JPH05175601A - 多重量子井戸半導体レーザ - Google Patents
多重量子井戸半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH05175601A JPH05175601A JP35514991A JP35514991A JPH05175601A JP H05175601 A JPH05175601 A JP H05175601A JP 35514991 A JP35514991 A JP 35514991A JP 35514991 A JP35514991 A JP 35514991A JP H05175601 A JPH05175601 A JP H05175601A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 井戸層をそれ程薄くすることなく効果的に井
戸層に圧縮歪みを導入して高効率化を図ったＭＱＷレー
ザを提供することを目的とする。 【構成】 ｎ型ＩｎＰ基板１に、ｎ型ＩｎＰバッファ層
２，ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ導波路層３，ｉ型活性層４，ｐ
型ＩｎＧａＡｓＰ導波路層５，ｐ型ＩｎＰクラッド層６
が積層形成され、活性層４はＩｎx Ｇａ1-x Ａｓ井戸層
とＩｎy Ｇａ1-y Ａｓz Ｐ1-z 障壁層が交互に積層され
たＭＱＷ構造であって、Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ井戸層４２
はＩｎＰより大きい格子定数を持つ組成が与えられ、Ｉ
ｎy Ｇａ1-y Ａｓz Ｐ1-z 障壁層４１はＩｎＰより小さ
い格子定数を持つ組成が与えられている。
戸層に圧縮歪みを導入して高効率化を図ったＭＱＷレー
ザを提供することを目的とする。 【構成】 ｎ型ＩｎＰ基板１に、ｎ型ＩｎＰバッファ層
２，ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ導波路層３，ｉ型活性層４，ｐ
型ＩｎＧａＡｓＰ導波路層５，ｐ型ＩｎＰクラッド層６
が積層形成され、活性層４はＩｎx Ｇａ1-x Ａｓ井戸層
とＩｎy Ｇａ1-y Ａｓz Ｐ1-z 障壁層が交互に積層され
たＭＱＷ構造であって、Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ井戸層４２
はＩｎＰより大きい格子定数を持つ組成が与えられ、Ｉ
ｎy Ｇａ1-y Ａｓz Ｐ1-z 障壁層４１はＩｎＰより小さ
い格子定数を持つ組成が与えられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低しきい値電流、高効
率化を図った多重量子井戸半導体レーザに関する。
率化を図った多重量子井戸半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、多重量子井戸半導体レーザの研究
が盛んに行われている。多重量子井戸（Ｍulti Ｑuant
um Ｗell ，ＭＱＷ）は、井戸層とこれよりバンドギャ
ップの大きい障壁層とを電子の波長（１０nm）以下の薄
い膜厚をもって交互に積層したもので、ＭＱＷレーザは
これを活性層として用いる。ＭＱＷレーザは、注入され
たキャリアが効果的に井戸層に閉じ込められるため、通
常のバルク型半導体レーザに比べて活性層での吸収損失
が小さく、したがって光出力の増大，しきい値電流の低
下といった利点を有する。しきい値電流や発振波長の温
度特性も向上する。
が盛んに行われている。多重量子井戸（Ｍulti Ｑuant
um Ｗell ，ＭＱＷ）は、井戸層とこれよりバンドギャ
ップの大きい障壁層とを電子の波長（１０nm）以下の薄
い膜厚をもって交互に積層したもので、ＭＱＷレーザは
これを活性層として用いる。ＭＱＷレーザは、注入され
たキャリアが効果的に井戸層に閉じ込められるため、通
常のバルク型半導体レーザに比べて活性層での吸収損失
が小さく、したがって光出力の増大，しきい値電流の低
下といった利点を有する。しきい値電流や発振波長の温
度特性も向上する。
【０００３】この様なＭＱＷレーザに対して最近、その
活性層に歪みを導入して高出力化を図る提案がなされ、
注目されている。これは、井戸層を障壁層に対して故意
に格子不整合させた、いわゆる歪みＭＱＷ構造を活性層
