JPS61207953A - 自動外観検査装置 - Google Patents
自動外観検査装置Info
- Publication number
- JPS61207953A JPS61207953A JP60048806A JP4880685A JPS61207953A JP S61207953 A JPS61207953 A JP S61207953A JP 60048806 A JP60048806 A JP 60048806A JP 4880685 A JP4880685 A JP 4880685A JP S61207953 A JPS61207953 A JP S61207953A
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- JP
- Japan
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- detector
- foreign matter
- signal
- inspection
- coordinate
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
Landscapes
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路の製造工程中に用いられる写
真蝕刻用フォトマスクまたはレティクルの外観検査装置
に関するものである。
真蝕刻用フォトマスクまたはレティクルの外観検査装置
に関するものである。
従来の半導体集積回路の製造において写真蝕刻工程で使
用される選択露光用フォトマスクの外観検査装置として
は、繰り返しパターニングされている隣接チップ同志の
差違を検出するものと、設計データと出きあがったマス
クま友はレティクルパターンとの差違を検出するものか
メジ、それぞれ用途によシ使い分けされている。
用される選択露光用フォトマスクの外観検査装置として
は、繰り返しパターニングされている隣接チップ同志の
差違を検出するものと、設計データと出きあがったマス
クま友はレティクルパターンとの差違を検出するものか
メジ、それぞれ用途によシ使い分けされている。
しかしながら上述した従来の外観検査装置においては、
いずれも透過光による照明のみで被検査体を照射し、検
査しているため、もしマスクま九はレティクル上にその
製造工程中の洗浄の不備あるいは取扱い上の不注意等の
理由から、塵埃またはその他の汚れが付着していたとす
ると、これらの検査装置では前述の汚れ等を欠陥として
検出してしまうことになる。従来の検査においては装置
が検出してきた欠陥（前述のごとき塵埃や汚れも含む）
を、本来欠陥とすべき欠陥と、後の洗浄工程で除去可能
な塵埃や汚れとを区別する丸めに、装置に付属している
顕微鏡光学系により検査者が欠陥ひとつひとつについて
目視により確認していた。検出欠陥数が多い場合におい
ては、装置による検査時間よりも検査者による確認時間
のほうが長くなる場合も多々あり、検査工数の増大、ひ
いてはフォトマスク及びレティクルのコストアップ、半
導体集積回路のコストアップにまでつながっていた。
いずれも透過光による照明のみで被検査体を照射し、検
査しているため、もしマスクま九はレティクル上にその
製造工程中の洗浄の不備あるいは取扱い上の不注意等の
理由から、塵埃またはその他の汚れが付着していたとす
ると、これらの検査装置では前述の汚れ等を欠陥として
検出してしまうことになる。従来の検査においては装置
が検出してきた欠陥（前述のごとき塵埃や汚れも含む）
を、本来欠陥とすべき欠陥と、後の洗浄工程で除去可能
な塵埃や汚れとを区別する丸めに、装置に付属している
顕微鏡光学系により検査者が欠陥ひとつひとつについて
目視により確認していた。検出欠陥数が多い場合におい
ては、装置による検査時間よりも検査者による確認時間
のほうが長くなる場合も多々あり、検査工数の増大、ひ
いてはフォトマスク及びレティクルのコストアップ、半
導体集積回路のコストアップにまでつながっていた。
本発明は、前述した従来装置の不都合点に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは。
たものであり、その目的とするところは。
フォトマスクまたはレティクルの外観検査において、検
査装置のレンズ焦点面に斜め方向よりレーザー光を照射
し、被検査体からの反射光をモニタすることにより、真
の欠陥と塵埃またはその他の汚れ等の異物との識別を可
能にし、検査時間の短縮ひいては半導体集積回路のコス
ト低減を図ることにある。
査装置のレンズ焦点面に斜め方向よりレーザー光を照射
し、被検査体からの反射光をモニタすることにより、真
の欠陥と塵埃またはその他の汚れ等の異物との識別を可
能にし、検査時間の短縮ひいては半導体集積回路のコス
ト低減を図ることにある。
すなわち本発明は、隣接する２つのチップの同一ハター
ン部の差違の有無、または設計データと実際のパターン
との差違の有無を検査するフォトマスクまたはレティク
ルの自動外観検査装置において、斜め方向から照射した
レーザー光の散乱をモニタすることにより残 またはパ
ターン欠損等の欠陥と被検査体表面に付着し友異物との
識別を検査者の判断によらず可能ならしめる機構を有す
ることを特徴とする自動外観検査装置である。
ン部の差違の有無、または設計データと実際のパターン
との差違の有無を検査するフォトマスクまたはレティク
ルの自動外観検査装置において、斜め方向から照射した
レーザー光の散乱をモニタすることにより残 またはパ
ターン欠損等の欠陥と被検査体表面に付着し友異物との
識別を検査者の判断によらず可能ならしめる機構を有す
ることを特徴とする自動外観検査装置である。
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は、本発明の一実施例である自動外観検査装置の
模式図である。フライングスボッ） ＣＲＴ １から発
せられた光は顕微鏡光学系を兼ね次レンズ２を介して、
ステージ駆動回路３によシ制御されるＸＹステージ４上
のホルダー５にセットされたフォトマスクまたはレティ
クル６を照射する。フォトマスクまたはレティクル６１
！−照射した光はフォトマル７に映像信号を入力する。
模式図である。フライングスボッ） ＣＲＴ １から発
せられた光は顕微鏡光学系を兼ね次レンズ２を介して、
ステージ駆動回路３によシ制御されるＸＹステージ４上
