JPH0482145A - 表示装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は、陰極線管や液晶表示装置などの表示部の基
体外表面に反射防止膜が形成されてなる表示装置に関す
る。
体外表面に反射防止膜が形成されてなる表示装置に関す
る。
(従来の技術)
陰極線管や液晶表示装置などの表示部は、外表面が平滑
なガラス基体で構成されることが多く、そのためにその
外表面で外部光の一次反射がおこり、表示部に描かれる
映像をみにくくするという問題がある。
なガラス基体で構成されることが多く、そのためにその
外表面で外部光の一次反射がおこり、表示部に描かれる
映像をみにくくするという問題がある。
たとえば陰極線管については、第9図に示すように、外
表面が平滑なガラス製フェースプレート(1)を基体と
して、その内面に蛍光体スクリーン(2)が形成され、
電子銃(3)から放出される電子ビーム(4)を偏向ヨ
ーク(5)の発生する磁界により偏向して、上記蛍光体
スクリーン(2)ヲ水平、垂直走査することにより映像
を表示する構造に形成されている。そのため、フェース
プレート(1)外表面でおこる外部光の一次反射が蛍光
体スクリーン(2)上の映像と重なり合って、その映像
をみにくくする。
表面が平滑なガラス製フェースプレート(1)を基体と
して、その内面に蛍光体スクリーン(2)が形成され、
電子銃(3)から放出される電子ビーム(4)を偏向ヨ
ーク(5)の発生する磁界により偏向して、上記蛍光体
スクリーン(2)ヲ水平、垂直走査することにより映像
を表示する構造に形成されている。そのため、フェース
プレート(1)外表面でおこる外部光の一次反射が蛍光
体スクリーン(2)上の映像と重なり合って、その映像
をみにくくする。
このような外部光反射の問題を解決する手段として、従
来より、っぎの2つの手段がある。
来より、っぎの2つの手段がある。
その第1の手段は、特開昭61−29051号公報に示
されているように、フェースプレート外表面に微細な凹
凸を形成して、外部光を散乱させる方法である。しかし
、このような手段は、画面全体に白味がかかり、コント
ラストが劣化しているようにみえ、また映像の解像度も
劣化させる。
されているように、フェースプレート外表面に微細な凹
凸を形成して、外部光を散乱させる方法である。しかし
、このような手段は、画面全体に白味がかかり、コント
ラストが劣化しているようにみえ、また映像の解像度も
劣化させる。
第2の手段は、フェースプレート外表面に単層または多
層の光学膜を形成して、外部光の反射を防止する反射防
止膜とする方法である。概してこの手段によれば、外部
光の一次反射を有効に防止して、コントラストや解像度
も劣化を防止することができる。
層の光学膜を形成して、外部光の反射を防止する反射防
止膜とする方法である。概してこの手段によれば、外部
光の一次反射を有効に防止して、コントラストや解像度
も劣化を防止することができる。
特に単層の反射防止膜の場合は、通常フェースプレート
のガラスの屈折率より低い物質により形成される。その
無反射条件は、反射防止膜の屈折率を01空気の屈折率
n。、表示部基体の屈折率を02とするとき、 て表され、陰極線管の場合、表示部基体がガラスである
から、 n 2 =1 、52 空気の屈折率は、 n o −1,00 であるから、 n1テ1゜23 となる。
のガラスの屈折率より低い物質により形成される。その
無反射条件は、反射防止膜の屈折率を01空気の屈折率
n。、表示部基体の屈折率を02とするとき、 て表され、陰極線管の場合、表示部基体がガラスである
から、 n 2 =1 、52 空気の屈折率は、 n o −1,00 であるから、 n1テ1゜23 となる。
この単層の反射防止膜を形成する一般的な方法として、
ぶつ化マグネシウム(MgF2)を真空蒸着する方法が
ある。しかし、MgF2は、それ自体の屈折率が1.3
8と上記無反射条件の屈折率(n 1= 1.23)よ
り大きいため、この真空蒸着で形成された反射防止膜で
は、十分な反射防止効果が得られない。
ぶつ化マグネシウム(MgF2)を真空蒸着する方法が
ある。しかし、MgF2は、それ自体の屈折率が1.3
8と上記無反射条件の屈折率(n 1= 1.23)よ
り大きいため、この真空蒸着で形成された反射防止膜で
は、十分な反射防止効果が得られない。
単層の反射防止膜を形成する他の方法として、Mg F
2微粒子をけい素(Si )のアルコキシドなどを加
水分解、脱水縮合して得られる酸化けい素(S102)
などにより結着する方法がある。
2微粒子をけい素(Si )のアルコキシドなどを加
水分解、脱水縮合して得られる酸化けい素(S102)
などにより結着する方法がある。
この方法によれば、第10図に示すように、MgF2微
粒子(6)間に空隙(7)をもつ多孔質薄膜とすること
ができるため、屈折率をMgF2自体の屈折率1.38
以下にすることができる。しかし、この多孔質薄膜の強
度を十分な大きさにしようとすると、Mg F 2に対
する結着剤量が多くなり、その結果、屈折率が大きくな
って反射防止効果が減退する。さらに問題となる点は、
第11図に示すように、Mg F 微粒子(6)の表
面に3102や未縮合の5t−0−Hが存在するため、
水分を吸着しやすく、その吸着水が多孔質薄膜の空隙に
浸入して屈折率を変化させる、つまり反射率が経時変化
するという問題がある。
粒子(6)間に空隙(7)をもつ多孔質薄膜とすること
ができるため、屈折率をMgF2自体の屈折率1.38
以下にすることができる。しかし、この多孔質薄膜の強
度を十分な大きさにしようとすると、Mg F 2に対
する結着剤量が多くなり、その結果、屈折率が大きくな
って反射防止効果が減退する。さらに問題となる点は、
第11図に示すように、Mg F 微粒子(6)の表
面に3102や未縮合の5t−0−Hが存在するため、
水分を吸着しやすく、その吸着水が多孔質薄膜の空隙に
浸入して屈折率を変化させる、つまり反射率が経時変化
するという問題がある。
一方、多層の反射防止膜については、これを2層構造に
形成すると、無反射条件を容易に選定することができる
。すなわち、2層構造の反射防止膜の無反射条件は、ガ
ラスからなる表示部の基体の屈折率をn 下層膜の屈
折率をn3、上層膜2 ゝ の屈折率をn 空気の屈折率をn。とするとき、4
ゝ で表され、 n 2−1 、52 n o −wl 、 00 とすると、 n a / n 4−1−23 となるから、屈折率の比n s / n 4が1.23
になるように適宜物質を選択して下層および上層膜を形
成すればよく、実際には下層膜に屈折率の高い物質を用
いることにより、容易に形成することができる。
形成すると、無反射条件を容易に選定することができる
。すなわち、2層構造の反射防止膜の無反射条件は、ガ
ラスからなる表示部の基体の屈折率をn 下層膜の屈
