JP4108861B2 - バイポーラトランジスターの製造方法及びその構造 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、バイポーラトランジスター(bipolar transistor)の製造方法及びその構造に関するものであり、より詳しくはチップ(chip)の大きさを減少させ、工程単価を減らすバイポ−ラトランジスターの製造方法及びその構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図1は、従来のバイポーラトランジスターの構造を示す断面図である。
【0003】
図1を参照すると、従来のSBC(Standard Buried Collector)構造のバイポーラトランジスターは、p-型半導体基板2上にエピ層(epitaxial layer)6が形成されている。半導体基板2とエピ層6との間にn+型埋没層(buried layer)4が形成され、埋没層4両側にp+型アイソレーション領域(isolation region)8が形成されている。エピ層6上部から埋没層4と接するようにn+型シンク層(sink layer)10が形成されている。アイソレーション領域8の間のエピ層6内にp型ベース領域12が形成され、ベース領域12内にn+型エミッター領域14が形成されている。エピ層6上に形成された絶縁層16を突き抜き、エミッター領域14及びベース領域12、そしてシング層10と、各々電気的に接続されるようにエミッター電極18、ベース電極19、そしてコレクタ電極20が形成されている。
【0004】
上述のようなSBC構造のバイポーラトランジスターは、埋没層4を形成させることによってコレクタ抵抗を減少させ、低濃度のエピ層6を形成することによって、耐圧を増加させる一番理想的な素子として広く使用されている。
【0005】
しかし、エピ層6形成による工程単価が増加される問題及びアイソレーション領域6を別に形成することによって素子の面積が増加される問題点を有する。又、シンク層10の後続熱処理工程による拡散のため素子の面積を減少させ難い問題点を有する。
【0006】
図2は、従来のバイポーラトランジスターの構造を示す断面図である。
【0007】
図2において、従来のトリプル拡散(triple diffusion)構造のバイポーラトランジスターは、p-型半導体基板22内にn型コレクタ領域24が形成され、コレクタ領域24内にp型ベース領域26が形成されている。ベース領域26内にn+型エミッター領域28aが形成され、ベース領域26外部のコレクタ領域24内にn+型コレクタコンタクト領域28bが形成されている。半導体基板22上に形成された絶縁層30を突き抜いて、エミッター領域28a及びベース領域26、そしてコレクタコンタクト領域28bと各々電気的に接続されるようにエミッター電極32、ベース電極33、そしてコレクタ電極34が形成されている。
【0008】
上述のようなトリプル拡散構造のバイポーラトランジスターは、エピ層を形成する必要がなく、アイソレーションが別に要求されないため、工程単価が比較的やすく、素子の大きさが比較的小さい長所を有する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、コレクタ抵抗を減少させるため、イオン注入量を増加させると、ベース領域26及びエミッター領域28aを形成すし難い、耐圧が小さくなる問題点が発生される。反対に、イオン注入量を減少させると、コレクタ抵抗が増加される問題点が発生される。
【0010】
本発明の目的は、上述の諸般問題点を解決するため提案されたものとして、エピ層及びアイオソレーション領域形成なしに優れた特性を有するバイポーラトランシスターの製造方法及びその構造を提供することである。
【0011】
本発明の他の目的は、素子の大きさを減少させることができ、工程単価を減らすことができるバイポーラトランジスターの製造方法及びその構造を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するための本発明によると、バイポーラトランジスターの製造方法は、第1導電型半導体基板内に第2導電型ウェル領域を形成する段階と、半導体基板をエッチングしてウェル領域の両側にトレンチを形成する段階と、トレンチの両側壁に第1絶縁膜を形成する段階と、トレンチ下部に第2導電型不純物イオンを注入してトレンチ下部に高濃度第2導電型埋没層を形成する段階と、トレンチを導電膜で充填して(filing)その導電膜を埋没層と電気的に接続させる段階と、半導体基板全面に第2絶縁膜を形成する段階と、第2絶縁膜上にウェル領域の中心部(この場合、中心部とは半導体基板を平面視したときのウェル領域の中心領域を示す。)