアツプされた可撓性基板から該
基板を引き出し200〜350℃に加熱した基板ホルダ
に密着させる。 この基板ホルダを一方の電極とし、これと対向
する電極との間にたとえば13.56MHzの高周波電
力を供給する。真空層内にはシランガス
(SiH4)、ジボランガス(B2H6)、ホスフインガ
ス(PH6)、水素ガス(H2)を導入してグロー放
電を起こし、所定の薄膜になるまで原料ガスを供
給し、光起電力の要素である非晶質シリコン薄膜
を形成させる。さらに詳しくはi型シリコン薄膜
を作製するにはシランガス(SiH4)と水素ガス
(H2)を供給して製膜を行ない、またp型シリコ
ン薄膜を作製するにはシランガス(SiH4)、水素
ガス(H2)、ジボランガス(B2H6)を供給して
製膜を行なう。n型シリコン薄膜の場合はシラン
ガス(SiH4)、水素ガス(H2)、ホスフインガス
(PH6)を供給して製膜する。 次いでp、i、n層を積層させた可撓性基板を
真空層内に装着し、たとえばシヨツトキー接合セ
ルの場合はシヨツトキー障壁金属として白金、
金、パラジウム等をスパツタ法、真空蒸着法、イ
オンプレーテイング法等で100Å程度の薄膜で堆
積させる。またヘテロフエイス接合セルの場合は
酸化インジウム、酸化錫、酸化錫−酸化インジウ
ム膜を200〜5000Å程度の薄膜になるようにスパ
ツタ法、真空蒸着法、イオンプレーテイング法等
で堆積させ、表面電極を形成させる。次いで収集
電極をシヨツトキー障壁金属、ヘテロフエイス電
極表面上に設けて非晶質シリコン太陽電池デバイ
スとする。このように本発明に係る非晶質シリコ
ン薄膜太陽電池は、可撓性炭素繊維布状物基板上
に多層の非晶質シリコン膜を設け、その上にシヨ
ツトキー障壁金属またはヘテロフエイス電極を設
け、さらにその上に収集電極を設けた基本構造を
もつている。 以下実施例を挙げ、本発明を説明するが本発明
はかかる実施例によつて何ら限定されるものでは
ない。 実施例 1 アクリル繊維を焼成炭化して作製した炭素繊維
を不織布状に成形し、厚さ3mm、目付400g/m2
の可撓性を有する炭素繊維不織布を得た。 この不織布を10-2Torrの真空下で150℃、2時
間の乾燥を行なつた。非晶質シリコン薄膜は容量
結合方式の高周波(13.56MHz)グロー放電装置
を用いて、該基板をグロー放電装置のアノード側
の電極上に緊張下で装着し8×10-6Torrに排気
しながら300℃に該基板を加熱する。その後窒素
ガス(N2)を500c.c./min導入し、1.0Torrの窒
素ガス(N2)雰囲気で200Wの高周波電力を印加
し基板のイオンボンバードを20分行ない、基板を
クリーニングする、次に水素ガス(H2)で希釈
した10%のシランガス(SiH4)と水素ガス(H2)
で0.1%に希釈したホスフインガス(PH8)をグ
ロー放電装置内に導入し、0.6Torrのガス雰囲気
で100Wの高周波電力を印加し200Åのn型の非晶
質シリコン薄膜を設ける。次いで水素ガス(H2)
とシランガス(SiH4)で前記と同様にしてn型
の薄膜層上にi型の非晶質薄膜を3000Åの厚みで
形成させる。次いで水素ガス(H2)で10%のシ
ランガス(SiH4)と水素ガス(H2)で0.1%に希
釈したジボランガス(B2H6)をグロー放電装置
内に導入し、i型の薄膜層上にp型の非晶質層膜
を300Åの厚みで形成させる。このようにして得
られたpin型薄膜をスパツタ装置に装着し酸化錫
−酸化インジウム薄膜を1000Å堆積させ、ヘテロ
フエイス層とした。最後にこのヘテロフエイス層
上に収集電極としてパラジウムを1000Å<i型に
堆積させ、可撓性炭素繊維不織布基板上にpinヘ
テロフエイス型太陽電池デバイスを得た。 実施例 2 実施例1と同様の炭素繊維を平織り織布に成形
し、目付200g/m2の可撓性を有する炭素繊維織
布を得た。pinヘテロフエイス型太陽電池デバイ
スは実施例1と同様な条件で作製した。 上述のごとく得られた2種の太陽電池デバイス
の初期特性をAM=1に調整したオリエル社製ソ
ーラシユミレータで測定した。その結果を第1表
に示す。 なお、比較例としてポリイミドフイルムを選
び、このフイルム上に実施例1と同様の方法pin
型の太陽電池デバイスを形成させたものを採用し
た。その結果も第1表に併記する。初期特性測定
に際しては、太陽電池デバイス形成工程を通して
一度もサンプルの緊張状態を解かずに行なつた。
【表】
[発明の効果]
本発明の非晶質シリコン太陽電池は、可撓性基
板として炭素繊維の布状物を用いることに大きな
特徴を有するものであるが、この可撓性基板が炭
素繊維より構成されるものであることに起因する
メリツトは次の点にある。 強度、剛性が大きく製膜中の熱応力に十分耐
え得る。 耐熱性に優れていること、すなわち400℃に
加熱しても全く問題がないので従来のグロー放
電法により非晶質シリコン薄膜が基板上に形成
できる。 適宜な表面粗度をもつているため、良好な光
電変換効率を得ることができる。 フレキシビリテイに富んでいる。 従来ポリイミドフイルムが可撓性基板として用
いられているがフイルムのフレキシビリテイは言
わば一方向的であり、2次局面(たとえば球面)
に沿わせようとすれば固い折れ皺が発生して好ま
