JP3176104B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP3176104B2 JP3176104B2 JP30235991A JP30235991A JP3176104B2 JP 3176104 B2 JP3176104 B2 JP 3176104B2 JP 30235991 A JP30235991 A JP 30235991A JP 30235991 A JP30235991 A JP 30235991A JP 3176104 B2 JP3176104 B2 JP 3176104B2
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- Japan
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- cassette
- housing
- nitrogen gas
- cassette storage
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェーハを処
理して半導体素子を製造する縦型拡散、ＣＶＤ装置等の
半導体製造装置に関するものである。
理して半導体素子を製造する縦型拡散、ＣＶＤ装置等の
半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の縦型拡散、ＣＶＤ装置は、ロード
ロック室、該ロードロック室の上部に反応炉、ウェーハ
が装填されたカセットを授受し、且一時保持する為のカ
セット棚等からなり、これらは筐体内に収納された構造
となっている。又、前記ロードロック室にはウェーハが
装填されたボートを前記反応炉に装入、取出すボート昇
降装置等のウェーハ搬送装置を内蔵している。
ロック室、該ロードロック室の上部に反応炉、ウェーハ
が装填されたカセットを授受し、且一時保持する為のカ
セット棚等からなり、これらは筐体内に収納された構造
となっている。又、前記ロードロック室にはウェーハが
装填されたボートを前記反応炉に装入、取出すボート昇
降装置等のウェーハ搬送装置を内蔵している。
【０００３】斯かる縦型拡散、ＣＶＤ装置に於いて、前
記反応炉で処理されたウェーハを反応炉より大気中に取
出した場合、ウェーハが高温の為自然酸化する。従っ
て、従来の縦型拡散、ＣＶＤ装置では前記ロードロック
室を真空容器とし、該ロードロック室を真空状態として
ウェーハの装入、取出しを行い、更に前記ロードロック
室に窒素ガスを充満させ、ロードロック室を大気圧とし
た後、縦型拡散、ＣＶＤ装置から外部にウェーハを取出
していた。
記反応炉で処理されたウェーハを反応炉より大気中に取
出した場合、ウェーハが高温の為自然酸化する。従っ
て、従来の縦型拡散、ＣＶＤ装置では前記ロードロック
室を真空容器とし、該ロードロック室を真空状態として
ウェーハの装入、取出しを行い、更に前記ロードロック
室に窒素ガスを充満させ、ロードロック室を大気圧とし
た後、縦型拡散、ＣＶＤ装置から外部にウェーハを取出
していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記したロードロック
室はウェーハが装填されたボートを前記反応炉に装入、
取出すボート昇降装置を内蔵する等、比較的大容積であ
り、斯かるロードロック室を真空容器とするには、板厚
の厚い、而も構造上の制約から大型化せざるを得ず、製
作費も高価なものとなっていた。
室はウェーハが装填されたボートを前記反応炉に装入、
取出すボート昇降装置を内蔵する等、比較的大容積であ
り、斯かるロードロック室を真空容器とするには、板厚
の厚い、而も構造上の制約から大型化せざるを得ず、製
作費も高価なものとなっていた。
【０００５】又、上記した従来のものでは、ロードロッ
ク室に移載する前の待機中のウェーハの自然酸化、或は
処理後縦型拡散、ＣＶＤ装置より搬送する迄の待機中で
の自然酸化を防止することができなかった。
ク室に移載する前の待機中のウェーハの自然酸化、或は
処理後縦型拡散、ＣＶＤ装置より搬送する迄の待機中で
の自然酸化を防止することができなかった。
【０００６】本発明は斯かる実情に鑑み、特に真空容器
を設けることなく、窒素ガスの置換でウェーハの酸化を
防止し、更に大気中での自然酸化を防止しようとするも
のである。
を設けることなく、窒素ガスの置換でウェーハの酸化を
防止し、更に大気中での自然酸化を防止しようとするも
のである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応炉と、カ
セット収納部と、ウェーハ保持部材と、該ウェーハ保持
部材と前記カセット収納部に収納されたカセットとの間
でウェーハを移載するウェーハ移載機と、バッファカセ
ット収納室とを筐体内に設け、前記バッファカセット収
納室の内部を窒素ガスにより置換可能とした半導体製造
