CN111061102A - 一种阵列基板及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本揭示提供一种阵列基板及显示面板。所述阵列基板包括基板及设置于基板一侧边缘的短路棒区，所述短路棒区包括层叠设置的第一金属层、栅极绝缘层、光吸收层及钝化层。其中所述第一金属层包括图案化形成的短路棒测试线，所述光吸收层图案化形成光吸收部。所述短路棒测试线设有待切割部分，所述光吸收部与所述短路棒测试线待切割部分相对设置。利用所述光吸收部对光吸收率高的特性，提升激光切割中对激光的利用率，以解决激光切割中因所述钝化层中有机膜导致的切割不良问题。
Description
技术领域
本揭示涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
在现有的液晶显示面板中，为了减少阵列基板上的绑定区的尺寸，达到实现更大的显示区域的效果，一般采用覆晶薄膜(chip on film，COF)绑定(bonding)的技术。即将带有芯片(IC)的柔性电路板(Flexible Print Circuit,FPC)与液晶面板阵列基板的绑定导线(bonding lead)区域绑定，实现信号传输。
为提高液晶显示面板的产出良率，防止不良产品流入模组或流入客户端，一般在对组完成后设置点灯检查。通过输入各种模拟信号，检查显示方面功能缺陷。为提升检测速率，一般采用短路棒(shorting bar)方式人眼检查。如图1所示，显示面板8000中的短路棒区SB的短路棒SC与短路棒测试线SD相连，短路棒测试线SD与绑定导线区BL的绑定导线BD相连，一般设置在显示面板***区域。完成检测后，需将短路棒SC及相关电路切断，以防影响实际产品信号传输。通常采用激光切割(Laser cut)方式从短路棒测试线SD待切割区域LC切割断开短路棒及相关电路。
然而现有液晶显示面板中，为平坦阵列(Array)侧地形，改善后制程光阻涂布特性，同时提升对比度，降低寄生电容，通常使用有机绝缘膜(Polymer Film on Array，PFA)取代传统的氮化硅(SiNx)膜或氧化硅(SiOx)膜作为绝缘保护层。但是有机绝缘膜透过率高，光热吸收远低于无机膜，在采用激光切割时会存在切割残留问题，即部分短路棒测试线没有被切断，导致在防静电(Electrostatic Discharge，ESD)测试时，易引发击伤现象。
因此，现有显示面板的短路棒区存在激光切割残留的问题需要解决。
发明内容
本揭示提供一种阵列基板及显示面板，以缓解现有显示面板的短路棒区存在激光切割残留的技术问题。
为解决上述问题，本揭示提供的技术方案如下：
本揭示实施例提供一种阵列基板，其包括基板及设置于所述基板一侧边缘的短路棒区，所述短路棒区包括第一金属层、栅极绝缘层、光吸收层以及钝化层。所述第一金属层设置于所述基板上，包括图案化形成的短路棒测试线。所述栅极绝缘层，覆于所述第一金属层上。所述光吸收层设置于所述栅极绝缘层上，图案化形成光吸收部。所述钝化层，覆于所述光吸收层上。其中，所述短路棒测试线设有待切割部分，所述光吸收部与所述短路棒测试线待切割部分相对设置。
在本揭示实施例提供的阵列基板中，所述光吸收部的宽度大于所述短路棒测试线的宽度。
在本揭示实施例提供的阵列基板中，所述光吸收部的宽度比所述短路棒测试线的宽度宽3微米。
在本揭示实施例提供的阵列基板中，所述光吸收部的长度等于所述短路棒测试线待切割部分的长度。
在本揭示实施例提供的阵列基板中，所述光吸收部的长度大于所述短路棒测试线待切割部分的长度。
在本揭示实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括第二金属层，所述光吸收层和所述第二金属层同层设置，且所述光吸收层由所述第二金属层形成。
在本揭示实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括第二金属层，所述光吸收层和所述第二金属层的材料不同。
在本揭示实施例提供的阵列基板中，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第二钝化层覆于所述第一钝化层上，且所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料不同。
