JPH0474421A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0474421A JPH0474421A JP18909690A JP18909690A JPH0474421A JP H0474421 A JPH0474421 A JP H0474421A JP 18909690 A JP18909690 A JP 18909690A JP 18909690 A JP18909690 A JP 18909690A JP H0474421 A JPH0474421 A JP H0474421A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 21
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 2
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体基板の乾燥方法を生とした半導体装置
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
従来の技術
従来の半導体装置の製造方法の工程断面図を第２図に示
す。第２図（ａ）に示すように半導体基板１の上に酸化
膜２があり、厚い部分と薄い部分の膜厚の差は３０００
Ａである。その上にポリシリコン膜３ （２０００Ａ）
が全面に被覆しており、その表面に自然酸化膜４が約２
０Ａ成長している。
す。第２図（ａ）に示すように半導体基板１の上に酸化
膜２があり、厚い部分と薄い部分の膜厚の差は３０００
Ａである。その上にポリシリコン膜３ （２０００Ａ）
が全面に被覆しており、その表面に自然酸化膜４が約２
０Ａ成長している。
第２図（ｂ）に示すようにフッ化水素（ＨＦ）とフッ化
アンモニウム（Ｎ８４ Ｆ）の混合液で数十秒自然酸化
膜４を除去し、比抵抗１８ＭΩ・備以上の純水で約２０
分水洗した。半導体基板１を水中から出すと、水滴５が
酸化膜２の薄い部分に付着する。その後、１１００回転
／分のスピンナーで約４分回転させることにより乾燥を
行うと、第２図ｆｃ）に示すようにしみ６が発生する。
アンモニウム（Ｎ８４ Ｆ）の混合液で数十秒自然酸化
膜４を除去し、比抵抗１８ＭΩ・備以上の純水で約２０
分水洗した。半導体基板１を水中から出すと、水滴５が
酸化膜２の薄い部分に付着する。その後、１１００回転
／分のスピンナーで約４分回転させることにより乾燥を
行うと、第２図ｆｃ）に示すようにしみ６が発生する。
発明が解決しようとする課題
このような従来の半導体装置の製造方法では、酸化膜２
の膜厚の薄い部分でシリコン（Ｓｉ）と酸素（○）を主
成分としたしみ６が発生し、半導体装置の歩留まりを低
下させるという課題を有していた。
の膜厚の薄い部分でシリコン（Ｓｉ）と酸素（○）を主
成分としたしみ６が発生し、半導体装置の歩留まりを低
下させるという課題を有していた。
本発明は上記課題を解決するもので、半導体基板表面に
形成されて凹部等にじみの発生しない半導体装置を提供
することを目的とする。
形成されて凹部等にじみの発生しない半導体装置を提供
することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、スピンナーを用い
て半導体基板の乾燥を行う前に、水洗した後に半導体基
板を４０℃以上のＩＰＡ液に浸漬し水とＩＰＡの置換を
十分に行うものである。
て半導体基板の乾燥を行う前に、水洗した後に半導体基
板を４０℃以上のＩＰＡ液に浸漬し水とＩＰＡの置換を
十分に行うものである。
作用
本発明は上記した構成により、しみは半導体基板の表面
に付着した水が乾燥する際に発生するので、水とＩＰＡ
を置換することによってしみは発生しに（くなるが、こ
れは水に比べてＩＰＡの方が表面張力が小さいために半
導体基板とＩＰＡの抵抗が小さ（なる。このことによっ
て、スピンナーによる振り切りが容易になり、じみがで
なくなる。またＴＰＡの液温か４０℃以上になると、こ
の抵抗が著しく減少するためにじみの抑制効果が飛躍的
に増大するのである。
に付着した水が乾燥する際に発生するので、水とＩＰＡ
を置換することによってしみは発生しに（くなるが、こ
れは水に比べてＩＰＡの方が表面張力が小さいために半
導体基板とＩＰＡの抵抗が小さ（なる。このことによっ
て、スピンナーによる振り切りが容易になり、じみがで
なくなる。またＴＰＡの液温か４０℃以上になると、こ
の抵抗が著しく減少するためにじみの抑制効果が飛躍的
に増大するのである。
実施例
以下、本発明の一実施例について第１図を参照しながら
説明する。
説明する。
第２図の従来例と同一部分には同一番号を付し、説明を
省略する。
省略する。
すなわち本発明の特徴は、第１図（ｂ）に示すような水
滴５が付着した半導体基板１を第１図（Ｃ）に示すよう
に４０℃以上のｒＰＡ（ｌｓｏ ＰｌｏｐｙＩ Ａｌｃ