装置に係り、又、反応炉と、カセット収納部と、ボート
と前記カセット収納部に載置されたカセットとの間でウ
ェーハを移載するウェーハ移載機と、バッファカセット
収納室とを筐体内に設け、該筐体にカセットを搬入する
為の開口と、該開口を閉塞するシャッタとを設け、前記
バッファカセット収納室の内部を窒素ガスにより置換可
能とした半導体製造装置に係り、更に、前記筐体内部を
窒素ガスにより置換可能とした半導体製造装置に係るも
のである。
セット収納部と、ウェーハ保持部材と、該ウェーハ保持
部材と前記カセット収納部に収納されたカセットとの間
でウェーハを移載するウェーハ移載機と、バッファカセ
ット収納室とを筐体内に設け、前記バッファカセット収
納室の内部を窒素ガスにより置換可能とした半導体製造
装置に係り、又、反応炉と、カセット収納部と、ボート
と前記カセット収納部に載置されたカセットとの間でウ
ェーハを移載するウェーハ移載機と、バッファカセット
収納室とを筐体内に設け、該筐体にカセットを搬入する
為の開口と、該開口を閉塞するシャッタとを設け、前記
バッファカセット収納室の内部を窒素ガスにより置換可
能とした半導体製造装置に係り、更に、前記筐体内部を
窒素ガスにより置換可能とした半導体製造装置に係るも
のである。
【０００８】
【作用】筐体、バッファカセット収納室内部を窒素ガス
により置換することで、ウェーハの移載、待機中での自
然酸化を防止できる。
により置換することで、ウェーハの移載、待機中での自
然酸化を防止できる。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１０】図１は本発明に係る縦型拡散、ＣＶＤ装置
の概略図であり、図中１は筐体を示し、該筐体１内部に
ボート装入装置２を収納する隔室３が形成され、該隔室
３の上方には反応炉４が設けられている。前記筐体１、
隔室３は例えば、各面にパネルを嵌込んだ如き構成であ
り、又各パネルの接合部はゴム等のシール材でシール
し、常圧環境で密閉構造とする。
の概略図であり、図中１は筐体を示し、該筐体１内部に
ボート装入装置２を収納する隔室３が形成され、該隔室
３の上方には反応炉４が設けられている。前記筐体１、
隔室３は例えば、各面にパネルを嵌込んだ如き構成であ
り、又各パネルの接合部はゴム等のシール材でシール
し、常圧環境で密閉構造とする。
【００１１】前記ボート装入装置２はボートエレベータ
５にウェーハを多段に保持するボート６を載置するもの
であり、前記隔室３と反応炉４との間にはゲートバルブ
７が設けられ、該隔室３の側壁にはシャッタ８が設けら
れている。
５にウェーハを多段に保持するボート６を載置するもの
であり、前記隔室３と反応炉４との間にはゲートバルブ
７が設けられ、該隔室３の側壁にはシャッタ８が設けら
れている。
【００１２】該シャッタ８を挾み、前記ボート装入装置
２に対向してウェーハ移載機９が設けられ、更に該ウェ
ーハ移載機９に隣接してカセット収納室１０が設けられ
ている。
２に対向してウェーハ移載機９が設けられ、更に該ウェ
ーハ移載機９に隣接してカセット収納室１０が設けられ
ている。
【００１３】前記ウェーハ移載機９は、昇降可能な昇降
ブロック１１と、該昇降ブロック１１に設けられウェー
ハ１２を水平方向に移動させる搬送ユニット１３とから
成り、該ウェーハ移載機９により前記カセット収納室１
０に収納したカセット１４からウェーハ１２を１枚ずつ
前記ボート６に移載する様になっている。
ブロック１１と、該昇降ブロック１１に設けられウェー
ハ１２を水平方向に移動させる搬送ユニット１３とから
成り、該ウェーハ移載機９により前記カセット収納室１
０に収納したカセット１４からウェーハ１２を１枚ずつ
前記ボート６に移載する様になっている。
【００１４】前記筐体１の前記カセット収納室１０に対
峙する位置に、シャッタ２２を設ける。又、前記筐体１
に窒素ガス供給管２３が設けられており、該窒素ガス供
給管２３は図示しない窒素ガス供給源に接続されてい
る。前記筐体１には排気管２４を接続し、該排気管２４
には開閉弁２５を設ける。
峙する位置に、シャッタ２２を設ける。又、前記筐体１
に窒素ガス供給管２３が設けられており、該窒素ガス供
給管２３は図示しない窒素ガス供給源に接続されてい
る。前記筐体１には排気管２４を接続し、該排気管２４
には開閉弁２５を設ける。
【００１５】前記隔室３には窒素ガス供給管１５が設け
られており、該窒素ガス供給管１５は図示しない窒素ガ
ス供給源に接続されている。又、前記隔室３には排気管
１６を接続し、該排気管１６には開閉弁１７を設ける。
られており、該窒素ガス供給管１５は図示しない窒素ガ
ス供給源に接続されている。又、前記隔室３には排気管
１６を接続し、該排気管１６には開閉弁１７を設ける。
【００１６】又、前記カセット収納室１０に隣接してバ
ッファカセット収納室１８を昇降可能に設け、該バッフ
ァカセット収納室１８は常圧環境で密閉構造とし、又シ
