JPH08279341A - 帯電防止低反射型陰極線管およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ゾル−ゲル法により形成される帯電防止低反
射膜を陰極線管のフェースプレートの外表面に十分な強
さで密着させることを目的とする。 【解決手段】 ガラス製フェースプレート3 の外表面に
ゾル−ゲル法による光干渉２層膜からなる帯電防止低反
射膜11が形成されてなる帯電防止低反射型陰極線管にお
いて、フェースプレートの外表面と帯電防止低反射膜と
の間にゾル−ゲル法による膜厚５０〜１００オングスト
ロームのシリカ膜 15 設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、光干渉２層膜か
らなる帯電防止低反射膜が形成されてなる帯電防止低反
射型陰極線管およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえばカラー受像管などの陰極線管
は、外表面が平滑な曲面からなるガラス製パネル（フェ
ースプレート）の内面に蛍光体スクリーンが設けられ、
ファンネルのネック内に封止された電子銃から放出され
る電子ビームにより上記蛍光体スクリーンを走査するこ
とにより、画像を表示する構造に形成されている。この
ような陰極線管においては、通常蛍光体スクリーン上に
高輝度画像を表示するため、蛍光体スクリーンおよび電
子銃の最終加速電極に２０〜３０ｋＶ程度の高電圧が印
加される。したがってこのような陰極線管においては、
その蛍光体スクリーンに印加された電圧がフェースプレ
ートの外表面に誘導されて帯電する。そのため、このフ
ェースプレートの外表面に接触すると強い電撃を受ける
ことがある。またその帯電により、フェースプレートの
外表面に大気中のごみや塵埃が付着して画像がみにくく
なる。さらに上記帯電とは別に、平滑な外表面で外光の
反射がおこり、この外光の反射がフェースプレートを介
してみる蛍光体スクリーン上の画像と重なって画像品位
を劣化させる。特にコンピュータのディスプレイなどで
は、至近距離から画面をみることが多いので、上記外光
の反射が目の疲労を促進するなどの問題がある。

【０００３】したがってこのような問題を解決するため
に、従来よりフェースプレートの外表面に帯電防止低反
射膜を形成した陰極線管がある。

【０００４】その帯電防止低反射膜の形成方法として、
導電性をもつ金属酸化物の微粒子をシリコンアルコキシ
ドのアルコール溶液に分散させた分散液をフェースプレ
ートの外表面にスプレー法により塗布し、乾燥焼成して
凹凸膜を形成し、その表面の凹凸により外光を拡散反射
させることにより反射率を低減する帯電防止低反射膜を
形成する方法がある。しかしこの帯電防止低反射膜は、
その表面の凹凸により、蛍光体スクリーン上に描かれる
画像の解像度が劣化し、極端な場合は、フェースプレー
トの外表面がすりガラス状となって、画面が白っぽくな
り、フェースプレートを介してみる蛍光体スクリーン上
の画像のコントラストを低下させるなどの問題がある。

【０００５】また他の帯電反射防止方法として、真空蒸
着法やスパッタリング法などの気相法により、ガラスプ
レート上に光干渉多層膜を形成し、このガラスプレート
を陰極線管のフェースプレートの外表面に貼着し、光の
干渉効果により外光の反射を抑制する方法がある。しか
しこの帯電反射防止方法は、大掛りな製造装置が必要で
あり、コストが高くなる。そのため、一部の高級機種に
しか採用できないという問題がある。

【０００６】上記帯電反射防止方法の問題点を解決する
方法として、直接陰極線管のフェースプレートの外表面
にゾル−ゲル法により光干渉多層膜からなる帯電防止低
反射膜を形成する方法が開発されている。このゾル−ゲ
ル法によれば、低コストの材料を用いて簡単な製造設備
により、解像度やコントラストの低下のない帯電防止低
反射膜を形成することができる。