ｏｈｏｌ）液に浸漬し表面に付着した水滴５をＩＰＡ液
１１で置換する。次に第１図（ｄ）に示すようにスピン
ナー乾燥（１１００回転／回転音行った。
滴５が付着した半導体基板１を第１図（Ｃ）に示すよう
に４０℃以上のｒＰＡ（ｌｓｏ ＰｌｏｐｙＩ Ａｌｃ
ｏｈｏｌ）液に浸漬し表面に付着した水滴５をＩＰＡ液
１１で置換する。次に第１図（ｄ）に示すようにスピン
ナー乾燥（１１００回転／回転音行った。
なお本実施例では、自然酸化膜４をＨＦを成分の一つと
して含む溶液でエツチングし、水洗した場合の水滴のＩ
ＰＡ液による置換について述べたが、自然酸化膜４だけ
でなく、普通の酸化膜の場合にも適用できる。
して含む溶液でエツチングし、水洗した場合の水滴のＩ
ＰＡ液による置換について述べたが、自然酸化膜４だけ
でなく、普通の酸化膜の場合にも適用できる。
発明の効果
以上の実施例から明らかなように本発明によれば、半導
体基板上の酸化膜をＨＦを成分の一つとして含む溶液で
エツチングし水洗を行った後に４０℃以上のＩＰＡ液に
半導体基板を浸漬し、その後スピンナー乾燥を行うので
、じみを発生させずに半導体基板の乾燥が可能となり、
高歩留まりの半導体装置を提供できる。
体基板上の酸化膜をＨＦを成分の一つとして含む溶液で
エツチングし水洗を行った後に４０℃以上のＩＰＡ液に
半導体基板を浸漬し、その後スピンナー乾燥を行うので
、じみを発生させずに半導体基板の乾燥が可能となり、
高歩留まりの半導体装置を提供できる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例の半導体装置
の製造方法を説明するための工程断面図、第２図（ａ）
〜（Ｃ）は従来の半導体装置の製造方法を説明するため
の工程断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・酸化膜、４
・・・・・・自然酸化膜（酸化膜）、１１・・・・・・
Ｔ Ｐ Ａ （ｌｓｏ ＰｌｏｐｙｌＡ、Ｉｃｏｈｏｌ
）液。
の製造方法を説明するための工程断面図、第２図（ａ）
〜（Ｃ）は従来の半導体装置の製造方法を説明するため
の工程断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・酸化膜、４
・・・・・・自然酸化膜（酸化膜）、１１・・・・・・
Ｔ Ｐ Ａ （ｌｓｏ ＰｌｏｐｙｌＡ、Ｉｃｏｈｏｌ
）液。
Claims (1)
- 半導体基板上の酸化膜をフッ化水素（ＨＦ）を成分の
一つとして含む溶液でエッチングし水洗した後、４０℃
以上のＩＰＡ（Ｉｓｏ Ｐｌｏｐｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ
）液に浸漬してからスピンナー乾燥を行うことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18909690A JPH0474421A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18909690A JPH0474421A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0474421A true JPH0474421A (ja) | 1992-03-09 |
Family
ID=16235280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18909690A Pending JPH0474421A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0474421A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02161707A (ja) * | 1989-11-02 | 1990-06-21 | Seiko Epson Corp | 樹脂結合型希土類磁石の製造方法 |
| GB2289337A (en) * | 1994-05-11 | 1995-11-15 | Mohammed Tanwir | Liquid level alarm device |
-
1990
- 1990-07-16 JP JP18909690A patent/JPH0474421A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02161707A (ja) * | 1989-11-02 | 1990-06-21 | Seiko Epson Corp | 樹脂結合型希土類磁石の製造方法 |
| GB2289337A (en) * | 1994-05-11 | 1995-11-15 | Mohammed Tanwir | Liquid level alarm device |
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