JPH05161631A - 放射線診断装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明の目的は例え放射線吸収量が同じであっ
ても被検体の組成物質が異なる部分は同一ではないこと
を認識することができる画像を得ることができる放射線
診断装置を提供することである。 【構成】本発明装置は第１および第２のエネルギの放射
線が被検体Ｐを透過する際の第１、第２の放射線減衰率
を得る手段と、その第１の放射線減衰率と基準物質の第
１エネルギにおける所定の放射線吸収係数μL とから被
検体Ｐが基準物質のみからなると仮定したときの厚さｔ
L を求める厚み分布計算部１２と、その厚さｔL と第２
の放射線減衰率とから被検体Ｐの第２エネルギーにおけ
る放射線吸収係数μHCを求める吸収係数μHC分布計算部
１３と、吸収係数μHC分布計算部１３により求められた
放射線吸収係数μHCと基準物質の第２エネルギにおける
所定の放射線吸収係数μH との差分μS を求める差分μ
S 分布演算部１４とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、複数種類のエネルギー
の放射線により撮影して得た複数の放射線像に基づいて
新たな画像を得る放射線診断装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】通常、放射線診断装置は放射線、例えば
Ｘ線が被検体を透過した透過量、換言するとＸ線吸収量
に応じてＸ線透過像を得、診断に供するものである。し
かしこのＸ線透過像の欠点はＸ線の第１の透過パス上の
組織成分と第２の透過パス上の組織成分とが実際には異
なっている場合であっても、各透過パスにおける全体の
Ｘ線吸収量が等価であれば同一組織であるかのごとく表
示してしまうこと、特定の関心組織、例えば血管と、他
の組織、例えば骨とが同一パス上に存する場合に、血管
が骨に隠されて表示されないこと等である。

【０００３】また、近年、特定の関心組織の診断を阻害
する組織、例えば骨だけ又は軟部組織だけを消去して表
示する方法、いわゆるエネルギーサブトラクション法が
考案された。このエネルギーサブトラクション法は物質
のＸ線吸収係数はＸ線のエネルギーに依存するという性
質、および物質のＸ線吸収係数のエネルギー依存性はそ
の物質の原子番号の相違に応じて異なるとういう性質を
利用するものである。ここで、Ｘ線吸収係数は物質の単
位厚さ（Ｘ線透過路長）当りの吸収率であるので同一物
質であれば厚さの相違に関係なく同一である。このエネ
ルギーサブトラクション法について以下に説明する。

【０００４】エネルギーサブトラクション法は、まずＸ
線管に比較的低キロボルトの管電圧を印加して得られる
比較的低エネルギーのＸ線を被検体に照射し、その被検
体を透過したＸ線が比較的低い平均エネルギーを持つ帯
域のエネルギースペクトル分布を持つようなＸ線透過像
（以下「低エネルギー像」と称する）を得る。ここで、
この被検体における透過像領域を便宜上骨、血管とを含
む肺野であるとする。次に低エネルギー像を得たときの
管電圧より高い管電圧をＸ線管に印加し、Ｘ線が比較的
高い平均エネルギーを持つ帯域のエネルギースペクトル
分布を持つようなＸ線透過像（以下「高エネルギー像」
と称する）を得る。

【０００５】この得られた高エネルギー像から低エネル
ギー像を減算し、２つの像の差の像を得る。ただし減算
する前に高エネルギー像と低エネルギー像それぞれに適
当な重み係数を乗算し、消去したい組織が減算によって
相殺されるようにする。この重み係数は、消去したい組
織のＸ線吸収係数のエネルギー依存性に応じて設定され
ていて、様々に変更することにより例えば“骨だけを消
去した画像”、あるいは“軟部組織だけを消去した画
像”を得ることが可能となる。