折率をn3、上層膜2 ゝ の屈折率をn 空気の屈折率をn。とするとき、4
ゝ で表され、 n 2−1 、52 n o −wl 、 00 とすると、 n a / n 4−1−23 となるから、屈折率の比n s / n 4が1.23
になるように適宜物質を選択して下層および上層膜を形
成すればよく、実際には下層膜に屈折率の高い物質を用
いることにより、容易に形成することができる。
この2層構造の反射防止膜として、特開昭61−100
43号公報には、下層膜をチタン(Ti )またはジル
コニウム(Zr )の酸化物系化合物、たとえばTjま
たはZrのアルコキシドと、S iO2系化合物、たと
えばSlのアルコキシドとの共縮合体で形成し、上層膜
をポリフルオロアルキル基を含有するアルコキシシラン
またはクロルシランから得られる含ふっ素シリコーン化
合物で形成することにより、無反射条件を満たす反射防
止膜としたものが示されている。
43号公報には、下層膜をチタン(Ti )またはジル
コニウム(Zr )の酸化物系化合物、たとえばTjま
たはZrのアルコキシドと、S iO2系化合物、たと
えばSlのアルコキシドとの共縮合体で形成し、上層膜
をポリフルオロアルキル基を含有するアルコキシシラン
またはクロルシランから得られる含ふっ素シリコーン化
合物で形成することにより、無反射条件を満たす反射防
止膜としたものが示されている。
しかし、この2層構造の反射防止膜は、下層膜の屈折率
が高いため、上層膜で被覆されない部分が生ずると、そ
の部分では、下層膜の表面反射かおこり、反射率が高く
なる。たとえば下層膜の屈折率か1.7であるとすると
、この下層膜の反射率は10%となり、屈折率が1.5
2の通常のガラスからなる基体の反射率4.3%の2倍
以上となる。そのため、わすかな欠点でも目立ち、単層
の反射防止膜にくらべて不良の発生か多くなる。またこ
の2層構造の反射防止膜は、単層の反射防止膜にくらべ
て製造工程も複雑となる。
が高いため、上層膜で被覆されない部分が生ずると、そ
の部分では、下層膜の表面反射かおこり、反射率が高く
なる。たとえば下層膜の屈折率か1.7であるとすると
、この下層膜の反射率は10%となり、屈折率が1.5
2の通常のガラスからなる基体の反射率4.3%の2倍
以上となる。そのため、わすかな欠点でも目立ち、単層
の反射防止膜にくらべて不良の発生か多くなる。またこ
の2層構造の反射防止膜は、単層の反射防止膜にくらべ
て製造工程も複雑となる。
(発明が解決しようとする課題)
上記のように、陰極線管や液晶表示装置なとの表示部は
、平滑なガラス基体の外表面で外部光の一次反射がおこ
り、その反射が表示部に描かれる映像と重なり合ってみ
にくくするという問題がある。この外部光反射の問題を
解決する手段として、従来より表示部基体の外表面に単
層または多層の光学膜を形成して、外部光の反射を防止
する反射防止膜とする方法がある。
、平滑なガラス基体の外表面で外部光の一次反射がおこ
り、その反射が表示部に描かれる映像と重なり合ってみ
にくくするという問題がある。この外部光反射の問題を
解決する手段として、従来より表示部基体の外表面に単
層または多層の光学膜を形成して、外部光の反射を防止
する反射防止膜とする方法がある。
しかし、その単層の反射防止膜として、これをMg F
2の真空蒸着により形成したものでは、MgF2自体
の屈折率が大きいため、十分な反射防止効果が得られな
い。またこの単層の反射防止膜t−1MgF2微粒子を
Siのアルコキシドなとを加水分解、脱水縮合して得ら
れる8102などにより結着して多孔質薄膜として形成
する方法かあるか、この多孔質薄膜の強度を十分な大き
さにしようとすると、Mg F 2に対する結着剤量か
多くなり、その結果、屈折率が大きくなって反射防止効
果が減退する。そればかりてなく、MgF2微粒子の表
面にS ] 02や未縮合の5j−0−Hか存在するた
め、水分を吸着し7やすく、その吸着水が多孔質薄膜の
空隙に浸入【7て屈折率を変化させるという問題がある
。また、多層の反射防止膜としての2層構造の反射防止
膜については、下層膜の屈折率が高いため、上層膜に塗
布されない部分などが生ずると、その部分では、下層膜
の表面反射かおこり、わずかな欠点ても目立ち、単層の
反射防止膜にくらべて不良の発生が多くなる。また単層
の反射防止膜にくらべて製造工程も複雑になるなどの問
題がある。
2の真空蒸着により形成したものでは、MgF2自体
の屈折率が大きいため、十分な反射防止効果が得られな
い。またこの単層の反射防止膜t−1MgF2微粒子を
Siのアルコキシドなとを加水分解、脱水縮合して得ら
れる8102などにより結着して多孔質薄膜として形成
する方法かあるか、この多孔質薄膜の強度を十分な大き
さにしようとすると、Mg F 2に対する結着剤量か
多くなり、その結果、屈折率が大きくなって反射防止効
果が減退する。そればかりてなく、MgF2微粒子の表
面にS ] 02や未縮合の5j−0−Hか存在するた
め、水分を吸着し7やすく、その吸着水が多孔質薄膜の
空隙に浸入【7て屈折率を変化させるという問題がある
。また、多層の反射防止膜としての2層構造の反射防止
膜については、下層膜の屈折率が高いため、上層膜に塗
布されない部分などが生ずると、その部分では、下層膜
の表面反射かおこり、わずかな欠点ても目立ち、単層の
反射防止膜にくらべて不良の発生が多くなる。また単層
の反射防止膜にくらべて製造工程も複雑になるなどの問
題がある。
この発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、
十分な反射防止効果を有し、しかも十分な強度を有し、
かつ経時変化をおこさない単層の反射防止膜を備える表
示装置を構成することを目的とする。
十分な反射防止効果を有し、しかも十分な強度を有し、
かつ経時変化をおこさない単層の反射防止膜を備える表
示装置を構成することを目的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
表示部基体の外表面に反射防止膜が形成されてなる表示
装置において、その反射防止膜をフルオロアルキル基を
有するシラン化合物の縮合体、またはこのシラン化合物
とけい素または金属酸化物系化合物との共縮合体とを結
着剤として、ぶつ化マグネシウム微粒子を結着してなる
多孔質薄膜で構成した。
装置において、その反射防止膜をフルオロアルキル基を
有するシラン化合物の縮合体、またはこのシラン化合物
とけい素または金属酸化物系化合物との共縮合体とを結
着剤として、ぶつ化マグネシウム微粒子を結着してなる
多孔質薄膜で構成した。
(作用)
上記のように、表示装置の反射防止膜を形成すると、フ
ルオロアルキル基を有するシラン化合物の縮合体または
そのシラン化合物とけい素または金属酸化物系化合物と
の共縮合体からなる結着剤は、MgF、、とほぼ同じ屈
