JPH05166823A

JPH05166823A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH05166823A
Application number: JP33101491A
Authority: JP
Inventors: Atsuo Shimizu; 敦男清水
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1991-12-16
Filing date: 1991-12-16
Publication date: 1993-07-02

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】コレクタ引き出し電極用トレンチ内に埋め込
まれたノンドープポリシリコン膜の導電性化を短時間で
行い、スループットを良好にする。【構成】基板１、２、３内に、素子分離用の溝５ａと
溝５ａ幅よりも大きい幅の引き出し電極用の溝５ｂを形
成する。次いで、溝５ａを埋め込み、溝５ｂ内では溝９
が形成されるように、ノンドープポリシリコン膜８を形
成する。溝９内に不純物含有絶縁性拡散源10を埋め込
み、熱処理することにより、不純物含有絶縁性拡散源10
から溝５ｂ内の該ノンドープポリシリコン膜８中に不純
物を拡散させ活性化し、導電性化する。次いで、不純物
含有絶縁性拡散源10を除去し、溝９内にノンドープポリ
シリコン膜11を埋め込み、熱処理することにより、導電
性化されたポリシリコン膜８から溝９内のノンドープポ
リシリコン膜11中に不純物を拡散させ活性化し、導電性
化する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、詳しくは、バイポーラトランジスタ等の製造方
法に適用することができ、特に、コレクタ引き出し電極
用トレンチ内に埋め込まれたノンドープポリシリコン膜
の導電性化を短時間で行うことができる半導体装置の製
造方法に関する。

【０００２】近年、バイポーラトランジスタの製造方法
においては、コレクタ引き出し電極にトレンチ構造が採
用されており、これはトレンチアイソレーション構造と
セルファラインで形成することができる等の利点を有し
注目されている。しかしながら、素子分離用トレンチ内
にノンドープポリシリコン膜を埋め込むと同時に、コレ
クタ引き出し電極用トレンチ内にノンドープポリシリコ
ン膜を埋め込んだ後、イオン注入、熱処理することによ
りコレクタ引き出し電極用ポリシリコン膜を導電性化し
ていたため、高ドーズ量のイオン注入と長時間の熱処理
が必要となり、工程時間が長くなりスループットが悪く
なる等という欠点を有する。

【０００３】このため、コレクタ引き出し電極用トレン
チ内に埋め込まれたノンドープポリシリコン膜の導電性
化を短時間で行うことができ、しかもスループットを良
好にすることができる半導体装置の製造方法が要求され
ている。

【０００４】

【従来の技術】図３は従来の半導体装置の製造方法を説
明する図である。図示例はバイポーラトランジスタの製
造方法に適用する場合である。図３において、31はＳｉ
等の基板であり、32、33はこのＳｉ基板31上に順次形成
されたコレクタ領域となる各々ｎ⁺型とｎ^-1型のシリコ
ン層であり、34はシリコン層33が選択酸化され形成され
たＳｉＯ₂のフィールド酸化膜である。次いで、35ａ、
35ｂはフィールド酸化膜34からＳｉ基板31にまで達する
ように形成されたトレンチであり、ここでのトレンチ35
ａは素子分離用のトレンチであり、トレンチ35ｂはコレ
クタ引き出し電極用のトレンチであり、36はこのトレン
チ35ａ、35ｂ形成のたのエッチングマスクとなるマスク
層であり、37はトレンチ35ａ、35ｂ内のＳｉ基板31及び
シリコン層32、33が熱酸化され形成されたＳｉＯ₂等の
シリコン酸化膜である。次いで、38はトレンチ35ａ、35
ｂ内に埋め込まれたポリシリコン膜であり、39はポリシ
リコン膜38中の不純物がＳｉ基板31内に熱拡散され形成
されたｎ⁺型の拡散層であり、40はポリシリコン膜38上
部が熱酸化され形成されたＳｉＯ₂等のシリコン酸化膜
であり、41はポリＳｉ等からなる外部ベース引き出し電
極であり、43はエミッタ開口部42ａ、ベース開口部42ｂ
及びコレクタ開口部42ｃを有する層間絶縁膜であり、44
はポリシリコン膜である。そして、45、46、47、48、4
9、50は各々外部ベース拡散層、エミッタ拡散層、内部
ベース拡散層、エミッタ電極、ベース電極、コレクタ電
極である。

