JPH0513884A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH0513884A JPH0513884A JP3161794A JP16179491A JPH0513884A JP H0513884 A JPH0513884 A JP H0513884A JP 3161794 A JP3161794 A JP 3161794A JP 16179491 A JP16179491 A JP 16179491A JP H0513884 A JPH0513884 A JP H0513884A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体レーザに関するものであり、
特に０．９〜１．１μｍ帯半導体レーザに関するもので
ある。 【構成】 本発明の半導体レーザは、光導波層がＧａＩ
ｎＡｓ量子井戸層６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄとこれを隔て
る障壁層５ａ〜５ｃを有する活性層と、この活性層を上
下から挟む光閉込め層４，７とからなり、光閉込め層
４，７が燐を含みバンドギャップがＧａＡｓよりも大き
い化合物半導体材料、例えば（Ａｌy Ｇａ1-y ）Z Ｉｎ
1-Z Ｐ（０≦ｙ＜１）で形成されている。したがって、
従来のＧａＡｓ／ＧａＩｎＡｓ材料系と比較し、より大
きなバンドギャップ差を得ることができ、半導体レーザ
の高効率化および高出力化が実現できる。
特に０．９〜１．１μｍ帯半導体レーザに関するもので
ある。 【構成】 本発明の半導体レーザは、光導波層がＧａＩ
ｎＡｓ量子井戸層６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄとこれを隔て
る障壁層５ａ〜５ｃを有する活性層と、この活性層を上
下から挟む光閉込め層４，７とからなり、光閉込め層
４，７が燐を含みバンドギャップがＧａＡｓよりも大き
い化合物半導体材料、例えば（Ａｌy Ｇａ1-y ）Z Ｉｎ
1-Z Ｐ（０≦ｙ＜１）で形成されている。したがって、
従来のＧａＡｓ／ＧａＩｎＡｓ材料系と比較し、より大
きなバンドギャップ差を得ることができ、半導体レーザ
の高効率化および高出力化が実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザに関するも
のであり、特に０．９〜１．１μｍ帯半導体レーザに関
するものである。
のであり、特に０．９〜１．１μｍ帯半導体レーザに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】０．９〜１．１μｍ帯半導体レーザは、
ＧａＡｓ系短波長レーザおよびＩｎＰ系長波長レーザの
間の波長域を補うレーザとして期待されている。特に、
発振波長０．９８μｍの半導体レーザは将来の光通信を
担うキーテクノロジーとして期待の高まっているＥｒ3+
添加ファイバ光増幅器の励起用光源として実用化が待た
れている。このような０．９〜１．１μｍ帯半導体レー
ザとして、光閉込め層でＧａＡｓ、量子井戸層でＧａＩ
ｎＡｓを使用するＧａＡｓ／ＧａＩｎＡｓヘテロ接合に
より構成される歪量子井戸活性層を有するものが従来か
ら考えられている。
ＧａＡｓ系短波長レーザおよびＩｎＰ系長波長レーザの
間の波長域を補うレーザとして期待されている。特に、
発振波長０．９８μｍの半導体レーザは将来の光通信を
担うキーテクノロジーとして期待の高まっているＥｒ3+
添加ファイバ光増幅器の励起用光源として実用化が待た
れている。このような０．９〜１．１μｍ帯半導体レー
ザとして、光閉込め層でＧａＡｓ、量子井戸層でＧａＩ
ｎＡｓを使用するＧａＡｓ／ＧａＩｎＡｓヘテロ接合に
より構成される歪量子井戸活性層を有するものが従来か
ら考えられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この材料系の場合、量
子井戸層と光閉込め層間の実効的なバンドギャップ差
が、例えば０．９８μｍレーザにおいては１５０ｍｅＶ
程度しかなく、活性層での正孔と電子の再結合を行わせ
るのに十分なほど大きくはない。
子井戸層と光閉込め層間の実効的なバンドギャップ差
が、例えば０．９８μｍレーザにおいては１５０ｍｅＶ
程度しかなく、活性層での正孔と電子の再結合を行わせ
るのに十分なほど大きくはない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ
は、このような問題点に鑑みて為されたものであり、Ｇ
ａＡｓを基板材料とし、光導波層がＧａＩｎＡｓ量子井
戸層を有する活性層と、この活性層を上下から挟む光閉
込め層とからなり、光閉込め層が燐を含みバンドギャッ
プがＧａＡｓよりも大きい化合物半導体材料、例えば
（Ａｌy Ｇａ1-y ）Z Ｉｎ1-Z Ｐ（０≦ｙ＜１）で形成
されているものである。
は、このような問題点に鑑みて為されたものであり、Ｇ