に用いるものである。この歪みＭＱＷ構造の導入によ
り、微分利得の増大、非発光再結合による効率低下の抑
制といった効果が得られるためである。
活性層に歪みを導入して高出力化を図る提案がなされ、
注目されている。これは、井戸層を障壁層に対して故意
に格子不整合させた、いわゆる歪みＭＱＷ構造を活性層
に用いるものである。この歪みＭＱＷ構造の導入によ
り、微分利得の増大、非発光再結合による効率低下の抑
制といった効果が得られるためである。
【０００４】その具体的な原理を図２を参照して説明す
ると、次の通りである。例えば、Ｉｎx Ｇａ1-X Ａｓ／
ＩｎＰ系のＭＱＷ構造では、無歪み状態で、Ｉｎx Ｇａ
1-X Ａｓ井戸層のバンド構造は図２(b) の状態にある。
重い正孔（ＨＨ）帯と軽い正孔（ＬＨ）帯は、波数ベク
トルｋ＝０の点で縮退している。この様な井戸層の面内
方向に圧縮歪みを導入すると、重い正孔帯と軽い正孔帯
のエネルギー準位が低エネルギー側にシフトするが、重
い正孔帯の方がシフト量が大きい。この結果、図２(a)
に示すように重い正孔帯と軽い正孔帯のエネルギー準位
が***した状態、すなわち部分的に縮退が解けた状態が
得られる。
ると、次の通りである。例えば、Ｉｎx Ｇａ1-X Ａｓ／
ＩｎＰ系のＭＱＷ構造では、無歪み状態で、Ｉｎx Ｇａ
1-X Ａｓ井戸層のバンド構造は図２(b) の状態にある。
重い正孔（ＨＨ）帯と軽い正孔（ＬＨ）帯は、波数ベク
トルｋ＝０の点で縮退している。この様な井戸層の面内
方向に圧縮歪みを導入すると、重い正孔帯と軽い正孔帯
のエネルギー準位が低エネルギー側にシフトするが、重
い正孔帯の方がシフト量が大きい。この結果、図２(a)
に示すように重い正孔帯と軽い正孔帯のエネルギー準位
が***した状態、すなわち部分的に縮退が解けた状態が
得られる。
【０００５】この様に井戸層に圧縮歪みを導入した状態
では、面内方向の重い正孔帯の正孔の有効質量が小さく
なり、したがってレーザの発振しきい値が低くなり、発
振効率が向上する。伝導帯への遷移（オージェ非発光再
結合）による発光効率の低下も抑制される。またバンド
ギャップ・エネルギーＥg は小さくなるので、波長が長
波長側にシフトする。更に、重い正孔が支配的なＴＥモ
ードでの選択的な発振が得られるようになる。
では、面内方向の重い正孔帯の正孔の有効質量が小さく
なり、したがってレーザの発振しきい値が低くなり、発
振効率が向上する。伝導帯への遷移（オージェ非発光再
結合）による発光効率の低下も抑制される。またバンド
ギャップ・エネルギーＥg は小さくなるので、波長が長
波長側にシフトする。更に、重い正孔が支配的なＴＥモ
ードでの選択的な発振が得られるようになる。
【０００６】逆に、井戸層に引っ張り歪みを導入する
と、重い正孔帯と軽い正孔帯のエネルギー準位は高エネ
ルギー側にシフトするが、このときも重い正孔帯の方が
シフト量が大きく、バンド構造は図２(c) の状態にな
る。この状態では発振波長は短波長側にシフトする。ま
た軽い正孔帯が支配的なＴＭモードでの発振が大きくな
り、偏波無依存になりやすい。
と、重い正孔帯と軽い正孔帯のエネルギー準位は高エネ
ルギー側にシフトするが、このときも重い正孔帯の方が
シフト量が大きく、バンド構造は図２(c) の状態にな
る。この状態では発振波長は短波長側にシフトする。ま
た軽い正孔帯が支配的なＴＭモードでの発振が大きくな
り、偏波無依存になりやすい。
【０００７】以上から、井戸層に圧縮歪みを導入した歪
みＭＱＷを活性層として用いることによって、ＭＱＷレ
ーザの高効率化が図られることになる。Ｉｎx Ｇａ1-X
Ａｓ／ＩｎＰ系のＭＱＷで、ＩｎＰ障壁層に格子整合す
るするＩｎx Ｇａ1-x Ａｓ井戸層の組成は、ｘ＝０．５
３である。Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ井戸層に圧縮歪みを導入
するためには、Ｇａに比べて原子半径の大きいＩｎの組
成比ｘを大きくして、例えばＩｎ0.58Ｇａ0.42Ａｓとす
ればよい。これにより井戸層には０．２〜２％程度の圧
縮歪みが入る。
みＭＱＷを活性層として用いることによって、ＭＱＷレ
ーザの高効率化が図られることになる。Ｉｎx Ｇａ1-X
Ａｓ／ＩｎＰ系のＭＱＷで、ＩｎＰ障壁層に格子整合す
るするＩｎx Ｇａ1-x Ａｓ井戸層の組成は、ｘ＝０．５