【０００５】次に、その半導体装置の製造方法について
説明する。ここでは、トレンチアイソレーション部、ト
レンチ引き出し電極部及びバイポーラトランジスタ部の
形成工程を具体的に説明する。まず、図３（ａ）に示す
ように、Ｓｉ基板31上に熱拡散等によりｎ⁺型のシリコ
ン層32を形成し、シリコン層32上にシリコンエピタキシ
ャル成長してｎ^-型のシリコン層33を形成した後、ＬＯ
ＣＯＳによりシリコン層33を選択的に熱酸化してフィー
ルド酸化膜34を形成する。次いで、ＣＶＤ法等により全
面にＳｉ₃Ｎ₄を堆積してＳｉ₃Ｎ₄膜を形成し、ＲＩ
Ｅ等によりトレンチが形成される領域以外の領域にＳｉ
₃Ｎ₄膜が残るようにＳｉ₃Ｎ₄膜36、フィールド酸化
膜34、シリコン層33、32及びＳｉ基板31をエッチングし
て窒化膜36からＳｉ基板31にまで達する素子分離用のト
レンチ35ａとコレクタ引き出し電極用のトレンチ35ｂと
を形成する。次いで、マスク層36を用い、トレンチ35
ａ、35ｂ内のＳｉ基板31及びシリコン層32、33を熱酸化
してシリコン酸化膜37を形成する。

【０００６】次に、図３（ｂ）に示すように、フォトリ
ソグラフィー工程により形成されたレジストマスクを用
い、コレクタ引き出し電極用トレンチ35ｂ内のシリコン
酸化膜37を除去した後、このエッチングマスクとして用
いたレジストマスクを除去する。次いで、ＣＶＤ法等に
よりトレンチ35ａ、35ｂを覆うようにノンドープポリシ
リコンを堆積してポリシリコン膜38を形成し、ＲＩＥ等
によりポリシリコン膜38をエッチバックしてトレンチ35
ａ、35ｂ内にポリシリコン膜38を埋め込む。次いで、フ
ォトリソグラフィー工程により形成されたレジストマス
クを用いてコレクタ引き出し電極用トレンチ35ｂ内のノ
ンドープポリシリコン膜38に不純物としてリン等をイオ
ン注入し、このイオン注入用マスクとして用いたレジス
トマスクを除去した後、熱処理することによりポリシリ
コン膜38に導入されたリンを活性化してポリシリコン膜
38をｎ⁺型に導電性化するとともに、ポリシリコン膜38
からＳｉ基板31内にリンを熱拡散させてｎ⁺型の拡散層
39を形成する。次いで、マスク層36を用いてポリシリコ
ン膜38上部を熱酸化してシリコン酸化膜40を形成し、耐
酸化膜を除去した後、フォトリソグラフィー工程により
形成されたレジストマスクを用い、コレクタ引き出し電
極用トレンチ35ｂ内のポリシリコン膜38上部に形成され
たシリコン酸化膜40をウェットエッチング等により除去
する。次いで、レジストマスクを除去する。