【０００７】一般に上記ゾル−ゲル法による帯電防止低
反射膜は、形成の容易さからフェースプレートの外表面
側に高屈折率層、その上に低屈折率層を形成して光干渉
２層膜とする場合が多い。しかしゾル−ゲル法により、
このような光干渉２層膜からなる帯電防止低反射膜を形
成すると、一般に高屈折率層に用いられる材料は、ガラ
ス製フェースプレートと密着性の悪いものが多いため、
低屈折率層をフェースプレートと密着性のよいシリカで
形成しても、光干渉２層膜の形成に必要な２００℃程度
の温度の焼成では、フェースプレートに対して帯電防止
低反射膜を十分な強さで密着させることができない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、陰極線
管のフェースプレート外表面の帯電防止低反射膜とし
て、直接フェースプレートの外表面にゾル−ゲル法によ
り光干渉２層膜からなる帯電防止低反射膜を形成する方
法がある。一般にこのゾル−ゲル法による光干渉２層膜
からなる帯電防止低反射膜は、フェースプレートの外表
面側に高屈折率層、その上に低屈折率層を形成して２層
膜としている。しかしゾル−ゲル法により、このような
光干渉２層膜からなる帯電防止低反射膜を形成すると、
高屈折率層に用いられる材料は、ガラス製フェースプレ
ートと密着性の悪いものが多いため、低屈折率層をフェ
ースプレートと密着性のよいシリカで形成しても、光干
渉２層膜の形成に必要な２００℃程度の温度の焼成で
は、フェースプレートに対して帯電防止低反射膜を十分
な強さで密着させることができないという問題がある。

【０００９】この発明は、上記問題点を解決するために
なされたものであり、ゾル−ゲル法により形成される帯
電防止低反射膜を陰極線管のフェースプレートの外表面
に十分な強さで密着させることを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明においては、ガラス製フェースプレートの
外表面にゾル−ゲル法による光干渉２層膜からなる帯電
防止低反射膜が形成されてなる帯電防止低反射型陰極線
管において、フェースプレートの外表面と帯電防止低反
射膜との間にゾル−ゲル法による膜厚５０〜１００オン
グストロームのシリカ膜を設けた。

【００１１】また、ガラス製フェースプレートの外表面
にゾル−ゲル法により光干渉２層膜からなる帯電防止低
反射膜を形成する帯電防止低反射型陰極線管の製造方法
において、フェースプレートの外表面にアルコールに可
溶な珪素化合物のアルコール溶液を塗布し乾燥して珪素
化合物膜を成膜し、この珪素化合物膜上に導電性高屈折
率層形成液を塗布し乾燥して光干渉２層膜の導電性高屈
折率層を形成するための第１層を成膜し、この第１層上
に低屈折率層形成液を塗布し乾燥して光干渉２層膜の低
屈折率層を形成するための第２層を成膜したのち、これ
ら珪素化合物膜、第１層および第２層を所定温度で加熱
焼成してフェースプレートの外表面上にゾル−ゲル法に
よりシリカ膜を介して光干渉２層膜からなる帯電防止低
反射膜を形成するようにした。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施の形態について説明する。

【００１３】図１（ａ）にその一形態であるカラー受像
管を示す。このカラー受像管は、外表面が平滑な曲面か
らなる有効部１の周辺部にスカート部２が設けられたガ
ラス製パネル３（フェースプレート）とそのスカート部
２に接合された漏斗状のファンネル４からなる真空外囲
器を有し、そのパネル３の有効部１の内面に、青、緑、
赤に発光する３色蛍光体層からなる蛍光体スクリーン５
が設けられ、この蛍光体スクリーン５に対向して、その
内側にシャドウマスク６が配置されている。一方、ファ
ンネル４のネツク７内に３電子ビームを放出する電子銃
８が封止されている。そして、この電子銃８から放出さ
れる３電子ビームをファンネル４の外側に装着された偏
向装置（図示せず）の発生する磁界により偏向して、上
記蛍光体スクリーン５を水平、垂直走査することによ
り、カラー画像を表示する構造に形成されている。

【００１４】さらにこのカラー受像管においては、パネ
ル３のスカート部２の外周に防爆バンド１０が取付けら
れている。またパネル３の有効部１の外表面に下記帯電
防止低反射膜１１が形成され、上記防爆バンド１０に導
電接続されている。なお、帯電防止低反射膜１１は、カ
ラー受像管を受像機に組込むとき、その防爆バンド１０
を介してアース接続される。

【００１５】上記帯電防止低反射膜１１は、図１（ｂ）
に示したように、パネル３の有効部１の外表面側に導電
性高屈折率層１３が形成され、この導電性高屈折率層１
３上に低屈折率層１４が形成された光学干渉２層膜から
なる。その導電性高屈折率層１３は、ＡＴＯ（Antimony
Tin Oxide）やＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの導電
性微粒子のほか、蛍光体スクリーン５上に描かれる画像
のコントラストを向上させるための光選択吸収染料また
は有機顔料などを必要に応じて分散したシリカ層からな
る。一方、低屈折率層１４は、シリカ層からなる。特に
この例のカラー受像管においては、パネル３の有効部１
の外表面と上記帯電防止低反射膜１１の導電性高屈折率
層１３との間に膜厚５０〜１００オングストロームのシ
リカ層１５が設けられ、このシリカ層１５を介してパネ
ル３の有効部１の外表面上に帯電防止低反射膜１１が形
成されている。

