JPH05114567A - 縦型拡散、cvd装置 - Google Patents
縦型拡散、cvd装置Info
- Publication number
- JPH05114567A JPH05114567A JP30235891A JP30235891A JPH05114567A JP H05114567 A JPH05114567 A JP H05114567A JP 30235891 A JP30235891 A JP 30235891A JP 30235891 A JP30235891 A JP 30235891A JP H05114567 A JPH05114567 A JP H05114567A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitrogen gas
- cell
- compartment
- boat
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】ウェーハの自然酸化を防止するのに構造の頑丈
な真空容器を設けることなく、常圧での窒素ガスの置換
でウェーハの酸化を防止しようとするものである。 【構成】反応室下方に常圧気密構造の隔室を形成し、該
隔室にボート装入装置を収納せしめると共に該隔室にシ
ャッタを設けて隔室を開閉可能とし、該隔室に窒素ガス
供給管、排気管を接続して、前記隔室内を常圧で窒素ガ
スに置換可能とする。
な真空容器を設けることなく、常圧での窒素ガスの置換
でウェーハの酸化を防止しようとするものである。 【構成】反応室下方に常圧気密構造の隔室を形成し、該
隔室にボート装入装置を収納せしめると共に該隔室にシ
ャッタを設けて隔室を開閉可能とし、該隔室に窒素ガス
供給管、排気管を接続して、前記隔室内を常圧で窒素ガ
スに置換可能とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェーハを処
理して半導体素子を製造する縦型拡散、CVD装置に関
するものである。
理して半導体素子を製造する縦型拡散、CVD装置に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の縦型拡散、CVD装置は、ロード
ロック室、該ロードロック室の上部に反応炉、ウェーハ
が装填されたカセットを授受し、且一時保持する為のカ
セット棚等からなり、これらは筐体内に収納された構造
となっている。又、前記ロードロック室にはウェーハが
装填されたボートを前記反応炉に装入、取出すボート昇
降装置等のウェーハ搬送装置を内蔵している。
ロック室、該ロードロック室の上部に反応炉、ウェーハ
が装填されたカセットを授受し、且一時保持する為のカ
セット棚等からなり、これらは筐体内に収納された構造
となっている。又、前記ロードロック室にはウェーハが
装填されたボートを前記反応炉に装入、取出すボート昇
降装置等のウェーハ搬送装置を内蔵している。
【0003】斯かる縦型拡散、CVD装置に於いて、前
記反応炉で処理されたウェーハを拡散炉より大気中に取
出した場合、ウェーハが高温の為自然酸化する。従っ
て、従来の縦型拡散、CVD装置では前記ロードロック
室を真空容器とし、該ロードロック室を真空状態として
ウェーハの装入、取出しを行い、更に前記ロードロック
室に窒素ガスを充満させ、ロードロック室を大気圧とし
た後、縦型拡散、CVD装置から外部にウェーハを取出
していた。
記反応炉で処理されたウェーハを拡散炉より大気中に取
出した場合、ウェーハが高温の為自然酸化する。従っ
て、従来の縦型拡散、CVD装置では前記ロードロック
室を真空容器とし、該ロードロック室を真空状態として
ウェーハの装入、取出しを行い、更に前記ロードロック
室に窒素ガスを充満させ、ロードロック室を大気圧とし
た後、縦型拡散、CVD装置から外部にウェーハを取出
していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前記したロードロック
室はウェーハが装填されたボートを前記拡散炉に装入、
取出すボート昇降装置を内蔵する等、比較的大容積であ
り、斯かるロードロック室を真空容器とするには、板厚
の厚い、而も構造上の制約から大型化せざるを得ず、製
作費も高価なものとなっていた。
室はウェーハが装填されたボートを前記拡散炉に装入、
取出すボート昇降装置を内蔵する等、比較的大容積であ
り、斯かるロードロック室を真空容器とするには、板厚
の厚い、而も構造上の制約から大型化せざるを得ず、製
作費も高価なものとなっていた。
【0005】本発明は斯かる実情に鑑み、特に真空容器
を設けることなく、窒素ガスの置換でウェーハの酸化を
防止しようとするものである。
を設けることなく、窒素ガスの置換でウェーハの酸化を
防止しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応室下方に
常圧気密構造の隔室を形成し、該隔室にボート装入装置
を収納せしめると共に該隔室にシャッタを設けて隔室を
開閉可能とし、該隔室に窒素ガス供給管、排気管を接続
して、前記隔室内を常圧で窒素ガスに置換可能としたこ
とを特徴とするものである。
常圧気密構造の隔室を形成し、該隔室にボート装入装置
を収納せしめると共に該隔室にシャッタを設けて隔室を