【０００７】次に、不純物としてボロン等が導入された
ポリＳｉからなる外部ベース引き出し電極41を形成し、
エミッタ開口部42ａ、ベース開口部42ｂ及びコレクタ開
口部42ｃを有する層間絶縁膜43を形成する。そして、シ
リコン層33内に内部ベース形成用のイオン注入を行った
後、エミッタ開口部42ａ及びコレクタ開口部42ｃ内に不
純物としてヒソ等が導入されたポリシリコン膜44を形成
し、熱処理することにより、予め外部ベース引き出し電
極41内に導入されたボロン及びポリシリコン膜44内に導
入されたヒソを各々シリコン層33内に拡散させ活性化し
て外部ベース拡散層45及びエミッタ拡散層46を形成する
とともに、予めシリコン層33内に導入されたボロンを活
性化して内部ベース拡散層47を形成した後、Ａｌ等のエ
ミッタ電極48、ベース電極49及びコレクタ電極50を形成
することにより、図３（ｃ）に示すような半導体装置を
得ることができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の半導体装置の製造方法では、素子分離用トレン
チ35ａ内にノンドープポリシリコン膜38を埋め込むと同
時に、コレクタ引き出し電極用トレンチ35ｂ内にノンド
ープのポリシリコン膜38を埋め込んだ後、イオン注入、
熱処理することによりポリシリコン膜38を例えばｎ⁺型
に導電性化していたため、高ドーズ量のイオン注入と、
長時間の熱処理が必要となり、工程時間が長くなりスル
ープットが悪くなる等という問題があった。

【０００９】そこで、本発明は、コレクタ引き出し電極
用トレンチ内に埋め込まれたノンドープポリシリコン膜
の導電性化を短時間で行うことができ、しかもスループ
ットを良好にすることができる半導体装置の製造方法を
提供することを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の本発明に
よる半導体装置の製造方法は上記目的達成のため、基板
内に素子分離用の第１の溝を形成するとともに、該第１
の溝幅よりも大きい幅の引出し電極用の第２の溝を形成
する工程と、次いで、該第１の溝を埋め込むようにノン
ドープポリシリコン膜を形成するとともに、該第２の溝
内の該ノンドープポリシリコン膜上で第３の溝が形成さ
れるように、該第２の溝内にノンドープポリシリコン膜
を形成する工程と、次いで、該第３の溝内に不純物含有
絶縁性拡散源を埋め込む工程と、次いで、熱処理するこ
とにより、該不純物含有絶縁性拡散源から該第２の溝内
の該ノンドープポリシリコン膜中に不純物を拡散させ活
性化して該ノンドープポリシリコン膜を導電性化する工
程と、次いで、該第３の溝内の該不純物含有絶縁性拡散
源を除去する工程と、次いで、該第３の溝内に第２のノ
ンドープポリシリコン膜を埋め込む工程と、次いで、熱
処理することにより、導電性化された該ポリシリコン膜
から該第３の溝内の該ノンドープポリシリコン膜中に不
純物を拡散させ活性化して該ノンドープポリシリコン膜
を導電性化する工程とを含むものである。

【００１１】請求項１記載の本発明に係る不純物含有絶
縁性拡散源には、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、Ｐ含有ＳＯＧ膜
等が挙げられる。請求項２記載の発明による半導体装置
の製造方法は上記目的達成のため、基板内に素子分離用
の第１の溝を形成するとともに、該第１の溝幅よりも大
きい幅の引出し電極用の第２の溝を形成する工程と、次
いで、該第１の溝を埋め込むようにノンドープポリシリ
コン膜を形成するとともに、該第２の溝内の該ノンドー
プポリシリコン膜上で第３の溝が形成されるように、該
第２の溝内にノンドープポリシリコン膜を形成する工程
と、次いで、該第３の溝内に不純物含有導電性拡散源を
埋め込む工程と、次いで、熱処理することにより、該不
純物含有導電性拡散源から該第２の溝内の該ノンドープ
ポリシリコン膜中に不純物を拡散させ活性化して該ノン
ドープポリシリコン膜を導電性化する工程とを含むもの
である。