のホルダー５にセットされたフォトマスクまたはレティ
クル６を照射する。フォトマスクまたはレティクル６１
！−照射した光はフォトマル７に映像信号を入力する。
この映像信号は、もうひとつの光学系からの映像信号ｔ
７＋？、は設計データからの信号８と差動増巾器９にて
比較される。二つの信号が全く同じ信号の場合は差動増
巾器９から信号は出力されず、もし二つの信号になんら
かの相違がある場合は、差動増巾器９の出力端に差違信
号が現れることになる。ＣＰＵｌ０はこの差違信号を受
け、その時のステージ座標及び信号の内容（欠陥の種類
、大きさ等）をメモリー１１に記憶する。ここまでは従
来の検査装置と同様であるが、本発明にかかる外観検査
装置においては、レンズ２の焦点位置に斜め方向よりレ
ーザー発振器１２より発せられたレーザー光を照射し、
通常の検査状態においては、フォトマスクまたはレティ
クル６０表面からの反射光を検出器１３にてモニタして
いる。レーザー光の照射ａＸＹステージ４の動作に同期
しており、被検査体がセットされていない時にはシャッ
ター１４により遮光されている。もし被検査体であるフ
ォトマスクまたはレティクル６に塵埃または汚れ等の異
物１５が付着している場合には異物１５によりレーザー
光が散乱され、検出器１３の光軸をはずして設置されて
いる検出器１６にて検知される。
７＋？、は設計データからの信号８と差動増巾器９にて
比較される。二つの信号が全く同じ信号の場合は差動増
巾器９から信号は出力されず、もし二つの信号になんら
かの相違がある場合は、差動増巾器９の出力端に差違信
号が現れることになる。ＣＰＵｌ０はこの差違信号を受
け、その時のステージ座標及び信号の内容（欠陥の種類
、大きさ等）をメモリー１１に記憶する。ここまでは従
来の検査装置と同様であるが、本発明にかかる外観検査
装置においては、レンズ２の焦点位置に斜め方向よりレ
ーザー発振器１２より発せられたレーザー光を照射し、
通常の検査状態においては、フォトマスクまたはレティ
クル６０表面からの反射光を検出器１３にてモニタして
いる。レーザー光の照射ａＸＹステージ４の動作に同期
しており、被検査体がセットされていない時にはシャッ
ター１４により遮光されている。もし被検査体であるフ
ォトマスクまたはレティクル６に塵埃または汚れ等の異
物１５が付着している場合には異物１５によりレーザー
光が散乱され、検出器１３の光軸をはずして設置されて
いる検出器１６にて検知される。
検出器１６より信号を受けたＣＰＵＩ Ｏは、その時の
座標を計算し、メモリー１１に記憶する。
座標を計算し、メモリー１１に記憶する。
被検査体の透明部に異物があれば、その座標は当然フォ
トマル７によって検出され差動増巾器９を介してＣＰＵ
ｌ０に送られ、メモリー１１に記憶されていることは言
うまでもない。ＣＰＵｌ０は、検査終了後メモリー１１
に記憶されている座標を比較し、差動増巾器９からの信
号と検出器１６からの信号が重複している座標を欠陥座
標群の中からキャンセルする。なお前述の検出方式では
、フォトマスク及びレティクルの遮光部元に載っている
異物も検出器１６にＬり検出されるが、これについては
フォトマル７により検知されないため欠陥とはされない
ことを記しておく。また本発明では異物の座標を一度メ
モリーに記憶した後、検査終了後フォトマルからの欠陥
座標と比較したが。
トマル７によって検出され差動増巾器９を介してＣＰＵ
ｌ０に送られ、メモリー１１に記憶されていることは言
うまでもない。ＣＰＵｌ０は、検査終了後メモリー１１
に記憶されている座標を比較し、差動増巾器９からの信
号と検出器１６からの信号が重複している座標を欠陥座
標群の中からキャンセルする。なお前述の検出方式では
、フォトマスク及びレティクルの遮光部元に載っている
異物も検出器１６にＬり検出されるが、これについては
フォトマル７により検知されないため欠陥とはされない
ことを記しておく。また本発明では異物の座標を一度メ
モリーに記憶した後、検査終了後フォトマルからの欠陥
座標と比較したが。
この件に関しては検査途中にて比較、キャンセルの操作
を行っても良い。
を行っても良い。
以上に工り検延者は真の欠陥のみを確認するか、場合に
よってはこの確認操作を省略することができる。
よってはこの確認操作を省略することができる。
以上説明したように５本発明による自動外観検査装置を
用いることにエリ、検査者に従来のように真の欠陥と塵
埃または汚れ等の異物とを顕微鏡光学系を介してひとつ
ひとつ確認する必要がなくなり、フォトマスクまたはレ
ティクルの検査時間の低減、ひいては半導体集積回路の
コスト低減にも貢献できるものと確信する。
用いることにエリ、検査者に従来のように真の欠陥と塵
埃または汚れ等の異物とを顕微鏡光学系を介してひとつ
ひとつ確認する必要がなくなり、フォトマスクまたはレ
ティクルの検査時間の低減、ひいては半導体集積回路の
コスト低減にも貢献できるものと確信する。
第１図は、本発明による自動外観検査装置の一実施例の
模式図である。図において、 １・・・・・・フライングスポットＣＲＴ、２・・・・
・・レンズ、３・・・・・・ステージ駆動回路、４・・
・・・・ＸＹステージ、５・・・・・・ホルダー、６・
・・・・・フォトマスクまたはレティクル、７・・・・
・・フォトマル、８・・・・・・もうひとつの光学系か
らの映像信号またに設計データからの信号、９・・・・
・・差動増巾器、１０・・・・・・ＣＰ Ｕ、１１・・
・・・・メモ！Ｊ−，１２・・・・・・レーザー発振器
、１３・・・・・・検出器、１４・・・・・・シャッタ
ー、１５・・・・・・異物、 １６・・・・・・検出器
（散乱光検出）。
模式図である。図において、 １・・・・・・フライングスポットＣＲＴ、２・・・・
・・レンズ、３・・・・・・ステージ駆動回路、４・・
・・・・ＸＹステージ、５・・・・・・ホルダー、６・
・・・・・フォトマスクまたはレティクル、７・・・・
・・フォトマル、８・・・・・・もうひとつの光学系か
らの映像信号またに設計データからの信号、９・・・・
・・差動増巾器、１０・・・・・・ＣＰ Ｕ、１１・・
・・・・メモ！Ｊ−，１２・・・・・・レーザー発振器
、１３・・・・・・検出器、１４・・・・・・シャッタ
ー、１５・・・・・・異物、 １６・・・・・・検出器
（散乱光検出）。
Claims (1)
- 隣接する２つのチップの同一パターン部の差違の有無
、または設計データと実際のパターンとの差違の有無を
検査するフォトマスクまたはレティクルの自動外観検査