が覆われるように形成されたマスク層を使用して半導体基板全面に第1導電型不純物イオンを注入して外部ベース領域(extrinsic base region)を形成する段階と、マスク層を使用して半導体基板上にLOCOS(Local Oxidation of Silicon)素子隔離膜を形成する段階と、マスク層を除去する段階と、素子隔離膜をマスクとして使用して第1導電型不純物イオンを注入してウェル領域内に真性ベース領域を形成する段階と、素子隔離膜をマスクとして使用して第2導電型不純物イオンを注入して真性ベース領域内にエミッター領域を形成する段階とを含む。
【0013】
この方法の望ましい実施形態において、第1及び第2絶縁膜は、熱酸化膜である。
【0014】
この方法の望ましい実施形態において、第1絶縁膜は、1000〜2000Å範囲内に形成される。
【0015】
この方法の望ましい実施形態において、導電膜は、導電型ポリシリコン膜である。
【0016】
この方法の望ましい実施形態において、トレンチを導電膜で充填する段階は、トレンチを含んで第1絶縁膜上にポリシリコン膜を形成する段階と、ポリシリコン膜を不純物イオンにドーピングさせる段階と、ドーピングされたポリシリコン膜をエッチングしてトレンチ内にトレンチ内に導電膜を形成する段階とを含む。
【0017】
この方法の望ましい実施形態において、トレンチに充填された導電膜は、シンク層(コレクタ層)として作用する。
【0018】
上述の目的を達成するための本発明によると、バイポーラトランジスターは、第1導電型半導体基板と、半導体基板内に形成された第2導電型ウェル領域と、半導体基板内にウェル領域の両側に形成されたアイソレーショントレンチと、アイソレーショントレンチは、トレンチの両側壁に形成された絶縁膜及びトレンチに充填された導電膜を含み、2つの隣接するアイソレーショントレンチの各下部を覆う2つの領域に形成され、ウェル領域と接するように形成された高濃度第2導電型埋没層と、2つの領域は、相互電気的に連結されるように形成され、隣接するアイソレーショントレンチの各々の一側に、ウェル領域内に形成された外部ベース領域と外部ベース領域との間に、そしてウェル領域内の形成された真性ベース領域と、真性ベース領域上に形成されたエミッター領域とを含む。
【0019】
この方法の望ましい実施形態において、絶縁膜は、熱酸化膜である。
【0020】
この方法の望ましい実施形態において、絶縁膜は、1000〜2000Å範囲内に形成される。
【0021】
この方法の望ましい実施形態において、導電膜は、導電型ポリシリコン膜及びドーピングされたポリシリコン膜のいずれかである。
【0022】
この方法の望ましい実施形態において、導電膜は、シンク層(コレクタ層)として作用する。
【0023】
この方法の望ましい実施形態において、埋没層は、ウェル領域の一部とオーバーラップされる。
【0024】
図10を参照すると、本発明の実施形態による新規したバイポーラトランジスターの製造方法及びその構造は、第1導電型半導体基板内に第2導電型ウェル領域を形成し、ウェル両側にアイソレーショントレンチを形成する。このとき、アイソレーショントレンチ下部の半導体基板内に高濃度第2導電型埋没層を形成させる。埋没層は、隣接なアイソレーショントレンチ下部に形成された埋没層と連結され、ウェル領域と少なくとも接するように形成される。アイソレーショントレンチの間の半導体基板の表面層に形成された窒化膜パターンをマスクとして使用して半導体基板内に外部ベース領域及びLOCOS素子隔離膜を順序に形成する。素子隔離膜をマスクとして使用してウェル領域内に真性ベース領域を形成し、真性ベース領域内にエミッター領域を形成する。このような半導体装置及びその製造方法によって、埋没層形成手段として使用され、シンク層(コレクタ層)機能を有するアイソレーショントレンチを形成することによって工程単価を減らすことができ、素子の面積を減らすことができ、コレクタ抵抗を減少させることができる。又、外部ベース領域及び真性ベース領域、そしてエミッター領域を自己整列させることができ、というわけで、工程変動(variation)を減らすことができる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、図3乃至図13を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
【0026】
図3乃至図9は、本発明の実施形態によるバイポーラトランジスターの製造方法を順次的に示す断面図である。ここでは、npnトランジスターを例を挙げて説明する。