【００１２】請求項２記載の発明に係る不純物含有導電
性拡散源にはリン、ボロン等の不純物が含有されたポリ
シリコン膜等が挙げられる。

【００１３】

【作用】請求項１記載の発明は、後述する図１に示すよ
うに、ＰＳＧからなる不純物含有絶縁性拡散源10からノ
ンドープポリシリコン膜８中にＰを熱拡散してノンドー
プポリシリコン膜８を導電性化し、この導電性化された
ポリシリコン膜８からＰＳＧ膜10が除去され新たに埋め
込まれた溝９内のノンドープポリシリコン膜11中にＰを
熱拡散してノンドープポリシリコン膜11を導電性化する
ようにしたため、従来の高ドーズイオン注入、長時間高
温熱処理による場合よりも、コレクタ引き出し電極用ト
レンチ５ｂ内に埋め込まれたノンドープポリシリコン膜
８、11の導電性化を短時間で行うことができる。しか
も、従来の高ドーズイオン注入によるのではなく熱拡散
で行うようにしたため、スループットを良好にすること
ができる。又、イオン注入法の場合、被注入領域は２次
元的な領域に限られるが請求項１記載の方法によれば溝
９内面を全てドーピング領域とすることができ、電極用
トレンチ56内へドープする不純物の全量を多く取ること
ができる。

【００１４】請求項２記載の発明は、後述する図２に示
すように、不純物含有導電性拡散源となるＰドープされ
たポリシリコン膜25からノンドープポリシリコン膜８中
にＰを熱拡散してノンドープポリシリコン膜８を導電性
化するようにしたため、上記請求項１記載の発明と同様
の効果を得ることができる他、Ｐドープされたポリシリ
コン膜25をそのまま引き出し電極材にすることができる
ため、上記請求項１記載の発明よりも工程数を減少させ
ることができるという利点を有する。

【００１５】

【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１は本発明の一実施例に則した半導体装置の製造方法を
説明する図である。図示例はバイポーラトランジスタの
製造方法に適用する場合である。図１において、１はＳ
ｉ等の基板であり、２、３はこのＳｉ基板１上に順次形
成されたコレクタ領域となる各々ｎ⁺型とｎ^-型のシリ
コン層であり、４はシリコン層３が選択酸化され形成さ
れたＳｉＯ₂等のフィールド酸化膜である。次いで、５
ａ、５ｂはフィールド酸化膜４からＳｉ基板１にまで達
するように形成されたトレンチであり、ここでのトレン
チ５ａは素子分離用トレンチであり、トレンチ５ｂはコ
レクタ引き出し電極用トレンチであり、６はこのトレン
チ５ａ、５ｂ形成のためのエッチングマスクとなるマス
ク層であり、７はトレンチ５ａ、５ｂ内のＳｉ基板１及
びシリコン層２、３が熱酸化され形成されたＳｉＯ₂等
のシリコン酸化膜である。次いで、８はポリシリコン膜
であり、このポリシリコン膜８はトレンチ５ａを覆うよ
うに、かつトレンチ５ｂ内のポリシリコン膜８上で溝９
が形成されるようにトレンチ５ｂ内に形成されている。
次いで、10は溝９内に形成されたＰＳＧ等の不純物含有
絶縁性拡散源であり、11は溝９内に形成されたポリシリ
コン膜であり、12はポリシリコン膜８中の不純物がＳｉ
基板１内に熱拡散され形成されたｎ⁺型の拡散層であ
り、13はポリシリコン膜８上部が熱酸化され形成れたＳ
ｉＯ₂等のシリコン酸化膜であり、14はポリＳｉ等から
なる外部ベース引き出し電極であり、16はエミッタ開口
部15ａ、ベース開口部15ｂ及びコレクタ開口部15ｃを有
するＳｉＯ₂等の層間絶縁膜であり、17はポリシリコン
膜である。そして、18、19、20、21、22、23は各々外部
ベース拡散層、エミッタ拡散層、内部ベース拡散層、エ
ミッタ電極、ベース電極、コレクタ電極である。