【０００６】しかしこのエネルギーサブトラクション法
により得られる“所望の組織を消去した画像”による診
断には次の問題がある。すなわち、診断の本来的な目的
である病変部の発見を援助するために消去した組織がそ
の病変部を組成する物質と同じ物質で組成している場合
には、肝心の病変部が消去した組織と共に消去されてし
まうことになる。例えば、エネルギーサブトラクション
法により得た画像が“骨だけを消去した画像”であり、
透過像領域が肺野であり、診断対象である病変部がカル
シウムを含む組織である場合には、病変部が骨と共に消
去され、その結果正確な診断が阻害されてしまう。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の目的は
例え放射線吸収量が同じであっても被検体の組成物質が
異なることを認識することができる画像を得ることがで
きる放射線診断装置を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に係る放射線診断
装置は、第１、第２のエネルギーの放射線を被検体に照
射し、その被検体を透過する際の第１、第２のエネルギ
ー放射線毎の第１、第２の放射線減衰率を検出する手段
と、

【０００９】前記第１エネルギーの放射線に対する前記
第１の放射線減衰率と基準物質の前記第１エネルギーに
おける所定の放射線吸収係数とから前記被検体が前記基
準物質からなると仮定したときの厚さを求める第１演算
手段と、

【００１０】前記第１演算手段により求められた前記厚
さと前記第２の放射線減衰率とから前記被検体の前記第
２エネルギーにおける放射線吸収係数を求める第２演算
手段と、

【００１１】前記第２演算手段により求められた前記放
射線吸収係数と前記基準物質の前記第２エネルギーにお
ける所定の放射線吸収係数との差を求める第３演算手段
とを具備することを特徴とする。

【００１２】

【作用】本発明によれば、第１、第２のエネルギーの放
射線を被検体に照射し、その被検体を透過する際の第
１、第２のエネルギー放射線毎の第１、第２の放射線減
衰率を検出し、前記第１エネルギーの放射線に対する前
記第１の放射線減衰率と基準物質の前記第１エネルギー
における所定の放射線吸収係数とから前記被検体が前記
基準物質からなると仮定したときの厚さを第１演算手段
で求め、前記第１演算手段により求められた前記厚さと
前記第２の放射線減衰率とから前記被検体の前記第２エ
ネルギーにおける放射線吸収係数を第２演算手段で求
め、前記第２演算手段により求められた前記放射線吸収
係数と前記基準物質の前記第２エネルギーにおける所定
の放射線吸収係数との差を第３演算手段で求め、この差
に応じた画像を得ることができ、その結果被検体の組成
の相違を表す情報を含んだ画像を得ることができる。

【００１３】

【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。本発明に係る放射線診断装置に用いる放射線をＸ線
として以下説明する。図１は本発明の第１の実施例に係
るＸ線診断装置の構成を示すブロック図である。