ャッタ１９により開閉可能とする。前記バッファカセッ
ト収納室１８には窒素ガス供給管２０、排気管２１を接
続し、該排気管２１には開閉弁２６を設ける。
ッファカセット収納室１８を昇降可能に設け、該バッフ
ァカセット収納室１８は常圧環境で密閉構造とし、又シ
ャッタ１９により開閉可能とする。前記バッファカセッ
ト収納室１８には窒素ガス供給管２０、排気管２１を接
続し、該排気管２１には開閉弁２６を設ける。
【００１７】以下、作動を説明する。
【００１８】ウェーハ１２が装填されたカセット１４
は、前記カセット収納室１０に収納される。この状態
で、前記シャッタ２２が閉塞され前記筐体１が密閉状態
になる。
は、前記カセット収納室１０に収納される。この状態
で、前記シャッタ２２が閉塞され前記筐体１が密閉状態
になる。
【００１９】開閉弁２５を開き窒素ガス供給管２３より
窒素ガスを供給して筐体１内を窒素ガスに置換し、又前
記シャッタ１９を閉じ、開閉弁２６を開いて窒素ガス供
給管２０より窒素ガスを供給してバッファカセット収納
室１８内を窒素ガスで置換する。
窒素ガスを供給して筐体１内を窒素ガスに置換し、又前
記シャッタ１９を閉じ、開閉弁２６を開いて窒素ガス供
給管２０より窒素ガスを供給してバッファカセット収納
室１８内を窒素ガスで置換する。
【００２０】更に、前記シャッタ８を閉じ、前記開閉弁
１７を開け、前記窒素ガス供給管１５より窒素ガスを供
給しつつ前記排気管１６より排気して前記隔室３の内部
を窒素ガス置換する。ここで、前記筐体１、バッファカ
セット収納室１８、隔室３内部の圧力は、常圧とする。
１７を開け、前記窒素ガス供給管１５より窒素ガスを供
給しつつ前記排気管１６より排気して前記隔室３の内部
を窒素ガス置換する。ここで、前記筐体１、バッファカ
セット収納室１８、隔室３内部の圧力は、常圧とする。
【００２１】而して、前記した様に筐体１、隔室３、バ
ッファカセット収納室１８は常圧環境では、密閉構造で
あり、該隔室３の酸素ガス濃度１００〜２０ppm が容易
に達せられ、処理前、処理後の待機状態での自然酸化を
防止するに充分な環境とすることができる。
ッファカセット収納室１８は常圧環境では、密閉構造で
あり、該隔室３の酸素ガス濃度１００〜２０ppm が容易
に達せられ、処理前、処理後の待機状態での自然酸化を
防止するに充分な環境とすることができる。
【００２２】而して、ウェーハ１２の処理を行う場合
は、前記シャッタ８を開き、前記ウェーハ移載機９で前
記カセット収納室１０に収納されているカセット１４の
ウェーハ１２を順次前記ボート６へ移載する。次に前記
ゲートバルブ７を開き、該ボート６を前記反応炉４に装
入する。
は、前記シャッタ８を開き、前記ウェーハ移載機９で前
記カセット収納室１０に収納されているカセット１４の
ウェーハ１２を順次前記ボート６へ移載する。次に前記
ゲートバルブ７を開き、該ボート６を前記反応炉４に装
入する。
【００２３】ウェーハ１２の処理が終り、ボートエレベ
ータ５で前記ボート６を取出し、前記隔室３の内部で所
要時間経過した後前記シャッタ８を開け、前記ウェーハ
移載機９により、前記バッファカセット収納室１８のカ
セット１４にウェーハ１２を移載し、移載が完了すると
前記シャッタ１９を閉じて所要時間待機させる。
ータ５で前記ボート６を取出し、前記隔室３の内部で所
要時間経過した後前記シャッタ８を開け、前記ウェーハ
移載機９により、前記バッファカセット収納室１８のカ
セット１４にウェーハ１２を移載し、移載が完了すると
前記シャッタ１９を閉じて所要時間待機させる。
【００２４】ウェーハ１２処理後の一連の作動が完了す
ると前記シャッタ２２を開き、前記カセット収納室１０
にウェーハ１２が装填されたカセット１４を収納させ
る。
ると前記シャッタ２２を開き、前記カセット収納室１０
にウェーハ１２が装填されたカセット１４を収納させ
る。
【００２５】ここで、前記シャッタ２２の開放で筐体１
内の窒素ガス雰囲気が壊れるが、前記バッファカセット
収納室１８は密閉された窒素ガス雰囲気を保持している
ので前記バッファカセット収納室１８に収納されたウェ
ーハ１２は自然酸化から保護される。
内の窒素ガス雰囲気が壊れるが、前記バッファカセット
収納室１８は密閉された窒素ガス雰囲気を保持している
ので前記バッファカセット収納室１８に収納されたウェ
ーハ１２は自然酸化から保護される。
【００２６】而して、上記一連の動作を繰返せばウェー
ハ１２の処理が反復継続される。
ハ１２の処理が反復継続される。
【００２７】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、筐体、
バッファカセット収納室の内部を窒素ガスで置換するの
で待機中、移載中のウェーハの自然酸化を防止し得、製
品品質を向上させることができると共に筐体、バッファ
カセット収納室を常圧気密構造とするので構造が著しく