折率を有するため、MgF2に対するその結着剤量を調
整して薄膜中の気孔率を調整することにより、十分な反
射防止効果をもつ反射防止膜とすることかでき、かつそ
の結着剤は、従来の単層の反射防止膜の結着剤として用
いられたSlのアルコキシドを加水分解、脱水縮合して
得られたSiO2とほぼ同等の結着力を有するので、反
射防止膜を所要の強度に保持した状態で十分な反射防止
効果をもつ反射防止膜となる。しかも、疎水性のフルオ
ロアルキル基を有するシロキサン結合で結合するSjの
マトリックスによりMg F 2が結着されるため、そ
のフルオロアルキル基が多孔質薄膜の空隙への水分の浸
入を防止し、経時変化がおこらないものとなる。
ルオロアルキル基を有するシラン化合物の縮合体または
そのシラン化合物とけい素または金属酸化物系化合物と
の共縮合体からなる結着剤は、MgF、、とほぼ同じ屈
折率を有するため、MgF2に対するその結着剤量を調
整して薄膜中の気孔率を調整することにより、十分な反
射防止効果をもつ反射防止膜とすることかでき、かつそ
の結着剤は、従来の単層の反射防止膜の結着剤として用
いられたSlのアルコキシドを加水分解、脱水縮合して
得られたSiO2とほぼ同等の結着力を有するので、反
射防止膜を所要の強度に保持した状態で十分な反射防止
効果をもつ反射防止膜となる。しかも、疎水性のフルオ
ロアルキル基を有するシロキサン結合で結合するSjの
マトリックスによりMg F 2が結着されるため、そ
のフルオロアルキル基が多孔質薄膜の空隙への水分の浸
入を防止し、経時変化がおこらないものとなる。
(実施例)
以下、図面を参照してこの発明を実施例に基づいて説明
する。
する。
実施例1゜
第1図にその一実施例であるカラー受像管を示す。この
カラー受像管は、外表面が平滑な球面状のガラス製パネ
ル(10)とこのパネル(10)に一体に接合された漏
斗状のファンネル(11)とからなる真空外囲器を有す
る。そのパネル(10)は表示部基体をなし、その内面
に青、緑、赤に発光するドツト状またはストライプ状の
3色蛍光体層およびこの3色蛍光体層の間隙部を埋める
光吸収層からなる蛍光体スクリーン(12)か形成され
、さらにこの蛍光体スクリーン(12)に対向して、そ
の内側に多数の電子ビーム通過孔の形成されたシャドウ
マスク(13)か装着されている。またファンネル(1
1)のネック(14)内に3電子ビーム(15B) 、
(15G) 、 (15R)を放出する電子銃(16
)が配設されている。そして、この電子銃(1B)から
放出される3電子ビーム(15B) 、 (15G)
、 (15R)をファンネル(11)の外側に装着され
た偏向ヨーク(17)の発生する磁界により偏向して、
蛍光体スクリーン(12)を水平、垂直走査することに
より、映像を表示する構造に形成されている。また上記
パネル(10)の外側には、上記真空外囲器の爆縮を防
止するための防爆バンド(18)か巻付けられている。
カラー受像管は、外表面が平滑な球面状のガラス製パネ
ル(10)とこのパネル(10)に一体に接合された漏
斗状のファンネル(11)とからなる真空外囲器を有す
る。そのパネル(10)は表示部基体をなし、その内面
に青、緑、赤に発光するドツト状またはストライプ状の
3色蛍光体層およびこの3色蛍光体層の間隙部を埋める
光吸収層からなる蛍光体スクリーン(12)か形成され
、さらにこの蛍光体スクリーン(12)に対向して、そ
の内側に多数の電子ビーム通過孔の形成されたシャドウ
マスク(13)か装着されている。またファンネル(1
1)のネック(14)内に3電子ビーム(15B) 、
(15G) 、 (15R)を放出する電子銃(16
)が配設されている。そして、この電子銃(1B)から
放出される3電子ビーム(15B) 、 (15G)
、 (15R)をファンネル(11)の外側に装着され
た偏向ヨーク(17)の発生する磁界により偏向して、
蛍光体スクリーン(12)を水平、垂直走査することに
より、映像を表示する構造に形成されている。また上記
パネル(10)の外側には、上記真空外囲器の爆縮を防
止するための防爆バンド(18)か巻付けられている。
さらにパネル(10)の球面状部から隣接外側部の外表
面にかけて、その外表面における外部光の一次反射を防
止するための反射防止膜(19)が設けられている。
面にかけて、その外表面における外部光の一次反射を防
止するための反射防止膜(19)が設けられている。
上記反射防止膜(19)は、
[[(C)I、 ) ] I? 5i(OR’)
4−(、+m)、、2nm (OR’) 5i(CH) Rf(CH2) 25
i(OR’) 3但し、Rf:フルオロアルキル基 R:アルキル基またはフェニル基 R゛ :アルキル基またはフェニル基 n+m≦3 n:3以下の自然数 m:0,1.2のいずれか で表されるフルオロアルキル基を有するシラン化合物の
縮合体、またはそのアルコキシル基(OR’)をクロル
(Cg)で置換したもの、またはそのフルオロアルキル
基を有するシラン化合物とSiまたはTi、Zrなどの
金属酸化物系化合物、たとえば M (OR) 但し、M:Ti、Zrなどの金属 との共縮合体を結着剤とし、第2図に示すように、Mg
F2微粒子(21)を上記結着剤(22)で結着した多
孔質薄膜で構成されている。第3図(a)および(b)
にそれぞれその [Rf(CH2) 2)] 、 R、5t(OR’)
4−(n+m)および(OR’) 5i(CH2)
2Rf<CH2) 2St(OR’) 3を結着剤とす
る反射防止膜(19)の化学構造を示す。
4−(、+m)、、2nm (OR’) 5i(CH) Rf(CH2) 25
i(OR’) 3但し、Rf:フルオロアルキル基 R:アルキル基またはフェニル基 R゛ :アルキル基またはフェニル基 n+m≦3 n:3以下の自然数 m:0,1.2のいずれか で表されるフルオロアルキル基を有するシラン化合物の
縮合体、またはそのアルコキシル基(OR’)をクロル
(Cg)で置換したもの、またはそのフルオロアルキル
基を有するシラン化合物とSiまたはTi、Zrなどの
金属酸化物系化合物、たとえば M (OR) 但し、M:Ti、Zrなどの金属 との共縮合体を結着剤とし、第2図に示すように、Mg
F2微粒子(21)を上記結着剤(22)で結着した多
孔質薄膜で構成されている。第3図(a)および(b)
にそれぞれその [Rf(CH2) 2)] 、 R、5t(OR’)
4−(n+m)および(OR’) 5i(CH2)
2Rf<CH2) 2St(OR’) 3を結着剤とす
る反射防止膜(19)の化学構造を示す。
上記反射防止膜(19)の膜厚dは、膜(19)の屈折
率を01光の波長をλとするとき、 nl−d−λ/4 で決定され、波長λを一番視感度の高いλ−550nm に対して、 d −1000人 に形成されている。
率を01光の波長をλとするとき、 nl−d−λ/4 で決定され、波長λを一番視感度の高いλ−550nm に対して、 d −1000人 に形成されている。