【００１４】第１の実施例に係るＸ線診断装置は第１、
第２のエネルギーのＸ線毎のＸ線透過像データを得るＸ
線装置と、そのＸ線透過像データを記憶するＸ線像記憶
装置と、特定の基準物質、例えば水に関する第１のエネ
ルギーのＸ線における第１の平均吸収係数μL と同じ基
準物質に関する第２のエネルギーのＸ線における第２の
平均吸収係数μH を記憶する平均吸収係数記憶装置と、
Ｘ線像記憶装置に記憶されている第１のＸ線透過像デー
タから得る第１のＸ線吸収量と平均吸収係数記憶装置に
記憶されている第１の平均吸収係数μL とに基づいて所
定の演算処理を施し被検体が基準物質のみからなってい
ると仮定したときのその基準物質の画素毎の厚みｔL を
計算し、１枚の画像における厚み分布を得る厚みｔL 分
布計算部１２と、Ｘ線像記憶装置に記憶されている第２
のＸ線透過像データから得る第２のＸ線吸収量と厚みｔ
L 分布計算部１２で得られた厚みｔL 分布とに基づいて
所定の演算処理を施し画素毎に平均吸収係数μHCを計算
し、１枚の画像における平均吸収係数μHC分布を得る平
均吸収係数μHC分布計算部１３と、μHC分布計算部１３
で得られた平均吸収係数μHC分布と平均吸収係数記憶装
置に記憶されている第２の平均吸収係数μH との差分μ
S を画素毎に計算し、１枚の画像における差分μS 分布
を得る差分μS 分布演算部１４と、第１のＸ線透過像デ
ータと第２のＸ線透過像データとに基づいて画素毎の平
均値を計算し平均像ＩLHC を得る平均像ＩLHC 計算部１
５と、差分μS 分布演算部１４で得られた差分μS 分布
と平均像ＩLHC 計算部１５で得られた平均像ＩLHC とに
基づいて画素毎に合成処理し１枚の合成像データを得る
合成処理部１６と、その合成像データを入力しモニタ１
９の走査方式に応じてその合成像を出力するフレームメ
モリ（ＦＭ）１７と、その合成像をディジタル／アナロ
グ変換するディジタル／アナログ（Ｄ／Ａ）変換部１８
と、合成像を表示するモニタ１９と、図示していないが
システム全体の制御を行うシステム制御部とを備えてい
る。

【００１５】Ｘ線装置はＸ線を被検体Ｃに向かって照射
するＸ線管１と、Ｘ線管１に管電圧を印加するＸ線制御
部３と、被検体Ｃを挟んでＸ線管１に対向して設けら
れ、被検体Ｃの透過Ｘ線像を光学像に変換するイメージ
インテンシファイヤ２と、イメージインテンシファイヤ
２からの光学像を電気信号化してＸ線透過像データを得
るＴＶカメラ４と、ＴＶカメラ４で得たＸ線透過像デー
タをアナログ／ディジタル変換するアナログ／ディジタ
ル（Ａ／Ｄ）変換器５とからなる。ここでＸ線管１はＸ
線制御部３から印加される第１の管電圧および第２の管
電圧に応じて比較的低い（ＬＯＷ）エネルギーの第１の
Ｘ線およびその第１のＸ線より比較的高い（ＨＩＧＨ）
エネルギーの第２のＸ線を***し、またＸ線制御部３は
図示しないシステム制御部からの管電圧制御信号を受け
てＸ線管１へ第１の管電圧および第２の管電圧を印加す
る。

【００１６】Ｘ線像記憶装置はＩL0記憶部６と、ＩH0記
憶部７と、ＩLC記憶部８と、ＩHC記憶部９とを備えてい
る。ＩL0記憶部６は被検体Ｃを介さずにすなわちＸ線管
１から***された比較的低い（ＬＯＷ）エネルギーの第
１のＸ線を直接検出して***Ｘ線量データＩL0（この
「***Ｘ線量データ」を画像と称するには多少の違和感
があるが説明の便宜性に鑑み「Ｘ線像ＩL0」と以下称す
るものとする）を記憶し、ＩH0記憶部７は被検体Ｃを介
さずにすなわちＸ線管１から***される第１のＸ線に比
し高い（ＨＩＧＨ）エネルギーの第２のＸ線を直接検出
して***Ｘ線量データＩH0（「Ｘ線像ＩL0」の場合と同
様に以下「Ｘ線像ＩH0」と称する）を記憶する。また、
ＩLC記憶部８はＸ線像ＩL0を得るときに用いた第１のＸ
線と同じエネルギーおよび撮影条件のＸ線を用いて被検
体Ｃの透過Ｘ線像ＩLCを記憶し、ＩHC記憶部９はＸ線像
ＩH0を得るときに用いた第２のＸ線と同じエネルギーお
よび撮影条件のＸ線を用いて被検体Ｃの透過Ｘ線像ＩHC
を記憶する。

