JPH0487391A - 薄膜回路基板及びその製造方法 - Google Patents
薄膜回路基板及びその製造方法Info
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- JPH0487391A JPH0487391A JP2201515A JP20151590A JPH0487391A JP H0487391 A JPH0487391 A JP H0487391A JP 2201515 A JP2201515 A JP 2201515A JP 20151590 A JP20151590 A JP 20151590A JP H0487391 A JPH0487391 A JP H0487391A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 39
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 101100008049 Caenorhabditis elegans cut-5 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
情報処理機器及び通信機器に使用される薄膜回路基板に
関し、 回路途中の切断を必要とする部分のレーザーによる切断
を効率良く確実に行なうことを可能にすることを目的と
し、 絶縁基板上に金属を導体として回路が形成され、且つ該
回路の途中に導体切断予定部を有する薄膜回路基板にお
いて、上記導体切断予定部の導体上に有機樹脂膜が被着
されて成るように構成する。
関し、 回路途中の切断を必要とする部分のレーザーによる切断
を効率良く確実に行なうことを可能にすることを目的と
し、 絶縁基板上に金属を導体として回路が形成され、且つ該
回路の途中に導体切断予定部を有する薄膜回路基板にお
いて、上記導体切断予定部の導体上に有機樹脂膜が被着
されて成るように構成する。
本発明は情報処理機器及び通信機器に使用される薄膜回
路基板に関する。
路基板に関する。
従来、セラミックやガラスなどの基板上に形成される薄
膜配線回路において、電気的接続を変更する場合は、変
更する部分の導体をレーザーによりカットし、新らたに
配線する部分はディスクリートワイヤにより配線する方
法がとられている。
膜配線回路において、電気的接続を変更する場合は、変
更する部分の導体をレーザーによりカットし、新らたに
配線する部分はディスクリートワイヤにより配線する方
法がとられている。
第５図は従来の薄膜回路基板におけるレーザーカット部
を示す図であり、（ａ）図はカット前、（ｂ）図はカッ
ト後をそれぞれ示している。
を示す図であり、（ａ）図はカット前、（ｂ）図はカッ
ト後をそれぞれ示している。
上記従来の導体をレーザーにてカットする方法では、金
属がレーザー（ＹＡＧの場合、波長１．０６１！ｍ）を
反射しゃすいた給、レーザーカット性が悪く、カット後
の絶縁性及びカット時の作業性が悪く、数回のレーザー
ショットによっても不良となる頻度が高いという問題が
あった。
属がレーザー（ＹＡＧの場合、波長１．０６１！ｍ）を
反射しゃすいた給、レーザーカット性が悪く、カット後
の絶縁性及びカット時の作業性が悪く、数回のレーザー
ショットによっても不良となる頻度が高いという問題が
あった。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、回路途中の切断を必
要とする部分のレーザーによる切断を効率良く確実に行
なうことができる薄膜回路基板を提供することを目的と
する。
要とする部分のレーザーによる切断を効率良く確実に行
なうことができる薄膜回路基板を提供することを目的と
する。
第１図は本発明の原理説明図である。
本発明では、絶縁基板１上に形成された導体２の上に有
機樹脂膜３を形成したことを特徴とし、さらに上記有機
樹脂膜３にレーザー４を照射し、該有機樹脂膜３と共に
導体２を同時に切断することを特徴とする。
機樹脂膜３を形成したことを特徴とし、さらに上記有機