したかって、この薄膜を構成するMgF2微粒子(2]
)の粒径は1000Å以下であるが、粒径は100Å以
下になると、その微粒子が反射防止膜塗布溶液中で凝集
して2次粒子をつくり、均質な反射防止膜(19)を形
成することができなくなるので、10Å以上であること
が望まれる。
)の粒径は1000Å以下であるが、粒径は100Å以
下になると、その微粒子が反射防止膜塗布溶液中で凝集
して2次粒子をつくり、均質な反射防止膜(19)を形
成することができなくなるので、10Å以上であること
が望まれる。
つぎに、上記反射防止膜(I9)形成に用いられるフル
オロアルキル基を有するシラン化合物の縮合体の具体例
をて示す。
オロアルキル基を有するシラン化合物の縮合体の具体例
をて示す。
CF (CF ) (CH) Si(OCII
3)3CP (CF ’) (CH) 5t(OH
C3)2CF (CH) 5l(OCHa ) 3
(OCH) 5i(CH2)2(CF2)5(CH2)
2Si(OCH3)3 CF (CP ’) (C)I ) 5t(
QC)I3)3CF3(CH2)2SiC12 CISl(CH2)2(CF2)5(CH2)2SjC
13CF3 (cp 2 ) y (co
2 ) 2 5iClaCP (CP )
(CH) 5t(CH3)(OCH3)、。
3)3CP (CF ’) (CH) 5t(OH
C3)2CF (CH) 5l(OCHa ) 3
(OCH) 5i(CH2)2(CF2)5(CH2)
2Si(OCH3)3 CF (CP ’) (C)I ) 5t(
QC)I3)3CF3(CH2)2SiC12 CISl(CH2)2(CF2)5(CH2)2SjC
13CF3 (cp 2 ) y (co
2 ) 2 5iClaCP (CP )
(CH) 5t(CH3)(OCH3)、。
ところで、上記のように反射防止膜(■9)を、フルオ
ロアルキル基を有するシラン化合物の縮合体、またはそ
のアルコキシル基をCgで置換したもの、またはそのフ
ルオロアルキル基を有するシラン化合物とSjまたは金
属酸化物系化合物との共縮合体を結着剤(22)として
、MgF2微粒子(21)を結着17た多孔質薄膜構造
に形成すると、その結着剤(22)であるフルオロアル
キル基を有するシラン化合物の縮合体などの屈折率が1
.35〜1.43であり、MgF2の屈折率(1,38
)とほぼ同じであるため、Mg F に対する結着剤
量(結着剤/ Mg F 2 )を変化させても、屈折
率の変化が少なく、反射防止膜(19)の屈折率が主と
して気孔率に依存するようになる。
ロアルキル基を有するシラン化合物の縮合体、またはそ
のアルコキシル基をCgで置換したもの、またはそのフ
ルオロアルキル基を有するシラン化合物とSjまたは金
属酸化物系化合物との共縮合体を結着剤(22)として
、MgF2微粒子(21)を結着17た多孔質薄膜構造
に形成すると、その結着剤(22)であるフルオロアル
キル基を有するシラン化合物の縮合体などの屈折率が1
.35〜1.43であり、MgF2の屈折率(1,38
)とほぼ同じであるため、Mg F に対する結着剤
量(結着剤/ Mg F 2 )を変化させても、屈折
率の変化が少なく、反射防止膜(19)の屈折率が主と
して気孔率に依存するようになる。
第4図ないし第7図に上記MgF2に対する結着剤量と
その結果得られる反射防止膜の反射率、膜強度、気孔率
および反射率の経時変化との実験結果を示す。
その結果得られる反射防止膜の反射率、膜強度、気孔率
および反射率の経時変化との実験結果を示す。
第4図の曲線(24)は、MgF2に対するフルオロア
ルキル基を有するシラン化合物の縮合体からなる結着剤
量とその結果得られる反射防止膜の視感反射率との関係
であり、曲線(25)は、Siのアルコキシドを加水分
解、脱水縮合して得られたS iO2を結着剤とする従
来構造の反射防止膜の経時変化後の安定した状態の視感
反射率を示す比較例である。反射防止膜が無反射条件を
満足するためには、反射率を1.0%以下にすることか
望まれるので、曲線(24)からMg F 2に対する
結着剤量は11倍以下であることが望まれる。この結着
剤量は、従来のS iO2を結着剤とする場合、曲線(
25)かられかるように0.25倍以下であることから
、結着剤の使用可能範囲が広く、多量の結着剤か使用可
能であることを示している。
ルキル基を有するシラン化合物の縮合体からなる結着剤
量とその結果得られる反射防止膜の視感反射率との関係
であり、曲線(25)は、Siのアルコキシドを加水分
解、脱水縮合して得られたS iO2を結着剤とする従
来構造の反射防止膜の経時変化後の安定した状態の視感
反射率を示す比較例である。反射防止膜が無反射条件を
満足するためには、反射率を1.0%以下にすることか
望まれるので、曲線(24)からMg F 2に対する
結着剤量は11倍以下であることが望まれる。この結着
剤量は、従来のS iO2を結着剤とする場合、曲線(
25)かられかるように0.25倍以下であることから
、結着剤の使用可能範囲が広く、多量の結着剤か使用可
能であることを示している。
また、第5図の曲線(26)は、MgF2に対するフル
オロアルキル基を有するシラン化合物の縮合体からなる
同結着剤の量とその結果得られる反射防止膜の膜強度と
の関係を示したものである。この反射防止膜の膜強度に
関しては、上記Sio2を結着剤とする従来構造の反射
防止膜も、曲線(26)もほぼ同等の結果が得られてい
る。この膜強度に関し、陰極線管の外囲器表面に形成さ
れる反射防止膜の強度としては、経験上6H以上か必要
であるから、所要の膜強度にするためには、Mg、 F
2に対して結着剤量を0.25倍以上にする必要があ
る。
オロアルキル基を有するシラン化合物の縮合体からなる
同結着剤の量とその結果得られる反射防止膜の膜強度と
の関係を示したものである。この反射防止膜の膜強度に
関しては、上記Sio2を結着剤とする従来構造の反射
防止膜も、曲線(26)もほぼ同等の結果が得られてい
る。この膜強度に関し、陰極線管の外囲器表面に形成さ
れる反射防止膜の強度としては、経験上6H以上か必要
であるから、所要の膜強度にするためには、Mg、 F
2に対して結着剤量を0.25倍以上にする必要があ
る。
したがって、フルオロアルキル基を有するシラン化合物
の縮合体からなる結着剤によりMgF2微粒子を結着し
てなる反射防止膜を所要の反射率および膜強度に形成す
るためには、その結着剤量をMgF2に対して、0.2
5〜11の範囲にすればよく、より好ましい反射防止膜
として、反射率を0.8%以下、膜強度を7H以上に設
定しても、MgF2に対する結着剤量は、0.5〜11
の範囲となる。しかし、S jo 2を結着剤とする従
来構造の反射防止膜については、反射率と膜強度の両方
を満足する範囲はない。つまり、この例の反射防止膜は