【0027】
図3を参照すると、本発明の実施形態によるバイポーラトランジスターの製造方法は、先ずp型半導体基板100上に絶縁膜、例えば熱酸化膜102を形成する。熱酸化膜102は、約1000Å程度の厚さを有するように形成される。熱酸化膜102上にウェル形成領域が露出されるようにフォトレジスト膜パターン103を形成する。フォトレジスト膜パターン103をマスクとして使用して露出部位の熱酸化膜102の一部、例えば500Å厚さ分程度をエッチングする。これは後続工程の基板整列のため行われる。
【0028】
フォトレジスト膜パターン103をマスクとして使用してn型不純物イオンを注入し拡散させて半導体基板100内にn型ウェル領域104を形成する。
【0029】
n型ウェル領域104を形成するためのイオン注入工程は、望ましくは、P(Phosphorous)イオン、1.5 x 1013[cm-2]のイオン注入量、そして180keVのイオン注入エネルギ−の条件に行われる。拡散工程は、望ましくは1200℃、150分、そして窒素N2雰囲気の条件に行われる。
【0030】
図4において、フォトレジスト膜パターン103及び熱酸化膜102を除去した後、半導体基板100上に絶縁層106を形成する。絶縁層106上にトレンチ形成領域が露出されるようにフォトレジスト膜パターン107を形成し、これをマスクとして使用して絶縁層106をエッチングする。
【0031】
図5を参照すると、フォトレジスト膜パタ−ン107を除去した後、絶縁層106をマスクとして使用して半導体基板100をエッチングする。そうすると、ウェル領域104の両側にトレンチ108が形成される。トレンチ108は、望ましく約2μmの幅を有し、約7μmの深さを有するように形成される。又トレンチ108とトレンチ108との間の距離は、約6μmになるように形成される。トレンチ108の内壁に絶縁膜、例えば熱酸化膜110を形成する。熱酸化膜110は、約1000−2000Å範囲内に形成される。
【0032】
トレンチ108下部の熱酸化膜110を例えば、異方性エッチングに除去する。
【0033】
図6において、トレンチ108下部にn型不純物イオンを注入した後、拡散させてトレンチ108下部の半導体基板100内に高濃度n型埋没層112を形成する。埋没層112形成のための注入工程は、望ましくは、Pイオン、5 x 1014[cm-2]のイオン注入量、そして180keVのイオン注入エネルギーの条件に行われる。拡散工程は、望ましく1200℃、150分、そして窒素N2雰囲気の条件に行われる。トレンチ108を導電膜114で充填させてアイソレーショントレンチ115を形成する。導電膜114は、例えばn型ポリシリコン膜、又はn型にドーピングされたポリシリコン膜である。より詳しくは、トレンチ108を含んで半導体基板100上にn型ポリシリコン膜を形成した後、これを平坦化エッチング−例えばCMP(Chemical MechanicalPolishing)−する。又はトレンチ108を含んで半導体基板100上にポリシリコン膜を形成した後、これをn型不純物イオンにドーピングさせ、ドーピングされたポリシリコン膜を平坦化エッチング−例えば、CMP−する。
【0034】
トレンチ108に充填された導電膜114は、埋没層112と電気的に接続され、従来SBC構造のトランジスターのシンク層、即ちコレクタ層として作用する。従来シンク層(コレクタ層)の不純物イオンが後続熱処理工程によって基板100の両側に拡散される反面、本発明は、トレンチ108両側壁に形成された熱酸化膜110によって不純物イオンの拡散が抑制されるため素子の大きさを小さくすることができる。
【0035】
半導体基板100全面に絶縁膜、例えば熱酸化膜116を形成する。
【0036】
図7を参照すると、熱酸化膜116上にマスク層(mask layer)、ここでは窒化膜118を形成した後、アクチブ領域が覆われるようにフォトレジスト膜パターン119を形成する。即ち、ウェル領域104の中心部が覆われるようにフォトレジスト膜パターン119を形成する。フォトレジスト膜パターン119をマスクとして使用して窒化膜118をエッチングする。フォトレジスト膜パターン119及び窒化膜118をマスクとして使用して半導体基板100全面にp型不純物イオンを注入する。フォトレジスト膜パターン119を除去した後、p型不純物イオンを拡散させて半導体基板100内に、特にウェル領域104内に外部ベース領域120を形成する。窒化膜118は、後続LOCOS工程のため、形成されたものとして、先ず外部ベース領域120が自己整列に形成されるようにする。