樹脂膜３にレーザー４を照射し、該有機樹脂膜３と共に
導体２を同時に切断することを特徴とする。
Ｃｕ ・Ｃｒ ・Ａｕなどの金属では、第２図に示すよ
うに波長１．０６Ｊ” （ＹＡＧレーザーの波長）のと
ころで反射率が数十％以上であるのに対し、有機樹脂膜
では反射率が０に近い。このためレーザーエネルギーは
効率良くレーザーカット部に吸収され、同時に導体もカ
ットすることができる。
うに波長１．０６Ｊ” （ＹＡＧレーザーの波長）のと
ころで反射率が数十％以上であるのに対し、有機樹脂膜
では反射率が０に近い。このためレーザーエネルギーは
効率良くレーザーカット部に吸収され、同時に導体もカ
ットすることができる。
第３図は本発明の薄膜回路基板を示す図であり、（ａ）
は平面図、（ｂ）はａｉ！ｉＱのｂ−ｂ線における断面
図である。
は平面図、（ｂ）はａｉ！ｉＱのｂ−ｂ線における断面
図である。
同図において、１はセラミック、ガラス等の絶縁基板、
２は該絶縁基板１の上に設けられた回路の導体であり、
該導体２には例えば厚さ５００人のＣｒ と、厚さ５Ｊ
−のＣｕと、厚さ１５００ ＡのＣｒからなる３層の導
体、又は厚さ１０００ ＡのＴｉＷと、厚さ２１ｍのＮ
ｉ と、厚さ１５００人ノＴｉ１１トカらナル３層の導
体が用いられる。５は該導体２の切断予定部、６は回路
修正用のディスクリートワイヤをボンディングするため
のパッドであり、導体の切断予定部５の導体上には有機
樹脂膜３が被着されている。この有機樹脂膜３には、ポ
リイミド又はレジスト等が用いられ、その厚さは１〜５
Ｊａ程度が良＜ （１５ｍ以上ではパターンカット性
が逆に悪くなる。）、またその輻Ａは導体２の幅Ｂより
僅かに狭い方が良い。なおこの有機樹脂膜３の幅Ａが導
体２の幅Ｂより広いとレーザー照射後に炭化した樹脂が
残り絶縁性が悪くなる。またこの有機樹脂膜３の導体２
上への形成には、直接樹脂を印刷するスクリーン印刷法
か、又は感光性樹脂（例えば感光性ポリイミド）を用い
て露光・現像しパターン形成するフォトリソグラフィ法
があり、特に後者のフォトリングラフィ法はファインパ
ターンの形成に適している。
２は該絶縁基板１の上に設けられた回路の導体であり、
該導体２には例えば厚さ５００人のＣｒ と、厚さ５Ｊ
−のＣｕと、厚さ１５００ ＡのＣｒからなる３層の導
体、又は厚さ１０００ ＡのＴｉＷと、厚さ２１ｍのＮ
ｉ と、厚さ１５００人ノＴｉ１１トカらナル３層の導
体が用いられる。５は該導体２の切断予定部、６は回路
修正用のディスクリートワイヤをボンディングするため
のパッドであり、導体の切断予定部５の導体上には有機
樹脂膜３が被着されている。この有機樹脂膜３には、ポ
リイミド又はレジスト等が用いられ、その厚さは１〜５
Ｊａ程度が良＜ （１５ｍ以上ではパターンカット性
が逆に悪くなる。）、またその輻Ａは導体２の幅Ｂより
僅かに狭い方が良い。なおこの有機樹脂膜３の幅Ａが導
体２の幅Ｂより広いとレーザー照射後に炭化した樹脂が
残り絶縁性が悪くなる。またこの有機樹脂膜３の導体２
上への形成には、直接樹脂を印刷するスクリーン印刷法
か、又は感光性樹脂（例えば感光性ポリイミド）を用い
て露光・現像しパターン形成するフォトリソグラフィ法
があり、特に後者のフォトリングラフィ法はファインパ
ターンの形成に適している。
なお本実施例において有機樹脂膜を用いる理由は、導体
切断用のレーザー照射後に残渣が残らぬ様に蒸発する必
要があり、無機膜、例えばＳｉｎ、では融点（１７１０
℃）が高く蒸発が起りにくいため使用できないが、有機
樹脂は６００℃程度で蒸発し残渣が残らないためである
。
切断用のレーザー照射後に残渣が残らぬ様に蒸発する必
要があり、無機膜、例えばＳｉｎ、では融点（１７１０
℃）が高く蒸発が起りにくいため使用できないが、有機
樹脂は６００℃程度で蒸発し残渣が残らないためである
。
このように構成された本実施例は必要により、切断予定
部５をレーザーにてカットすることができる。レーザー
カット条件としては、例えば第４図（ａ）の如く導体幅
１００ｇｎ、有機樹脂膜幅８０ｊｍの場合、レーザーと