３である。Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ井戸層に圧縮歪みを導入
するためには、Ｇａに比べて原子半径の大きいＩｎの組
成比ｘを大きくして、例えばＩｎ0.58Ｇａ0.42Ａｓとす
ればよい。これにより井戸層には０．２〜２％程度の圧
縮歪みが入る。
【０００８】ところで、Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓバルク結
晶の組成波長は１．６５μm であるが、この組成の１０
〜２０nmの薄い井戸層を持つＭＱＷでは、量子効果によ
って発振波長は短波長側にシフトする。この波長シフト
量は、井戸層が薄ければ薄いほど大きい。一方、Ｉｎx
Ｇａ1-X Ａｓ層は圧縮歪みを導入するためにＩｎリッチ
にすると、その組成波長が長波長側にシフトする。従っ
て、高効率化のためにＩｎX Ｇａ1-X Ａｓ井戸層に圧縮
歪みを導入したときに、無歪みの場合と同等の量子効果
を発揮させるためには、Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ井戸層をよ
り薄くしなければならない。具体的に、無歪み状態で井
戸層厚１０nm程度の場合、これに圧縮歪みを与えてかつ
無歪みの場合と同じ発振波長を得るためには、井戸層を
５〜６nm程度まで薄くすることが必要になる。
晶の組成波長は１．６５μm であるが、この組成の１０
〜２０nmの薄い井戸層を持つＭＱＷでは、量子効果によ
って発振波長は短波長側にシフトする。この波長シフト
量は、井戸層が薄ければ薄いほど大きい。一方、Ｉｎx
Ｇａ1-X Ａｓ層は圧縮歪みを導入するためにＩｎリッチ
にすると、その組成波長が長波長側にシフトする。従っ
て、高効率化のためにＩｎX Ｇａ1-X Ａｓ井戸層に圧縮
歪みを導入したときに、無歪みの場合と同等の量子効果
を発揮させるためには、Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ井戸層をよ
り薄くしなければならない。具体的に、無歪み状態で井
戸層厚１０nm程度の場合、これに圧縮歪みを与えてかつ
無歪みの場合と同じ発振波長を得るためには、井戸層を
５〜６nm程度まで薄くすることが必要になる。
【０００９】しかしながら、井戸層の厚みをこの様に薄
くすることは、膜厚の制御性，均一性，界面の急峻性の
劣化をもたらし、従ってＭＱＷレーザでのキャリア閉込
め効果や光閉込め効果が低下する。このことは、ＭＱＷ
レーザの高効率化を阻害し、また光ファイバ等とのカッ
プリング性能が悪くなることを意味する。
くすることは、膜厚の制御性，均一性，界面の急峻性の
劣化をもたらし、従ってＭＱＷレーザでのキャリア閉込
め効果や光閉込め効果が低下する。このことは、ＭＱＷ
レーザの高効率化を阻害し、また光ファイバ等とのカッ
プリング性能が悪くなることを意味する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、ＭＱＷ
レーザにおいて、所望の量子効果を維持しながら、井戸
層に圧縮歪みを導入して高効率化を図ることが望まれ
る。そのために井戸層を極めて薄いものにしようとする
と、膜厚の制御性，界面の急峻性の劣化により、結果的
にＭＱＷレーザの高効率化が困難になり、また外部との
カップリング性能も劣化するという問題が生じる。
レーザにおいて、所望の量子効果を維持しながら、井戸
層に圧縮歪みを導入して高効率化を図ることが望まれ
る。そのために井戸層を極めて薄いものにしようとする
と、膜厚の制御性，界面の急峻性の劣化により、結果的
にＭＱＷレーザの高効率化が困難になり、また外部との
カップリング性能も劣化するという問題が生じる。
【００１１】本発明は、この様な事情を考慮してなされ
たもので、井戸層をそれ程薄くすることなく効果的に井
戸層に圧縮歪みを導入して高効率化を図ったＭＱＷレー
ザを提供することを目的とする。
たもので、井戸層をそれ程薄くすることなく効果的に井
戸層に圧縮歪みを導入して高効率化を図ったＭＱＷレー
ザを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、井戸層とこれ
よりバンドギャップの大きい障壁層が交互に積層された
多重量子井戸からなる活性層を持つＭＱＷレーザにおい
て、無歪み状態で前記多重量子井戸が所望の組成波長を
得るに必要な格子定数を持つ組成に対して、井戸層には