【００１７】平均吸収係数記憶装置は、特定の物質につ
いての平均吸収係数を記憶するものであり、平均吸収係
数はＸ線のエネルギーによって異なるので、前述した特
定の物質、例えば水に関する第１のＸ線に応じた第１の
平均吸収係数μL を記憶するμL 記憶部１０と、同じ特
定の物質に関する第２のＸ線に応じた第２の平均吸収係
数μH を記憶するμH 記憶部１１とからなる。ここで吸
収係数を平均としている理由について簡単に説明する
と、エネルギー幅の狭いいわゆる単色Ｘ線の場合には吸
収係数が確定的に得られるが、ある程度エネルギーの幅
を有するＸ線の場合にはその幅に含まれるエネルギーの
Ｘ線に対する吸収係数の平均値を取ることになるためこ
こでは平均吸収係数と称するものとしているが、特に平
均吸収係数でなければならない訳ではなく吸収係数であ
ってもよい。μL 記憶部１０は図示しないシステム制御
部に制御され第１の平均吸収係数μL を厚みｔL 分布計
算部１２に供給する。またμH 記憶部１１は図示しない
システム制御部に制御され第２の平均吸収係数μH を差
分μS 分布演算部１４に供給する。

【００１８】厚みｔL 分布計算部１２は、ＩL0記憶部６
およびＩLC記憶部８に記憶されているＸ線像ＩL0および
Ｘ線像ＩLCを入力し得られるそのＸ線像ＩL0とＸ線像Ｉ
LCとの比すなわちＸ線減衰率と、またμL 記憶部１０か
ら入力する第１の平均吸収係数μL とを用いて、所定の
式に基づいて画素毎の厚みｔL を算出し、１枚の画像に
おける厚みｔL 、すなわち厚みｔL 分布を得る。この厚
みｔL 分布は被検体Ｃを特定の物質、例えば水の均一組
成であると仮定した場合の第１のＸ線に対するその特定
の物質の吸収量に基づいて算出した被検体Ｃの厚さの分
布である。ここでこの厚みｔL 分布計算部１２で用いる
前記所定の式は次の通りである。 ｔL ＝｛−log ｅ（ＩLC／ＩL0）｝／μL …（１） ここで式（１）に示した「ＩLC／ＩL0」は第１のＸ線に
対する特定の基準物質の減衰率（以下第１の減衰率と称
する）である。

【００１９】平均吸収係数μHC分布計算部１３は、ＩH0
記憶部７およびＩHC記憶部９からそれぞれＸ線像ＩH0お
よびＸ線像ＩHCを入力し得られるそのＸ線像ＩH0とＸ線
像ＩHCとの比すなわちＸ線減衰率と、厚みｔL 分布計算
部１２で得られた厚みｔL 分布とを用いて、所定の式に
基づいて画素毎に新たな平均吸収係数μHCを計算し、平
均吸収係数μHC分布を得る。この平均吸収係数μHC分布
計算部１３で用いる前記所定の式は次の通りである。 μHC＝｛−log ｅ（ＩHC／ＩH0）｝／ｔL …（２） ここで式（２）に示した「ＩHC／ＩH0」は第２のＸ線に
対する特定の基準物質の減衰率（以下第２の減衰率と称
する）である。

【００２０】差分μS 分布演算部１４は、μHC分布計算
部１３で得られた平均吸収係数μHC分布と平均吸収係数
記憶装置のμH 記憶部１１に記憶されている第２の平均
吸収係数μH との差分μS を画素毎に演算し、差分μS
分布を得る。この差分μS 分布において、もし被検体Ｃ
が厚さｔL を求めるときに用いた特定の物質（水）のみ
からなる均一組成体である場合には、差分μS はゼロ
（０）になるはずである。しかし被検体Ｃが厚さｔL を
求めるときに用いた特定の物質（水）の均一組成でない
場合には、差分μS はゼロ（０）とはならず、またこの
差分μS のレベルは組成物質、あるいはその組成物質そ
れぞれの組成量を表す情報を含んでいるものである。差
分μS はゼロ（０）とはならない理由および前記情報を
含んでいる理由としては、平均吸収係数はＸ線のエネル
ギーの相違にのみ依存し、物質の厚さには依存しないこ
と、また平均吸収係数は物質に固有であることに起因し
ている。ここでは厚さｔL を媒介因子として第２の平均
吸収係数μH と計算により求めた平均吸収係数μHCとを
比較し、それらに差異があるか否か、およびその差異の
レベルを求めている。