してＹＡＧレーザーを用い、波長：１．０６Ｊ＝＝、パ
ワー：コンスタントウェーブで８〜１０Ｗ（瞬間的には
数ｋｌｌｉ） 、レーザースポット径：１００〜１２０
声、レーザー照射時間：８０〜１００ｎＳｅｃとし、切
断予定部５の有機樹脂膜３に照射することにより１回の
照射で導体２を切断することができる。これは有機樹脂
膜３のレーザー光に対する反射率が金属に比して著しく
小さく、殆んど０に近いた約、レーザーのエネルギーが
効率良く吸収できるた於てある。なお有機樹脂膜３の幅
が第４図（ｂ）の如＜ １２０１−と導体幅より広い場
合には樹脂膜３の両端が中途半端に残り絶縁不良となる
。
部５をレーザーにてカットすることができる。レーザー
カット条件としては、例えば第４図（ａ）の如く導体幅
１００ｇｎ、有機樹脂膜幅８０ｊｍの場合、レーザーと
してＹＡＧレーザーを用い、波長：１．０６Ｊ＝＝、パ
ワー：コンスタントウェーブで８〜１０Ｗ（瞬間的には
数ｋｌｌｉ） 、レーザースポット径：１００〜１２０
声、レーザー照射時間：８０〜１００ｎＳｅｃとし、切
断予定部５の有機樹脂膜３に照射することにより１回の
照射で導体２を切断することができる。これは有機樹脂
膜３のレーザー光に対する反射率が金属に比して著しく
小さく、殆んど０に近いた約、レーザーのエネルギーが
効率良く吸収できるた於てある。なお有機樹脂膜３の幅
が第４図（ｂ）の如＜ １２０１−と導体幅より広い場
合には樹脂膜３の両端が中途半端に残り絶縁不良となる
。
次に本実施例の応用例を第５図及び第６図により説明す
る。
る。
第５図（ａ）は、マザープリント板２０とその上に搭載
されるＬＳＩ ２１との中間に中間基板２２が配置され
、該中間基板２２により、マザープリント板２０とＬＳ
Ｉ ２１とを電気的に接続した電子回路である。
されるＬＳＩ ２１との中間に中間基板２２が配置され
、該中間基板２２により、マザープリント板２０とＬＳ
Ｉ ２１とを電気的に接続した電子回路である。
同図（ｂ）〜（ｄ）は本応用例の中間基板２２を示す図
であり、該中間基板２２には、（ｂ）図に示すように中
央部にＬＳＩを搭載するためのパッド２３が形成され、
その周囲に予備のグランド用バッド２４、電源用バッド
２５等のパッドが形成されている。
であり、該中間基板２２には、（ｂ）図に示すように中
央部にＬＳＩを搭載するためのパッド２３が形成され、
その周囲に予備のグランド用バッド２４、電源用バッド
２５等のパッドが形成されている。
ＬＳＩを搭載するパッド２３は、（Ｃ）及び（ｄ）図に
示すように、ＬＳＩの端子ピンを半田付けするパッド２
６と、ディスクリートワイヤを半田接続するパッド２７
と、バイア２８に接続したパッド２９とが連接して設け
られ、パッド２７と２９の間の導体上には有機樹脂膜３
０が被着されて導体切断部となっている。
示すように、ＬＳＩの端子ピンを半田付けするパッド２
６と、ディスクリートワイヤを半田接続するパッド２７
と、バイア２８に接続したパッド２９とが連接して設け
られ、パッド２７と２９の間の導体上には有機樹脂膜３
０が被着されて導体切断部となっている。
このように構成された本応用例は、第６図に示すように
パッド２６に半田接続されたＬＳＩの端子をバイア２８
を通さずに他に接続する必要がある場合、パッド２７と
パッド２９の間の切断部をレーザーにて切断し、パッド
２７にディスクリートワイヤ３１の一端を半田接続し、
他端を所要のパッド３２に半田接続するのである。本応
用例によれば、このようにして容易に回路を変更するこ
とができる。
パッド２６に半田接続されたＬＳＩの端子をバイア２８
を通さずに他に接続する必要がある場合、パッド２７と
パッド２９の間の切断部をレーザーにて切断し、パッド
２７にディスクリートワイヤ３１の一端を半田接続し、
他端を所要のパッド３２に半田接続するのである。本応
用例によれば、このようにして容易に回路を変更するこ
とができる。
次に本発明の薄膜回路基板の製造方法の実施例を第７図
により説明する。
により説明する。
先ず（ａ）図の如く予めバイア７が形成されたセラミッ
