JPH059946B2 - - Google Patents
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Description
本発明は可とう性フイルム基板上に光起電力発
生要素として非晶質シリコン薄膜を設けた太陽電
池に関する。更に詳しくは該基板としてセラミツ
クスフイルムを太陽電池用基板として使用した太
陽電池に関する。 非晶質薄膜をステンレス鋼・ガラス板などの非
可とう性基板に設けたもの、又可とう性基板とし
てポリイミド等の樹脂薄膜を基板として使用する
太陽電池が知られている。非晶質太陽電池を製造
するに際して可とう性基板を用いる特徴は、基板
上に必要な非晶質シリコン層を連続的に設けるこ
とが出来、製造コスト及び製造の容易性の面で非
可とう性基板に比し、極めて優位に立てることに
ある。更に可とう性基板に形成された非晶質太陽
電池は従来の非可とう性基板に形成させた太陽電
池と違いフイルム状であるので、製品形状に任意
性を打たせることが出来、例えば曲面状態でも使
用することが可能であり、その応用が広がること
が期待されている。 しかるに、かかる非晶質太陽電池を可とう性基
板上に形成させる場合非晶質シリコン形成温度と
して少なくとも250〜350℃の高温が望ましい為、
高分子フイルムを用いる場合には、耐熱性の優れ
たポリイミドフイルムしか適用出来ない。しかし
ポリイミドフイルムは、かかる高温時におけける
初期ヤング率があまり大きくなく非晶質シリコン
製膜時の熱応力に耐えるに充分な膜の強さを持つ
ていないという問題点がある。即ち、充分な膜の
強さを持つていない基板の場合には非晶質薄膜を
基板上に設ける際、非晶質シリコン薄膜と基板相
方の熱膨強係数の差異にもとづく熱応力が基板の
機械的強度を越え基板がカールしてしまうことに
なる。このカールの程度が大きくなると太陽電池
としての効率が大幅に低下してしまうという重大
な欠陥を紹来させることが確認されている。さら
に従来のポリイミドフイルムは表面が平滑すぎる
ため高い光電変換効率を得ることがむつかしい状
態にある。 従つて、可とう性基板を用いて非晶質シリコン
太陽電池を実現するには少なくとも250℃以上の
耐熱性に加え、かかる高温時において製膜時の熱
応力に耐えることの出来る腰の強さ及び適宜な表
面粗さをもつた基板を供しなければならない。本
発明の目的の一つはかかる製膜時のカール防止に
あるが、又他の目的として光電変換効率に大きな
影響を及ぼす基板の表面粗さに関し、適宜な粗面
を有する基板上に非晶質シリコン薄膜を形成した
太陽電池において、高い光電変換効率を得ること
を可能ならしめる適宜な粗面を有する基板を提供
することにある。基板の表面粗さと太陽電池の変
換効率の関連性について、変換効率を向上せしめ
るには太陽電池表面の太陽光の反射防止をするこ
と、即ち太陽光の反射率を小さくすることが重要
である。しかし、あまりに表面を粗面化すること
により非晶質シリコン薄膜中の細孔の生成及び起
電力要素の短絡を多数誘起させることで、太陽電
池としての特性そのものが悪くなつてしまえば、
太陽電池本来の目的から逸脱してしまう。従つて
反射の防止と電池特性維持等のかね合いから基板
について適宜な表面粗さを必要とするのである。 本発明者は非晶質シリコン薄膜を光起電力要素
とする薄膜太陽電池において非晶質シリコン薄膜
を基板上に形成させる際に熱応力に充分耐えるこ
とが出来る結果として、カール発生を防止するこ
とを得、かつ適宜な表面粗さを有し、電池特性を
向上せしめるという目的を達成せしめる為鋭意努
力した結果、可とう性セラミツクスフイルムを非
晶質シリコン薄膜太陽電池用基板として使用する
ことで本発明の目的を達成することを得、本発明
に到達した。前述した如く本発明は可とう性フイ
ルム基板上に光起電力要素として非晶質シリコン
薄膜を設けた太陽電池において、適度の粗面を有
する可とう性セラミツクフイルムを基板として用
いることを特徴とするものであるが、本発明にお
いて使用するセラミツクスフイルムについて以下