【００１６】次に、その半導体装置の製造方法について
説明する。ここでは、トレンチアイソレーション部、ト
レンチ引き出し電極部及びバイポーラトランジスタ部の
形成工程を具体的に説明する。まず、図１（ａ）に示す
ように、Ｓｉ基板１上に不純物がアンチモン等の熱拡散
等により膜厚２μ程度のｎ⁺型のシリコン層２を形成
し、シリコン層２上にエピタキシャル成長して膜厚１μ
程度のｎ^-のシリコン層３を形成した後、ＬＯＣＯＳに
よりシリコン層３を選択的に熱酸化して膜厚6000Å程度
のフィールド酸化膜４を形成する。次いで、ＣＶＤ法等
により全面にＳｉ₃Ｎ₄を堆積して膜厚2000Å程度のＳ
ｉ₃Ｎ₄膜を形成し、ＲＩＥ等によりＳｉ₃Ｎ₄膜６、フ
ィールド酸化膜34、シリコン層33、32及びＳｉ基板31を
エッチングしてＳｉ₃Ｎ₄膜34からＳｉ基板31にまで達す
る幅が0.8 μｍで深さ４μのトレンチ５ａと幅1.6 μｍ
で深さ４μのコレクタ引き出し電極用トレンチ５ｂとを
形成する。次いで、マスク層６を用い、トレンチ５ａ、
５ｂ内のＳｉ基板31及びシリコン層32、33を熱酸化して
膜厚3000Å程度のシリコン酸化膜７を形成する。次い
で、フォトリソグラフィー工程により形成されたレジス
トマスクを用いて引き出し電極用トレンチ５ｂ内のシリ
コン酸化膜７を除去した後、このエッチンングマスクと
して用いたレジストマスクを除去する。次いで、ＣＶＤ
法によりトレンチ５ａを覆うように膜厚4000Åのノンド
ープポリシリコン膜８を形成するとともに、トレンチ５
ｂ内のノンドープポリシリコン膜８上で溝９が形成され
るように、トレンチ５ｂ内に膜厚4000Å程度のノンドー
プポリシリコン膜８を形成する。次いで、ＣＶＤ法によ
り溝９を覆うように全面にＰＳＧ（Ｐが10ｗｔ％）を堆
積して膜厚4000Å程度の不純物含有絶縁性拡散源10を形
成した後、ＲＩＥ等により不純物含有絶縁性拡散源10を
エッチバックして溝９内に埋め込む。この時溝９は完全
に埋まる必要はなく、むしろわずかにすき間があいてい
ると、後に不純物含有絶縁性拡散源10の除去が容易にな
る。次いで、1000℃、30分程度熱処理することにより、
不純物含有絶縁性拡散源10からトレンチ５ｂ内のノンド
ープポリシリコン膜８中にＰを熱拡散させ活性化してノ
ンドープポリシリコン膜８をｎ⁺型に導電性化する。

【００１７】次に、図１（ｂ）に示すように、不純物含
有絶縁性拡散源10を除去した後、ＣＶＤ法により溝９を
覆うように膜厚１μｍ程度のノンドープポリシリコン膜
11を形成し、ＲＩＥ等によりノンドープポリシリコン膜
11をエッチバックして溝９内に埋め込む。次いで、900
℃、30分程度熱処理することにより、導電性化されたポ
リシリコン膜８から溝９内のノンドープポリシリコン膜
11中にＰを拡散させ活性化してノンドープポリシリコン
膜11をｎ⁺型に導電性化する。この時、Ｓｉ基板１内に
もｎ⁺型の拡散層12が形成される。次いで、マスク層６
を用い、ポリシリコン膜８、11上部を熱酸化して膜厚40
00Å程度のシリコン酸化膜13を形成し、マスク層６を除
去する。次いで、フォトリソグラフィー工程により形成
されたレジストマスクを用いコレクタ引き出し電極用ト
レンチ５ｂ内のポリシリコン膜８、11上部に形成された
シリコン酸化膜13をウェットエッチング等により除去し
た後、レジストマスクを除去する。