在本揭示实施例提供的阵列基板中，所述第一钝化层的材料为无机绝缘膜，所述第二钝化层的材料为有机绝缘膜。
本揭示实施例还提供一种显示面板，其包括前述实施例其中之一提供的阵列基板。
本揭示的有益效果为：本揭示提供的一种阵列基板及显示面板中，在所述阵列基板的短路棒区设置光吸收层，所述光吸收层的光吸收部设置于所述短路棒测试线待切割部分的相对上方。利用所述光吸收部对光吸收率高的特性，提升了激光切割中对激光的利用率，解决了激光切割中因所述钝化层中有机膜导致的切割残留问题，缓解了在防静电测试时因切割残留引发的击伤现象。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术显示面板短路棒区的下视结构示意图；
图2为本揭示实施例提供的阵列基板短路棒区膜层结构侧视示意图；
图3为本揭示实施例提供的短路棒区第一种结构下视示意图；
图4为本揭示实施例提供的短路棒区第一种结构被切割后的下视示意图；
图5为本揭示实施例提供的短路棒区第二种结构被切割后的下视示意图；
图6为本揭示实施例提供的各金属的镭射光吸收率的对比示意图；
图7为本揭示实施例提供的短路棒区第三种结构下视示意图；
图8为本揭示实施例提供的短路棒区第三种结构被切割后的下视示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。本揭示所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
在一种实施例中，如图2所示，提供一种阵列基板100，其包括基板10及设置于所述基板10一侧边缘的短路棒区20，所述短路棒区20包括第一金属层、栅极绝缘层22、光吸收层以及钝化层(其中，第一金属层、光吸收层在图2中只示出了图案化后的图案，钝化层包括图2中的第一钝化层24和第二钝化层25)。所述第一金属层设置于所述基板10上，包括图案化形成的短路棒测试线211。所述栅极绝缘层22，覆于所述第一金属层上。所述光吸收层设置于所述栅极绝缘层22上，图案化形成光吸收部231。所述钝化层，覆于所述光吸收层上。其中，所述短路棒测试线211设有待切割部分，所述光吸收部231与所述短路棒测试线211待切割部分相对设置。
具体的，所述钝化层包括第一钝化层24和第二钝化层25，所述第二钝化层25覆于所述第一钝化层24上，且所述第一钝化层24和所述第二钝化层25的材料不同。
进一步的，所述第一钝化层24的材料为无机绝缘膜，例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiNO)等有机物中的一种或几种组合物。所述第二钝化层25的材料为有机绝缘膜。
需要说明的是，所述短路棒测试线211待切割部分是指因断开短路棒及相关电路而需要切割掉的部分。
进一步的，所述光吸收部231的材料为金属，金属对激光切割中的激光有较高的光吸收率。各金属对激光的吸收率下文将作具体描述。
本实施例中，所述短路棒区20的所述光吸收部231与所述短路棒测试线211待切割部分相对设置，利用所述光吸收部231对光吸收率高的特性，解决在激光切割断开短路棒区20时，因所述钝化层中有机绝缘膜的透过率高，光热吸收率低导致的切割残留问题。
在一种实施例中，如图2所示的阵列基板100中，所述光吸收部231的宽度大于所述短路棒测试线211的宽度。
具体的，所述光吸收部231的宽度比所述短路棒测试线211的宽度宽3微米，例如所述短路棒测试线211的宽度为12微米，所述光吸收部231的宽度为15微米。
进一步的，所述光吸收部231的长度等于所述短路棒测试线211待切割部分的长度。
具体的，如图3所示，为图2所示的阵列基板100中短路棒区20的下视结构示意图，在图3中，所述光吸收部231与所述短路棒测试线211待切割部分相对设置，且所述光吸收部231的宽度L2大于所述短路棒测试线211的宽度L1，所述光吸收部231的长度S2等于所述短路棒测试线211待切割部分的长度S1。
具体的，多个所述短路棒测试线211待切割部分组合在一起形成待切割区域212，如图3中的待切割区域212。
具体的，由于所述光吸收部231的宽度L2大于所述短路棒测试线211的宽度L1，且所述光吸收部231的长度S2等于所述短路棒测试线211待切割部分的长度S1，使所述光吸收部231把所述短路棒测试线211待切割部分完全覆盖住。在进行激光切割的时候，由于所述光吸收部231对光的高吸收率，使覆盖在下面的所述短路棒测试线211待切割部分完全被切割掉，形成如图4所示的切割完成后的示意图，图4中，待切割区域212内的所述短路棒测试线211被完全切掉，解决了由于所述钝化层中无机绝缘薄膜导致的切割残留。