言及する。本発明に係るセラミツクスフイルムと
してはフイルム状に成形加工できるものであれば
特に制限するものでない。セラミツクスフイルム
の好適例として可とう性マイカフイルムに関して
言及する。マイカとして例えばM.7（MG2.3Li.7）
Si4O10F2.nH2Oなる組成式を有し、ＭがLi又はＫ
であるものは、フイルム状に容易に成型加工出来
る。フイルム状に成型加工する際には上記組成式
のもの単独であつてもフイルム状に成型加工可能
である。この様に成型加工したマイカフイルムの
表面状態は適度な粗面を有する。ガラス繊維を混
入せしめても充分成型加工可能であるので、強度
を向上せしめる為には極めて有効である。フイル
ム成型時の厚みとしては10〜40μ程度まで作成可
能であり、又単位面積あたりの重さとしては15〜
35ｇ／m2の範囲にあつた。作成した膜の絶縁破壊
抵抗、誘電率、比抵抗等の電気的性質は極めて優
れたものであつた。更に、強度・剛性・耐熱性に
関して特に剛性、耐熱性についてはセラミツクス
であるが故に、太陽電池用可とう性基板として一
般的に応用を試みられている高分子フイルムに比
し、極めてすぐれた特性を示す。耐熱性は400℃
程度に加熱しても全く問題なく良質の非晶質シリ
コン薄膜を作成するには極めて有利である。剛性
についても耐熱性と同様、セラミツクスであるた
め、フイルムに成型したものについては腰があ
り、非晶質シリコン製膜時の熱応力に充分耐え得
るものである。 可とう性セラミツクスフイルムを太陽電池の基
板として用いる為に基板表面に電極を作成する。
電極としては特に限定するものではなく、アルミ
ニウム、鉄、ステンレス鋼、ニツケル、タングス
テン等の薄膜を蒸着、スパツタリング・イオンプ
レーテイング等で基板状に形成させる。可とう性
基板上に非晶質シリコン薄膜を形成するにはグロ
ー放電法、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法、熱分解法等、公知の方法を用いる。例え
ばグロー放電法の場合は0.1〜10torrに維持され
た真空槽内でロールアツプされた可とう性基板か
ら該基板を引き出し200〜350℃に加熱した基板ホ
ルダーに密着させる。この基板ホルダーを一方の
電極とし、これと対抗する電極との間に例えば
13.56MHzの高周波電力を供給する。真空槽内に
はシランガス（SiH4）、ジボランガス（B2H6）、
ホスフインガス（PH3）、水素ガス（H2）を導入
してグロー放電を起こし、所定の膜厚になるまで
原料ガスを供給し、光起電力要素である非晶質シ
リコン薄膜を形成させる。更に詳しくは、ｉ型シ
リコン薄膜を作成するにはシランガスとH2ガス
を供給して製膜を行ない、又Ｐ型シリコン薄膜を
作成するにはシランガス、水素ガス、ジボランガ
スを供給して製膜を行なう。又ｎ型シリコン薄膜
についてはシランガス、水素ガス、ホスフインガ
スを供給することで製膜する。次に該非晶質シリ
コン薄膜を太陽電池デバイスとする為に裏面電極
を形成させた後、Ｐ層、ｉ層、ｎ層を積層させた
可とう性セラミツクスフイルム基板を真空槽内に
装着し、例えばシヨツトキー接合セルの場合は、
シヨツトキー障壁金属として、白金、金、パラジ
ウム等を、スパツタ法、真空蒸着法、イオンプレ
ーテイング法等で100Å程度の膜厚で堆積させる。
又、ヘテロ（フエイス）接合セルの場合は、酸化
インジウム、酸化スズ、酸化スズ−酸化インジウ
ム膜を200〜5000A°程度の膜厚になる様に、スパ
ツタ法、真空蒸着法、イオンプレーテイング法等
で堆積させ、表面電極を形成させる。次に、収集
電極をシヨツトキー障壁金属、ヘテロフエイス電
極表面上に設けて非晶質シリコン太陽電池デバイ
スとする。本発明になる非晶質シリコン太陽電池
は、可とう性セラミツクスフイルム基板上に裏面
電極を形成させ、該電極上に多層の非晶質シリコ
ン膜を設け、その上にシヨツトキー障壁金属又は
ヘテロフエイス電極を設け、その上に更に収集電
極を設けた基本構造を持つている。本発明の非晶
質シリコン太陽電池は可とう性基板として、セラ