、S 102を結着剤とする従来構造の反射防止膜と大
きく相違する。
の縮合体からなる結着剤によりMgF2微粒子を結着し
てなる反射防止膜を所要の反射率および膜強度に形成す
るためには、その結着剤量をMgF2に対して、0.2
5〜11の範囲にすればよく、より好ましい反射防止膜
として、反射率を0.8%以下、膜強度を7H以上に設
定しても、MgF2に対する結着剤量は、0.5〜11
の範囲となる。しかし、S jo 2を結着剤とする従
来構造の反射防止膜については、反射率と膜強度の両方
を満足する範囲はない。つまり、この例の反射防止膜は
、S 102を結着剤とする従来構造の反射防止膜と大
きく相違する。
第6図にこの例の反射防止膜の屈折率を低くする最大要
因となる気孔率とMgF2に対するフルオロアルキル基
を有するシラン化合物の縮合体からなる同結着剤量との
関係を曲線(27)で示す。上述したように所要の反射
率、膜強度の反射防止膜の形成するうえに必要なMgF
2に対する結着剤量は、0.25〜11、好ましくは0
.5〜11の範囲であるから、気孔率としては、上記曲
線(27)から4.5〜36%、好ましくは8〜27%
とするとよい。
因となる気孔率とMgF2に対するフルオロアルキル基
を有するシラン化合物の縮合体からなる同結着剤量との
関係を曲線(27)で示す。上述したように所要の反射
率、膜強度の反射防止膜の形成するうえに必要なMgF
2に対する結着剤量は、0.25〜11、好ましくは0
.5〜11の範囲であるから、気孔率としては、上記曲
線(27)から4.5〜36%、好ましくは8〜27%
とするとよい。
また、この反射防止膜は、5IO2を結着剤とする従来
構造の反射防止膜と異なり、屈折率の経時変化かない。
構造の反射防止膜と異なり、屈折率の経時変化かない。
すなわち、第7図に温度25℃、相対湿度90%でのこ
の例の反射防止膜の経時変化を従来構造の反射防止膜の
それと比較して示すように、S ] 02を結着剤とす
る従来構造の反射防止膜は、曲線(28)で示すように
その反射率が大きく経時変化するが、MgF2に対する
フルオロアルキル基を有するシラン化合物の縮合体から
なる結着剤量を0,25重量%とじたこの例の反射防止
膜は、直線(29)で示すようにほとんど経時変化をお
こさないことが示されている。
の例の反射防止膜の経時変化を従来構造の反射防止膜の
それと比較して示すように、S ] 02を結着剤とす
る従来構造の反射防止膜は、曲線(28)で示すように
その反射率が大きく経時変化するが、MgF2に対する
フルオロアルキル基を有するシラン化合物の縮合体から
なる結着剤量を0,25重量%とじたこの例の反射防止
膜は、直線(29)で示すようにほとんど経時変化をお
こさないことが示されている。
これは、この例の反射防止膜は、フルオロアルキル基を
有するシロキサン結合で結合するStのマトリックスに
よりMg F 2が結着され、そのフルオロアルキル基
の強い疎水性により多孔質薄膜の空隙への水分の浸入か
防止されるためであると考えてよい。
有するシロキサン結合で結合するStのマトリックスに
よりMg F 2が結着され、そのフルオロアルキル基
の強い疎水性により多孔質薄膜の空隙への水分の浸入か
防止されるためであると考えてよい。
つぎに、この例の反射防止膜を具体例について説明する
。
。
具体例a5
表1にAないしDで示した4種類の組成の異なる溶液を
調合し、その各溶液を撹拌しなから数時間熟成して、あ
る程度加水分解および脱水縮合を進めたのち、25イン
チカラー受像管のパネル外表面にスピンコード法により
、膜厚か1000人になるように回転数を制御して塗布
したのち、200℃で20分焼成して、反射防止膜を形
成した。
調合し、その各溶液を撹拌しなから数時間熟成して、あ
る程度加水分解および脱水縮合を進めたのち、25イン
チカラー受像管のパネル外表面にスピンコード法により
、膜厚か1000人になるように回転数を制御して塗布
したのち、200℃で20分焼成して、反射防止膜を形
成した。
(以五余白)
その結果、表1に併記したように反射率が0.06〜1
,05、膜強度が5〜8Hの経時変化のない安定した所
望の反射率および膜強度を有する反射防止膜が得られた
。
,05、膜強度が5〜8Hの経時変化のない安定した所
望の反射率および膜強度を有する反射防止膜が得られた
。
なお、表1の結着剤
CF3(CF2)5(CH2)2Si(OCH3)3の
かわりに により、膜厚が1000人になるように回転数を制御し
て塗布したのち、200℃で20分焼成して、反射防止
膜を形成した。
かわりに により、膜厚が1000人になるように回転数を制御し
て塗布したのち、200℃で20分焼成して、反射防止
膜を形成した。
(以下余白)
CF (CP )(C)l ) 5i(QC)1
3)2や(C1l 0)St(CH) (CF
2) 5 (CH2) 2sj(OC113)3を用い
て調合した溶液により反射防止膜を形成しても、はぼ同
様の結果が得られた。
3)2や(C1l 0)St(CH) (CF
2) 5 (CH2) 2sj(OC113)3を用い
て調合した溶液により反射防止膜を形成しても、はぼ同
様の結果が得られた。
具体例b、
表2に結着剤としてフルオロアルキル基を含有するシラ
ン化合物とSjのアルコキシドとの共縮合体を用い、E
ないし■で示した5種類の組成の異なる組成の溶液を調
合し、具体例aと同様にその各溶液を撹拌しながら数時
間熟成して、ある程度加水分解および脱水縮合を進めた
のち、25インチカラー受像管のパネル外表面にスピン
コード法その結果、E、F、Gについては、反射率(視
感反射率)として0.4%前後の経時変化のない安定し
た反射率か得られたが、Hおよび工については、経時変
化をおこし、かつ最終的な反射率(視感反射率)が、H
については0.75%、■については1,05%となっ
た。このことは、フルオロアルキル基を含有するシラン
化合物と他の化合物との共縮合体を結着剤とする場合は
、その他の化合物の添加量をフルオロアルキル基含有シ
ラン化合物に対して同量以下にする必要があることを示
している。なお、膜強度については、いずれも7Hであ
り、所要の膜強度とすることができた。したがって、こ
の具体例すについては、E、FSGが反射率、膜強度と
も満足する所要の反射防止膜となっている。
ン化合物とSjのアルコキシドとの共縮合体を用い、E
ないし■で示した5種類の組成の異なる組成の溶液を調
合し、具体例aと同様にその各溶液を撹拌しながら数時
間熟成して、ある程度加水分解および脱水縮合を進めた
のち、25インチカラー受像管のパネル外表面にスピン
コード法その結果、E、F、Gについては、反射率(視
感反射率)として0.4%前後の経時変化のない安定し
た反射率か得られたが、Hおよび工については、経時変
化をおこし、かつ最終的な反射率(視感反射率)が、H
については0.75%、■については1,05%となっ