【0037】
図8において、窒化膜118をマスクとして使用して熱酸化工程を行い、即ちLOCOS工程を行って素子隔離膜122を形成する。窒化膜118を除去する。
【0038】
最後に、素子隔離膜122をマスクとして使用してp型不純物イオンを注入し、これを拡散させて、外部ベース領域120の間に真性ベース領域124を形成する。このように、真性ベース領域124は、フォトリソグラフィ工程なしに自己整列に形成される。同じように、素子隔離膜122をマスクとして使用してn型不純物イオンを注入し、これを拡散させて真性ベース領域124内にエミッター領域126を形成すると、図9に図示されたように、npn型バイポーラトランジスターが形成される。
【0039】
後続工程として、そして隔離膜122を含んで半導体基板100上に絶縁層128を形成する。この分野でよく知られたフォトリソグラフィ工程を通して絶縁層128及び熱酸化膜116を突き抜いてエミッター領域126と電気的に接続されるように金属パターン129、即ちエミッター電極を形成する。又、絶縁層128及び素子隔離膜122を突き抜いて導電膜114を通して埋没層112と電気的に接続されるように金属パターン130、即ちコレクタ電極を形成する。
【0040】
上述のような本発明の実施形態によるバイポーラトランジスターの製造方法によると、従来SBC構造のバイポ−ラトランジスターの製造方法に比べて全体のフォトリソグラフィ工程数が小さくなるようになる。これを次の表1に比較して示した。
【表1】
【0041】
表1に示したように、従来SBC構造のバイポーラトランジスターの製造方法が10回のフォトリソグラフィ工程が使用される反面、本発明は7回のフォトリソフラフィ工程が使用される。又、本発明の実施形態のようにnpn型バイポ−ラトランジスターの場合はエミッターフォトリソグラフィ工程が必要ではないため、合計6回のフォトリソグラフィ工程が使用される。
【0042】
本発明は、従来のエピ層形成の代わりにアイソレーショントレンチ115形成工程が追加されたが、これはエピ層より工程単価が安い。そして、アイソレーショントレンチ115は、従来アイソレーション領域及びシンク層を代わることによってそのほど素子の面積を減らし、コレクタの抵抗を小さくする長所と有する。
【0043】
本発明において、外部ベース領域120、真性ベース領域124、そしてエミッター領域126(npnの場合)全部は、自己整列(self−align)に形成されるため、従来外部ベースフォト、真性ベースフォト、そしてエミッターフォトは必要ではない。
【0044】
図10は、本発明の実施形態によるバイポーラトランジスターの構造を示す断面図である。
【0045】
図10を参照すると、上述の本発明の実施形態によるバイポーラトランジスターの製造方法によって形成されたnpnトランジスターは、p型半導体基板100内に形成されたn型ウェル領域104を含み、半導体基板100内にウェル領域104の両側に形成されたアイソレーショントレンチ115を含む。アイソレーショントレンチ115は、トレンチ108両側壁に形成された絶縁膜、例えば熱酸化膜110及びトレンチ108に充填された導電膜114を含む。熱酸化膜110は、1000−2000A範囲内に形成される。導電膜114は、n型ポリシリコン膜、又はn型にドーピングされたポリシリコン膜である。
【0046】
アイソレーショントレンチ115の導電膜114は、従来のシンク層(コレクタ層)機能を有し、というわけでコレクタ抵抗を低減させることになる。
【0047】
npn型トランジスターは、アイソレーショントレンチ115の下部を覆うように形成された高濃度n型埋没層112を含む。埋没層112は、2つの隣接するアイソレーショントレンチの各下部を覆う2つの領域で形成されている。この2つの領域は、相互電気的に連結されるように形成されている。又2つの領域は、ウェル領域104と接するように形成されたり、その一部がオーバーラップされるように形成されている。
【0048】
2つの領域を相互電気的に連結させるため、トレンチ108は、望ましく約2μmの幅を有し、約7μmの深さを有する。又、トレンチ108とトレンチ108との間の距離は、約6μmである。そして埋没層112は、5 x 1014[cm-2]のイオン注入量のPイオンを180keVのエネルギーに注入させた後、窒素雰囲気で1200℃、150分間拡散させて形成される。
【0049】
2つの領域がウェル領域104とオーバーラップされるため、ウェル領域104は、望ましくは、1.5 x 1013[cm-2]のイオン注入量のPイオンを180keVのエネルギーにイオン注入させた後、窒素雰囲気で1200℃、150分間拡散させて形成される。