ミツクスフイルムを用いたことに大きな特徴を持
つものであるが、この可とう性セラミツクスフイ
ルムがセラミツクスであることに帰因する下記の
特徴を有する。 剛性が大きく、製膜中の熱応力に充分耐え得
る。 耐熱性に優れていること、即ち400℃に加熱
しても全く問題がない。 強度的にも優れているがガラス繊維を混入さ
せることで更に高強度なものが出来る。 適宜な表面粗さを持つている為、後述の実施
例に示す如く優れた光電変換効率を得ることが
出来る。 この様に可とう性基板としてセラミツクスフイ
ルムを用いることにより、ロール型状による連続
的太陽電池の製造が可能である。ことに加え、製
膜中の熱応力に耐え得る剛性を有し、かつ適宜な
表面粗さを持つていることに帰因する、光電変換
効率の優れた太陽電池を実現することが始めて可
能となつた。以下実施例をあげ、本発明を説明す
る。 実施例 １ 組成式Li.7（MG2.3Li.7）Si4O10F2・nH2Oなるマ
イカをフイルム状に成型し、厚さ30μの可とう性
マイカフイルムを得た。 このマイカフイルムを10-2torrの真空下で150
℃2Hrの乾燥を行なつた。この乾燥したマイフイ
ルムスパツタリング装置に装着し、タングステン
をターゲツトとして厚さ1.5μのタングステン薄膜
を裏面電極として形成させた。非晶質シリコン薄
膜は容量結合方式の高周波（13.56MHz）グロー
放電装置を用いて、前記裏面電極を形成させた基
板をグロー放電装置のアノード例の電極上に緊張
下で装着し、８×10-6torrに排気しながら300℃
に該基板を加熱する。その後、N2ガスを500c.c.／
min導入し、1.0torrのN2ガス雰囲気で200Wの高
周波電力を印加し基板のイオンボンバードを20分
行ない、基板をクリーニングする。次に水素ガス
で希釈した10％のシランガスと水素ガスで0.1％
に希釈したホスフインガスをグロー放電装置内に
導入し、0.6torrの該ガス雰囲気で100Wの高周波
電力を印加し、200Åのｎ型の非晶質シリコン薄
膜を形成させる。次いで、水素ガスとシランガス
で前記同様にして、ｎ型の非晶質シリコン薄膜上
にｉ型の非晶質薄膜を3000Åの厚みで形成させ
る。次いで、水素ガスで10％のシランガスと水素
ガスで0.1％に希釈したジボランガスをグロー放
電装置内に導入し、ｉ型非晶質シリコン薄膜上に
300ÅのＰ型非晶質シリコン薄膜を形成させ、可
とう性マイカフイルム上にpin型の非晶質シリコ
ン薄膜を設ける。この様にして得たpin型非晶質
シリコン薄膜をスパツタ装置に装着し、酸化スズ
−酸化インジウム薄膜を1000Å堆積させ、ヘテロ
フエイス層とした。最後に、このヘテロフエイス
層上に収集電極としてパラジウムを1000Åくし型
に堆積させ、可とう性マイカフイルム基板上に
pinヘテロフエイス型太陽電池デバイスを得た。 実施例 ２ 組成式K.7（MG2.3Li.7）Si4O10F2・nH2Oなるマ
イカをフイルム状に成型し、厚さ30μの可とう性
マイカフイルムを得た。pinヘテロフエイス型太
陽電池デバイスは実施例１と同様な条件で作製し
た。 実施例 ３ Li.7（MG2.3Li.7）Si4O10F2・nH2Oなるマイカに
ガラスフアイバーをマイカに対し20wt％混入さ
せ、フイルム状に成型し、厚さ30μのガラス強化
のマイカフイルムを得た。pinヘテロフエイス型
太陽電池は実施例１と同様な条件で作製した。 実施例 ４ 実施例１〜３の太陽電池デバイスの初期特性を
AM＝１に調整したオリエル社製ソーラシユミレ
ータで測定した。比較例としてポリイミドフイル
ムを選び、このフイルム上に実施例１と同様の方
法でpin型のヘテロフエイス型太陽電池デバイス
を形成させたものを用いた。尚、この測定に際し
ては太陽電池デバイス形成工程を通じて、一度も
サンプルの緊張状態を解かずに測定用試料に供し
た。結果を第１表に示す。
生要素として非晶質シリコン薄膜を設けた太陽電
池に関する。更に詳しくは該基板としてセラミツ
クスフイルムを太陽電池用基板として使用した太
陽電池に関する。 非晶質薄膜をステンレス鋼・ガラス板などの非