しくない。すなわち、電気的に断線したりする。
また本発明の炭素繊維布状物を基板として作成し
た太陽電池は十分なるドレープ性を有しており上
記ポリイミドフイルムのものに比して大きなフレ
キシビリテイを呈したとえば衣服分野に利用でき
る。このように可撓性基板として炭素繊維の布状
物を用いることにより、ロール形状による連続的
太陽電池の製造が可能であることに加え製膜中の
熱応力に耐え得る剛性を有し、かつ適宜な表面粗
さをもつていることに起因する光電変換効率の優
れたフレキシビリテイ性太陽電池を実現すること
が初めて可能となつた。
板として炭素繊維の布状物を用いることに大きな
特徴を有するものであるが、この可撓性基板が炭
素繊維より構成されるものであることに起因する
メリツトは次の点にある。 強度、剛性が大きく製膜中の熱応力に十分耐
え得る。 耐熱性に優れていること、すなわち400℃に
加熱しても全く問題がないので従来のグロー放
電法により非晶質シリコン薄膜が基板上に形成
できる。 適宜な表面粗度をもつているため、良好な光
電変換効率を得ることができる。 フレキシビリテイに富んでいる。 従来ポリイミドフイルムが可撓性基板として用
いられているがフイルムのフレキシビリテイは言
わば一方向的であり、2次局面(たとえば球面)
に沿わせようとすれば固い折れ皺が発生して好ま
しくない。すなわち、電気的に断線したりする。
また本発明の炭素繊維布状物を基板として作成し
た太陽電池は十分なるドレープ性を有しており上
記ポリイミドフイルムのものに比して大きなフレ
キシビリテイを呈したとえば衣服分野に利用でき
る。このように可撓性基板として炭素繊維の布状
物を用いることにより、ロール形状による連続的
太陽電池の製造が可能であることに加え製膜中の
熱応力に耐え得る剛性を有し、かつ適宜な表面粗
さをもつていることに起因する光電変換効率の優
れたフレキシビリテイ性太陽電池を実現すること
が初めて可能となつた。
Claims (1)
- 1 可撓性基板上に非晶質シリコン薄膜を有する
太陽電池において、目付が10〜2000g/m2である
炭素繊維の布状物を該基板として使用することを
特徴とする非晶質シリコン薄膜太陽電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58159674A JPS6050977A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 非晶質シリコン薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58159674A JPS6050977A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 非晶質シリコン薄膜太陽電池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6050977A JPS6050977A (ja) | 1985-03-22 |
JPH0518271B2 true JPH0518271B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=15698851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58159674A Granted JPS6050977A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 非晶質シリコン薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6050977A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58220944A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-22 | Yamaha Motor Co Ltd | エンジンのシリンダ |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5254391A (en) * | 1975-10-29 | 1977-05-02 | Yuuji Yamaguchi | Fibrous photocell |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP58159674A patent/JPS6050977A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5254391A (en) * | 1975-10-29 | 1977-05-02 | Yuuji Yamaguchi | Fibrous photocell |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6050977A (ja) | 1985-03-22 |
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