開閉可能とし、該隔室に窒素ガス供給管、排気管を接続
して、前記隔室内を常圧で窒素ガスに置換可能としたこ
とを特徴とするものである。
【0007】
【作用】隔室内を常圧で窒素ガスに置換することで、隔
室内の酸素濃度を100〜20ppm に保持し得、実用上
支障ない濃度とすることができる。
室内の酸素濃度を100〜20ppm に保持し得、実用上
支障ない濃度とすることができる。
【0008】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【0009】図1は本発明に係る縦型拡散、CVD装置
の概略図であり、図中1は筐体を示し、該筐体1内部に
ボート装入装置2を収納する隔室3が形成され、該隔室
3の上方には反応炉4が設けられている。該隔室3は例
えば、各面にパネルを嵌込んだ如き構成であり、又各パ
ネルの接合部はゴム等のシール材でシールする。
の概略図であり、図中1は筐体を示し、該筐体1内部に
ボート装入装置2を収納する隔室3が形成され、該隔室
3の上方には反応炉4が設けられている。該隔室3は例
えば、各面にパネルを嵌込んだ如き構成であり、又各パ
ネルの接合部はゴム等のシール材でシールする。
【0010】前記ボート装入装置2は、ボートエレベー
タ5にウェーハを多段に保持するボート6を載置するも
のであり、前記隔室3と反応炉4との間にはゲートバル
ブ7が設けられ、該隔室3の側壁にはシャッタ8が設け
られている。
タ5にウェーハを多段に保持するボート6を載置するも
のであり、前記隔室3と反応炉4との間にはゲートバル
ブ7が設けられ、該隔室3の側壁にはシャッタ8が設け
られている。
【0011】該シャッタ8を挾み、前記ボート装入装置
2に対向してウェーハ移載機9が設けられ、更に該ウェ
ーハ移載機9に隣接してカセット収納室10が設けられ
ている。
2に対向してウェーハ移載機9が設けられ、更に該ウェ
ーハ移載機9に隣接してカセット収納室10が設けられ
ている。
【0012】前記ウェーハ移載機9は、昇降可能な昇降
ブロック11と、該昇降ブロック11に設けられウェー
ハ12を水平方向に移動させる搬送ユニット13とから
成り、該ウェーハ移載機9により前記カセット収納室1
0に収納したカセツト14からウェーハ12を1枚ずつ
前記ボート6に移載する様になっている。
ブロック11と、該昇降ブロック11に設けられウェー
ハ12を水平方向に移動させる搬送ユニット13とから
成り、該ウェーハ移載機9により前記カセット収納室1
0に収納したカセツト14からウェーハ12を1枚ずつ
前記ボート6に移載する様になっている。
【0013】前記隔室3には窒素ガス供給管15が設け
られており、該窒素ガス供給管15は図示しない窒素ガ
ス供給源に接続されている。又、前記隔室3には排気管
16を接続し、該排気管16には開閉弁17を設ける。
られており、該窒素ガス供給管15は図示しない窒素ガ
ス供給源に接続されている。又、前記隔室3には排気管
16を接続し、該排気管16には開閉弁17を設ける。
【0014】以下、作動を説明する。
【0015】本実施例では、ウェーハ12処理時、或は
ボート6の取出し時には前記シャッタ8を閉じ、前記開
閉弁17を開け、前記窒素ガス供給管15より窒素ガス
を供給しつつ前記排気管16より排気して前記隔室3の
内部を窒素ガスに置換する。ここで、隔室3内部の圧力
は、常圧とする。
ボート6の取出し時には前記シャッタ8を閉じ、前記開
閉弁17を開け、前記窒素ガス供給管15より窒素ガス
を供給しつつ前記排気管16より排気して前記隔室3の
内部を窒素ガスに置換する。ここで、隔室3内部の圧力
は、常圧とする。
【0016】而して、前記した様に隔室3は常圧環境で
は、密閉構造であり、該隔室3の酸素ガス濃度100〜
20ppm が容易に達せられ、処理後のウェーハ12の自
然酸化を防止するに充分な環境とすることができる。
は、密閉構造であり、該隔室3の酸素ガス濃度100〜
20ppm が容易に達せられ、処理後のウェーハ12の自
然酸化を防止するに充分な環境とすることができる。
【0017】ウェーハ12の処理が終り、ボートエレベ
ータ5で前期ボートを取り出し、前期隔室3で所要時間
待機させる。
ータ5で前期ボートを取り出し、前期隔室3で所要時間
待機させる。
【0018】又、前記隔室3を開放しウェーハ12を待
機する場合は、前記ゲートバルブ7で反応炉4を閉塞し
た状態で、前記シャッタ8を開き、更に前記した様にウ
ェーハ移載機9によるウェーハの移載を行う。
機する場合は、前記ゲートバルブ7で反応炉4を閉塞し
た状態で、前記シャッタ8を開き、更に前記した様にウ
ェーハ移載機9によるウェーハの移載を行う。
【0019】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、前記隔
室を常圧構造とすればよいので構造が著しく簡単とな
り、装置の製造コストを大幅に低減することができる。
室を常圧構造とすればよいので構造が著しく簡単とな
り、装置の製造コストを大幅に低減することができる。
【図1】本発明の一実施例示す概略図である。
【符号の説明】 1 筐体 3 隔室 8 シャッタ
Claims (1)
- 【請求項1】 反応室下方に常圧気密構造の隔室を形成
し、該隔室にボート装入装置を収納せしめると共に該隔