【００１６】このような帯電防止低反射膜１１は、既知
の製造方法によりカラー受像管を製造したのち、ゾル−
ゲル法により形成される。

【００１７】すなわち、写真印刷法によりシャドウマス
ク６を光学マスクとしてパネル３の内面に蛍光体スクリ
ーン５を形成したのち、この蛍光体スクリーン５の形成
されたパネル３にシャドウマスク６を装着する。そして
このシャドウマスク６の装着されたパネル３とファンネ
ル４とを接合（封着）する。さらにその接合により得ら
れた外囲器のネック７内に電子銃８を封止して排気す
る。その後、パネル３のスカート部２の外周に防爆バン
ド１０が取付ける。

【００１８】帯電防止低反射膜１１は、まず上記防爆バ
ンド１０の取付けられたパネル１の外表面を洗浄し、こ
の洗浄したパネル１を約３０℃に加熱する。そしてこの
加熱されたパネル３の外表面に、スプレー法、スピンコ
ート法、ディップ法などの塗布方法、好ましくはスプレ
ー法により、アルコールに可溶な珪素化合物のアルコー
ル溶液からなるシリカ膜形成液を塗布し乾燥して、図２
（ａ）に示すように、パネル３の外表面に珪素化合物膜
１７を成膜する。

【００１９】つぎに上記珪素化合物膜１７の形成された
パネル３の外表面上に、同じくスプレー法、スピンコー
ト法、ディップ法などの塗布方法により、ＡＴＯやＩＴ
Ｏなどの導電性微粒子を分散しかつ必要に応じて光選択
吸収染料または有機顔料の添加されたアルコールに可溶
な珪素化合物のアルコール溶液からなる高屈折率層形成
液を塗布し乾燥して、同（ｂ）に示すように、上記珪素
化合物膜１７上に光干渉２層膜の高屈折率層を形成する
ための第１層１８を成膜する。つぎにこの第１層１８の
形成されたパネル３の外表面上に、同じくスプレー法、
スピンコート法、ディップ法などの塗布方法により、ア
ルコールに可溶な珪素化合物のアルコール溶液からなる
低屈折率層形成液を塗布し乾燥して、同（ｃ）に示すよ
うに、上記第１層１８上に光干渉２層膜の低屈折率層を
形成するための第２層１９を成膜する。その後、上記パ
ネル３の外表面上に形成された珪素化合物膜１７、高屈
折率層を形成するための第１層１８および低屈折率層を
形成するための第２層１９を約２００℃に加熱し焼成し
て、パネル３の有効面の外表面側を高屈折率層とし、こ
の高屈折率層上に低屈折率層の形成された光干渉２層膜
からなる帯電防止低反射膜を形成するとともに、パネル
３の有効面の外表面と高屈折率層との間にシリカ膜を形
成する。

【００２０】ところで、上記のようにパネル３の外表面
とその上にゾル−ゲル法により形成される光干渉２層膜
からなる帯電防止低反射膜１１との間にゾル−ゲル法に
よる膜厚５０〜１００オングストロームのシリカ膜１５
を設けると、パネル３の外表面に対して、その外表面側
に形成される導電性高屈折率層１３を十分な強さで密着
させることができる。しかもパネル３の外表面と光干渉
２層膜からなる帯電防止低反射膜１１との間にシリカ膜
１５を製造上簡単なスプレー法により形成することがで
きるという効果が得られる。

【００２１】すなわち、光の干渉効果による外光の反射
を抑制する光干渉多層膜からなる帯電防止低反射膜をパ
ネルの外表面に形成する場合、ガラス製パネルに対する
密着の強さからは、パネルと同じかまたは類似の物質で
あることが望まれる。これは、構造的に同じ物質であれ
ば、結合面を歪の少ない構造にすることができ、良好な
結合強度が得られるからである。しかし帯電防止低反射
膜を光干渉２層膜で形成する場合は、パネルの外表面側
にパネルよりも屈折率の高い導電性高屈折率層を形成し
なければならず、そのためにＡＴＯやＩＴＯなどの導電
性微粒子を分散しかつ必要に応じて光選択吸収染料また
は有機顔料の添加された珪素化合物のアルコール溶液を
塗布して形成するため、加熱焼成の結果得られる珪素化
合物の分解生成物であるシリカのＳｉＯ₂ の網目構造が
歪み、安定した網目構造からなるがラス製パネルのの外
表面に成膜しても、結合面の構造が不安定となり、所要
の結合強度が得られない。

