JPH05160316A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPH05160316A JPH05160316A JP3324875A JP32487591A JPH05160316A JP H05160316 A JPH05160316 A JP H05160316A JP 3324875 A JP3324875 A JP 3324875A JP 32487591 A JP32487591 A JP 32487591A JP H05160316 A JPH05160316 A JP H05160316A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- terminal board
- hole
- protective film
- soldered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】双方向性ダイオードなどを対象に、半導体チッ
プに端子板を半田付けする際の組立不良を防止し、チッ
プと端子板との間に適正な半田フィレットが形成できる
ようにした半導体素子を提供する。 【構成】チップ１の表面に電極面を残してその周域を保
護膜１ａで覆い、かつ電極面に外付け端子板２を半田付
けしてなるプレーナ形の半導体素子に対し、外付け端子
板の中央に穴２ａを開口し、さらに該穴の周域で端子板
の板面が裏面側に向けて窪んだ凹状の錐面２ｂを形成す
る。かかる穴明き端子板を半導体チップの電極面に半田
付けすると、余剰の溶融半田が端子板の中央に開口した
穴を通じて端子板の裏面側に溢れ出るので、チップの外
周縁側に向けて保護膜上に大きくはみ出すことなく、こ
れによりチップと端子板との間に適正な半田フィレット
が形成されるようになる。
プに端子板を半田付けする際の組立不良を防止し、チッ
プと端子板との間に適正な半田フィレットが形成できる
ようにした半導体素子を提供する。 【構成】チップ１の表面に電極面を残してその周域を保
護膜１ａで覆い、かつ電極面に外付け端子板２を半田付
けしてなるプレーナ形の半導体素子に対し、外付け端子
板の中央に穴２ａを開口し、さらに該穴の周域で端子板
の板面が裏面側に向けて窪んだ凹状の錐面２ｂを形成す
る。かかる穴明き端子板を半導体チップの電極面に半田
付けすると、余剰の溶融半田が端子板の中央に開口した
穴を通じて端子板の裏面側に溢れ出るので、チップの外
周縁側に向けて保護膜上に大きくはみ出すことなく、こ
れによりチップと端子板との間に適正な半田フィレット
が形成されるようになる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は双方向性ダイオードなど
を実施対象としたプレーナ形半導体素子、特にその外付
け端子板の構造に関する。
を実施対象としたプレーナ形半導体素子、特にその外付
け端子板の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】まず、図２に頭記した双方向性ダイオー
ドの従来における組立構造を示す。図において、１はプ
レーナ形のダイオードチップ（半導体チップ）、１ａは
チップ１の電極面を除いてその表面周域を被覆した酸化
シリコンの保護膜、２はチップ１の上下電極面に半田３
で接合した外付け端子板である。
ドの従来における組立構造を示す。図において、１はプ
レーナ形のダイオードチップ（半導体チップ）、１ａは
チップ１の電極面を除いてその表面周域を被覆した酸化
シリコンの保護膜、２はチップ１の上下電極面に半田３
で接合した外付け端子板である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記構造の
半導体素子において、チップ１の電極面に外付け端子板
２を半田付けする際に、半田３の量が適量よりも多かっ
たりすると適正な半田フィレットが形成されず、図１の
点線で表すように端子板２により押し出された余分な溶
融半田が電極面の領域を越えてチップ１の保護膜１ａの
表面に大きくはみ出し、最悪な場合にはチップ１の外周
縁にまで達して電極間のショートを引き起こすことがあ
り、このことが製品の良品率低下の大きな原因になって
いる。
半導体素子において、チップ１の電極面に外付け端子板
２を半田付けする際に、半田３の量が適量よりも多かっ
たりすると適正な半田フィレットが形成されず、図１の
点線で表すように端子板２により押し出された余分な溶
融半田が電極面の領域を越えてチップ１の保護膜１ａの
表面に大きくはみ出し、最悪な場合にはチップ１の外周
縁にまで達して電極間のショートを引き起こすことがあ
り、このことが製品の良品率低下の大きな原因になって
いる。
【０００４】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、その目的は双方向性ダイオードなどを対象に、
前記した端子板の半田付け時の組立不良を回避して半導
体チップと端子板との間に適正な半田フィレットが形成
できるようにした半導体素子を提供することにある。
であり、その目的は双方向性ダイオードなどを対象に、
前記した端子板の半田付け時の組立不良を回避して半導
体チップと端子板との間に適正な半田フィレットが形成
できるようにした半導体素子を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体素子においては、半導体チップの表
面に電極面を残してその周域を保護膜で覆い、かつ前記
電極面に外付け端子板を半田付けしてなるプレーナ形の
半導体素子において、外付け端子板の中央に穴を開口し
て半導体チップの電極面に半田付けするものとする。
に、本発明の半導体素子においては、半導体チップの表
面に電極面を残してその周域を保護膜で覆い、かつ前記
電極面に外付け端子板を半田付けしてなるプレーナ形の
半導体素子において、外付け端子板の中央に穴を開口し
て半導体チップの電極面に半田付けするものとする。
【０００６】また、前記構成においては、端子板の開口
穴周域を裏面側に向けて窪んだ凹状の錐面となすのがよ
い。
穴周域を裏面側に向けて窪んだ凹状の錐面となすのがよ
い。
【０００７】
【作用】上記した穴明きの外付け端子板を用いて半導体
チップに半田付けすると、余剰の溶融半田は凹状の錐面
を伝わりながら端子板の中央に開口した穴を通じてその
裏面側に溢れ出るようになる。したがって、余剰の半田
が半導体チップの電極面を越えて外周域側の保護膜上に
大きくはみ出すことがなくなる。しかも、端子板の開口
穴を通じてその裏面側にはみ出した半田は投錨効果によ
り端子板との間を強力に結合するように働く。
チップに半田付けすると、余剰の溶融半田は凹状の錐面
を伝わりながら端子板の中央に開口した穴を通じてその
裏面側に溢れ出るようになる。したがって、余剰の半田
が半導体チップの電極面を越えて外周域側の保護膜上に
大きくはみ出すことがなくなる。しかも、端子板の開口
穴を通じてその裏面側にはみ出した半田は投錨効果によ
り端子板との間を強力に結合するように働く。
【０００８】
【実施例】以下本発明の実施例を図１に基づいて説明す
る。なお、図中で図２に対応する同一部材には同じ符号