た。このことは、フルオロアルキル基を含有するシラン
化合物と他の化合物との共縮合体を結着剤とする場合は
、その他の化合物の添加量をフルオロアルキル基含有シ
ラン化合物に対して同量以下にする必要があることを示
している。なお、膜強度については、いずれも7Hであ
り、所要の膜強度とすることができた。したがって、こ
の具体例すについては、E、FSGが反射率、膜強度と
も満足する所要の反射防止膜となっている。
さらに、上記具体例aおよびbにおいて、特筆すべき点
は、不良となる程度の欠点の発生が従来の2層構造の反
射防止膜の場合にくらべていちじるしく低いことである
。すなわち、この例の反射防止膜については、清浄度5
000クラスのクリーンルームで形成しても、そのとき
発生する不良発生率が、清浄度1000クラスのクリー
ンルームて形成したとき発生する従来の2層構造の反射
防止膜の不良発生率にほぼ等しく、容易に所要の反射防
止膜を形成することができ、実用性、量産性にすぐれて
いる。
は、不良となる程度の欠点の発生が従来の2層構造の反
射防止膜の場合にくらべていちじるしく低いことである
。すなわち、この例の反射防止膜については、清浄度5
000クラスのクリーンルームで形成しても、そのとき
発生する不良発生率が、清浄度1000クラスのクリー
ンルームて形成したとき発生する従来の2層構造の反射
防止膜の不良発生率にほぼ等しく、容易に所要の反射防
止膜を形成することができ、実用性、量産性にすぐれて
いる。
なお、この具体例すでは、フルオロアルキル基を含有す
るシラン化合物と共縮合体他の化合物として、Sjのア
ルコキシドを用いたが、このSiのアルコキシドのかわ
りに、MをT1やZrなどの金属のアルコキシドを用い
ても、同様の反射防止膜を形成することかできる。さら
にこの反射防止膜に光選択吸収作用を付加させるように
染料、顔料を含有させても良い。又酸化インジウムや酸
化スズ等の微粒子を含有させて導電性を付加することも
できる。
るシラン化合物と共縮合体他の化合物として、Sjのア
ルコキシドを用いたが、このSiのアルコキシドのかわ
りに、MをT1やZrなどの金属のアルコキシドを用い
ても、同様の反射防止膜を形成することかできる。さら
にこの反射防止膜に光選択吸収作用を付加させるように
染料、顔料を含有させても良い。又酸化インジウムや酸
化スズ等の微粒子を含有させて導電性を付加することも
できる。
実施例2゜
第8図に他の実施例として液晶表示装置を示す。
この液晶表示装置は、相対向する一対のガラスからなる
一対の基板(31)、(32)と、この基板(31)。
一対の基板(31)、(32)と、この基板(31)。
(32)の各対向面にそれぞれ形成されたITO(in
diu−ta Tin 0xide)からなる所定パタ
ーンの電極(33)。
diu−ta Tin 0xide)からなる所定パタ
ーンの電極(33)。
(34)と、この各電極(33) 、 (34)を覆う
ように上記一対の基板(:31) 、 (32)の各対
向面にそれぞれ形成され配向膜(35) 、 (36)
と、上記基板(31)、(32)間に配置されて配向膜
(35) 、 (3B)に固着し、上記−対の基板(3
1)、(32)間隔を規制する熱硬化性樹脂からなるス
ペーサー(37)と、その基板(31)、(32)間に
充填された液晶(38)と、この液晶(38)の充填さ
れた基板(31)、(32)周縁部を封止するシール剤
(39)とから構成されている。そして、その表示部基
体をなすその一方の基板(31)の外表面に下記反射防
止膜(19)が設けられている。
ように上記一対の基板(:31) 、 (32)の各対
向面にそれぞれ形成され配向膜(35) 、 (36)
と、上記基板(31)、(32)間に配置されて配向膜
(35) 、 (3B)に固着し、上記−対の基板(3
1)、(32)間隔を規制する熱硬化性樹脂からなるス
ペーサー(37)と、その基板(31)、(32)間に
充填された液晶(38)と、この液晶(38)の充填さ
れた基板(31)、(32)周縁部を封止するシール剤
(39)とから構成されている。そして、その表示部基
体をなすその一方の基板(31)の外表面に下記反射防
止膜(19)が設けられている。
この反射防止膜(19)は、その反射防止膜(19)形
成部以外の部分をシールし、前記具体例aのB溶液に浸
漬したのち、膜厚が1000人になるように引上げ速度
を制御して引上げてその露出外表面に塗布し、その後、
約60℃の温風で40分間焼成して形成したものである
。
成部以外の部分をシールし、前記具体例aのB溶液に浸
漬したのち、膜厚が1000人になるように引上げ速度
を制御して引上げてその露出外表面に塗布し、その後、
約60℃の温風で40分間焼成して形成したものである
。
その結果、基板(31)外表面に、視感反射率が約0.
4%で経時変化がなく、がっ膜強度が7Hという良好な
反射防止膜を形成することができた。
4%で経時変化がなく、がっ膜強度が7Hという良好な
反射防止膜を形成することができた。
[発明の効果]
表示装置の表示部基体の外表面に形成される反射防止膜
を、フルオロアルキル基を有するシラン化合物の縮合体
、またはこのシラン化合物の縮合体とSiまたは金属酸
化物系化合物との共縮合体を結着剤として、MgF2微
粒子を結着してなる多孔質薄膜で構成すると、フルオロ
アルキル基を有するシラン化合物の縮合体またはそのS
iまたは金属酸化物系化合物との共縮合体からなる結着
剤は、MgF2とほぼ同じ屈折率を有するため、MgF
2に対するその結着剤量を調整して薄膜中の気孔率を調
整することにより、十分な反射防止効果をもつ反射防止
膜とすることかできる。しかもその結着剤は、従来の単
層の反射防止膜の結着剤として用いられたSiのアルコ
キシドを加水分解、脱水縮合して得られたS iO2と
ほぼ同じ結着力を有しるので、反射防止膜を所要の強度
に保持した状態で十分な反射防止効果をもつ反射防止膜
とすることができる。しかもこの反射防止膜は、Mg
F 2が疎水性のフルオロアルキル基を有するシロキサ
ン結合で結合するSjのマトリックスにより結着され、
そのフルオロアルキル基が多孔質薄膜の空隙への水分の
浸入を防ぐため、経時変化もおこさない反射防止膜とす
ることができる。さらに単層の反射防止膜であるため、
容易かつ安価に所要の反射防止膜を形成することができ
るなどの効果がある。
を、フルオロアルキル基を有するシラン化合物の縮合体
、またはこのシラン化合物の縮合体とSiまたは金属酸
化物系化合物との共縮合体を結着剤として、MgF2微
粒子を結着してなる多孔質薄膜で構成すると、フルオロ
アルキル基を有するシラン化合物の縮合体またはそのS
iまたは金属酸化物系化合物との共縮合体からなる結着
剤は、MgF2とほぼ同じ屈折率を有するため、MgF
2に対するその結着剤量を調整して薄膜中の気孔率を調
整することにより、十分な反射防止効果をもつ反射防止