圧縮歪みが入る組成が与えられ、障壁層には引っ張り歪
みが入る組成が与えられていることを特徴とする。
よりバンドギャップの大きい障壁層が交互に積層された
多重量子井戸からなる活性層を持つＭＱＷレーザにおい
て、無歪み状態で前記多重量子井戸が所望の組成波長を
得るに必要な格子定数を持つ組成に対して、井戸層には
圧縮歪みが入る組成が与えられ、障壁層には引っ張り歪
みが入る組成が与えられていることを特徴とする。
【００１３】具体的に例えば、Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ井戸
層とＩｎy Ｇａ1-y Ａｓz Ｐ1-z 障壁層が交互に積層さ
れた多重量子井戸からなる活性層を持つＭＱＷレーザで
は、Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ井戸層にはＩｎＰより大きい格
子定数を持つ組成を与え、Ｉｎy Ｇａ1-y Ａｓz Ｐ1-z
障壁層にはＩｎＰより小さい格子定数を持つ組成を与え
る。
層とＩｎy Ｇａ1-y Ａｓz Ｐ1-z 障壁層が交互に積層さ
れた多重量子井戸からなる活性層を持つＭＱＷレーザで
は、Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ井戸層にはＩｎＰより大きい格
子定数を持つ組成を与え、Ｉｎy Ｇａ1-y Ａｓz Ｐ1-z
障壁層にはＩｎＰより小さい格子定数を持つ組成を与え
る。
【００１４】
【作用】本発明によれば、井戸層のみの組成選択によっ
て必要な圧縮歪みを導入する代りに、井戸層には圧縮歪
みが入り、障壁層には引っ張り歪みが入るようにそれぞ
れの組成を選択することにより、結果的に高効率化に必
要な実効的な圧縮歪みを井戸層に導入することができ
る。そしてこの様にすれば、井戸層に大きな組成変化を
与えることによる発振波長のずれがなくなり、したがっ
て発振波長を所望の値に設定するために井戸層を更に薄
くするという必要がなくなり、ＭＱＷ構造での膜厚の制
御性，界面の急峻性を維持することができる。
て必要な圧縮歪みを導入する代りに、井戸層には圧縮歪
みが入り、障壁層には引っ張り歪みが入るようにそれぞ
れの組成を選択することにより、結果的に高効率化に必
要な実効的な圧縮歪みを井戸層に導入することができ
る。そしてこの様にすれば、井戸層に大きな組成変化を
与えることによる発振波長のずれがなくなり、したがっ
て発振波長を所望の値に設定するために井戸層を更に薄
くするという必要がなくなり、ＭＱＷ構造での膜厚の制
御性，界面の急峻性を維持することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は、
一実施例にかかるＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系ＭＱＷの断面
構造とそのＭＱＷ部の拡大構造を示している。図示のよ
うにこのＭＱＷレーザは、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型
ＩｎＰバッファ層２、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ導波路層３、
アンドープ（ｉ型）ＭＱＷからなる活性層４、ｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰ導波路層５およびｐ型ＩｎＰクラッド層６が
順次積層されて構成されている。これらの各層は、ＭＢ
Ｅ法またはＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル成長させ
る。
一実施例にかかるＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系ＭＱＷの断面
構造とそのＭＱＷ部の拡大構造を示している。図示のよ
うにこのＭＱＷレーザは、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型
ＩｎＰバッファ層２、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ導波路層３、
アンドープ（ｉ型）ＭＱＷからなる活性層４、ｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰ導波路層５およびｐ型ＩｎＰクラッド層６が