进一步的，所述光吸收部231的长度S2也可以稍微小于所述短路棒测试线211待切割部分的长度，激光切割完成后形成如图5所示的结构示意图。在图5中，待切割区域212内还存在部分所述短路棒测试线211，但所述短路棒测试线211已被切断，实现了短路棒及相关电路断开的目的，同样解决了由于所述钝化层中无机绝缘薄膜导致的切割残留。
具体的，所述阵列基板100还包括第二金属层，所述光吸收层和所述第二金属层同层设置，且所述光吸收层由所述第二金属层形成。
需要说明的是，所述第二金属层在各图中均未示出，本揭示的第二金属层为阵列基板100中常规的第二金属层，即通常用于形成源漏极及数据线的第二金属层。
具体的，所述光吸收层与所述第二金属层在同一工艺中制备，所述第二金属层在形成源漏极及数据线的同时形成有所述光吸收层的所述光吸收部231。
进一步的，第二金属层的材料可以为铜等其他金属。如图6所示的各金属对激光的吸收率与波长的关系示意图，其中包括铜(Cu)、金(Au)、镍(Ni)、铁(Fe)、铝(Al)。从图中可以看出，各金属在激光切割中使用的激光波长为532纳米时都具有较高光吸收率，其中金属铝的光吸收率相对其他金属的光吸收率较低。金属铜的光吸收率较高。
进一步的，所述光吸收层由所述第二金属层形成，也即所述光吸收部231的材料为铜。由于金属铜较高的光吸收率，使所述光吸收部231也具有较高的光吸收率。在采用激光切割时可以使激光更容易把所述钝化层的有机绝缘层切割开。
在一种实施例中，和上述实施例不同的是，所述光吸收部231’的长度S2’大于所述短路棒测试线211待切割部分的长度S1。如图7所示，所述光吸收部231’的长度S2’超出待切割区域212，且所述光吸收部231’的宽度L2大于所述短路棒测试线211的宽度L1。
具体的，由于所述光吸收部231’的宽度L2大于所述短路棒测试线211的宽度L1，且所述光吸收部231’的长度S2’大于所述短路棒测试线211待切割部分的长度S1，使所述光吸收部231’把所述短路棒测试线211待切割部分完全覆盖住。在进行激光切割的时候，由于所述光吸收部231’对光的高吸收率，使覆盖在下面的所述短路棒测试线211待切割部分完全被切割掉，形成如图8所示的切割完成后的示意图，图8中，待切割区域212内的所述短路棒测试线211被完全切掉，解决了由于所述钝化层中无机绝缘薄膜导致的切割残留。
具体的，所述光吸收层和所述第二金属层同层设置，但所述光吸收层和所述第二金属层的材料不同。
进一步的，在制备第二金属层的同时，采用不同于第二金属层材料的金属材料在所述短路棒区制备所述光吸收层。
进一步的，所述光吸收层也可以和所述第二金属层不同层设置，例如在制备有源层的时候同时在所述短路棒区制备光吸收层。
进一步的，所述光吸收层和所述第二金属层不同层设置时，所述光吸收层的金属材料可以和所述第二金属层的材料相同，也可以和第二金属层的材料不同。
需要说明的是，本揭示的所述光吸收层采用的是金属材料，但本揭示不限于此，只要对激光切割时使用的激光有很好的光吸收率的材料均可作为本揭示所述光吸收层的材料。
在一种实施例中，提供一种液晶显示面板，其包括前述实施例其中之一的阵列基板、与所述阵列基板相对设置的彩膜基板以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的多个液晶分子。
在一种实施例中，提供一种OLED显示面板，其包括前述实施例其中之一的阵列基板、设置于阵列基板上的发光功能层、设置于所述发光功能层上的封装层。
在一种实施例中，提供一种显示面板的制备方法，以上述实施例中的液晶显示面板为例说明，其包括以下步骤：
步骤S1：短路棒测试线制备步骤，包括提供一基板，在所述基板上制备第一金属层，图案化所述第一金属层得到短路棒区的短路棒测试线；
步骤S2：光吸收部制备步骤，包括在所述第一金属层上依次制备栅极绝缘层、有源层、层间绝缘层、第二金属层，图案化所述第二金属层在所述短路棒区形成光吸收部；
步骤S3：阵列基板形成步骤，包括在所述第二金属层上依次制备第一钝化层、RGB彩膜层、第二钝化层、像素电极层以及配向膜层，完成阵列基板的制备；
步骤S4：对组步骤，包括提供一彩膜基板，与所述阵列基板对组；
