JPH01239922A - パターン欠陥検査装置 - Google Patents
パターン欠陥検査装置Info
- Publication number
- JPH01239922A JPH01239922A JP63067534A JP6753488A JPH01239922A JP H01239922 A JPH01239922 A JP H01239922A JP 63067534 A JP63067534 A JP 63067534A JP 6753488 A JP6753488 A JP 6753488A JP H01239922 A JPH01239922 A JP H01239922A
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Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置製造工程、液晶表示体製造工程等に
おける、基板上に繰り返し薄膜形成、ノ＜ターン転写を
行ない素子を形成する工程において、マスクより基板上
にパターンを転写する際に基板上に欠陥が形成されてい
ないかを検査し、素子の歩留りを確保する為に行なうパ
ターン欠陥検査におけるものである。
おける、基板上に繰り返し薄膜形成、ノ＜ターン転写を
行ない素子を形成する工程において、マスクより基板上
にパターンを転写する際に基板上に欠陥が形成されてい
ないかを検査し、素子の歩留りを確保する為に行なうパ
ターン欠陥検査におけるものである。
基板上に形成されたパターン（感光性樹脂、メタル、＃
１化膜等の薄膜材質いずれでも可）の反射光像を拡大、
縮少光学系を介してＯＯＤ等のイメージセンサ−により
画像情報として取り込む機構と、マスク、レチクル等の
表面に形成されたＯｒ膜等の７５ターンの透過光像を拡
大、縮少光学系を介してＯＯＤ等のイメージセンサ−に
より画像情報として取シ込む機構と、さらに前記両者の
画像情報を比較判別し、欠陥を検出する情報処理部を有
し、前記基板とマスク、レチクルを各々の拡大、縮少光
学系の光軸上に位置せ゛しめ、検査位置の移動に伴って
、各々の拡大、縮少倍率に従って両者の位置関係を等し
く移動するマスク、基板保持ステ°−ジを有するパター
ン欠陥検査装置。
１化膜等の薄膜材質いずれでも可）の反射光像を拡大、
縮少光学系を介してＯＯＤ等のイメージセンサ−により
画像情報として取り込む機構と、マスク、レチクル等の
表面に形成されたＯｒ膜等の７５ターンの透過光像を拡
大、縮少光学系を介してＯＯＤ等のイメージセンサ−に
より画像情報として取シ込む機構と、さらに前記両者の
画像情報を比較判別し、欠陥を検出する情報処理部を有
し、前記基板とマスク、レチクルを各々の拡大、縮少光
学系の光軸上に位置せ゛しめ、検査位置の移動に伴って
、各々の拡大、縮少倍率に従って両者の位置関係を等し
く移動するマスク、基板保持ステ°−ジを有するパター
ン欠陥検査装置。
従来行なわれているパターン欠陥検査装置はマスフ内、
又は基板上の隣接するパターン同志の比較検査が主であ
り、基本的に同種のパターンについて行なわれている。
又は基板上の隣接するパターン同志の比較検査が主であ
り、基本的に同種のパターンについて行なわれている。
従来の検査技術によると、マスク内又は基板内の隣接す
るパターン同志の検査による為、マスクから基板への転
写時に発生する欠陥については検出されないことが多い
。特に半導体装置製造工程等において使用されている縮
少投影露光装置で使われるレチクルの転写時における欠
陥については基板上のパターンが繰り返し現われろ為、
レチクル上に付着したゴミ等の欠陥については検出が困
難であり、特にチップサイズの大きなワンチップレチク
ルについては検出が不可能である。
るパターン同志の検査による為、マスクから基板への転
写時に発生する欠陥については検出されないことが多い
。特に半導体装置製造工程等において使用されている縮
少投影露光装置で使われるレチクルの転写時における欠
陥については基板上のパターンが繰り返し現われろ為、
レチクル上に付着したゴミ等の欠陥については検出が困
難であり、特にチップサイズの大きなワンチップレチク
ルについては検出が不可能である。
前記問題点を解決する為には、転写する為のパターン（
マスク、レチクル）と転写された基板上のパターンを直
接比較検査する事が望ましいが、その場合、マスクと基
板のパターンの差（倍率。
マスク、レチクル）と転写された基板上のパターンを直
接比較検査する事が望ましいが、その場合、マスクと基
板のパターンの差（倍率。
透過光と反射光）に対応できるものでなくてはならない
。
。
〔実施例〕
第１図に本発明の実施例の模式図を示す。
図中１で示されるレチクルで作成された基板２上のレジ
ストパターンの比較検査装置を示す。第１図右側に示さ
れるＸ−Ｙステージ３上にレチクル１をのせ、レチクル
下面からの透過光を光学系５により拡大、縮少し、プリ
ズム７により偏角し、００ｍ＋イメージセンサー９に入
射し、画像情報を電気信号に変換し、情報処理部１５に
取シ込む。
ストパターンの比較検査装置を示す。第１図右側に示さ
れるＸ−Ｙステージ３上にレチクル１をのせ、レチクル
下面からの透過光を光学系５により拡大、縮少し、プリ
ズム７により偏角し、００ｍ＋イメージセンサー９に入
射し、画像情報を電気信号に変換し、情報処理部１５に
取シ込む。
さらに第１図左側に示されるＸ−Ｙステージ４上に前記
レチクル１を用いて表面にパターニングされた基板２を
のせ、Ｈθ−Ｎθレーザーチューブ１２より出されたレ
ーザービームをガルバノミラ−１７によって微少角スキ
ャニングさせ、基板上のパターンを照射する。基板より
の反射光を光学系６を介して拡大、縮少し、プリズム８
により偏角してＯＯＤイメージセンサ−１０に入射し画
像情報を電気信号に変換し情報処理部１３に取シ込む。
レチクル１を用いて表面にパターニングされた基板２を
のせ、Ｈθ−Ｎθレーザーチューブ１２より出されたレ
ーザービームをガルバノミラ−１７によって微少角スキ
ャニングさせ、基板上のパターンを照射する。基板より
の反射光を光学系６を介して拡大、縮少し、プリズム８
により偏角してＯＯＤイメージセンサ−１０に入射し画
像情報を電気信号に変換し情報処理部１３に取シ込む。
さらに基板と、パターン部との反射光の強度差を弁別し
パターン情報に変換する。しかる後に前記レチクルから
の透過光により得られた画像情報と比較判別し欠陥部を