室にシャッタを設けて隔室を開閉可能とし、該隔室に窒
素ガス供給管、排気管を接続して、前記隔室内を常圧で
窒素ガスに置換可能としたことを特徴とする縦型拡散、
CVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30235891A JPH05114567A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 縦型拡散、cvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30235891A JPH05114567A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 縦型拡散、cvd装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05114567A true JPH05114567A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17907945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30235891A Pending JPH05114567A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 縦型拡散、cvd装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05114567A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5788448A (en) * | 1994-12-08 | 1998-08-04 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus |
-
1991
- 1991-10-22 JP JP30235891A patent/JPH05114567A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5788448A (en) * | 1994-12-08 | 1998-08-04 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6352403B1 (en) | Controlled environment enclosure and mechanical interface | |
JP3218488B2 (ja) | 処理装置 | |
US6883539B2 (en) | Wafer container | |
US5746008A (en) | Electronic substrate processing system using portable closed containers | |
KR0182593B1 (ko) | 반도체 제조장치 | |
KR100298764B1 (ko) | 가반식 밀폐 컨테이너용 가스퍼지 유니트 | |
JPH05286567A (ja) | クリーンルーム用密閉式コンテナ | |
WO2004007318A2 (en) | Loadport apparatus and method for use thereof | |
JPH07297257A (ja) | 処理装置 | |
JP2000150613A (ja) | 被処理体の搬送装置 | |
JPH05114567A (ja) | 縦型拡散、cvd装置 | |
JP3355697B2 (ja) | 可搬式密閉コンテナおよびガスパージステーション | |
JP3176104B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
JP3252456B2 (ja) | 密閉コンテナのガスパージ方法およびその装置 | |
JPH05114568A (ja) | 縦型拡散、cvd装置 | |
JP2001230300A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH10144766A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP3176153B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH0648507A (ja) | 密閉コンテナのガスパージ方法 | |
JP3240698B2 (ja) | 可搬式密閉コンテナのパージステーション | |
JP3608065B2 (ja) | 縦型熱処理装置およびそのボートと保温筒のメンテナンス方法 | |
JP2004023032A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP3175231B2 (ja) | 機械式インターフェース装置 | |
EP0596536A1 (en) | Transport system and method of using same | |
JPH06198160A (ja) | 真空容器並びに該真空容器を用いた真空処理方法及び装置 |