簡単となり、装置の製造コストを大幅に低減することが
できる。
バッファカセット収納室の内部を窒素ガスで置換するの
で待機中、移載中のウェーハの自然酸化を防止し得、製
品品質を向上させることができると共に筐体、バッファ
カセット収納室を常圧気密構造とするので構造が著しく
簡単となり、装置の製造コストを大幅に低減することが
できる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略図である。
１ 筐体 ２ ボート装入装置 ３ 隔室 ４ 反応炉 ９ ウェーハ移載機 １０ カセット収納室 １２ ウェーハ １８ バッファカセット収納室
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/22 - 21/24 H01L 21/31 H01L 21/365 H01L 21/38 - 21/40 H01L 21/469 H01L 21/86
Claims (3)
- 【請求項１】 反応炉と、カセット収納部と、ウェーハ
保持部材と、該ウェーハ保持部材と前記カセット収納部
に収納されたカセットとの間でウェーハを移載するウェ
ーハ移載機と、バッファカセット収納室とを筐体内に設
け、前記バッファカセット収納室の内部を窒素ガスによ
り置換可能としたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 反応炉と、カセット収納部と、ボートと
前記カセット収納部に載置されたカセットとの間でウェ
ーハを移載するウェーハ移載機と、バッファカセット収
納室とを筐体内に設け、該筐体にカセットを搬入する為
の開口と、該開口を閉塞するシャッタとを設け、前記バ
ッファカセット収納室の内部を窒素ガスにより置換可能
としたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記筐体内部を窒素ガスにより置換可能
とした請求項１又は請求項２の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30235991A JP3176104B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30235991A JP3176104B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 半導体製造装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000386886A Division JP2001230300A (ja) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677152A JPH0677152A (ja) | 1994-03-18 |
| JP3176104B2 true JP3176104B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=17907956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30235991A Expired - Lifetime JP3176104B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3176104B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08213446A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-08-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| US6218045B1 (en) | 1997-11-07 | 2001-04-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Sealed lead-acid storage battery |
-
1991
- 1991-10-22 JP JP30235991A patent/JP3176104B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 水品，「縦型拡散／ＬＰ ＣＶＤシステム」，電子材料，工業調査会，１９８９年３月号，ｐ３７−４２ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0677152A (ja) | 1994-03-18 |
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Legal Events
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