順次積層されて構成されている。これらの各層は、ＭＢ
Ｅ法またはＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル成長させ
る。
【００１６】活性層４は、拡大して示したように、ｉ型
Ｉｎy Ｇａ1-y Ａｓz Ｐ1-z 障壁層４１とｉ型Ｉｎx Ｇ
ａ1-x Ａｓ井戸層４２が交互に、例えば３〜５対積層形
成されたＭＱＷ構造を有する。ここで、Ｉｎx Ｇａ1-x
Ａｓ井戸層４２の組成比ｘは、ＩｎＰの格子定数（すな
わち、Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓの格子定数）をａとしたと
きに、これからの格子定数のずれΔａ／ａが＋０．１〜
＋１．０［％］となるように、設定されている。これ
は、ＩｎＰ層上に成長させた時に僅かに圧縮歪みが入る
組成である。一方、Ｉｎy Ｇａ1-y Ａｓz Ｐ1-z 障壁層
４１の組成比ｙ，ｚは、Δａ／ａが−０．２〜−２．０
［％］となるように設定されている。これはＩｎＰ層上
に成長させた時に引っ張り歪みが入る組成である。
Ｉｎy Ｇａ1-y Ａｓz Ｐ1-z 障壁層４１とｉ型Ｉｎx Ｇ
ａ1-x Ａｓ井戸層４２が交互に、例えば３〜５対積層形
成されたＭＱＷ構造を有する。ここで、Ｉｎx Ｇａ1-x
Ａｓ井戸層４２の組成比ｘは、ＩｎＰの格子定数（すな
わち、Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓの格子定数）をａとしたと
きに、これからの格子定数のずれΔａ／ａが＋０．１〜
＋１．０［％］となるように、設定されている。これ
は、ＩｎＰ層上に成長させた時に僅かに圧縮歪みが入る
組成である。一方、Ｉｎy Ｇａ1-y Ａｓz Ｐ1-z 障壁層
４１の組成比ｙ，ｚは、Δａ／ａが−０．２〜−２．０
［％］となるように設定されている。これはＩｎＰ層上
に成長させた時に引っ張り歪みが入る組成である。
【００１７】この実施例の構成とすれば、井戸層をそれ
程Ｉｎリッチにすることなく、ＭＱＷの井戸層に実効的
に大きな圧縮歪みが入った状態が得られる。換言すれ
ば、発振波長の大きなシフトを伴うことなく、圧縮歪み
を導入してＭＱＷレーザの高出力化を図ることができ
る。そして発振波長のシフトが小さいから、所望の発振
波長を得るために井戸層を極端に薄くするといった必要
がなくなり、ＭＱＷ部の膜厚の制御性，界面の急峻性の
劣化を防止することができる。
程Ｉｎリッチにすることなく、ＭＱＷの井戸層に実効的
に大きな圧縮歪みが入った状態が得られる。換言すれ
ば、発振波長の大きなシフトを伴うことなく、圧縮歪み
を導入してＭＱＷレーザの高出力化を図ることができ
る。そして発振波長のシフトが小さいから、所望の発振
波長を得るために井戸層を極端に薄くするといった必要
がなくなり、ＭＱＷ部の膜厚の制御性，界面の急峻性の
劣化を防止することができる。
【００１８】本発明は上記実施例に限られない。例え
ば、基板１をｐ型ＩｎＰとすることも出来る。この場合
には、ＩｎＰバッファ層２をｐ型、その上のＩｎＧａＡ
ｓＰ導波路層３をｐ型、活性層４上のＩｎＧａＡｓＰ導
波路層５をｎ型、ＩｎＰクラッド層６をｎ型とすればよ
い。また本発明は、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系以外の材料
系によるＭＱＷレーザにも同様に適用することが可能で
ある。
ば、基板１をｐ型ＩｎＰとすることも出来る。この場合
には、ＩｎＰバッファ層２をｐ型、その上のＩｎＧａＡ
ｓＰ導波路層３をｐ型、活性層４上のＩｎＧａＡｓＰ導
波路層５をｎ型、ＩｎＰクラッド層６をｎ型とすればよ
い。また本発明は、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系以外の材料
系によるＭＱＷレーザにも同様に適用することが可能で
ある。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、大
きな発振波長シフトを伴うことなく、したがって井戸層
の厚みを極端に薄くすることなく、ＭＱＷ構造に所望の
歪みを導入してＭＱＷレーザの高出力化を図ることがで
きる。
きな発振波長シフトを伴うことなく、したがって井戸層
の厚みを極端に薄くすることなく、ＭＱＷ構造に所望の
歪みを導入してＭＱＷレーザの高出力化を図ることがで