【００２１】平均像ＩLHC 計算部１５は、第１のＸ線透
過像データ群の中の被検体Ｃを透過させて得たＸ線像Ｉ
LCと第２のＸ線透過像データ群の中の被検体Ｃを透過さ
せて得たＸ線像ＩHCとをそれぞれＩLC記憶部８とＩHC記
憶部９とから入力し、それらのＸ線像の平均像ＩHLC を
得る。

【００２２】合成処理部１６は、差分μS 分布演算部１
４および平均像ＩLHC 計算部１５それぞれから差分μS
分布および平均像ＩLHC を入力し、この差分μS 分布の
各画素の差分μS レベルに応じて色相を与え、さらに平
均像ＩLHC の各画素値レベルに応じて明るさ与え、合成
像データを得る。図６は合成処理部１６の構成を示すブ
ロック図である。ルックアップテーブル（ＬＵＴ）１６
ａは入力した差分μSのレベル、すなわち正あるいは負
およびその絶対値に応じて赤（Ｒ）、青（Ｂ）、緑
（Ｇ）それぞれの成分を決定する。乗算器１６ｂ、１６
ｃ、１６ｄそれぞれはＬＵＴ１６ａで決定した色相、す
なわち赤（Ｒ）、青（Ｂ）、緑（Ｇ）の各成分に平均像
ＩLHC の各画像値を明るさ情報として乗算し、Ｘ線断層
情報と組成情報とを含んだ合成像データを出力する。

【００２３】フレームメモリ（ＦＭ）１７は合成処理部
１６から合成像データを入力しモニタ１９の走査方式に
応じてその合成像を出力する。ディジタル／アナログ
（Ｄ／Ａ）変換部１８はその合成像をディジタル／アナ
ログ変換し、モニタ１９はその合成像を表示する。次に
以上のように構成された実施例に係るＸ線診断装置の作
用について図２乃至図５および図７を参照して説明す
る。

【００２４】図２は説明の便宜上２種類の物質、すなわ
ち物質Ａと不特定物質Ｂからなる被検体Ｃの組成、およ
び４種類のＸ線パスＰ1,Ｐ2,Ｐ3,Ｐ4 について示した図
である。この４種類のＸ線パスＰ1,Ｐ2,Ｐ3,Ｐ4 に関し
て説明する。この図３は図２に示した被検体Ｃに関する
厚さｔL 分布を示した図であり、図４は厚さｔL 分布に
基づいて得た平均吸収係数μHCの図２に示した４種類の
Ｘ線パスに関する分布および平均吸収係数μH の分布と
を示し、さらにそれらの差分μSを示した図であり、図
５は図４に示した差分μS の発生について物質Ａ、Ｂの
各エネルギー依存性と合わせて示す図である。図７は図
１に示した合成処理部１６における差分μS レベルに応
じた色相の決定を説明する図である。

【００２５】先ず被検体ＣをＸ線管１とイメージインテ
ンシファイヤ２の間に載置せずに撮影した画像、すなわ
ち被検体Ｃを介さないＸ線像ＩLO、ＩHOを第１のＸ線、
第２のＸ線毎に得る。そしてこのＸ線像ＩLO、ＩHOをＡ
／Ｄ変換器５でディジタル信号に変換した後、Ｘ線像Ｉ
LOをＩLO記憶部６、Ｘ線像ＩHOをＩHO記憶部７に記憶す
る。