【００２２】一方、ゾル−ゲル法による成膜は、ゾルの
加水分解、縮合をおこないながら、ゲルになることによ
りおこなわれるが、加熱焼成しない状態では、完全にゲ
ルにはならず、縮合されなかったＯＨ基が多数残存して
いる。したがって完全にゲル化されていない状態で異な
る構造の膜を積層すると、互いに構造的に不安定な状態
にあるため、その接触面が構造的により安定になるよう
になじむ。その結果、上記積層された膜を所定温度で加
熱焼成すると、パネルの外表面に直接パネルと異なる構
造の膜を成膜する場合にくらべ、パネルに対する結合強
度を高めることができる。

【００２３】つまり、ガラス製パネルの外表面に対して
良好な密着が得られる珪素化合物のゾル−ゲル膜を設
け、このゾル−ゲル膜が完全なゲル膜とならない状態
で、その上にパネルとは異なる構造の導電性高屈折率層
を形成するための膜（第１層）を成膜すると、この膜の
パネルの外表面に対する密着強さを飛躍的に高めること
ができる。

【００２４】さらに上記導電性高屈折率層を形成するた
めの第１層上にシリカからなる低屈折率層を形成するた
めの第２層を成膜することにより、導電性高屈折率層を
シリカの層で挟む構造となり、構造的に弱い導電性高屈
折率層を強度の強い膜でカバーし、帯電防止低反射膜を
強化できるという効果が得られる。

【００２５】つぎに上記光干渉２層膜からなる帯電防止
低反射膜の実施例について説明する。

【００２６】

【実施例】

実施例１．ガラス製パネルの外表面を洗浄し、３０℃に
加熱したのち、スピンコート法により、そのパネルの外
表面に表１に示す組成の珪素化合物のアルコール溶液
（シリカ膜形成液）を塗布し乾燥して、膜厚９０オング
ストロームの珪素化合物膜を成膜した。つぎにこの珪素
化合物膜の形成されたパネルを３０℃に加熱したのち、
その珪素化合物膜上にスピンコート法により、表２に示
す組成の高屈折率層形成液を塗布し乾燥して、高屈折率
層を形成するための第１層を成膜し、さらにこの第１層
上に表３に示す組成の低屈折率層形成液を塗布し乾燥し
て、低屈折率層を形成するための第２層を成膜した。そ
の後、これらパネルの外表面上に形成された珪素化合物
膜、高屈折率層を形成するための第１層および低屈折率
層を形成するための第２層を２００℃の温度で加熱焼成
して、パネルの外表面上に光干渉２層膜を形成するとと
もに、この光干渉２層膜を構成する高屈折率層との間に
シリカ膜を形成した。

【００２７】

【表１】 （シリカ膜形成液） エチルシリケート溶液（固形分４重量％） ２０％ イソプロピルアルコール ４０％ ｎ−ブチルアルコール ４０％

【表２】 （高屈折率層形成液） ＡＴＯ分散エチルシリケート溶液（固形分３重量％） ２０％ 光選択吸収染料 ５％ エチルアルコール １５％ イソプロピルアルコール ３０％ ｎ−ブチルアルコール ３０％

【表３】 （低い屈折率層形成液） エチルシリケート溶液（固形分４重量％） ３０％ イソプロピルアルコール ３５％ ｎ−ブチルアルコール ３５％ 実施例２．ガラス製パネルの外表面を洗浄し、３０℃に
加熱したのち、スプレー法により、そのパネルの外表面
に表４に示す組成の珪素化合物のアルコール溶液（シリ
カ膜形成液）を塗布し乾燥して、膜厚７０オングストロ
ームの珪素化合物膜を成膜した。つぎに珪素化合物膜の
成膜されたパネルを３０℃に加熱したのち、その珪素化
合物膜上にスピンコート法により、表２に示した組成の
高屈折率層形成液を塗布し乾燥して、高屈折率層を形成
するための第１層を成膜し、さらにこの第１層上に表３
に示した組成の低屈折率層形成液を塗布し乾燥して、低
屈折率層を形成するための第２層を成膜した。その後、
これらパネルの外表面上に形成された珪素化合物膜、高
屈折率層を形成するための第１層および低屈折率層を形
成するための第２層を２００℃の温度で加熱焼成して、
パネルの外表面上に光干渉２層膜を形成するとともに、
この光干渉２層膜を構成する高屈折率層との間にシリカ
膜を形成した。