が付してある。図１において、ダイオードチップ１の上
下両電極面に半田付けされる外付け端子板２の中央部に
は穴２ａが開口しており、かつ該穴２ａの周域では端子
板の板面が裏面側へ向けて窪むように錐面２ｂをなして
いる。なお、前記の穴２ａは図示例では丸穴であるが角
穴として実施することもできる。
る。なお、図中で図２に対応する同一部材には同じ符号
が付してある。図１において、ダイオードチップ１の上
下両電極面に半田付けされる外付け端子板２の中央部に
は穴２ａが開口しており、かつ該穴２ａの周域では端子
板の板面が裏面側へ向けて窪むように錐面２ｂをなして
いる。なお、前記の穴２ａは図示例では丸穴であるが角
穴として実施することもできる。
【０００９】そして、前記の穴明き端子板２をダイオー
ドチップ１の電極面に当てがって半田付けを行うと、余
剰の溶融半田は錐面２ｂを伝わって中央の穴２ａより端
子板２の裏面側に逃げるので、チップの外周域を覆った
保護膜１ａの上には殆どはみ出すことがない。これによ
り、チップ１の電極面と端子板２との間には図示のよう
に適正な半田フィレットが形成される。また、前記の穴
２ａを通じて端子板１の裏面側に溢れ出た半田３は投錨
効果により端子板１との間をより一層強力に結合する。
ドチップ１の電極面に当てがって半田付けを行うと、余
剰の溶融半田は錐面２ｂを伝わって中央の穴２ａより端
子板２の裏面側に逃げるので、チップの外周域を覆った
保護膜１ａの上には殆どはみ出すことがない。これによ
り、チップ１の電極面と端子板２との間には図示のよう
に適正な半田フィレットが形成される。また、前記の穴
２ａを通じて端子板１の裏面側に溢れ出た半田３は投錨
効果により端子板１との間をより一層強力に結合する。
【００１０】
【発明の効果】以上述べたように本発明の構成によれ
ば、プレーナ形の半導体チップに外付け端子板を半田付
けする際に半田がチップの電極面を越えてチップ外周域
の保護膜上に大きくはみ出ることがなく、これによりシ
ョートなどの原因になる組立不良を回避して製品の良品
率向上に大きく寄与できる。
ば、プレーナ形の半導体チップに外付け端子板を半田付
けする際に半田がチップの電極面を越えてチップ外周域
の保護膜上に大きくはみ出ることがなく、これによりシ
ョートなどの原因になる組立不良を回避して製品の良品
率向上に大きく寄与できる。
【図１】本発明の実施例による半導体素子の組立構造を
示すものであり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図
示すものであり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図
【図２】従来における半導体素子の組立構造の断面図
１ ダイオードチップ（半導体チップ） １ａ 保護膜 ２ 端子板 ２ａ 穴 ２ｂ 錐面 ３ 半田
Claims (3)
- 【請求項１】半導体チップの表面に電極面を残してその
周域を保護膜で覆い、かつ電極面に外付け端子板を半田
付けしてなるプレーナ形の半導体素子において、外付け
端子板の中央に穴を開口して半導体チップの電極面に半
田付けしたことを特徴とする半導体素子。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体素子において、端子
板の開口穴周域が裏面側に向けて窪んだ凹状の錐面をな
していることを特徴とする半導体素子。 - 【請求項３】請求項１記載の半導体素子において半導体
チップが双方向性ダイオードであることを特徴とする半
導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3324875A JP2914409B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3324875A JP2914409B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | 半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160316A true JPH05160316A (ja) | 1993-06-25 |
| JP2914409B2 JP2914409B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=18170613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3324875A Expired - Lifetime JP2914409B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2914409B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009170596A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Nissan Motor Co Ltd | 電力変換装置およびその製造方法 |
| JP2012069640A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 半導体装置及び電力用半導体装置 |
| JP2016143694A (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP2017079228A (ja) * | 2015-10-19 | 2017-04-27 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体素子用端子 |
-
1991
- 1991-12-10 JP JP3324875A patent/JP2914409B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009170596A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Nissan Motor Co Ltd | 電力変換装置およびその製造方法 |
| JP2012069640A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 半導体装置及び電力用半導体装置 |
| CN102412218A (zh) * | 2010-09-22 | 2012-04-11 | 株式会社东芝 | 半导体装置及功率半导体装置 |
| JP2016143694A (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP2017079228A (ja) * | 2015-10-19 | 2017-04-27 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体素子用端子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2914409B2 (ja) | 1999-06-28 |
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