可とう性基板に設けたもの、又可とう性基板とし
てポリイミド等の樹脂薄膜を基板として使用する
太陽電池が知られている。非晶質太陽電池を製造
するに際して可とう性基板を用いる特徴は、基板
上に必要な非晶質シリコン層を連続的に設けるこ
とが出来、製造コスト及び製造の容易性の面で非
可とう性基板に比し、極めて優位に立てることに
ある。更に可とう性基板に形成された非晶質太陽
電池は従来の非可とう性基板に形成させた太陽電
池と違いフイルム状であるので、製品形状に任意
性を打たせることが出来、例えば曲面状態でも使
用することが可能であり、その応用が広がること
が期待されている。 しかるに、かかる非晶質太陽電池を可とう性基
板上に形成させる場合非晶質シリコン形成温度と
して少なくとも250〜350℃の高温が望ましい為、
高分子フイルムを用いる場合には、耐熱性の優れ
たポリイミドフイルムしか適用出来ない。しかし
ポリイミドフイルムは、かかる高温時におけける
初期ヤング率があまり大きくなく非晶質シリコン
製膜時の熱応力に耐えるに充分な膜の強さを持つ
ていないという問題点がある。即ち、充分な膜の
強さを持つていない基板の場合には非晶質薄膜を
基板上に設ける際、非晶質シリコン薄膜と基板相
方の熱膨強係数の差異にもとづく熱応力が基板の
機械的強度を越え基板がカールしてしまうことに
なる。このカールの程度が大きくなると太陽電池
としての効率が大幅に低下してしまうという重大
な欠陥を紹来させることが確認されている。さら
に従来のポリイミドフイルムは表面が平滑すぎる
ため高い光電変換効率を得ることがむつかしい状
態にある。 従つて、可とう性基板を用いて非晶質シリコン
太陽電池を実現するには少なくとも250℃以上の
耐熱性に加え、かかる高温時において製膜時の熱
応力に耐えることの出来る腰の強さ及び適宜な表
面粗さをもつた基板を供しなければならない。本
発明の目的の一つはかかる製膜時のカール防止に
あるが、又他の目的として光電変換効率に大きな
影響を及ぼす基板の表面粗さに関し、適宜な粗面
を有する基板上に非晶質シリコン薄膜を形成した
太陽電池において、高い光電変換効率を得ること
を可能ならしめる適宜な粗面を有する基板を提供
することにある。基板の表面粗さと太陽電池の変
換効率の関連性について、変換効率を向上せしめ
るには太陽電池表面の太陽光の反射防止をするこ
と、即ち太陽光の反射率を小さくすることが重要
である。しかし、あまりに表面を粗面化すること
により非晶質シリコン薄膜中の細孔の生成及び起
電力要素の短絡を多数誘起させることで、太陽電
池としての特性そのものが悪くなつてしまえば、
太陽電池本来の目的から逸脱してしまう。従つて
反射の防止と電池特性維持等のかね合いから基板
について適宜な表面粗さを必要とするのである。 本発明者は非晶質シリコン薄膜を光起電力要素
とする薄膜太陽電池において非晶質シリコン薄膜
を基板上に形成させる際に熱応力に充分耐えるこ
とが出来る結果として、カール発生を防止するこ
とを得、かつ適宜な表面粗さを有し、電池特性を
向上せしめるという目的を達成せしめる為鋭意努
力した結果、可とう性セラミツクスフイルムを非
晶質シリコン薄膜太陽電池用基板として使用する
ことで本発明の目的を達成することを得、本発明
に到達した。前述した如く本発明は可とう性フイ
ルム基板上に光起電力要素として非晶質シリコン
薄膜を設けた太陽電池において、適度の粗面を有
する可とう性セラミツクフイルムを基板として用
いることを特徴とするものであるが、本発明にお
いて使用するセラミツクスフイルムについて以下
言及する。本発明に係るセラミツクスフイルムと
してはフイルム状に成形加工できるものであれば
特に制限するものでない。セラミツクスフイルム
の好適例として可とう性マイカフイルムに関して
言及する。マイカとして例えばM.7（MG2.3Li.7）
Si4O10F2.nH2Oなる組成式を有し、ＭがLi又はＫ
であるものは、フイルム状に容易に成型加工出来
る。フイルム状に成型加工する際には上記組成式
のもの単独であつてもフイルム状に成型加工可能