【００１８】次に、不純物としてボロン等が導入された
ポリＳｉからなる外部ベース引き出し電極14を形成し、
エミッタ開口部15ａ、ベース開口部15ｂ及びコレクタ開
口部15ｃを有するＳｉＯ₂からなる層間絶縁膜16を形成
する。そして、シリコン層３内に内部ベース形成用のイ
オン注入を行った後、エミッタ開口部15ａ及びコレクタ
開口部15ｃ内に不純物としてヒソ等が導入されたポリシ
リコン膜17を形成し、熱処理することにより、予め外部
ベース引き出し電極14内に導入されたボロン及びポリシ
リコン膜17内に導入されたヒソを各々シリコン層３内に
熱拡散させ活性化して外部ベース拡散層18及びエミッタ
拡散層19を形成するとともに、予めシリコン層３内に導
入されたボロンを活性化して内部ベース拡散層20を形成
した後、Ａｌ等のエミッタ電極21、ベース電極22、コレ
クタ電極23を形成することにより、図１（ｃ）に示すよ
うな半導体装置を得ることができる。

【００１９】このように、本実施例では、素子分離用ト
レンチ５ａを形成するとともに、このトレンチ５ａ幅よ
り大きい幅のコレクタ引き出し電極用のトレンチ５ｂを
形成し、トレンチ５ａを覆うようにノンドープポリシリ
コン膜８を形成するとともに、トレンチ５ｂ内のノンド
ープポリシリコン膜８上で溝９が形成されるようにトレ
ンチ５ｂ内にノンドープポリシリコン膜８を形成し、次
いで、この溝９内にＰＳＧからなる不純物含有絶縁性拡
散源10を埋め込み、熱処理することにより、この不純物
含有絶縁性拡散源10からトレンチ５ｂ内のノンドープポ
リシリコン膜８中にＰを拡散させ活性化してノンドープ
ポリシリコン膜８をｎ⁺型に導電性化し、溝９内の不純
物含有絶縁性拡散源10を除去した後、溝９内にノンドー
プポリシリコン膜11を埋め込み、次いで、熱処理するこ
とにより、導電性化された該ポリシリコン膜８から第３
の溝９内のノンドープポリシリコン膜11中にＰを拡散さ
せ活性化してノンドープポリシリコン膜11をｎ⁺型に導
電性化するようにしている。このようにＰＳＧからなる
不純物含有絶縁性拡散源10からノンドープポリシリコン
膜８中にＰを熱拡散してノンドープポリシリコン膜８を
導電性化し、この導電性化されたポリシリコン膜８から
不純物含有絶縁性拡散源10が除去され新たに埋め込まれ
た溝９内のノンドープポリシリコン膜11中にＰを熱拡散
してノンドープポリシリコン膜11を導電性化するように
したため、従来の高ドーズイオン注入、長時間高温熱処
理による場合よりも、コレクタ引き出し電極用トレンチ
５ｂ内に埋め込まれたノンドープポリシリコン膜８、11
の導電性化を短時間で行うことができる。しかも、従来
の高ドーズイオン注入によるのではなく熱拡散で行うよ
うにしたため、スループットを良好にすることができ
る。