【００２８】

【表４】 （シリカ層形成液） エチルシリケート溶液（固形分４重量％） ５０％ イソプロピルアルコール １５％ ｎ−ブチルアルコール １５％ ｎ−ペンチルアルコール ２０％ 比較例１．ガラス製パネルの外表面を洗浄し、３０℃に
加熱したのち、スピンコート法により、そのパネルの外
表面に表５に示す組成の珪素化合物のアルコール溶液
（シリカ膜形成液）を塗布し乾燥して、膜厚４０オング
ストロームの珪素化合物膜を成膜した。つぎに珪素化合
物膜の形成されたパネルを３０℃に加熱したのち、その
珪素化合物膜上にスピンコート法により、表２に示した
組成の高屈折率層形成液を塗布し乾燥して、高屈折率層
を形成するための第１層を成膜し、さらにこの第１層上
に表３に示した組成の低屈折率層形成液を塗布し乾燥し
て、低屈折率層を形成するための第２層を成膜した。そ
の後、これらパネルの外表面上に形成された珪素化合物
膜、高屈折率層を形成する第１層および低屈折率層を形
成する第２層を２００℃の温度で加熱焼成して、パネル
の外表面上に光干渉２層膜を形成するとともに、この光
干渉２層膜を構成する高屈折率層との間にシリカ膜を形
成した。

【００２９】

【表５】 （シリカ層形成液） エチルシリケート溶液（固形分４重量％） １０％ イソプロピルアルコール ４５％ ｎ−ブチルアルコール ４５％ 比較例２．ガラス製パネルの外表面を洗浄し、３０℃に
加熱したのち、スピンコート法により、そのパネルの外
表面に表６に示す組成の珪素化合物のアルコール溶液
（シリカ膜形成液）を塗布し乾燥して、膜厚３００オン
グストロームの珪素化合物膜を成膜した。つぎに珪素化
合物膜の成膜されたパネルを３０℃に加熱したのち、そ
の珪素化合物膜上にスピンコート法により、表２に示し
た組成の高屈折率層形成液を塗布し乾燥して、高屈折率
層を形成するための第１層を成膜し、さらにこの第１層
上に表３に示した組成の低屈折率層形成液を塗布し乾燥
して、低屈折率層を形成するための第２層を成膜した。
その後、これらパネルの外表面上に形成された珪素化合
物膜、高屈折率層を形成する第１層および低屈折率層を
形成する第２層を２００℃の温度で加熱焼成して、パネ
ルの外表面上に光干渉２層膜を形成するとともに、この
光干渉２層膜を構成する高屈折率層との間にシリカ膜を
形成した。

【００３０】

【表６】 （シリカ層形成液） エチルシリケート溶液（固形分４重量％） ４０％ イソプロピルアルコール ３０％ ｎ−ブチルアルコール ３０％

【００３１】上記実施例１、２の膜特性（視感反射率、
消しゴムの摩擦による膜強度）を上記比較例１、２およ
びパネルの外表面にシリカ層を形成することなく、直接
光干渉２層膜を形成した場合と比較して表７に示す。

【表７】 この表７に示されているように、実施例１、２の帯電防
止低反射膜は、パネルの外表面と帯電防止低反射膜との
間に膜厚９０オングストローム、７０オングストローム
のシリカ膜を形成しても、視感反射率が０．８５、０．
９０と、パネルの外表面にシリカ膜を形成することなく
直接帯電防止低反射膜を形成した場合の０．８０と比較
して遜色ない視感反射率が得られている。しかも消しゴ
ムの摩擦による膜強度については、比較例１のように膜
厚４０オングストロームのシリカ膜を形成した場合、お
よびパネルの外表面にシリカ膜を形成することなく直接
帯電防止低反射膜を形成した場合は１００であるが、実
施例１、２はともに２００と、約２倍の強度が得られ、
パネルの外表面に対して十分な強さで密着させることが
できた。さらに実施例２のように珪素化合物膜をスプレ
ー法により成膜しても、特性的にあまり影響がなく、簡
単な製造方法で光干渉２層膜からなる帯電防止低反射膜
を形成することができる。

【００３２】なお、上記実施の形態では、カラー受像管
のパネルの外表面に光干渉２層膜からなる帯電防止低反
射膜を形成する場合について説明したが、この発明は、
その他の陰極線管のフェースプレート外表面に帯電防止
低反射膜を形成する場合にも適用できる。