である。この様に成型加工したマイカフイルムの
表面状態は適度な粗面を有する。ガラス繊維を混
入せしめても充分成型加工可能であるので、強度
を向上せしめる為には極めて有効である。フイル
ム成型時の厚みとしては10〜40μ程度まで作成可
能であり、又単位面積あたりの重さとしては15〜
35ｇ／m2の範囲にあつた。作成した膜の絶縁破壊
抵抗、誘電率、比抵抗等の電気的性質は極めて優
れたものであつた。更に、強度・剛性・耐熱性に
関して特に剛性、耐熱性についてはセラミツクス
であるが故に、太陽電池用可とう性基板として一
般的に応用を試みられている高分子フイルムに比
し、極めてすぐれた特性を示す。耐熱性は400℃
程度に加熱しても全く問題なく良質の非晶質シリ
コン薄膜を作成するには極めて有利である。剛性
についても耐熱性と同様、セラミツクスであるた
め、フイルムに成型したものについては腰があ
り、非晶質シリコン製膜時の熱応力に充分耐え得
るものである。 可とう性セラミツクスフイルムを太陽電池の基
板として用いる為に基板表面に電極を作成する。
電極としては特に限定するものではなく、アルミ
ニウム、鉄、ステンレス鋼、ニツケル、タングス
テン等の薄膜を蒸着、スパツタリング・イオンプ
レーテイング等で基板状に形成させる。可とう性
基板上に非晶質シリコン薄膜を形成するにはグロ
ー放電法、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法、熱分解法等、公知の方法を用いる。例え
ばグロー放電法の場合は0.1〜10torrに維持され
た真空槽内でロールアツプされた可とう性基板か
ら該基板を引き出し200〜350℃に加熱した基板ホ
ルダーに密着させる。この基板ホルダーを一方の
電極とし、これと対抗する電極との間に例えば
13.56MHzの高周波電力を供給する。真空槽内に
はシランガス（SiH4）、ジボランガス（B2H6）、
ホスフインガス（PH3）、水素ガス（H2）を導入
してグロー放電を起こし、所定の膜厚になるまで
原料ガスを供給し、光起電力要素である非晶質シ
リコン薄膜を形成させる。更に詳しくは、ｉ型シ
リコン薄膜を作成するにはシランガスとH2ガス
を供給して製膜を行ない、又Ｐ型シリコン薄膜を
作成するにはシランガス、水素ガス、ジボランガ
スを供給して製膜を行なう。又ｎ型シリコン薄膜
についてはシランガス、水素ガス、ホスフインガ
スを供給することで製膜する。次に該非晶質シリ
コン薄膜を太陽電池デバイスとする為に裏面電極
を形成させた後、Ｐ層、ｉ層、ｎ層を積層させた
可とう性セラミツクスフイルム基板を真空槽内に
装着し、例えばシヨツトキー接合セルの場合は、
シヨツトキー障壁金属として、白金、金、パラジ
ウム等を、スパツタ法、真空蒸着法、イオンプレ
ーテイング法等で100Å程度の膜厚で堆積させる。
又、ヘテロ（フエイス）接合セルの場合は、酸化
インジウム、酸化スズ、酸化スズ−酸化インジウ
ム膜を200〜5000A°程度の膜厚になる様に、スパ
ツタ法、真空蒸着法、イオンプレーテイング法等
で堆積させ、表面電極を形成させる。次に、収集
電極をシヨツトキー障壁金属、ヘテロフエイス電
極表面上に設けて非晶質シリコン太陽電池デバイ
スとする。本発明になる非晶質シリコン太陽電池
は、可とう性セラミツクスフイルム基板上に裏面
電極を形成させ、該電極上に多層の非晶質シリコ
ン膜を設け、その上にシヨツトキー障壁金属又は
ヘテロフエイス電極を設け、その上に更に収集電
極を設けた基本構造を持つている。本発明の非晶
質シリコン太陽電池は可とう性基板として、セラ
ミツクスフイルムを用いたことに大きな特徴を持
つものであるが、この可とう性セラミツクスフイ
ルムがセラミツクスであることに帰因する下記の
特徴を有する。 剛性が大きく、製膜中の熱応力に充分耐え得
る。 耐熱性に優れていること、即ち400℃に加熱
しても全く問題がない。 強度的にも優れているがガラス繊維を混入さ
せることで更に高強度なものが出来る。 適宜な表面粗さを持つている為、後述の実施
例に示す如く優れた光電変換効率を得ることが