ａＡｓを基板材料とし、光導波層がＧａＩｎＡｓ量子井
戸層を有する活性層と、この活性層を上下から挟む光閉
込め層とからなり、光閉込め層が燐を含みバンドギャッ
プがＧａＡｓよりも大きい化合物半導体材料、例えば
（Ａｌy Ｇａ1-y ）Z Ｉｎ1-Z Ｐ（０≦ｙ＜１）で形成
されているものである。
【０００５】
【作用】量子井戸層にＧａ1-X ＩｎX Ａｓ、光閉込め層
に（Ａｌy Ｇａ1-y ）Z Ｉｎ1-Z Ｐ（０≦ｙ＜１）を材
料に用いた場合、光閉込め層と量子井戸層間の実効的な
バンドギャップ差は、０．９８μｍレーザを例にとると
最低でもｙ＝０、ｚ＝０．５１のときの材料であるＧａ
0.51Ｉｎ0.49Ｐ（１．８５ｅＶ）とＧａ1-x Ｉｎx Ａｓ
（１．２６５ｅＶ）の差５８５ｍｅＶとなり、従来のＧ
ａＡｓ／ＧａＩｎＡｓ材料系のバンドギャップ差（〜１
５０ｍｅＶ）と比較し、非常に大きくなる。
に（Ａｌy Ｇａ1-y ）Z Ｉｎ1-Z Ｐ（０≦ｙ＜１）を材
料に用いた場合、光閉込め層と量子井戸層間の実効的な
バンドギャップ差は、０．９８μｍレーザを例にとると
最低でもｙ＝０、ｚ＝０．５１のときの材料であるＧａ
0.51Ｉｎ0.49Ｐ（１．８５ｅＶ）とＧａ1-x Ｉｎx Ａｓ
（１．２６５ｅＶ）の差５８５ｍｅＶとなり、従来のＧ
ａＡｓ／ＧａＩｎＡｓ材料系のバンドギャップ差（〜１
５０ｍｅＶ）と比較し、非常に大きくなる。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の実施例に関するものであり、
いわゆる単一量子井戸構造の半導体レーザを説明するた
めの図である。
いわゆる単一量子井戸構造の半導体レーザを説明するた
めの図である。
【０００７】同図（ａ）は、レーザの出射面断面構造を
示し、同図（ｂ）は、エネルギーバンド差を示す。同図
（ａ）に示される様に、ＳｉドープＧａＡｓ基板１上に
ＳｉドープＧａＡｓバッファ層２、Ｓｅドープ（Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 ）Ｉｎ0.5 Ｐ ｎ型クラッド層３、ノンド
ープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ光閉込め層４、ノンドープＧａ
0.75Ｉｎ0.25Ａｓ量子井戸層６、ノンドープＧａ0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐ光閉込め層７、Ｚｎドープ（Ａｌ0.5 Ｇ
ａ0.5 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ Ｐ型クラッド層８、Ｚｎドー
プＧａＡｓコンタクト層９がエピタキシャル成長により
順次形成されている。さらに、ＧａＡｓ基板１下および
ＺｎドープＧａＡｓコンタクト層９上にそれぞれ電極１
０，１１が形成された構造となっている。この実施例に
おいては光閉込め層４，７の材料としてＧａＡｓではな
く、（ＡｌyＧａ1-y ）Z Ｉｎ1-Z Ｐ（０≦ｙ＜１）で
ｙ＝０、ｚ＝０．５のときの材料Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐが
使用されている。この場合、前述のようにＧａＡｓ／Ｇ
ａＩｎＡｓ材料系を使用したときはバンドギャップ差が
最高でも約１５０ｍｅＶであるのに対し、Ｇａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐを使用するときは量子井戸層と光閉込め層のバン
ドギャップ差は約５８５ｍｅＶと非常に大きくでき、キ
ャリアの効果的な再結合ができる。
示し、同図（ｂ）は、エネルギーバンド差を示す。同図
（ａ）に示される様に、ＳｉドープＧａＡｓ基板１上に
ＳｉドープＧａＡｓバッファ層２、Ｓｅドープ（Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 ）Ｉｎ0.5 Ｐ ｎ型クラッド層３、ノンド
ープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ光閉込め層４、ノンドープＧａ
0.75Ｉｎ0.25Ａｓ量子井戸層６、ノンドープＧａ0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐ光閉込め層７、Ｚｎドープ（Ａｌ0.5 Ｇ
ａ0.5 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ Ｐ型クラッド層８、Ｚｎドー
プＧａＡｓコンタクト層９がエピタキシャル成長により
順次形成されている。さらに、ＧａＡｓ基板１下および
ＺｎドープＧａＡｓコンタクト層９上にそれぞれ電極１
０，１１が形成された構造となっている。この実施例に
おいては光閉込め層４，７の材料としてＧａＡｓではな
く、（ＡｌyＧａ1-y ）Z Ｉｎ1-Z Ｐ（０≦ｙ＜１）で