【００２６】次に被検体ＣをＸ線管１とイメージインテ
ンシファイヤ２の間に載置して撮影した画像、すなわち
被検体Ｃを透過させてＸ線像ＩLO、ＩHOを得る時に用い
た第１のＸ線、第２のＸ線毎にＸ線像ＩLCおよびＩHCを
得、Ａ／Ｄ変換器５でディジタル信号に変換した後、Ｘ
線像ＩLCをＩLC記憶部８に、Ｘ線像ＩHCをＩHC記憶部９
に記憶する。

【００２７】ＩLO記憶部６に記憶されているＸ線像ＩLO
と、ＩLC記憶部８に記憶されているＸ線像ＩLCとから得
られる被検体Ｃの第１のＸ線に対する減衰率と、μL 記
憶部に記憶されている第１のＸ線に関する物質Ａ、例え
ば水の平均吸収係数μL とから厚みｔL 分布を厚みｔL
分布計算部１２で得る。被検体Ｃの図２に示した４種類
のＸ線パスＰ1,Ｐ2,Ｐ3,Ｐ4 に関する厚みｔL 分布は図
３に示したようになる。この厚みｔL 分布はＸ線管１か
ら***されたＸ線の各Ｘ線パス上で吸収されるトータル
の量に応じたものであり、すなわち従来のＸ線透過像に
準ずるものである。この図３に示した厚みｔL 分布から
はＸ線パスＰ2,Ｐ3 上の組成的な相違を認識することは
できない。

【００２８】次に平均吸収係数μHC分布は平均吸収係数
μHC分布計算部１３において厚みｔL 分布計算部１２で
求めた厚みｔL 分布と、ＩHO記憶部７に記憶されている
Ｘ線像ＩHOと、ＩHC記憶部９に記憶されているＸ線像Ｉ
HCとに基づいて算出される。この図２に示した各Ｘ線パ
スＰ1,Ｐ2,Ｐ3,Ｐ4 に関する平均吸収係数μHC分布が図
４に実線で示されている。

【００２９】差分μS 分布は差分μS 分布演算部１４に
おいて、その平均吸収係数μHC分布とμH 記憶部１１に
記憶されている物質Ａの第２のＸ線に関する平均吸収係
数μH とに基づいて算出される。平均吸収係数μH は図
４において点線で示されていて、差分μS は斜線で示さ
れている。ここでこの差分μS は図４に示したようにＸ
線パスＰ1,Ｐ4 においてはゼロであり、Ｘ線パスＰ2,Ｐ
3 においては同じレベルの差分μS 値が存している。す
なわちＸ線パスＰ1,Ｐ4 上はともに物質Ａの均一組成で
あり、Ｘ線パスＰ2,Ｐ3 はともに物質Ａ以外の他の物質
を含んだ組成であり且つその組成物質も同一であること
を示している。この差分μS の有無が意味するところを
図５を用いて説明すると、物質Ａの平均吸収係数はその
Ｘ線エネルギーの大小により実線で示したように変わる
（エネルギー依存性）ことが既に知られており、もしこ
の物質Ａに他の不特定物質Ｂが混入している混合体であ
る場合には一点鎖線で示したようにその平均吸収係数の
エネルギー依存性は物質Ａの平均吸収係数のエネルギー
依存性と異なることになる。すなわち差分μS が生じ
る。しかし物質Ａの均一物質である場合には既知の物質
Ａのエネルギー依存性と同一になり、差分μS は生じな
い。この差分μS 分布をそのまま表示させてもよいが本
実施例では差分μS の在る部分の被検体Ｃにおける位置
を容易に知らしめるようにＸ線透過像と合成して表示す
る。