きる。
【図１】 本発明の実施例に係るＭＱＷレーザの構成を
示す図である。
示す図である。
【図２】 歪みによるバンド構造の変化を示す図であ
る。
る。
１…ｎ型ＩｎＰ基板、２…ｎ型ＩｎＰバッファ層、３…
ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ導波路層、４…ＭＱＷ活性層、４１
…ｉ型Ｉｎy Ｇａ1-y Ａｓz Ｐ1-z 障壁層、４２…ｉ型
Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ井戸層、５…ｐ型ＩｎＧａＡｓ導波
路層、６…ｐ型ＩｎＰクラッド層。
ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ導波路層、４…ＭＱＷ活性層、４１
…ｉ型Ｉｎy Ｇａ1-y Ａｓz Ｐ1-z 障壁層、４２…ｉ型
Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ井戸層、５…ｐ型ＩｎＧａＡｓ導波
路層、６…ｐ型ＩｎＰクラッド層。
Claims (2)
- 【請求項１】 井戸層とこれよりバンドギャップの大き
い障壁層が交互に積層された多重量子井戸からなる活性
層を持つ多重量子井戸半導体レーザにおいて、無歪み状
態で前記多重量子井戸が所望の組成波長を得るに必要な
格子定数を持つ組成に対して、井戸層には圧縮歪みが入
る組成が与えられ、障壁層には引っ張り歪みが入る組成
が与えられていることを特徴とする多重量子井戸半導体
レーザ。 - 【請求項２】 第１導電型のＩｎＰ基板と、このＩｎＰ
基板上に形成されたＩｎX Ｇａ1-X Ａｓ井戸層とＩｎy
Ｇａ1-y Ａｓz Ｐ1-z 障壁層が交互に積層された多重量
子井戸からなる活性層と、この活性層上に形成された第
２導電型のＩｎＰクラッド層とを有する多重量子井戸半
導体レーザにおいて、前記ＩｎX Ｇａ1-X Ａｓ井戸層は
ＩｎＰより大きい格子定数を持つ組成が与えられ、前記
Ｉｎy Ｇａ1-y Ａｓz Ｐ1-z 障壁層はＩｎＰより小さい
格子定数を持つ組成が与えられていることを特徴とする
多重量子井戸半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35514991A JPH05175601A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 多重量子井戸半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35514991A JPH05175601A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 多重量子井戸半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175601A true JPH05175601A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18442232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35514991A Pending JPH05175601A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 多重量子井戸半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175601A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5694410A (en) * | 1996-03-01 | 1997-12-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| JP2011187826A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
| CN111404028A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-10 | 北京光谱瑞科技有限公司 | 一种基于宽谱外延生长结构的激光器件 |
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