【0050】
npnトランジスターは、隣接するアイソレーショントレンチ115各々の一側に、そしてウェル領域104内に形成された外部ベース領域120及び外部ベース領域120との間に、そしてウェル領域104内に形成された真性ベース領域124を含む。真性ベース領域124上に形成されたエミッター領域126を含む。
【0051】
npnトランジスターは、アイソレーショントレンチ115を含んで半導体基板110上に形成されたLOCOS素子隔離膜122及び素子隔離膜122を含んで半導体基板100上に形成された絶縁層128を含む。エミッター領域126及びアイソレーショントレンチ115を通して埋没層112と電気的に接続されるように形成された金属パターン129、130、即ちエミッター電極及びコレクタ電極を含む。
【0052】
参照番号140は、コレクタ電流の流れを示す。
【0053】
図11は、本発明によるnpnバイポ−ラトランジスターのグメル(Gummel)プロット(plot)を示したグラフである。参照番号141は、コレクタ電流を示し、参照番号142は、ベース電流を示す。
【0054】
図12は、本発明によるバイポ−ラトランジスターのコレクタ電流による電流増幅率(current gain)hFEを示したグラフである。
【0055】
図13は、本発明によるバイポーラトランジスターのI−V曲線、即ちベース電流が1μA、2μA、3μA、そして4μAに、各々変わるとき、コレクタバイアスに対するコレクタ電流の変化を示すグラフである。
【0056】
データは、SILVALO社のシミユレータ(simulator)であるアトラス(ATLAS)を利用して検証したことである。
【0057】
【発明の効果】
本発明は、従来バイポーラトランジスターの埋没層形成のためエピ層を形成すべき問題点、シンク層の拡散による素子面積が増加される問題点及び別のアイソレーションを形成することによって素子の大きさが増加される問題点を解決したことである。
【0058】
即ち、アイソレーショントレンチを形成することによって、エピ層を形成しなくても埋没層が形成でき、アイソレーションを別に形成できないことによって、工程単価を減少させることができる効果がある。アイソレーショントレンチ内の導電膜をシンク層に使用することによって素子面積の増加が防止でき、コレクタ抵抗を減少させることができる効果がある。
【0059】
又、外部ベース領域及び真性ベース領域、そしてエミッタ領域を自己整列せきることができ、というわけで工程変動を減らすことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来のバイポーラトランジスターの構造を示す断面図である。
【図2】 従来の他のバイポーラトランジスターの構造を示す断面図である。
【図3】 本発明の実施形態によるバイポーラトランジスターの製造方法において、第1導電型半導体基板内に第2導電型ウェル領域を形成した段階を示すバイポーラトランジスターの構造の断面図である。
【図4】 半導体基板をエッチングした段階を示すバイポーラトランジスターの構造の断面図である。
【図5】 ウェル領域の両側にトレンチを形成し、次いで、トレンチの両側壁に第1絶縁膜を形成した段階を示すバイポーラトランジスターの構造の断面図である。
【図6】 トレンチ下部に第2導電型不純物イオンを注入してトレンチ下部に高濃度第2導電型埋没層を形成し、トレンチを導電膜で充填してその導電膜を前記埋没層と電気的に接続させ、半導体基板全面に第2絶縁膜を形成した段階を示すバイポーラトランジスターの構造の断面図である。
【図7】 ウェル領域の中心部が覆われるように形成されたマスク層を使用して半導体基板全面に第1導電型不純物イオンを注入して外部ベース領域を形成した段階を示すバイポーラトランジスターの構造の断面図である。
【図8】 マスク層を使用して半導体基板上に素子隔離膜を形成し、マスク層を除去した段階を示すバイポーラトランジスターの構造の断面図である。
【図9】 素子隔離膜をマスクとして使用して第1導電型不純物イオンを注入して前記ウェル領域内に真性ベース領域を形成し、素子隔離膜をマスクとして使用して第2導電型不純物イオンを注入して前記真性ベース領域内にエミッター領域を形成した段階を示すバイポーラトランジスターの構造の断面図である。
【図10】 本発明の実施形態によるバイポーラトランジスターの構造を示す断面図である。
【図11】 本発明によるバイポーラトランジスターのグメルプロットを示したグラフである。
【図12】 本発明によるバイポーラトランジスターのhEFを示したグラフである。