膜とすることかできる。しかもその結着剤は、従来の単
層の反射防止膜の結着剤として用いられたSiのアルコ
キシドを加水分解、脱水縮合して得られたS iO2と
ほぼ同じ結着力を有しるので、反射防止膜を所要の強度
に保持した状態で十分な反射防止効果をもつ反射防止膜
とすることができる。しかもこの反射防止膜は、Mg
F 2が疎水性のフルオロアルキル基を有するシロキサ
ン結合で結合するSjのマトリックスにより結着され、
そのフルオロアルキル基が多孔質薄膜の空隙への水分の
浸入を防ぐため、経時変化もおこさない反射防止膜とす
ることができる。さらに単層の反射防止膜であるため、
容易かつ安価に所要の反射防止膜を形成することができ
るなどの効果がある。
第1図ないし第8図はこの発明の詳細な説明図で、第1
図はその一実施例であるカラー受像管の構成を示す図、
第2図はその反射防止膜の構成を示す図、第3図(a)
および(b)はそれぞれその反射防止膜の化学構造を示
す図、第4図はその反射防止膜の視感反射率とMgF2
に対する結着剤量との関係をS ] 02を結着剤とす
る反射防止膜のそれと比較して示す図、第5図はその反
射防止膜の膜強度とMgF2に対する結着剤量との関係
を示す図、第6図はその反射防止膜の気孔率とMgF2
に対する結着剤量との関係を示す図、第7図はその反射
防止膜の経時変化をSiO3を結着剤とする反射防止膜
のそれと比較して示す図、第8図は他の実施例である液
晶表示装置の構成を示す図、第9図は従来のカラー受像
管の構成を説明するための図、第10図はその反射防止
膜の構成を示す図、第1I図はその反射防止膜の化学構
造を示す図である。 10・・・パネル 、12・・・蛍光体スクリー
ン、16・・・電子銃 、19・・・反射防止膜
、21・・・MgF2微粒子、22・・・結着剤、31
.32・・・基板、 33.34・・・電極、:1
5,36・・・配向膜、 38・・・液晶、第1図 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 第2図 (b) 第 図 drrl(hoursl 第 図 all’l/M(]F2 第4図 結着荊/ MCI F2 第 図 第 図
図はその一実施例であるカラー受像管の構成を示す図、
第2図はその反射防止膜の構成を示す図、第3図(a)
および(b)はそれぞれその反射防止膜の化学構造を示
す図、第4図はその反射防止膜の視感反射率とMgF2
に対する結着剤量との関係をS ] 02を結着剤とす
る反射防止膜のそれと比較して示す図、第5図はその反
射防止膜の膜強度とMgF2に対する結着剤量との関係
を示す図、第6図はその反射防止膜の気孔率とMgF2
に対する結着剤量との関係を示す図、第7図はその反射
防止膜の経時変化をSiO3を結着剤とする反射防止膜
のそれと比較して示す図、第8図は他の実施例である液
晶表示装置の構成を示す図、第9図は従来のカラー受像
管の構成を説明するための図、第10図はその反射防止
膜の構成を示す図、第1I図はその反射防止膜の化学構
造を示す図である。 10・・・パネル 、12・・・蛍光体スクリー
ン、16・・・電子銃 、19・・・反射防止膜
、21・・・MgF2微粒子、22・・・結着剤、31
.32・・・基板、 33.34・・・電極、:1
5,36・・・配向膜、 38・・・液晶、第1図 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 第2図 (b) 第 図 drrl(hoursl 第 図 all’l/M(]F2 第4図 結着荊/ MCI F2 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 表示部基体の外表面に反射防止膜が形成されてなる表示
装置において、 上記反射防止膜がフルオロアルキル基を有するシラン化
合物の縮合体、またはこのシラン化合物とけい素または
金属酸化物系化合物との共縮合体を結着剤として、ふっ
化マグネシウム微粒子を結着してなる多孔質薄膜で構成
されていることを特徴とする表示装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2195896A JPH0482145A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 表示装置 |
TW080105291A TW208066B (ja) | 1990-07-24 | 1991-07-08 | |
US07/733,806 US5281893A (en) | 1990-07-24 | 1991-07-22 | Display device with an anti-reflection film on the display plane |
EP91112272A EP0468423B1 (en) | 1990-07-24 | 1991-07-22 | Display device |
DE69123094T DE69123094T2 (de) | 1990-07-24 | 1991-07-22 | Anzeigevorrichtung |
KR1019910012760A KR950008106B1 (ko) | 1990-07-24 | 1991-07-24 | 표시장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2195896A JPH0482145A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0482145A true JPH0482145A (ja) | 1992-03-16 |
Family
ID=16348793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2195896A Pending JPH0482145A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 表示装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5281893A (ja) |
EP (1) | EP0468423B1 (ja) |
JP (1) | JPH0482145A (ja) |
KR (1) | KR950008106B1 (ja) |
DE (1) | DE69123094T2 (ja) |
TW (1) | TW208066B (ja) |
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WO1998045734A1 (fr) * | 1997-04-04 | 1998-10-15 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Films antireflet et afficheur correspondant |