出来る。 この様に可とう性基板としてセラミツクスフイ
ルムを用いることにより、ロール型状による連続
的太陽電池の製造が可能である。ことに加え、製
膜中の熱応力に耐え得る剛性を有し、かつ適宜な
表面粗さを持つていることに帰因する、光電変換
効率の優れた太陽電池を実現することが始めて可
能となつた。以下実施例をあげ、本発明を説明す
る。 実施例 １ 組成式Li.7（MG2.3Li.7）Si4O10F2・nH2Oなるマ
イカをフイルム状に成型し、厚さ30μの可とう性
マイカフイルムを得た。 このマイカフイルムを10-2torrの真空下で150
℃2Hrの乾燥を行なつた。この乾燥したマイフイ
ルムスパツタリング装置に装着し、タングステン
をターゲツトとして厚さ1.5μのタングステン薄膜
を裏面電極として形成させた。非晶質シリコン薄
膜は容量結合方式の高周波（13.56MHz）グロー
放電装置を用いて、前記裏面電極を形成させた基
板をグロー放電装置のアノード例の電極上に緊張
下で装着し、８×10-6torrに排気しながら300℃
に該基板を加熱する。その後、N2ガスを500c.c.／
min導入し、1.0torrのN2ガス雰囲気で200Wの高
周波電力を印加し基板のイオンボンバードを20分
行ない、基板をクリーニングする。次に水素ガス
で希釈した10％のシランガスと水素ガスで0.1％
に希釈したホスフインガスをグロー放電装置内に
導入し、0.6torrの該ガス雰囲気で100Wの高周波
電力を印加し、200Åのｎ型の非晶質シリコン薄
膜を形成させる。次いで、水素ガスとシランガス
で前記同様にして、ｎ型の非晶質シリコン薄膜上
にｉ型の非晶質薄膜を3000Åの厚みで形成させ
る。次いで、水素ガスで10％のシランガスと水素
ガスで0.1％に希釈したジボランガスをグロー放
電装置内に導入し、ｉ型非晶質シリコン薄膜上に
300ÅのＰ型非晶質シリコン薄膜を形成させ、可
とう性マイカフイルム上にpin型の非晶質シリコ
ン薄膜を設ける。この様にして得たpin型非晶質
シリコン薄膜をスパツタ装置に装着し、酸化スズ
−酸化インジウム薄膜を1000Å堆積させ、ヘテロ
フエイス層とした。最後に、このヘテロフエイス
層上に収集電極としてパラジウムを1000Åくし型
に堆積させ、可とう性マイカフイルム基板上に
pinヘテロフエイス型太陽電池デバイスを得た。 実施例 ２ 組成式K.7（MG2.3Li.7）Si4O10F2・nH2Oなるマ
イカをフイルム状に成型し、厚さ30μの可とう性
マイカフイルムを得た。pinヘテロフエイス型太
陽電池デバイスは実施例１と同様な条件で作製し
た。 実施例 ３ Li.7（MG2.3Li.7）Si4O10F2・nH2Oなるマイカに
ガラスフアイバーをマイカに対し20wt％混入さ
せ、フイルム状に成型し、厚さ30μのガラス強化
のマイカフイルムを得た。pinヘテロフエイス型
太陽電池は実施例１と同様な条件で作製した。 実施例 ４ 実施例１〜３の太陽電池デバイスの初期特性を
AM＝１に調整したオリエル社製ソーラシユミレ
ータで測定した。比較例としてポリイミドフイル
ムを選び、このフイルム上に実施例１と同様の方
法でpin型のヘテロフエイス型太陽電池デバイス
を形成させたものを用いた。尚、この測定に際し
ては太陽電池デバイス形成工程を通じて、一度も
サンプルの緊張状態を解かずに測定用試料に供し
た。結果を第１表に示す。
【表】
実施例 ５
実施例４で太陽電池デバイスの初期特性を、緊
張状態を１度も解かない条件下で測定した結果を
示したが、本実施例では各試料の緊張状態を１度
解いた条件下で測定した結果を示す。 実施例１〜３の試料については緊張を解いても
カールはほとんどなく、電池特性も緊張を解く前
とほとんど変わらない結果を得たが、ポリイミド
フイルムはカールが著るしく、電池特性において
も、緊張を解く前は変換効率3.2％であつたもの
が2.5％に減少していた。
張状態を１度も解かない条件下で測定した結果を
示したが、本実施例では各試料の緊張状態を１度
解いた条件下で測定した結果を示す。 実施例１〜３の試料については緊張を解いても