ク等の絶縁基板１の両面（片面ずつでも可）にスパッタ
ーによりＣｒ ／Ｃｕ ／（：ｒの導体膜８を形成する
。次に（ｂ）図の如く基板両面の導体膜８をエツチング
によりバターニングする。
ク等の絶縁基板１の両面（片面ずつでも可）にスパッタ
ーによりＣｒ ／Ｃｕ ／（：ｒの導体膜８を形成する
。次に（ｂ）図の如く基板両面の導体膜８をエツチング
によりバターニングする。
次いで（Ｃ）図の如く両面に片面ずつポリイミド絶縁層
９を形成する。次に（ｄ）図の如く両面（片面ずつでも
可）にスパッターによりＣｒ ／ Ｃｕ／Ｃｒの導体膜
１０を形成し、その上に（ｅ）図の如くはんだ付はパッ
ドとなる部分にＮｉ／Ａｕめっき１１を形成した後、（
ｆ）図の如くエツチングにより導体膜１０をバターニン
グして導体２を形成する。最後に（ｇ）図及び第８図の
平面図に示す如く保護用の有機樹脂膜（ポリイミド）３
′を形成すると同時に導体切断予定部上に有機樹脂膜（
ポリイミド）３を形成するのである。この場合、導体切
断予定部上の有機樹脂膜３とその周囲の保護用有機樹脂
膜３′との間にはレーザーカット時に炭化した樹脂が残
らない様にある幅で空白部を残しておく。
９を形成する。次に（ｄ）図の如く両面（片面ずつでも
可）にスパッターによりＣｒ ／ Ｃｕ／Ｃｒの導体膜
１０を形成し、その上に（ｅ）図の如くはんだ付はパッ
ドとなる部分にＮｉ／Ａｕめっき１１を形成した後、（
ｆ）図の如くエツチングにより導体膜１０をバターニン
グして導体２を形成する。最後に（ｇ）図及び第８図の
平面図に示す如く保護用の有機樹脂膜（ポリイミド）３
′を形成すると同時に導体切断予定部上に有機樹脂膜（
ポリイミド）３を形成するのである。この場合、導体切
断予定部上の有機樹脂膜３とその周囲の保護用有機樹脂
膜３′との間にはレーザーカット時に炭化した樹脂が残
らない様にある幅で空白部を残しておく。
本実施例によれば、導体切断予定部上の有機樹脂膜が保
護用の有機樹脂膜と同時に形成することができるので、
前者の形成のための工数を特に増加する必要はない。ま
た切断予定部のレーザーによる切断が容易確実に行なえ
ることは前実施例と同様である。
護用の有機樹脂膜と同時に形成することができるので、
前者の形成のための工数を特に増加する必要はない。ま
た切断予定部のレーザーによる切断が容易確実に行なえ
ることは前実施例と同様である。
以上説明した様に、本発明によれば、導体の切断予定部
上に該導体の幅より僅かに狭い幅の有機樹脂膜を被着し
ておくことにより、レーザーカット性を向上し、且つカ
ット後の絶縁不良の発生も防止でき、薄膜回路基板の品
質向上に寄与するところ大である。
上に該導体の幅より僅かに狭い幅の有機樹脂膜を被着し
ておくことにより、レーザーカット性を向上し、且つカ
ット後の絶縁不良の発生も防止でき、薄膜回路基板の品
質向上に寄与するところ大である。
第１図は本発明の詳細説明
第２図は各種金属の反射率を示す図、
第３図は本発明の薄膜回路基板の実施例を示す図、
第４１！ｌは本発明の実施例のレーザーカット条件によ
る切断結果を説明するための図、 第５図は本発明の実施例の応用例を示す図、第６図は応
用例の配線変更状態を示す図、第７図は本発明の薄膜配
線基板の製造方法の実施例を示す図、 第８図は第７図（ｇ）の平面図、 第９図は従来のレーザーカット方法を説明するための図
である。 図において、 １は絶縁基板、 ２は導体、 ３．３′は有機樹脂膜、 ４はレーザー、 ５は切断予定部、 ６はパッド、 ７はバイア、 ８．１０は導体膜、 ９は絶縁層、 １１はＮｉＡｕ膜、 を示す。
る切断結果を説明するための図、 第５図は本発明の実施例の応用例を示す図、第６図は応
用例の配線変更状態を示す図、第７図は本発明の薄膜配
線基板の製造方法の実施例を示す図、 第８図は第７図（ｇ）の平面図、 第９図は従来のレーザーカット方法を説明するための図
である。 図において、 １は絶縁基板、 ２は導体、 ３．３′は有機樹脂膜、 ４はレーザー、 ５は切断予定部、 ６はパッド、 ７はバイア、 ８．１０は導体膜、 ９は絶縁層、 １１はＮｉＡｕ膜、 を示す。
