JPH0493837A - 異物検査装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

異物検査装置、及び半導体装置の製造方法

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JPH0493837A
JPH0493837A JP2207755A JP20775590A JPH0493837A JP H0493837 A JPH0493837 A JP H0493837A JP 2207755 A JP2207755 A JP 2207755A JP 20775590 A JP20775590 A JP 20775590A JP H0493837 A JPH0493837 A JP H0493837A
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JP
Japan
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foreign matter
photomask
pellicle
inspection
foreign
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Pending
Application number
JP2207755A
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English (en)
Inventor
Hiroo Sato
浩男 佐藤
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH0493837A publication Critical patent/JPH0493837A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、フォトマスク及びペリクル表面の異物の検査
に関する。
[従来の技術] 従来の技術は、試料の被検査面上に斜め方向からレーザ
ービームを照射し、被検査面上を走査させる。この入射
光が被検査面上に付着した異物により散乱する光を光電
子増倍管で検出し、散乱光の強度で異物の大きさをもと
める。
しかし、異物が微小である場合、散乱光の強度が十分で
なく異物を検出できないことがある。そこで、繰り返し
検査を行いデータの積算を行うことにより高検出率で異
物を検出している。
[発明が解決しようとする課題及び目的コフォトマスク
上とペリクル上では、問題となる異物の粒径のサイズが
ちがっている。これは、フォトマスクのCrパターン面
とペリクル表面の間はペリクル枠によって数ミリ隔たっ
ているため、投影露光時に焦点位置がフォトマスクのC
r面に有る場合、ペリクル上の異物は転写しにくいため
である。このため、間眩となる異物のサイズは、フォト
マスク上では1ミクロン以上であるのに対してペリクル
上では数十ミクロンとなる。
しかし、従来の技術では、検査面に対して積算回数を任
意に設定できないため微小な異物が問題となるフォトマ
スク上の異物に合わせて積算回数を設定しなければなら
ない。
このため、ペリクル面に対しても同一の積算回数で検査
を行ってしまい無駄な検査おこなっていたと同時に検査
時間もかがっていた。
また、フォトマスク、及びペリクルの異物検査が終了す
るまでに製品の流動を停止しなければならず、露光装置
の稼動率も低下する。
そこで本発明は、この様な問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、フォトマスク及びペリクル面の
検査条件における積算回数を適切に設定できる異物検査
装置を提供するところにある。
[課題を解決するための手段] (1)本発明の異物検査装置は、フォトマスク、及フォ
トマスクに装着されたペリクル表面の異物を検査する時
に、異物について検出率を高めるために、繰り返し検査
を行い、データを積算する機能を有する異物検査装置に
おいて、繰り返し検査の回数を検査面に対して、任意に
設定可能なことを特徴とする。
(2)本発明の半導体装置の製造方法は、フォトマスク
、及びフォトマスクに装着されたペリクル表面の異物を
検査する時に、請求項1記載の異物検査装置を用いるこ
とを特徴とする。
[実施例コ 本発明では、異物検査の際に試料の被検査面に斜め方向
からレーザービームを照射し被検査面上を走査させ入射
光が被検査面上の異物により散乱する光を光電子増倍管
で検出し、散乱光の強度で異物の大きさをもとめ、また
、異物とフォトマスク上のCrパターンとの識別方法は
、偏光させたレーザービームを照射したときCrパター
ンからの反射波の振動面(電界ベクトル)が90度回転
しているため、90度回転した反射波をフィルターによ
り除去し、異物からの反射波のみを受光し識別するタイ
プの異物検査装置において、異物の検出率を高めるため
に繰り返し検査を行いデータを積算を行う時に、第2図
のフォトマスク上の異物とペリクル上の異物の積算回数
と検出率の関係から、フォトマスクの異物検査とペリク
ルの異物検査における積算回数を任意に設定できるよう
にするため、検査面の設定において検査面がフォトマス
ク面、ペリクル面、フォトマスクとペリクル面の組み合
わせのいずれを選択した場合においても、フォトマスク
面の積算回数、及びペリクル面の積算回数を任意に設定
することが可能なプログラムとした。
以上のように、プログラムを変更することによりフォト
マスク、及びペリクル面について適切な積算回数が設定
できるようになり、検査時間も第1図のとうり従来の技
術と比較して12分も短縮できた。
今回は、本発明について一実施例をもちいて説明したが
、検査面と異物の組み合わせに着目した場合にはフォト
マスクとフォトマスクに装着されたペリクルの異物検査
だけではなく、ペリクルが装着されていないフォトマス
クのCrパターン面とガラス面の異物検査にも十分に応
用可能である。
また、本発明は、フォトマスクとフォトマスクに装着さ
れたペリクルの異物検査であれば、半導体装置以外のも
のについても十分な効果を有する。
[発明の効果] 以上、本発明によれば、 (1)フォトマスク、及フォトマスクに装着されたペリ
クル表面の異物を検査する時に、異物について検出率を
高めるために、繰り返し検査を行い、データを積算する
機能を有する異物検査装置において、繰り返し検査の回
数を検査面に対して、任意に設定可能とする。
光工程においてもスムースに製品が流動する。
(2)フォトマスク、及びフォトマスクに装着されたペ
リクル表面の異物を検査する時に、請求項1記戯の異物
検査装置を用いる。
このことにより、検査面にたいして検査条件を適切に設
定することが可能となるため、検出率の低い異物に合わ
せて積算回数を高く設定する必要が無くなった。
このため、無駄に検査を繰り返すことはなくなり、つま
り検査時間が短縮されスルーブツトが向上するという効
果を有している。
また、検査時間が短縮されることにより次の露
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明と従来技術における検査時間を示した
図。 第2図は、フォトマスク面上とペリクル面上の異物にお
ける、積算回数と検出率を示したズ。 以  上

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)フォトマスク、及び前記フォトマスクに装着され
    たペリクル表面の異物を検査する時に、前記異物につい
    て検出率を高めるために、繰り返し検査を行い、データ
    を積算する機能を有する異物検査装置において、前記繰
    り返し検査の回数を検査面に対して、任意に設定可能な
    ことを特徴とする異物検査装置。
  2. (2)半導体装置製造方法において、フォトマスク、及
    び前記フォトマスクに装着されたペリクル表面の異物を
    検査する時に、請求項1記載の異物検査装置を用いるこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06324413A (ja) * 1993-05-14 1994-11-25 Bandai Co Ltd 立体カメラ
JP2011174892A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Canon Inc 検査装置
JP2018082004A (ja) * 2016-11-15 2018-05-24 株式会社Sumco 半導体ウェーハの評価基準の設定方法、半導体ウェーハの評価方法、半導体ウェーハ製造工程の評価方法、および半導体ウェーハの製造方法

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US10261125B2 (en) 2016-11-15 2019-04-16 Sumco Corporation Semiconductor wafer evaluation standard setting method, semiconductor wafer evaluation method, semiconductor wafer manufacturing process evaluation method, and semiconductor wafer manufacturing method

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