カールはほとんどなく、電池特性も緊張を解く前
とほとんど変わらない結果を得たが、ポリイミド
フイルムはカールが著るしく、電池特性において
も、緊張を解く前は変換効率3.2％であつたもの
が2.5％に減少していた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 可とう性基板上に非晶質シリコン薄膜を有す
る太陽電池において厚さ10〜40μ、単位面積当り
の重量15〜35ｇ／m2のセラミツクスフイルムを基
板として使用することを特徴とする非晶質シリコ
ン薄膜太陽電池。 ２ セラミツクスフイルムがマイカフイルムであ
る特許請求の範囲第１項記載の太陽電池。 ３ セラミツクスフイルムがガラス繊維で強化さ
れたセラミツクスフイルムである特許請求の範囲
第１項記載の太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57229995A JPS59119877A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57229995A JPS59119877A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119877A JPS59119877A (ja) | 1984-07-11 |
| JPH059946B2 true JPH059946B2 (ja) | 1993-02-08 |
Family
ID=16900950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57229995A Granted JPS59119877A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119877A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4695850B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2011-06-08 | 本田技研工業株式会社 | カルコパイライト型太陽電池 |
| JP4663300B2 (ja) * | 2004-11-18 | 2011-04-06 | 本田技研工業株式会社 | カルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法 |
| JP4969785B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2012-07-04 | 本田技研工業株式会社 | カルコパイライト型太陽電池及びその製造方法 |
| JP4681352B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2011-05-11 | 本田技研工業株式会社 | カルコパイライト型太陽電池 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861678A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | 非晶質シリコン太陽電池 |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP57229995A patent/JPS59119877A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861678A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | 非晶質シリコン太陽電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59119877A (ja) | 1984-07-11 |
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