Claims (5)
- １．絶縁基板（１）上に金属を導体（２）として回路が
形成され、且つ該回路の途中に導体切断予定部（５）を
有する薄膜回路基板において、上記導体切断予定部（５
）の導体（２）上に有機樹脂膜（３）が被着されて成る
ことを特徴とする薄膜回路基板。 - ２．上記導体切断予定部（５）の有機樹脂膜（３）は、
その幅が導体（２）の幅より僅かに小さいことを特徴と
する請求項１記載の薄膜回路基板。 - ３．絶縁基板（１）上に金属を導体（２）として回路が
形成され、該導体（２）を含んで絶縁基板（１）上に保
護用の有機樹脂膜（３′）が被着され、且つ前記導体（
２）の切断予定部（５）の周囲は該切断予定部（５）上
の有機樹脂膜（３）を残して除去されていることを特徴
とする薄膜回路基板。 - ４．請求項１又は２又は３記載の薄膜回路基板を用い、
その導体切断予定部（５）にレーザーを照射して有機樹
脂膜（３）と導体（２）を同時に切断することを特徴と
する薄膜回路基板の製造方法。 - ５．請求項３記載の薄膜回路基板における導体切断予定
部（５）上の有機樹脂膜（３）を、該導体切断予定部（
５）の周囲に空白部を設けて薄膜回路基板の保護膜形成
時に、該保護用の有機樹脂膜（３′）と同時に同一材料
で形成することを特徴とする薄膜回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2201515A JP2836638B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 薄膜回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2201515A JP2836638B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 薄膜回路基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0487391A true JPH0487391A (ja) | 1992-03-19 |
| JP2836638B2 JP2836638B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=16442326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2201515A Expired - Fee Related JP2836638B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 薄膜回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2836638B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111061102A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-04-24 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP2201515A patent/JP2836638B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111061102A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-04-24 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
| CN111061102B (zh) * | 2019-12-17 | 2022-12-23 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2836638B2 (ja) | 1998-12-14 |
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