【００３０】合成像はこの差分μS 分布および平均像Ｉ
LHC 計算部１５で得られるＸ線像ＩHCとＩLCとの平均像
ＩLHC とに基づいて合成処理部１６で得られる。この合
成像には差分μS 分布が表す組成の相違情報および平均
像ＩLHC が表すＸ線透過情報が含まれている。この合成
像はフレームメモリ１７、ディジタル／アナログ変換器
１８を介してモニタ１９に表示される。

【００３１】このように本実施例に係るＸ線診断装置に
よれば、例えＸ線吸収量が同じであっても被検体の組成
物質が異なることを認識することができる画像を得るこ
とができる。

【００３２】本発明は上記実施例に限定されることなく
本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施可能
である。例えば上記実施例では管電圧を変えて２種のエ
ネルギーのＸ線を得たが、Ｘ線管と被検体との間あるい
は被検体とイメージインテンシファイヤとの間にフィル
タを挿入するまたはフィルタを挿出することによってＸ
線エネルギーを変化させ、第１のＸ線又は第２のＸ線を
得てもよい。

【００３３】また上記実施例ではμ記憶部に物質Ａの第
１、第２のＸ線毎の平均吸収係数μL 、μH を記憶して
いたが、物質Ａ（水）だけでなく様々な物質の第１、第
２のＸ線毎の平均吸収係数を記憶させておき、その中か
ら撮影部位の組成物質に応じて最も差分値が大きく表れ
るような最適な物質の平均吸収係数を選択するようにし
てもよい。またこの様々な物質の第１、第２のＸ線毎の
平均吸収係数を解剖学的部位に対照させて記憶して、オ
ペレータが所望の解剖学的部位を指定するだけで最適、
すなわち最も差分値が大きく表れるような物質の平均吸
収係数を選択できるようにしてもよい。

【００３４】また上記実施例では被検体Ｃを介さないＸ
線像ＩLO、ＩH0は本実施例装置の動作の都度得ることと
しているが、インストール前に予め様々な撮影条件、す
なわち様々なエネルギーのＸ線毎に求めて記憶させ、撮
影条件を入力することにより適当なＸ線像ＩLO、ＩH0を
選択するようにしてもよく、その場合にはＸ線像ＩLO、
ＩH0を本実施例装置の動作の都度求める手間が無くなり
非常に効率よく診断することができる。また撮影系の様
々なゲインに基づいた所定の近似関数式を用いて撮影条
件からＸ線像ＩLO、ＩH0を算出するようにしてもよい。

【００３５】また、上記実施例では、合成処理部１６に
おいて差分μS 分布と平均像ＩHLCを合成して得た１枚
の合成像を表示しているが、差分μS 分布だけから得る
差分μS 分布像だけを表示させたり、差分μS 分布像と
平均像ＩHLC とをそれぞれ独立させて、例えば１つのモ
ニタを左右あるいは上下分割させて表示させてもよい。
また合成処理部１６で差分μS 分布と合成する像を平均
像ＩHLC でなく第１のＸ線で撮影したＸ線像ＩLC、ある
いは第２のＸ線で撮影したＸ線像ＩHCとしてもよい。さ
らに上記実施例では、合成処理部１６において差分μS
レベルに応じて自動的に色相を決定しているが、この色
相を決定する範囲をオペレータの指示により自由に調整
できるようにしてもよい。この場合、オペレータは特定
の差分μS レベルを有する範囲だけ、すなわち診断の対
象とする部分だけに色付けを行うことができ、また前記
範囲をゼロにすることにより全く色付けをなくしＸ線透
過像だけを表示させることができる。また特定の差分μ
S レベルの色度を他の差分μS レベルの色度より強調さ
せて表示するようにしてもよい。また第１の実施例装置
の差分μS 分布演算部１６で得られる差分μS 分布を平
均像ＩHLC のエッジ強調成分として用い、各物質の境界
部を強調させる、いわゆるエッジ強調処理を行ってもよ
い。もちろんそれら以外の現在用いられている画像処理
を本発明の主旨を逸脱しない範囲内で用いたとしても何
等差支えない。