【００３３】

【発明の効果】ガラス製フェースプレートの外表面にゾ
ル−ゲル法による光干渉２層膜からなる帯電防止低反射
膜が形成されてなる帯電防止低反射型陰極線管におい
て、そのフェースプレートの外表面とその上にゾル−ゲ
ル法により形成される光干渉２層膜からなる帯電防止低
反射膜との間にゾル−ゲル法による膜厚５０〜１００オ
ングストロームのシリカ膜を設けると、フェースプレー
トの外表面に対して、このフェースプレートの外表面側
に形成される導電性高屈折率層を十分な強さで密着させ
ることができ、従来フェースプレートの外表面に直接導
電性高屈折率層を形成したために、フェースプレートの
外表面に十分な強さで密着することができなかった光干
渉２層膜からなる帯電防止低反射膜を十分な強さで密着
させることができる。

【００３４】また、ガラス製フェースプレートの外表面
にゾル−ゲル法により光干渉２層膜からなる帯電防止低
反射膜を形成する帯電防止低反射型陰極線管の製造方法
において、そのフェースプレートの外表面にアルコール
に可溶な珪素化合物のアルコール溶液を塗布し乾燥して
珪素化合物膜を成膜し、この珪素化合物膜上に導電性高
屈折率層形成液を塗布し乾燥して光学干渉２層膜の導電
性高屈折率層を形成するための第１層を成膜し、この第
１層上に低屈折率層形成液を塗布し乾燥して光学干渉２
層膜の低屈折率層を形成するための第２層を成膜したの
ち、これら珪素化合物膜、導電性高屈折率層を形成する
ための第１層および低屈折率層を形成するための第２層
を所定温度で加熱焼成すると、珪素化合物膜の焼成によ
り得られるシリカ膜は、ガラスからなるフェースプレー
トの外表面に対して十分な密着性をもち、一方、このシ
リカ膜と第１層の焼成により得られる導電性高屈折率層
とを十分な強さで結合させることができる。したがって
それにより、従来フェースプレートの外表面に直接導電
性高屈折率層を形成したためにフェースプレートの外表
面に十分な強さで密着することができなかった光干渉２
層膜からなる帯電防止低反射膜を十分な強さで密着させ
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）はこの発明の実施の一形態であるカ
ラー受像管の構成を示す図、図１（ｂ）はそのパネル外
表面の帯電防止低反射膜の構成を示す図である。

【図２】図２（ａ）乃至（ｃ）はそれぞれ上記カラー受
像管のパネル外表面に帯電防止低反射膜を形成する方法
を説明するための図である。

【符号の説明】

３…パネル ５…蛍光体スクリーン ８…電子銃 １０…防爆バンド １１…帯電防止低反射膜 １３…高屈折率層 １４…低屈折率層 １５…シリカ膜 １７…珪素化合物膜 １８…第１層 １９…第２層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラス製フェースプレートの外表面にゾ
   ル−ゲル法による光干渉２層膜からなる帯電防止低反射
   膜が形成されてなる帯電防止低反射型陰極線管におい
   て、 上記フェースプレートの外表面と上記帯電防止低反射膜
   との間にゾル−ゲル法による膜厚５０〜１００オングス
   トロームのシリカ膜が設けられていることを特徴とする
   帯電防止低反射型陰極線管。
2. 【請求項２】 ガラス製フェースプレートの外表面にゾ
   ル−ゲル法により光干渉２層膜からなる帯電防止低反射
   膜を形成する帯電防止低反射型陰極線管の製造方法にお
   いて、 上記フェースプレートの外表面にアルコールに可溶な珪
   素化合物のアルコール溶液を塗布し乾燥して珪素化合物
   膜を成膜し、この珪素化合物膜上に導電性高屈折率層形
   成液を塗布し乾燥して上記光干渉２層膜の導電性高屈折
   率層を形成するための第１層を成膜し、この第１層上に
   低屈折率層形成液を塗布し乾燥して上記光干渉２層膜の
   低屈折率層を形成するための第２層を成膜したのち、こ
   れら珪素化合物膜、第１層および第２層を所定温度で加
   熱焼成してフェースプレートの外表面上にゾル−ゲル法
   によりシリカ膜を介して光干渉２層膜からなる帯電防止
   低反射膜を形成することを特徴とする帯電防止低反射型
   陰極線管の製造方法。