【図13】 本発明によるバイポーラトランジスターのI−V曲線を示したグラフである。
【符号の説明】
100 p型半導体基板(第1導電型半導体基板)
104 n型ウェル領域(第2導電型ウェル領域)
108 トレンチ
110 熱酸化膜(第1絶縁膜)
112 高濃度n埋没層(高濃度第2導電型埋没層)
114 導電膜
116 熱酸化膜(第2絶縁膜)
118 窒化膜(マスク層)
119 フォトレジストパターン膜(マスク層)
120 外部ベース領域
122 素子隔離膜
124 真性ベース領域
126 エミッター領域
Claims (12)
- 第1導電型半導体基板内に第2導電型ウェル領域を形成する段階と、
前記半導体基板をエッチングして前記ウェル領域の両側にトレンチを形成する段階と、
前記トレンチの両側壁に第1絶縁膜を形成する段階と、
前記トレンチ下部に第2導電型不純物イオンを注入して前記トレンチ下部に高濃度第2導電型埋没層を形成する段階と、
前記トレンチを導電膜で充填してその導電膜を前記埋没層と電気的に接続させる段階と、
前記半導体基板全面に第2絶縁膜を形成する段階と、
前記ウェル領域の中心部が覆われるように形成されたマスク層を使用して半導体基板全面に第1導電型不純物イオンを注入して外部ベース領域を形成する段階と、
前記マスク層を使用して半導体基板上に素子隔離膜を形成する段階と、
前記マスク層を除去する段階と、
前記素子隔離膜をマスクとして使用して第1導電型不純物イオンを注入して前記ウェル領域内に真性ベース領域を形成する段階と、
前記素子隔離膜をマスクとして使用して第2導電型不純物イオンを注入して前記真性ベース領域内にエミッター領域を形成する段階とを含むことを特徴とするバイポーラトランジスターの製造方法。 - 前記第1及び第2絶縁膜は、熱酸化膜であることを特徴とする請求項1に記載のバイポーラトランジスターの製造方法。
- 前記第1絶縁膜は、1000〜2000Å範囲内に形成されることを特徴とする請求項1に記載のバイポーラトランジスターの製造方法。
- 前記導電膜は、導電型ポリシリコン膜であることを特徴とする請求項1に記載のバイポーラトランジスターの製造方法。
- 前記トレンチを導電膜で充填する段階は、前記トレンチを含んで第1絶縁膜上にポリシリコン膜を形成する段階と、前記ポリシリコン膜を不純物イオンにドーピングさせる段階と、前記ドーピングされたポリシリコン膜をエッチングして前記トレンチ内に前記導電膜を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項1に記載のバイポーラトランジスターの製造方法。
- 前記トレンチに充填された導電膜は、コレクタ層として作用することを特徴とする請求項1に記載のバイポーラトランジスターの製造方法。
- 第1導電型半導体基板と、
前記半導体基板内に形成された第2導電型ウェル領域と、
前記半導体基板内に前記ウェル領域の両側に形成されたアイソレーショントレンチと、
前記アイソレーショントレンチは、トレンチの両側壁に形成された絶縁膜及び前記トレンチに充填された導電膜を含み、
2つの隣接するアイソレーショントレンチの各下部を覆う2つの領域で形成され、前記ウェル領域と接するように形成された高濃度第2導電型埋没層と、
前記2つの領域は、相互電気的に連結されるように形成され、
前記隣接するアイソレーショントレンチの各々の一側であって、前記ウェル領域内に形成された外部ベース領域と、
前記外部ベース領域の間に、そしてウェル領域内に前記外部ベース領域に接触して形成された真性ベース領域と、
前記真性ベース領域上に形成されたエミッター領域と、
前記外部ベース領域、前記真性ベース領域及び前記アイソレーショントレンチ上に連続して形成された素子隔離膜とを含み、
前記導電膜と前記埋没層は電気的に連結してコレクター領域を構成することを特徴とするバイポーラトランジスター。 - 前記絶縁膜は、熱酸化膜であることを特徴とする請求項7に記載のバイポーラトランジスター。
- 前記絶縁膜は、1000〜2000Å範囲内に形成されることを特徴とする請求項7に記載のバイポーラトランジスター。
- 前記導電膜は、導電型ポリシリコン膜及びドーピングされたポリシリコン膜のいずれかであることを特徴とする請求項7に記載のバイポーラトランジスター。
- 前記導電膜は、コレクタ層として作用することを特徴とする請求項7に記載のバイポーラトランジスター。
- 前記埋没層は、前記ウェル領域の一部とオーバーラップされることを特徴とする請求項7に記載のバイポーラトランジスター。
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