ｙ＝０、ｚ＝０．５のときの材料Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐが
使用されている。この場合、前述のようにＧａＡｓ／Ｇ
ａＩｎＡｓ材料系を使用したときはバンドギャップ差が
最高でも約１５０ｍｅＶであるのに対し、Ｇａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐを使用するときは量子井戸層と光閉込め層のバン
ドギャップ差は約５８５ｍｅＶと非常に大きくでき、キ
ャリアの効果的な再結合ができる。
【０００８】なお、このときのＧａＩｎＡｓとＧａＡｓ
の格子不整は約１．５％であるが、ＧａＩｎＡｓ量子井
戸層の厚さが６０オングストロームと弾性限界内で歪む
よう十分に薄くしてあるため、ＧａＡｓ／ＧａＩｎＡｓ
界面では転位等による結晶欠陥は生じずに良好な結晶性
が保たれている。
の格子不整は約１．５％であるが、ＧａＩｎＡｓ量子井
戸層の厚さが６０オングストロームと弾性限界内で歪む
よう十分に薄くしてあるため、ＧａＡｓ／ＧａＩｎＡｓ
界面では転位等による結晶欠陥は生じずに良好な結晶性
が保たれている。
【０００９】図２は、本実施例に係る、いわゆる多重量
子井戸構造の半導体レーザを説明するための図である。
同図（ａ）は、レーザの出射面断面構造を示し、同図
（ｂ）は光導波層のバンドギャップ差を示し、同図
（ｃ）は量子井戸層と障壁層の格子定数を示す図であ
る。この半導体レーザは、例えば、ＳｉドープＧａＡｓ
基板１上にＳｉドープＧａＡｓバッファ層２、Ｓｅドー
プ（Ａｌ0.7Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ ｎ型クラッド
層３、ノンドープ（Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
光閉込め層４、ノンドープＧａ0.75Ｉｎ0.25Ａｓ量子井
戸層６ａ、ノンドープＧａ0.61Ｉｎ0.39Ｐ障壁層５ａ、
ノンドープＧａ0.75Ｉｎ0.25Ａｓ量子井戸層６ｂ、ノン
ドープＧａ0.61Ｉｎ0.39Ｐ障壁層５ｂ、ノンドープＧａ
0.75Ｉｎ0.25Ａｓ量子井戸層６ｃ、ノンドープＧａ0.61
Ｉｎ0.39Ｐ障壁層５ｃ、ノンドープＧａ0.75Ｉｎ0.25Ａ
ｓ量子井戸層６ｄ、ノンドープ（Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 ）
0.5 Ｉｎ０．５ Ｐ光閉込め層７、Ｚｎドープ（Ａｌ
０．７ Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ Ｐ型クラッド層
８、ＺｎドープＧａＡｓコンタクト層９がエピタキシャ
ル成長により順次形成され、さらに、ＳｉドープＧａＡ
ｓ基板１下およびＺｎドープＧａＡS コンタクト層９上
にそれぞれ電極１０，１１が形成されている。
子井戸構造の半導体レーザを説明するための図である。
同図（ａ）は、レーザの出射面断面構造を示し、同図
（ｂ）は光導波層のバンドギャップ差を示し、同図
（ｃ）は量子井戸層と障壁層の格子定数を示す図であ
る。この半導体レーザは、例えば、ＳｉドープＧａＡｓ
基板１上にＳｉドープＧａＡｓバッファ層２、Ｓｅドー
プ（Ａｌ0.7Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ ｎ型クラッド
層３、ノンドープ（Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
光閉込め層４、ノンドープＧａ0.75Ｉｎ0.25Ａｓ量子井
戸層６ａ、ノンドープＧａ0.61Ｉｎ0.39Ｐ障壁層５ａ、
ノンドープＧａ0.75Ｉｎ0.25Ａｓ量子井戸層６ｂ、ノン
ドープＧａ0.61Ｉｎ0.39Ｐ障壁層５ｂ、ノンドープＧａ
0.75Ｉｎ0.25Ａｓ量子井戸層６ｃ、ノンドープＧａ0.61
Ｉｎ0.39Ｐ障壁層５ｃ、ノンドープＧａ0.75Ｉｎ0.25Ａ
ｓ量子井戸層６ｄ、ノンドープ（Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 ）
0.5 Ｉｎ０．５ Ｐ光閉込め層７、Ｚｎドープ（Ａｌ
０．７ Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ Ｐ型クラッド層
８、ＺｎドープＧａＡｓコンタクト層９がエピタキシャ
ル成長により順次形成され、さらに、ＳｉドープＧａＡ
ｓ基板１下およびＺｎドープＧａＡS コンタクト層９上
にそれぞれ電極１０，１１が形成されている。
【００１０】このように光閉込め層４，７は（Ａｌy Ｇ
ａ1-y）Z Ｉｎ1-Z Ｐ（０≦ｙ＜１）でｙ＝０．２、ｚ
＝０．５のときの材料である（Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐが使用され、量子井戸層はＧａＩｎＡｓで形
成されている。本実施例のＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＡ
ｓの材料系の場合も、図１に示された実施例のＧａＩｎ
Ｐ／ＧａＩｎＡｓとほぼ同様のエネルギーギャップ差を
有し、従来のＧａＡｓ／ＧａＩｎＡｓの材料系を用いた
場合と比較すると、光閉込め層と量子井戸層間のエネル
ギーギャップ差は非常に大きい。
ａ1-y）Z Ｉｎ1-Z Ｐ（０≦ｙ＜１）でｙ＝０．２、ｚ
＝０．５のときの材料である（Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐが使用され、量子井戸層はＧａＩｎＡｓで形
成されている。本実施例のＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＡ
ｓの材料系の場合も、図１に示された実施例のＧａＩｎ
Ｐ／ＧａＩｎＡｓとほぼ同様のエネルギーギャップ差を
有し、従来のＧａＡｓ／ＧａＩｎＡｓの材料系を用いた
場合と比較すると、光閉込め層と量子井戸層間のエネル
ギーギャップ差は非常に大きい。
【００１１】光閉込め層と量子井戸層の組み合わせは、
本実施例の（ＡｌyＧａ1-y ）z Ｉｎ1-z Ｐ／Ｇａ1-x
Ｉｎx Ａｓだけでなく、Ａｌy Ｇａ1-yＰz Ａｓ1-z ／
Ｇａ1-x Ｉｎx Ａｓ、Ａｌy Ｉｎ1-y Ｐz Ａｓ1-z ／Ｇ
ａ1-x Ｉｎx Ａｓ、Ｇａy Ｉｎ1-y Ｐz Ａｓ1-z ／Ｇａ
1-x Ｉｎx Ａｓ等のように、光閉込め層に燐を含む他の
化合物半導体材料を用いたものでも実現できる。
本実施例の（ＡｌyＧａ1-y ）z Ｉｎ1-z Ｐ／Ｇａ1-x
Ｉｎx Ａｓだけでなく、Ａｌy Ｇａ1-yＰz Ａｓ1-z ／
Ｇａ1-x Ｉｎx Ａｓ、Ａｌy Ｉｎ1-y Ｐz Ａｓ1-z ／Ｇ
ａ1-x Ｉｎx Ａｓ、Ｇａy Ｉｎ1-y Ｐz Ａｓ1-z ／Ｇａ
1-x Ｉｎx Ａｓ等のように、光閉込め層に燐を含む他の
化合物半導体材料を用いたものでも実現できる。
【００１２】また、本実施例の活性層は、図２（ｃ）に
示される通り、障壁層５ａ〜５ｃを形成するＧａＩｎＰ
の格子定数が基板材料であるＧａＡｓの格子定数よりも
小さく、量子井戸層６ａ〜６ｄを形成するＧａＩｎＡｓ
の格子定数がＧａＡｓの格子定数より大きい。この格子
定数の関係により、ＧａＩｎＡｓ量子井戸層には圧縮応
力、ＧａＩｎＰ障壁層には引張応力が加わる。本実施例
に係る半導体レーザは、このように構成されているの
で、活性層全体としては量子井戸層の圧縮応力と障壁層
の引張応力が相殺し、活性層の平均格子定数はＧａＡｓ
の格子定数に１０-3以下の格子不整となるだけである。
したがって、単一量子井戸構造の活性層の場合に比較し
て実効的な活性層厚を厚くすることができ、利得の増大
化を図ることができる。
示される通り、障壁層５ａ〜５ｃを形成するＧａＩｎＰ
の格子定数が基板材料であるＧａＡｓの格子定数よりも
小さく、量子井戸層６ａ〜６ｄを形成するＧａＩｎＡｓ
の格子定数がＧａＡｓの格子定数より大きい。この格子
定数の関係により、ＧａＩｎＡｓ量子井戸層には圧縮応
力、ＧａＩｎＰ障壁層には引張応力が加わる。本実施例
に係る半導体レーザは、このように構成されているの
で、活性層全体としては量子井戸層の圧縮応力と障壁層
の引張応力が相殺し、活性層の平均格子定数はＧａＡｓ
の格子定数に１０-3以下の格子不整となるだけである。
したがって、単一量子井戸構造の活性層の場合に比較し
て実効的な活性層厚を厚くすることができ、利得の増大
化を図ることができる。
【００１３】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、多重量子井
戸構造および単一量子井戸構造の半導体レーザの光閉込
め層の材料に、例えば（Ａｌy Ｇａ1-y ）Z Ｉｎ1-Z Ｐ
（０≦ｙ＜１）のような燐を含みバンドギャップがＧａ
Ａｓよりも大きい化合物半導体、量子井戸層の材料とし
てＧａＩｎＡｓを使用することにより、量子井戸層と光
閉込め層間のバンドギャップ差を従来よりも非常に大き
くすることができる。したがって、閾値電流の低減、高
温での動作特性の改善がはかれるので、半導体レーザの
高効率化および高出力化が実現できる。また、多重量子
井戸層の半導体レーザでは、障壁層の材料に格子定数が
小さいものを使用しているので、量子井戸層の圧縮応力
を障壁層の引張応力で相殺でき、活性層全体の厚さは転
位を生じる臨界膜厚の制約を受けることなく自由に設計
できる。
戸構造および単一量子井戸構造の半導体レーザの光閉込
め層の材料に、例えば（Ａｌy Ｇａ1-y ）Z Ｉｎ1-Z Ｐ
（０≦ｙ＜１）のような燐を含みバンドギャップがＧａ
Ａｓよりも大きい化合物半導体、量子井戸層の材料とし
てＧａＩｎＡｓを使用することにより、量子井戸層と光
閉込め層間のバンドギャップ差を従来よりも非常に大き
くすることができる。したがって、閾値電流の低減、高
温での動作特性の改善がはかれるので、半導体レーザの
高効率化および高出力化が実現できる。また、多重量子