【００２０】なお、上記実施例では、ＰＳＧ不純物含有
絶縁性拡散源10からノンドープポリシリコン膜８中にＰ
を熱拡散してノンドープポリシリコン膜８を導電性化
し、この導電性化されたポリシリコン膜８からＰＳＧ不
純物含有絶縁性拡散源10が除去され新たに埋め込まれた
溝９内のノンドープポリシリコン膜11中にＰを熱拡散し
てノンドープポリシリコン膜11を導電性化する場合につ
いて説明したが、本発明においては、図２に示すよう
に、Ｓｉ基板１、シリコン層２及びシリコン層３内に素
子分離用のトレンチ５ａを形成するとともに、このトレ
ンチ５ａ幅よりも大きい幅のコレクタ引き出し電極用の
トレンチ５ｂを形成し、このトレンチ５ａを覆うように
ノンドープポリシリコン膜８を形成するとともに、トレ
ンチ５ｂ内のノンドープポリシリコン膜８上で溝９が形
成されるようにトレンチ５ｂ内にノンドープポリシリコ
ン膜８を形成し、溝９内に不純物含有導電性拡散源とな
る不純物としてリンがノンドープされたポリシリコン膜
25を埋め込んだ後、熱処理することにより、不純物含有
導電性拡散源となるポリシリコン膜25からトレンチ５ｂ
内のノンドープポリシリコン膜８中にリンを拡散させ活
性化して該ノンドープポリシリコン膜８を該導電性化す
るようにしてもよい。この場合、上記実施例と同様の効
果を得ることができる他、リンドープされたポリシリコ
ン膜25をそのままコレクタ引き出し電極材にすることが
できるため、上記実施例の２回の熱拡散による場合より
も工程数を減らすことができるという利点を有する。

【発明の効果】本発明によれば、コレクタ引出し電極用
トレンチ内に埋め込まれたノンドープポリシリコン膜の
導電性化を短時間で行うことができ、しかもスループッ
トを良好にすることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に則した半導体装置の製造方
法を説明する図である。

【図２】本発明に適用できる半導体装置の製造方法を説
明する図である。

【図３】従来例の半導体装置の製造方法を説明する図で
ある。

【符号の説明】

１基板２、３シリコン層５ａ、５ｂトレンチ８、11、25 ポリシリコン膜９溝

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板（１、２、３）内に素子分離用の第
１の溝（５ａ）を形成するとともに、該第１の溝（５
ａ）幅よりも大きい幅の引き出し電極用の第２の溝（５
ｂ）を形成する工程と、次いで、該第１の溝（５ａ）を埋め込むようにノンドー
プポリシリコン膜（８）を形成するとともに、該第２の
溝（５ｂ）内の該ノンドープポリシリコン膜（８）上で
第３の溝（９）が形成されるように、該第２の溝（５
ｂ）内にノンドープポリシリコン膜（８）を形成する工
程と、次いで、該第３の溝（９）内に不純物含有絶縁性拡散源
（10）を埋め込む工程と、次いで、熱処理することにより、該不純物含有絶縁性拡
散源（10）から該第２の溝（５ｂ）内の該ノンドープポ
リシリコン膜（８）中に不純物を拡散させ活性化して該
ノンドープポリシリコン膜（８）を導電性化する工程
と、次いで、該第３の溝（９）内の該不純物含有絶縁性拡散
源（10）を除去する工程と、次いで、該第３の溝（９）内に第２のノンドープポリシ
リコン膜（11）を埋め込む工程と、次いで、熱処理することにより、導電性化された該ポリ
シリコン膜（８）から該第３の溝（９）内の該ノンドー
プポリシリコン膜（11）中に不純物を拡散させ活性化し
て該ノンドープポリシリコン膜（11）を導電性化する工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】基板（１、２、３）内に素子分離用の第
１の溝（５ａ）を形成するとともに、該第１の溝（５
ａ）幅よりも大きい幅の引出し電極用の第２の溝（５
ｂ）を形成する工程と、次いで、該第１の溝（５ａ）を埋め込むようにノンドー
プポリシリコン膜（８）を形成するとともに、該第２の
溝（５ｂ）内の該ノンドープポリシリコン膜（８）上で
第３の溝（９）が形成されるように、該第２の溝（５
ｂ）内にノンドープポリシリコン膜（８）を形成する工
程と、次いで、該第３の溝（９）内に不純物含有導電性拡散源
（25）を埋め込む工程と、次いで、熱処理することにより、該不純物含有導電性拡
散源（25）から該第２の溝（５ｂ）内の該ノンドープポ
リシリコン膜（８）中に不純物を拡散させ活性化して該
ノンドープポリシリコン膜（８）を導電性化する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。