步骤S5：液晶分子注入步骤，包括在对组完成的所述阵列基板和彩膜基板之间注入多个液晶分子。
具体的，在步骤S1中，图案化所述第一金属层得到所述短路棒区的短路棒测试线的同时，在阵列基板的显示区还形成有栅极线。
具体的，在步骤S2中，图案化所述第二金属层在所述短路棒区形成光吸收部的同时，在阵列基板的显示区还形成有源极、漏极以及数据线。
进一步的，所述光吸收部的宽度大于所述短路棒测试线的宽度，所述光吸收部的长度大于所述短路棒测试线待切割部分的长度。
进一步的，由于所述光吸收部的宽度大于所述短路棒测试线的宽度，且所述光吸收部的长度大于所述短路棒测试线待切割部分的长度，使所述光吸收部把所述短路棒测试线待切割部分完全覆盖住。在进行激光切割的时候，由于所述光吸收部对光的高吸收率，使覆盖在下面的所述短路棒测试线待切割部分被切割掉，解决了由于所述钝化层中无机绝缘薄膜导致的切割残留。
具体的，在步骤S3中，制备得到的阵列基板为阵列上彩色滤光片(Colorfilter onArray，COA)基板。但本揭示不限于此，本揭示的短路棒区结构设计可以适用于各种阵列基板。
根据上述实施例可知：
本揭示提供一种阵列基板、显示面板及显示面板制备方法，所述阵列基板包括基板及设置于基板一侧边缘的短路棒区，所述短路棒区包括层叠设置的第一金属层、栅极绝缘层、光吸收层及钝化层。其中所述第一金属层包括图案化形成的短路棒测试线，所述光吸收层图案化形成光吸收部。所述光吸收部与所述短路棒测试线待切割部分相对设置。利用所述光吸收部对光吸收率高的特性，提升了激光切割中对激光的利用率，解决了激光切割中因所述钝化层中有机膜导致的切割残留问题，缓解了在防静电测试时因切割残留引发的击伤现象。
综上所述，虽然本揭示已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本揭示，本领域的普通技术人员，在不脱离本揭示的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本揭示的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括基板及设置于所述基板一侧边缘的短路棒区，所述短路棒区包括：
第一金属层，设置于所述基板上，包括图案化形成的短路棒测试线；
栅极绝缘层，覆于所述第一金属层上；
光吸收层，设置于所述栅极绝缘层上，图案化形成光吸收部；以及
钝化层，覆于所述光吸收层上；
其中，所述短路棒测试线设有待切割部分，所述光吸收部与所述短路棒测试线待切割部分相对设置。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光吸收部的宽度大于所述短路棒测试线的宽度。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述光吸收部的宽度比所述短路棒测试线的宽度宽3微米。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述光吸收部的长度等于所述短路棒测试线待切割部分的长度。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述光吸收部的长度大于所述短路棒测试线待切割部分的长度。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二金属层，所述光吸收层和所述第二金属层同层设置，且所述光吸收层由所述第二金属层形成。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二金属层，所述光吸收层和所述第二金属层的材料不同。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第二钝化层覆于所述第一钝化层上，且所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料不同。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层的材料为无机绝缘膜，所述第二钝化层的材料为有机绝缘膜。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的阵列基板。
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