装置において斜め方向から照射したレーザー光の散乱を
モニタすることにより残渣またはパターン欠損等の欠陥
と被検査体表面に付着した異物との識別を可能ならしめ
る機構を有することを特徴とする自動外観検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60048806A JPS61207953A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 自動外観検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60048806A JPS61207953A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 自動外観検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61207953A true JPS61207953A (ja) | 1986-09-16 |
Family
ID=12813449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60048806A Pending JPS61207953A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 自動外観検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61207953A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02170279A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Hitachi Ltd | 被検査対象パターンの欠陥検出方法及びその装置 |
| FR2697086A1 (fr) * | 1992-10-20 | 1994-04-22 | Thomson Csf | Procédé et dispositif d'inspection de matériau transparent. |
| JPH0868618A (ja) * | 1995-07-17 | 1996-03-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造システム及び製造方法 |
| US5903342A (en) * | 1995-04-10 | 1999-05-11 | Hitachi Electronics Engineering, Co., Ltd. | Inspection method and device of wafer surface |
| US7522263B2 (en) | 2005-12-27 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| EP3232184A1 (en) | 2016-04-15 | 2017-10-18 | Sorter Spolka Jawna Konrad Grzeszczyk Michal Ziomek | Surface source of side light |
| CN110333248A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-10-15 | 征图新视(江苏)科技股份有限公司 | 玻璃表面缺陷与表面落尘的区分方法 |
-
1985
- 1985-03-12 JP JP60048806A patent/JPS61207953A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02170279A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Hitachi Ltd | 被検査対象パターンの欠陥検出方法及びその装置 |
| FR2697086A1 (fr) * | 1992-10-20 | 1994-04-22 | Thomson Csf | Procédé et dispositif d'inspection de matériau transparent. |
| WO1994009358A1 (fr) * | 1992-10-20 | 1994-04-28 | Thomson-Csf | Procede et dispositif d'inspection de materiau transparent |
| US5903342A (en) * | 1995-04-10 | 1999-05-11 | Hitachi Electronics Engineering, Co., Ltd. | Inspection method and device of wafer surface |
| JPH0868618A (ja) * | 1995-07-17 | 1996-03-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造システム及び製造方法 |
| US7522263B2 (en) | 2005-12-27 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| US8064038B2 (en) | 2005-12-27 | 2011-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus, lithographic system provided with the inspection apparatus and a method for inspecting a sample |
| EP3232184A1 (en) | 2016-04-15 | 2017-10-18 | Sorter Spolka Jawna Konrad Grzeszczyk Michal Ziomek | Surface source of side light |
| CN110333248A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-10-15 | 征图新视(江苏)科技股份有限公司 | 玻璃表面缺陷与表面落尘的区分方法 |
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