【００３６】また上記実施例において、Ｘ線像を得た直
後に散乱線補正や、ビームハードニング補正を行っって
もよい。すなわち散乱線補正によってＸ線装置から入力
したＸ線透過像データに含まれている被検体Ｃ透過時に
発生した散乱線による誤差成分を除去し、散乱線による
誤差成分のないＸ線透過像データを得ることができる。
またビームハードニング補正によってＸ線透過像データ
から軟らかいＸ線による成分を除去し、硬いＸ線による
成分だけのＸ線透過像データを得ることができる。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、第
１、第２のエネルギーの放射線を被検体に照射し、その
被検体を透過する際の第１、第２のエネルギー放射線毎
の第１、第２の放射線減衰率を検出し、前記第１エネル
ギーの放射線に対する前記第１の放射線減衰率と基準物
質の前記第１エネルギーにおける所定の放射線吸収係数
とから前記被検体が前記基準物質からなると仮定したと
きの厚さを第１演算手段で求め、前記第１演算手段によ
り求められた前記厚さと前記第２の放射線減衰率とから
前記被検体の前記第２エネルギーにおける放射線吸収係
数を第２演算手段で求め、前記第２演算手段により求め
られた前記放射線吸収係数と前記基準物質の前記第２エ
ネルギーにおける所定の放射線吸収係数との差を第３演
算手段で求め、この差に応じた画像を得ることができ、
その結果前記差分値が異なる部分に対応する被検体の組
成物質が例え放射線吸収量が同じであっても異なること
を認識することができる放射線診断装置を提供すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係るＸ線診断装置の構成を示
すブロック図。

【図２】図１に示したＸ線診断装置の動作を説明するた
めの被検体の一例を示す図。

【図３】図２に示した被検体における図１に示した厚み
分布計算部で得られる厚み分布を示す図。

【図４】図２に示した被検体における図１に示したμHC
分布計算部で得られる平均吸収係数μHCの分布およびμ
S 差分演算部で得られる差分を示す図。

【図５】図２に示した被検体の平均吸収係数のＸ線エネ
ルギーに応じた変化状態を示す図。

【図６】図１に示した合成処理部の構成を示す図。

【図７】図１に示した合成処理部における色度の割付け
を説明する図。

【符号の説明】

１…Ｘ線管、２…イメージインテンシファイヤ、３…Ｘ
線制御部、４…ＴＶカメラ、５…アナログ／ディジタル
変換器、６…ＩL0メモリ、７…ＩH0記憶部、８…ＩLC記
憶部、９…ＩHC記憶部、１０…μL 記憶部、１１…μH
記憶部、１２…厚み分布計算部、１３…μHC分布計算
部、１４…μS 差分演算部、１５…ＩLHC平均部、１６
…合成処理部、１７…ディジタル／アナログ変換部、１
８…モニタ。

フロントページの続き (72)発明者 中山 博士 栃木県大田原市下石上1385番の１ 株式会 社東芝那須工場内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１、第２のエネルギーの放射線を被検
   体に照射し、その被検体を透過する際の第１、第２のエ
   ネルギー放射線毎の第１、第２の放射線減衰率を検出す
   る手段と、 前記第１エネルギーの放射線に対する前記第１の放射線
   減衰率と基準物質の前記第１エネルギーにおける所定の
   放射線吸収係数とから前記被検体が前記基準物質からな
   ると仮定したときの厚さを求める第１演算手段と、 前記第１演算手段により求められた前記厚さと前記第２
   の放射線減衰率とから前記被検体の前記第２エネルギー
   における放射線吸収係数を求める第２演算手段と、 前記第２演算手段により求められた前記放射線吸収係数
   と前記基準物質の前記第２エネルギーにおける所定の放
   射線吸収係数との差を求める第３演算手段とを具備する
   ことを特徴とする放射線診断装置。