検出する。
パターン情報に変換する。しかる後に前記レチクルから
の透過光により得られた画像情報と比較判別し欠陥部を
検出する。
以上述べた様な実施例によるパターン欠陥検査装置を用
いて検査を実施すれば、パターン転写時に発生した基板
上の欠陥を高精度で検出できた。
いて検査を実施すれば、パターン転写時に発生した基板
上の欠陥を高精度で検出できた。
さらに、従来の装置を用いては不可能であったレチクル
と、基板上のパターンとの比較検査が容易に行なえる事
により、処理条件の変動等のプロセスモニターとしても
有効な検査手段を提供するものであった。
と、基板上のパターンとの比較検査が容易に行なえる事
により、処理条件の変動等のプロセスモニターとしても
有効な検査手段を提供するものであった。
第１図は、本発明のパターン欠陥検査装置の実施例を示
す模式図。 １・・・・・・・・・レチクル ２・・・・・・・・・基 板 ３・・・・・・・・・レチクル保持Ｘ−Ｙテーブル４・
・・・・・・・・基板保持Ｘ−Ｙテーブル５・・・・・
・・・・拡大・縮少光学系６・・・・・・・・・拡大・
縮少光学系（基板用）７．８・・・プリズム ９．１０・・・・・・ＯＯＤイメージセンサ−１１・・
・・・・照明光学系 １２・・・・・・Ｈｅ −Ｎ ｏレーザーチ為−ブ１５
・・・・・・画像情報比較判定処理部１４．１５，１６
・・・・・・画像モニター１７・・・・・・ガルバノミ
ラ− 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最上務（他１名） “−゛）
す模式図。 １・・・・・・・・・レチクル ２・・・・・・・・・基 板 ３・・・・・・・・・レチクル保持Ｘ−Ｙテーブル４・
・・・・・・・・基板保持Ｘ−Ｙテーブル５・・・・・
・・・・拡大・縮少光学系６・・・・・・・・・拡大・
縮少光学系（基板用）７．８・・・プリズム ９．１０・・・・・・ＯＯＤイメージセンサ−１１・・
・・・・照明光学系 １２・・・・・・Ｈｅ −Ｎ ｏレーザーチ為−ブ１５
・・・・・・画像情報比較判定処理部１４．１５，１６
・・・・・・画像モニター１７・・・・・・ガルバノミ
ラ− 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最上務（他１名） “−゛）
Claims (1)
- 半導体装置製造工程等におけるパターン転写工程の欠
陥検査に用いるパターン欠陥検査装置において、基板上
に作製された感光性樹脂等によるパターンとマスクパタ
ーンとを比較検査する事を特徴とするパターン欠陥検査
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63067534A JPH01239922A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | パターン欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63067534A JPH01239922A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | パターン欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01239922A true JPH01239922A (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=13347742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63067534A Pending JPH01239922A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | パターン欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01239922A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08339074A (ja) * | 1995-03-22 | 1996-12-24 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 露光マスクの製造方法 |
| JP2007227614A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Nikon Corp | 情報管理方法、情報管理システム、プログラム、記録媒体、パターン検査装置及び基板検査装置 |
| CN110344003A (zh) * | 2014-06-06 | 2019-10-18 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模及其前体、以及有机半导体元件的制造方法 |
-
1988
- 1988-03-22 JP JP63067534A patent/JPH01239922A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08339074A (ja) * | 1995-03-22 | 1996-12-24 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 露光マスクの製造方法 |
| JP2007227614A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Nikon Corp | 情報管理方法、情報管理システム、プログラム、記録媒体、パターン検査装置及び基板検査装置 |
| CN110344003A (zh) * | 2014-06-06 | 2019-10-18 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模及其前体、以及有机半导体元件的制造方法 |
| CN110344003B (zh) * | 2014-06-06 | 2022-03-15 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模及其前体、以及有机半导体元件的制造方法 |
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