井戸層の半導体レーザでは、障壁層の材料に格子定数が
小さいものを使用しているので、量子井戸層の圧縮応力
を障壁層の引張応力で相殺でき、活性層全体の厚さは転
位を生じる臨界膜厚の制約を受けることなく自由に設計
できる。
【図１】本実施例の多重量子井戸構造の半導体レーザを
説明するための図。
説明するための図。
【図２】本実施例の単一量子井戸構造の半導体レーザを
説明するための図。
説明するための図。
１…ＧａＡｓ基板
４，７…光閉込め層
５ａ，５ｂ，５ｃ…障壁層
６，６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ…量子井戸層
Claims (3)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ基板上に形成される半導体レー
ザにおいて、 光導波層がＧａＩｎＡｓ量子井戸層を有する活性層と、
この活性層を上下から挟む光閉込め層とからなり、 前記光閉込め層が燐を含みバンドギャップがＧａＡｓよ
りも大きい化合物半導体材料で形成されていることを特
徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 光閉込め層の化合物半導体材料が（Ａｌ
y Ｇａ1-y ）Z Ｉｎ1-Z Ｐ（０≦ｙ＜１）であることを
特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 活性層が複数のＧａＩｎＡｓ量子井戸層
と、これを隔てる障壁層とからなり、この障壁層を形成
する材料の格子定数がＧａＡｓの格子定数よりも小さい
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16179491A JP3128788B2 (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16179491A JP3128788B2 (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513884A true JPH0513884A (ja) | 1993-01-22 |
| JP3128788B2 JP3128788B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=15742041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16179491A Expired - Fee Related JP3128788B2 (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3128788B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001068790A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Canon Inc | 半導体レーザ構造 |
| JP2002533941A (ja) * | 1998-12-21 | 2002-10-08 | ハネウエル・インコーポレーテッド | 格子不整合量子源の機械的安定 |
| JP2007129270A (ja) * | 2007-02-09 | 2007-05-24 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| US7684456B2 (en) | 1999-08-04 | 2010-03-23 | Ricoh Company, Ltd. | Laser diode and semiconductor light-emitting device producing visible-wavelength radiation |
| CN102468387A (zh) * | 2010-11-18 | 2012-05-23 | 昭和电工株式会社 | 发光二极管 |
| WO2012073993A1 (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-07 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 |
| JP2015167245A (ja) * | 2015-04-30 | 2015-09-24 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 |
-
1991
- 1991-07-02 JP JP16179491A patent/JP3128788B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
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