WO2006030848A1 (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-23 | Nikon Corporation | 非晶質酸化珪素バインダを有するMgF2光学薄膜、及びそれを備える光学素子、並びにそのMgF2光学薄膜の製造方法 |
JPWO2008001675A1 (ja) * | 2006-06-27 | 2009-11-26 | 株式会社ニコン | 光学多層薄膜、光学素子、及び光学多層薄膜の製造方法 |
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EP0596531B1 (en) * | 1992-11-06 | 1997-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Antireflection film and display apparatus comprising the same |
US5981059A (en) * | 1995-04-03 | 1999-11-09 | Southwall Technologies, Inc. | Multi-layer topcoat for an optical member |
JP3808917B2 (ja) * | 1995-07-20 | 2006-08-16 | オリンパス株式会社 | 薄膜の製造方法及び薄膜 |
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US20030214042A1 (en) * | 2002-02-01 | 2003-11-20 | Seiko Epson Corporation | Circuit substrate, electro-optical device and electronic appliances |
US20030179455A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-09-25 | Jeffrey Hunt | Fingerprint resistant anti-reflection coatings for plastic substrates |
US20040209072A1 (en) * | 2002-08-09 | 2004-10-21 | Inka Henze | Cleaning-friendly article with an easily cleanable, heat-resistant surface coating |
DE10236728A1 (de) * | 2002-08-09 | 2004-02-26 | Schott Glas | Reinigungsfreundliche Vorrichtung |
KR100533418B1 (ko) * | 2003-07-10 | 2005-12-05 | 엘지.필립스 디스플레이 주식회사 | 칼라 음극선관용 패널 및 그 제조 방법 |
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EP1818694A1 (en) * | 2006-02-14 | 2007-08-15 | DSMIP Assets B.V. | Picture frame with an anti reflective glass plate |
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JPS58211701A (ja) * | 1982-06-04 | 1983-12-09 | Asahi Glass Co Ltd | 低反射率ガラス |
DE3228735A1 (de) * | 1982-07-31 | 1984-02-02 | Hazemag Dr. E. Andreas GmbH & Co, 4400 Münster | Fahrbare oder verfahrbare zerkleinerungsanlage |
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JPH02115801A (ja) * | 1988-10-26 | 1990-04-27 | Asahi Optical Co Ltd | 染色可能な反射防止膜組成物 |
-
1990
- 1990-07-24 JP JP2195896A patent/JPH0482145A/ja active Pending
-
1991
- 1991-07-08 TW TW080105291A patent/TW208066B/zh active
- 1991-07-22 EP EP91112272A patent/EP0468423B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-22 DE DE69123094T patent/DE69123094T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-22 US US07/733,806 patent/US5281893A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-24 KR KR1019910012760A patent/KR950008106B1/ko not_active IP Right Cessation
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JPWO2008001675A1 (ja) * | 2006-06-27 | 2009-11-26 | 株式会社ニコン | 光学多層薄膜、光学素子、及び光学多層薄膜の製造方法 |
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---|---|
TW208066B (ja) | 1993-06-21 |
EP0468423A3 (en) | 1992-04-29 |
DE69123094D1 (de) | 1996-12-19 |
EP0468423A2 (en) | 1992-01-29 |
KR950008106B1 (ko) | 1995-07-25 |
KR920003396A (ko) | 1992-02-29 |
US5281893A (en) | 1994-01-25 |
EP0468423B1 (en) | 1996-11-13 |
DE69123094T2 (de) | 1997-04-03 |
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